Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 14.09.2017 |
| Размер файла | 198,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http: //www. allbest. ru/
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Ивановский Государственный Энергетический Университет им. В. И. Ленина
Лабораторная работа №3.
«Исследование биполярного транзистора».
Выполнили: студенты гр. 2-28xx
Шаров Г. В.
Галанин Д. В.
Принял: Рыжалов В. В.
Иваново 2014
Цель работы -- снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора БТ, используя включения с общей базой ОБ (рис. 1,а) и с общим эмиттером ОЭ (рис. 1,б). Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров.
Рис. 1 а) БТ структуры p - n - p, включение ОБ б) БТ структуры p - n - p, включение ОЭ
ХОД РАБОТЫ
1. На наборном поле стенда собрать схему для снятия входных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общей базой ОБ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 2
Рис. 2
Таблица 1
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PV1, PV2 |
R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 2 B |
R1=10 кOм, R2=50 кОм, R3=0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 20 B |
R1=1 кOм, R2=1 кОм, R3= 0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 20 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 20 B |
|||||||
|
Uкб = 0 В |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,5 |
0,54 |
0,557 |
0,598 |
0,615 |
0,654 |
0,674 |
||
|
Uкб = 2 В (требуемой полярности) |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,497 |
0,538 |
0,556 |
0,595 |
0,615 |
0,654 |
0,668 |
||
|
Uкб = 10 В (требуемой полярности) |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,494 |
0,534 |
0,551 |
0,59 |
0,609 |
0,617 |
0,628 |
Рис. 3
2. На наборном поле стенда собрать схему для снятия выходных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общей базой ОБ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 3
Рис. 4
Таблица 2
|
Значение элементов схемы R3, R4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA2, PV1 |
R3=0 Ом, R4=100 Oм |
|||||||||||||
|
Прямая полярность на коллекторном переходе (П2) |
* |
Обратная полярность на переходе (П2) |
||||||||||||
|
Ток инжекции |
* |
Ток экстракции |
||||||||||||
|
PA2 - 20 mА PV1 - 2 B |
PV1 - 2 B |
PV1 - 20 B |
||||||||||||
|
Предел измерений для PA2 соответствует пределу для PA1 |
||||||||||||||
|
Iэ = 0,1 мА, R1=100 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.608 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-14.85 |
-1.96 |
0 |
0.104 |
0.105 |
0.105 |
0.104 |
0.105 |
0.105 |
0.105 |
0.105 |
0.106 |
||
|
Iэ = 0,5 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.655 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-13.3 |
.-1.29 |
0 |
0.499 |
0.503 |
0.504 |
0.505 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
||
|
Iэ = 1 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.676 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-13.38 |
-1.13 |
0 |
1.004 |
1.008 |
1.009 |
1.01 |
1.014 |
1.016 |
1.017 |
1.017 |
10.18 |
||
|
Iэ = 5 мА, R1=1 кОм, R2=10 кОм, PA1 - 20 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0,729 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-10.63 |
2.67 |
0 |
4.92 |
4.93 |
4.93 |
4.94 |
5.03 |
5.1 |
5.06 |
4.98 |
5 |
||
|
Iэ = 10 мА, R1=1 кОм, R2=1 кОм, PA1 - 20 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.752 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-6.38 |
7.44 |
0 |
10.03 |
9.91 |
9.91 |
9.92 |
9.93 |
9.99 |
.9.97 |
9.93 |
9.96 |
Рис. 5
биполярный транзистор эмиттер
3. На наборном поле стенда собрать схему для снятия входных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общим эмиттером ОЭ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис.
Рис. 6
Таблица 3
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PV1, PV2 |
R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=1 кОм, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B |
||||||||||
|
Uкэ = 0 В PV2 - 2 B |
Uбэ, мВ (требуемой полярности) |
-420 |
-450 |
-475 |
-500 |
-525 |
-550 |
-575 |
-600 |
-612 |
|
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-1 |
-4 |
-9 |
-21 |
-44 |
-86 |
-124 |
||
|
Uкэ = 2 В (требуемой полярности) PV2 - 20 B |
Uбэ, В (требуемой полярности) |
-450 |
-500 |
-550 |
-575 |
-600 |
-625 |
-650 |
-670 |
||
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-1 |
-2 |
-8 |
-25 |
-68 |
-122 |
|||
|
Uкэ = 10 В (требуемой полярности) PV2 - 20 B |
Uбэ, В (требуемой полярности) |
-450 |
-500 |
-550 |
-600 |
||||||
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-3 |
-21 |
Рис. 7
4. На наборном поле стенда собрать схему для снятия выходных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общим эмиттером ОЭ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 5
Рис. 8
Таблица 4
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PA2, PV1 |
R1= 47 кОм, R2= 50 кОм, R3= 1 кОм, R4= 100 Ом |
|||||||||||||
|
PV1 - 2 B |
PV1 - 20 B |
|||||||||||||
|
Iб=20 мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 2…20mА |
0 |
-1,12 |
-2,88 |
-2,92 |
-2,95 |
-2,96 |
-3 |
-3,11 |
-3,2 |
-3,36 |
-3,75 |
-3,75 |
||
|
Iб=50, мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 20mА |
0,96 |
-4,38 |
-6,79 |
-6,91 |
-7 |
-7,11 |
-7,23 |
-7,91 |
-8,38 |
-8,58 |
-9,75 |
-10,8 |
||
|
Iб=80, мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 20mА |
0 |
-6,6 |
-10,68 |
-10,96 |
-11,11 |
-11,26 |
-11,43 |
-11,86 |
-12,25 |
-13,16 |
-15,4 |
-17,5 |
Рис.9
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.
курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015Расчет каскада транзисторного усилителя напряжения, разработка его принципиальной схемы. Коэффициент усиления каскада по напряжению. Определение амплитуды тока коллектора транзистора и значения сопротивления. Выбор типа транзистора и режима его работы.
контрольная работа [843,5 K], добавлен 25.04.2013Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007Электрические характеристики кремниевого интегрального n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры. Корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа [864,3 K], добавлен 17.12.2014Характеристика біполярного транзистора - напівпровідникового елементу електронних схем, з трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Особливості принципу роботи, технології виготовлення на прикладі транзистора-КТ3107.
реферат [18,3 K], добавлен 02.02.2010Структура и параметры МДП-транзистора с индуцированным каналом, его топология и поперечное сечение. Выбор длины канала, диэлектрика под затвором транзистора, удельного сопротивления подложки. Расчет порогового напряжения, крутизны характеристики передачи.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.11.2010Расчет трансформатора, входного фильтра и параметров сглаживающего фильтра. Выбор транзистора по максимальному (амплитудному) значению тока. Определение площади радиатора транзистора. Проверка преобразователя на устойчивость к возмущающим воздействиям.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015Биполярный транзистор как трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, его отличительные характеристики, устройство и элементы. Принцип действия транзисторов и схема его включения. Входная и выходная характеристика транзистора.
контрольная работа [234,3 K], добавлен 20.02.2011Построение принципиальной схемы эмиттерного повторителя. Расчет сопротивления резистора в цепи эмиттера и смещения повторителя. Определение входного сопротивления транзистора при включении его с общим эмиттером. Сопротивление нагрузки цепи эмиттера.
презентация [1,9 M], добавлен 04.03.2015Рассмотрение кинематической схемы лифта. Определение параметров нагрузки двигателя. Расчет параметров схемы замещения асинхронного двигателя по справочным данным. Вычисление IGBT транзистора по номинальному току. Описание модели двигателя в Simulink.
курсовая работа [2,5 M], добавлен 27.12.2014Історія створення напівпровідникового тріоду, або транзистора, загальні відомості та його значення для розвитку напівпровідникової електроніки. Розгляд схем включення та принципів дії транзисторів. Вплив температури на роботу біполярного транзистора.
курсовая работа [161,3 K], добавлен 19.12.2010Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.
курсовая работа [727,8 K], добавлен 25.09.2010История открытия одноэлектронного транзистора, его конструкция, принцип работы, вольт-амперные характеристики. Явление кулоновской блокады. Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с "механической рукой". Прототип транзистора на основе графена.
реферат [246,7 K], добавлен 12.12.2013
