Исследование локальной атомной и электронной структуры наностержней AlN: Fe методами XANES и DFT

Наноструктурированный AlN – полупроводник с широкой энергетической щелью. Объяснение происхождения ферромагнетизма в легированном атомами Fe полупроводнике. Экспериментальное значение Фурье-трансформанты. Анализ зарядовых состояний атомов по Бейдеру.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 30.05.2017
Размер файла 234,2 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Исследование локальной атомной и электронной структуры наностержней AlN: Fe методами XANES и DFT

В.Л. Мазалова

О.Е. Положенцев

А.А. Дорошева

Д.С. Чуб

Введение

Наноструктуры AlN с примесью железа привлекают внимание в связи с возможностью их применения в устройствах спинтроники [1-4], которые реализуют уникальную возможность совмещения полупроводниковых и ферромагнитных технологий. Главным требованием к материалам в этой области является наличие ферромагнитных свойств при комнатной температуре. Однако полное объяснение магнитных свойств этих материалов до сих пор не было представлено. Первой стала модель Зенера [5]. Она основана на предположении, что магнитные атомы замещают атомы металла в кристаллической решетке полупроводника. Тем не менее, в арсениде галлия примесные атомы обычно занимают положение междоузлия [6]. Формирование кластеров марганца показано в ряде статей [7]. Другие авторы, на основании результатов рентгеновской дифракции, наблюдали присутствие фазы GaMn3N в GaN:Mn [8]. Другие теории, такие как модель с участием магнитных поляронов [9] и некоторые другие модели [10-12] были также разработаны для объяснения магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников.

Наноструктурированный AlN - полупроводник с широкой энергетической щелью. Контролируя процесс синтеза наноструктур на основе AlN, можно задать требуемые свойства. Тем не менее, объяснение происхождения ферромагнетизма в легированном атомами Fe полупроводнике AlN представляет проблему в современном материаловедении. В литературе представлено несколько сообщений о том, что допированные атомами Fe нанотрубки AlN при комнатной температуре обладают предельным магнитным моментом 0.64 мB/Fe [13]. Это говорит о том, что магнитный момент легированных переходными металлами нанотрубок AlN достигает максимума для нанотрубок AlN с примесью Fe [14]. Было обнаружено, что атомы железа замещают атомы алюминия в решетке, когда концентрация железа составляет менее 1,2 %. При больших концентрациях атомы Fe встраиваются в промежуточные пространства решетки. Максимальная намагниченность насыщения составляет 2.81 emu/cm3 для концентрации атомов Fe 1.2% в нанопленках AlN:Fe [15].

Необходимо провести тщательный анализ синтезированных образцов, чтобы исключить присутствие вторичных фаз, которые вызывают ферромагнитные свойства [16]. Данная работа посвящена изучению локальной атомной структуры и зарядового состояния примеси Fe в AlN: Fe ферромагнитных наностержнях. В исследовании использованы обе - околокраевая и протяженная области рентгеновских спектров поглощения за К-краем Fe. Мультиплетная структура L2,3 спектров Fe использована как характерный признак для определения зарядового состояния атомов Fe.

Методика исследования

Наностержни AlN:Fe были синтезированы в горизонтальной муфельной печи на подложке Si(100) в присутствии FeCl3 в ходе реакции нагрева в качестве источника железа [17]. Fe L2,3 XANES спектры были зарегистрированы при условии сверхвысокого вакуума на русско-немецкой линии (RGBL) синхротронного центра BESSY II в режиме измерения полного выхода электрона. Спектры за Fe K-краем были измерены в режиме флуоресценции на станции структурного материаловедения [18] Курчатовского синхротронного центра.

Рентгеновские спектры поглощения за К-краем Fe были рассчитаны с использованием самосогласованного метода полного многократного рассеяния в реальном пространстве, реализованного в программном коде Feff9.0 [19]. Обменно-корреляционный потенциал Хедина - Лундквиста был использован при моделировании спектров поглощения. Релаксация атомных позиций для моделей дефектов в AlN была выполнена в приближении линеаризованных плоских волн в полном потенциале (LAPW), реализованная в программном пакете WIEN2k [20]. Приближение обобщенного градиента в схеме Пердью-Бурке-Эрнзерхова (GGA - PBE) [21] было использовано для учета обменно-корреляционных эффектов. Данная методика была апробирована ранее [22, 23].

Результаты и обсуждение

Изученные образцы представляют собой наностержни длиной 500 нм с острым наконечником 15-20 нм в диаметре. Спонтанная намагниченность насыщения и коэрцитивность AlN:Fe составляют 0.64мB/Fe и 116 Э, соответственно. Дифракционная картина показывает, что наностержни AlN:Fe представляют собой монокристалл AlN с решеткой типа вюрцит с направлением роста (0001) без примесных фаз в пределах чувствительности метода.

На рис. 1 показана амплитуда Фурье-трансформанты (FT) k3ч(к), полученная из EXAFS спектров. Из данных на левой панели очевидно, что кластеры или объемные фазы железа не присутствуют в изученных наностержнях AlN:Fe. Наилучшее согласие данных FT, показанное на правой панели, было получено для трех вкладов, которые соответствуют связям Fe-N, Fe-Al, Fe-Al с расстояниями, равными 1.93Е, 2.37Е и 3.01Е соответственно. Первый и третий вклады можно отнести к координационным сферам вокруг дефектов замещения FeAl, а второй, вероятно, соответствует расположению атомов железа в октаэдрическом междоузлии решетки AlN .

Рис. 1. - Левая панель показывает экспериментальное значение Фурье-трансформанты EXAFS спектров за Fe K-краем для наностержней AlN: Fe и Fe фольги. Правая панель показывает результаты моделирования и экспериментальный спектр Фурье-трансформанты с тремя вкладами на разных расстояниях Fe-N, Fe-Al и Fe-Al.

Спектры XANES за Fe K-краем были использованы для дальнейшей проверки структурных моделей, предложенных на основе данных EXAFS. В левой панели рис. 2 показаны результаты расчетов для дефектов замещения FeAl и октаэдрического междоузлия. При моделировании были использованы следующие параметры решетки AlN: A = B = 3.112, с = 4.982, б = в = 90, г = 120, пространственная группа P6sub3mc, Al (1/3, 2/3, 0), N (1/3, 2/3, 0,382) [24]. Релаксации решетки AlN вокруг дефектов была выполнена методом LAPW для суперячейки размером 2x2x2, содержащей один точечный дефект.

Рис. 2. - Левая панель показывает экспериментальный Fe K-XANES спектр для наностержней AlN: Fe и теоретические спектры для дефекта замещения FeAl и октаэдрического междоузлия Feint. Пунктирная линия показывает суперпозицию спектров для дефекта междоузлия (30%) и замещения (70%). Правая панель показывает Fe L2,3 XANES для наностержней AlN: Fe и серии эталонных соединений. Данные для оксидов железа взяты из [12].

Теоретический спектр для модели замещения FeAl хорошо воспроизводит форму экспериментального спектра наностержней AlN:Fe, полученного за K-краем Fe. Однако, максимумы на экспериментальном спектре несколько шире, особенно в областях пиков В и С. Это указывает на значительные структурные изменения в образце, а также совместное существование других структурных дефектов в дополнение к дефекту замещения. Наилучшее согласие с экспериментом было получено для модели, содержащей 30% атомов Fe в октаэдрическом междоузлии и 70% дефектов замещения, как показано пунктирной линией в левой панели рис.2. Ранее, в работе [25] было показано, что в легированном атомами железа AlN возможно присутствие тройных сплавов типа Fe-Al-N. Для того, чтобы однозначно установить присутствие дополнительных фаз при замещении FeAl необходимо провести дополнительный экспериментальный анализ.

В таблице 1 представлены результаты анализа заряда атомов в молекуле по Бейдеру [26] для различных соединений. Как видно из таблицы, атомы алюминия в AlN обладают формальным зарядом 3+. Можно ожидать, что при расположении атомов Fe в позиции Al, они будут находиться в том же зарядовом состоянии. Однако выполненный в настоящей работе анализ по Бейдеру для дефекта FeAl и эталонных соединений FeN и FeO показывает, что в отсутствии дополнительных дефектов, зарядовое состояние атомов Fe в позиции Al близко к 2+. полупроводник энергетический ферромагнетизм

Таблица №1

Результаты анализа зарядовых состояний атомов по Бейдеру в чистом AlN, FeN, FeO и AlN: Fe. Для случая дефекта замещения FeAl в AlN представлено среднее значение для четырех атомов азота в тетраэдре FeN4.

AlN

FeN

FeO

FeAl in AlN

Al

+2.45

-

-

-

N

-2.45

-1.10

-

-2.19

Fe

-

+1.10

+1.31

+1.40

O

-

-

-1.31

-

L2,3 XANES спектры переходных металлов более чувствительны к изменениям зарядового состояния, а не локальной атомной структуры. Правая панель на рис. 2 показывает Fe L2,3 XANES спектры для наностержней AlN: Fe и серии эталонных соединений. В отличие от ожидаемого заряда Fe2+ на основе анализа по Бейдеру было получено, что для атомов Fe в наностержнях AlN: Fe характерна мультиплетная структура, которая близка к Fe3+ или к смеси состояний Fe3+/Fe2+, как в Fe3O4. Так как нейтральные дефекты FeAl находятся в зарядовом состоянии Fe2+, можно заключить, что однократно заряженные дефекты замещения FeAl являются энергетически более благоприятными. Исследование спектров фотолюминесценции также говорит о факте сосуществования зарядовых состояниях Fe3+/Fe2+ в наностержнях AlN:Fe [27].

Выводы

Теоретический анализ экспериментальных спектров рентгеновского поглощения за Fe K-краем наностержней AlN:Fe показал, что более 70% атомов железа замещают атомы Al. Остальные 30% можно отнести к октаэдрическиму междоузлию или к образованию тройного сплава Fe-Al-N. Fe L2,3 XANES спектры показывают, что зарядовое состояние Fe в AlN представляет собой смесь состояний Fe3+/Fe2+.

Поддержка

Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, соглашение 14.А 18.21.1643.

Литература

1. Zhang Y., Liu W., Niu H. Half-metallic ferromagnetism in Cr-doped AlP--density functional calculations // Solid State Communications, 2008. - №145. - p. 590-593.

2. Gao X.D., Jiang E.Y., Liu H.H. Structure and RT ferromagnetism of Fe-doped AlN films // Applied Surface Science, 2007. - № 253. - p. 5431-5435.

3. Zeng F., Fan B., Yang Y.C. Metastable structure and magnetism of Cr-doped AlN in AlN/TiN multilayers // Journal of Vacuum Science & Technology B, 2010. - № 28. - p.62.

4. Zhang J.-M., Li H.-H., Zhang Y., Xu K.-W. Structural, electronic and magnetic properties of the 3d transition-metal-doped AlN nanotubes // Physica E, 2011. - № 43. - p. 1249-1254.

5. Dietl T., Ohno H., Matsukura F., Cibert J., Ferrand D. Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors // Science, 2000. - № 287. - p. 1019.

6. d'Acapito F., Smolentsev G., Boscherini F., Piccin M., Bais G., Rubini S., Martelli F., Franciosi A. Site of Mn in Mn д-doped GaAs: X-ray absorption spectroscopy // Physical Review B, 2006. - № 73. - p. 035314.

7. Martнnez-Criado G., Somogyi A., Ramos S., Campo J., Tucoulou R., Salome M., Susini J., Hermann M., Eickhoff M., Stutzmann M. Scanning x-ray excited optical luminescence microscopy in GaN // Applied Physics Letters, 2005. - № 86. - p. 131927.

8. Granville S. Single phase nanocrystalline GaMnN thin ?lms with high Mn content // Journal of applied physics, 2006. - № 100. - p. 084310.

9. Chou H., Lin C.P., Huang J.C.A., Hsu H.S. Magnetic coupling and electric conduction in oxide diluted magnetic semiconductors // Physical Review B, 2008. - № 77. - p. 245210.

10. Bryksa V., Noltin W. Disordered Kondo-lattice model: Extension of coherent potential approximation // Physical Review B, 2008. - № 78. - p. 064417.

11. Dionne G.F. First-principles insights on the magnetism of cubic SrTi1 ? x Co x O3 - д // Journal of applied physics, 2007. - № 101. - p. 09C509.

12. Mounkachi O., Benyoussef A., Kenz A. El, Saidi E.H. and Hlil E.K. High-Tc ferromagnetism in p-type ZnO diluted magnetic semiconductors // Physica A, 2009. - № 388. - p. 3433.

13. Ji X.H., Lau S.P., Yu S.F., Yang H.Y., Herng T.S., Sedhain A., Lin J.Y., Jiang H.X., Teng K.S., Chen J.S. Ultraviolet photoluminescence from ferromagnetic Fe-doped AlN nanorods // Applied Physics Letters, 2007. - № 90. - p. 193118.

14. Zhang J.-M., Li H.-H., Zhang Y., Xu K.-W. Structural, electronic and magnetic properties of the 3d transition-metal-doped AlN nanotubes // Physica E, 2011. - № 43. - p. 1249-1254.

15. Gao X.D., Jiang E.Y., Liu H.H. Structure and RT ferromagnetism of Fe-doped AlN films // Applied Surface Science, 2007. - № 253. - p. 5431-5435.

16. Ney A., Opel M., Kaspar T.C., Ney V. Advanced spectroscopic synchrotron techniques to unravel the intrinsic properties of dilute magnetic oxides: the case of Co:ZnO // New journal of physics, 2010. - № 12. - p. 013020.

17. Ji X.H., Lau S.P., Yu S.F., Yang H.Y., Herng T.S., Sedhain A., Lin J.Y., Jiang H.X., Teng K.S., Chen J.S. Ultraviolet photoluminescence from ferromagnetic Fe-doped AlN nanorods // Applied Physics Letters, 2007. - № 90. - p. 193118.

18. Chernyshov A.A., Veligzhanin A.A., Zubavichus Y.V. Structural Materials Science end-station at the Kurchatov Synchrotron Radiation Source: Recent instrumentation upgrades and experimental results // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 2009. - № 603. - p. 95.

19. Rehr J.J., Kas J.J., Vila F.D., Prange M.P., Jorissen K. Parameter-free calculations of X-ray spectra with FEFF9 // Physical Chemistry Chemical Physics, 2010. - № 12. - p. 5503.

20. Schwarz K., Blaha P. Solid state calculations using WIEN2k // Computational Materials Science, 2003. - № 28. - p. 259.

21. Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M. Generalized Gradient Approximation Made Simple // Physical Review Letters, 1996. - № 77. - p. 3865.

22. Смирнова Ю.О., Положенцев О.Е., Леонтьева Д.В., Чайников А.П., Сучкова С.А., Гуда А.А., Ломаченко К.А., Смоленцев Н.Ю., Подковырина Ю.С., Солдатов М.А., Кравцова А.Н., Солдатов А.В. Разработка нового комплексного метода определения параметров 3D наноразмерной атомной и электронной структуры материалов на основе методик XAFS, XRD и Raman [Электронный ресурс] // "Инженерный вестник Дона", 2002, №4, ч.1. - Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n4p1y2012/1268 (доступ свободный) - Загл. с экрана. - Яз. рус.

23. Бугаев А.Л., Гуда А.А., Дмитриев В.П., Ломаченко К.А., Панкин И.А., Смоленцев Н.Ю., Солдатов М.А., Солдатов А.В. Динамика наноразмерной атомной и электронной структуры материалов водородной энергетики при реалистичных технологических условиях [Электронный ресурс] // "Инженерный вестник Дона", 2002, №4, ч.1. - Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n4p1y2012/1269 (доступ свободный) - Загл. с экрана. - Яз. рус.

24. Goldberg Yu. Aluminum Nitride (AlN) (in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe) // New York: John Wiley & Sons Inc, 2001. - p. 31-47.

25. Regan T.J., Ohldag H., Stamm C. Chemical effects at metal/oxide interfaces studied by x-ray-absorption spectroscopy // Physical Review B, 2001. - № 64. - p. 214422.

26. Bader R.F.W. A quantum theory of molecular structure and its applications // Chemical Review, 1991. - № 91. - p. 893.

27. Ji X.H., Lau S.P., Yu S.F., Yang H.Y., Herng T.S., Sedhain A., Lin J.Y., Jiang H.X., Teng K.S., Chen J.S. Ultraviolet photoluminescence from ferromagnetic Fe-doped AlN nanorods // Applied Physics Letters, 2007. - № 90. - p. 193118.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Сущность механизма электропроводности. Волновая функция электрона в кристалле. Квазиимпульс и эффективная масса носителей заряда. Статистика электронов и дырок в полупроводнике. Структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Энергонезависимые элементы памяти.

    курсовая работа [697,7 K], добавлен 14.02.2016

  • Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.

    курсовая работа [548,5 K], добавлен 29.04.2014

  • Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости. Определение дебаевской длины в собственном полупроводнике. Знаки нормальных и касательных напряжений. Градировочная таблица термопары платинородий-платина.

    контрольная работа [499,5 K], добавлен 29.06.2012

  • Краткий обзор основных направлений синтеза полупроводниковых нанопроводов и наностержней, общее описание основных подходов к синтезу такого рода наночастиц. Попытка анализа закономерностей протекания самоорганизации наночастиц и ее возможных причин.

    курсовая работа [2,8 M], добавлен 28.05.2013

  • Устройство структуры металл-диэлектрик–полупроводник. Типы полупроводниковой подложки. Экспериментальное измерение вольт-фарадных характеристик и характеристика многослойных структур. Методология электрофизических измерений, описание их погрешности.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 07.01.2011

  • Сущность понятий магнетизма, ферромагнетизма, магнитной анизотропии, доменов. Анализ явления гистерезиса в ферромагнетике, перехода из парамагнетика в ферромагнетик и природа ферромагнетизма. Методы исследования тонких ферромагнитных пленок, их сравнение.

    дипломная работа [6,5 M], добавлен 05.11.2009

  • Правило интервалов Ланде. Кратность вырождения энергетических состояний. Нахождение термов электронных конфигураций. Возможные наборы состояний эквивалентных p-электронов. Правила отбора в приближении LS-связи. Степень вырождения состояний электрона.

    презентация [108,0 K], добавлен 19.02.2014

  • Состояние атомной энергетики. Особенности размещения атомной энергетики. Долгосрочные прогнозы. Оценка потенциальных возможностей атомной энергетики. Двухэтапное развитие атомной энергетики. Долгосрочные прогнозы. Варианты структуры атомной энергетики.

    курсовая работа [180,7 K], добавлен 13.07.2008

  • Эволюция представлений о строении атомов на примере моделей Эрнеста Резерфорда и Нильса Бора. Стационарные орбиты и энергетические уровни. Объяснение происхождения линейчатых спектров излучения и поглощения. Достоинства и недостатки теории Н. Бора.

    реферат [662,9 K], добавлен 19.11.2014

  • Принципы преобразований Фурье, основные правила и значение данного процесса. Особенности применения соответствующих рядов в современной электронике. Анализ примеров решения задач. Комплексы напряжения и тока, их применение в показательную форму.

    презентация [304,5 K], добавлен 22.03.2015

  • Проблема атомного ядра как самая серьезная в современной физике, роль в ней проблемы урана. Природа и условия возникновения света, испускаемого атомами. Этапы, возможность воздействия двух атомных ядер друг на друга. Техническое значение полупроводников.

    реферат [35,9 K], добавлен 20.09.2009

  • Решение уравнений состояния численным методом. Анализ цепи операторным методом при апериодическом воздействии. Определение функции передачи, её нулей и полюсов. Определение переходной и импульсной функции. Разложение в ряд Фурье периодической функции.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 24.03.2009

  • Общая характеристика строения сетчатки. Динамическая Фурье голограмма. Проблемы, связанные с Фурье-оптикой. Процесс построения действительного изображения. Способы создания 3D изображения к кино. Функциональная схема Фурье-фотоаппарата и проектора.

    творческая работа [379,8 K], добавлен 04.05.2012

  • Биографии Г. Герца и Д. Франка. Их совместная работа: исследование взаимодействия электронов с атомами благородных газов низкой плотности. Анализ энергий электронов, претерпевших столкновения с атомами. Характеристика вакуумной и газонаполненной лампы.

    реферат [1,1 M], добавлен 27.12.2008

  • Характеристика трех методов рентгеноструктурного анализа. Роль метода Лауэ для изучения атомной структуры кристаллов. Использование метода вращения при определении атомной структуры кристаллов. Изучение поликристаллических материалов методом порошка.

    реферат [777,4 K], добавлен 28.05.2010

  • Особенности определения зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна. Определение на ней положения примесных акцепторных состояний EA и значений эффективных масс. Составление блока численных значений для основных параметров полупроводников.

    контрольная работа [126,1 K], добавлен 23.12.2009

  • Исследование спектров многоэлектронных атомов. График радиального распределения в атоме натрия. Специфическое обменное взаимодействие в многоэлектронных атомах. Задача на нахождение энергии активации. Применение уравнения Аррениуса в атомной физике.

    контрольная работа [22,0 K], добавлен 13.12.2009

  • Теоретические основы атомной отрасли, ее сущность и особенности. Тенденции и факторы развития атомной отрасли в Российской Федерации за 2000–2010 года. Анализ современного состояния атомной отрасли и перспективные направления развития отрасли в России.

    курсовая работа [74,2 K], добавлен 24.02.2012

  • Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013

  • Особенности электростатического взаимодействия между электронами в атомах. Уравнение полной потенциальной энергии электрона. Понятие и примеры электронных конфигураций атома. Расчет энергии состояний. Последовательность заполнения электронных оболочек.

    презентация [110,8 K], добавлен 19.02.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.