Кинетика импульсной проводимости и люминесценции азида серебра

Кинетические закономерности проводимости и люминесценции кристаллов азида серебра, инициированной наносекундным импульсном неодимового лазера. Зависимости концентрации дырок в центре образца люминесценции и проводимости при инициировании кристаллов.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 18.12.2017
Размер файла 140,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Кинетика импульсной проводимости и люминесценции азида серебра

Каленский А.В.

Аннотация

Рассчитаны кинетические закономерности проводимости и люминесценции кристаллов азида серебра, инициированной наносекундным импульсном неодимового лазера. В рамках модели разветвленной твердофазной цепной реакции получили качественное объяснение основные экспериментальные закономерности импульсной проводимости и люминесценции азида серебра.

Ключевые слова: модель цепного взрыва, люминесценция, азид серебра, оптический детонатор, энергетические материалы

Широкое использование оптических детонаторов [1] в мире существенно снижает вероятность техногенных катастроф с огромными человеческими жертвами. В настоящее время оптический детонатор разрабатывается на основе азида серебра (АС) [2-3] и вторичных взрывчатых веществ сенсибилизированных наночастицами металлов [4-7]. В кристаллах АС импульсным излучением инициируется разветвленная твердофазная цепная реакция [8, 9], а в нанокомпозитах вторичное взрывчатое вещество- наночастицы металлов реализуется микроочаговый тепловой взрыв [10-12]. Для доказательства не только механизма, но даже природы взрывного разложения энергетического материала требуется проведение значительного объема экспериментальных [10-14], и теоретических исследований [15].

В работах [16, 17] была предложена и проанализирована модель цепной твердофазной реакции, инициирования азида серебра (АС). Экспериментально и теоретически исследована зависимость плотности энергии инициирования от размеров кристалла [17 - 19], диаметра зоны облучения [20, 21]. В настоящей работе рассчитана кинетика проводимости и люминесценции кристаллов АС, стимулированная импульсным излучением наносекундной длительности.

Экспериментальное исследование импульсной проводимости и люминесценции АС проведено в работах [16-23]. Основные результаты состоят в следующем:

Аномально высокое для широкозонных полупроводников значение предвзрывной проводимости, соответствующее концентрации зонных электронов и дырок не ниже 1020 см-3 является доказательством механизма цепного взрыва [21-23].

Спектр предвзрывной люминесценции определяется свечением образующегося в ходе реакции разложения квазилокального состояния в валентной зоне на глубине ~ 3 эВ от потолка зоны [22].

Рис. 1 Кинетические закономерности люминесценции и проводимости при взрыве AgN3 (1 и 2 - люминесценция на длине волны 500 и 470 нм соответственно, 3 - проводимость) [22]

проводимость люминесценция кристалл серебро

Кинетические зависимости предвзрывной проводимости и люминесценции АС на начальном этапе определяются уравнением Семенова (экспоненциальный рост), при этом характерное время разгона проводимости значительно ниже, чем у люминесценции (Рис. 1) [22].

Рост люминесценции на несколько десятков наносекунд опережает рост проводимости (Рис. 1) [16-23].

Рассмотрим эти эффекты в рамках гетерогенного варианта бимолекулярной модели импульсного инициирования АС [16-19, 24]. Механизм реакции взрывного разложения состоит из стадий зарождения, обрыва и развития цепи. Первая стадия - генерация электронно-дырочных (e.h.) пар внешним излучением (зарождение цепи). Обратная стадия - рекомбинация e.h. пар на объемных и поверхностных локальных центрах (обрыв цепи). Скорость рекомбинации носителей лимитируется захватом дырки на нейтральном центре: Vr ? kr·p[16-19, 24]. Стадия развития цепи (вторая реакция) - взаимодействие двух радикалов N30, локализованных в соседних узлах кристаллической решетки, с образованием комплекса N6 [25].

Рис 2. Схема эксперимента по измерению импульсной проводимости АС. 1 - электроды, 2 - трубка тока

Константа скорости реакции образования N6 оценена как константа рекомбинации на отталкивающем центре [26], k2 ? 10-11 ч 10-12 см3с-1. Далее комплекс N6распадается на молекулярный азот (N2) и 2F-центрас выделением энергии, идущей на генерацию активных частиц - стадия разветвления цепи. Константа скорости этой реакции k1 ? 107 ч 108 с-1 оценена в работах [27-28].

Методика расчета импульсной проводимости и люминесценции АТМ

На Рис. 2 схематично изображена часть образца с электродами (1). В приповерхностных областях образца толщиной порядка 10 мкм из-за поверхностной рекомбинации концентрация реагентов снижена, поэтому трубка тока (2) проходит внутри образца. Для моделирования кинетики проводимости и люминесценции мы разгибаем трубку тока и разбиваем ее на 1000 ячеек размером 2 мкм, задача становится одномерной (как в работах [29, 30]). Концентрация реагентов зависит от x (расстояние реагентов до электродов).

Сопротивление и проводимость образца рассчитывалось по формуле последовательного соединения проводников с использованием закона Ома в дифференциальной форме с учетом большого числа (k) типов проводящих частиц. При расчете импульсной проводимости можно пренебречь ее ионной составляющей, которая будет в максимуме проводимости составлять не более 10-8 от электронной [18,19], и считать, что проводимость обусловлена только неравновесными электронами и дырками.

Рис 3. Кинетические зависимости концентрации дырок в центре образца размерами 50 мкм (1), люминесценции (2) и проводимости (3) при инициировании кристаллов АС лазерным импульсом

В рамках модели интенсивность люминесценции определяется темпом дезактивации продуктов реакции. Таким образом, проводимость и люминесценция увеличивается с ростом концентраций реагентов, однако в случае с проводимостью эта зависимость достаточно сложная.

Результаты расчета

Рассмотрим действие на кристалл АС импульсного лазерного излучения. На Рис. 3 показаны рассчитанные временные зависимости концентрации дырок в центре образца размерами 50 мкм (1), люминесценции (2) и проводимости (3) при инициировании кристаллов АС лазерным импульсом с плотностью энергии в два раза большей критической.

Действие инициирующего импульса приводит к появлению неравновесной концентрации электрон дырочных (e.h.) пар в объеме образца [31,32]. Распределение e.h. пар по длине образца не является гомогенным. В результате повышенного темпа рекомбинации на поверхности кристалла в приповерхностных областях концентрация реагентов уменьшается.

По окончании индукционного периода концентрация реагентов в центральных областях кристалла экспоненциально возрастает за счет протекания разветвленной цепной химической реакции [26-33]. Концентрация электронов возрастает значительно быстрее концентрации дырок (которые тратятся на создание промежуточного комплекса) и проводимость становится электронной. Переход реакции в самоускоряющейся режим на поверхности образца начинается значительно позже окончания индукционного периода в центре образца, что приводит к уменьшению проводимости приповерхностными областями и увеличению индукционного периода реакции, определенного по проводимости образца. В дальнейшем реакция распространяется на весь кристалл и рост проводимости связан (в рамках модели) с возрастанием концентрации носителей в приповерхностных областях, где константа рекомбинации выше, чем в объеме [16-21, 26-33]. Спад проводимости связан, в рамках модели, со значительным разложением анионной подрешетки, что приводит к вырождению разветвленной цепной реакции.

Обсуждение и выводы

По окончании индукционного периода (на стадии разгона реакции) временная зависимость люминесценции определяется концентрацией реагентов в очаге взрывного разложения в объеме кристалла, проводимость образца определяется концентрацией реагентов в приповерхностных областях. Увеличение концентрации реагентов в центральной области кристалла (где отсутствует ингибирующее влияние поверхности) приводит к пропорциональному увеличению интенсивности люминесценции, и к уменьшению сопротивления реакционной области, сопротивление приконтактных областей практически не изменяется, как и общее сопротивление, а значит и проводимость образца. Как следствие, рост люминесценции на несколько десятков наносекунд опережает начало интенсивного роста проводимости.

Таким образом, в рамках гетерогенной бимолекулярной модели импульсного инициирования АС получили качественное объяснение основные экспериментальные закономерности [16-23] импульсной проводимости и люминесценции. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (НИР № 3603 по заданию №64/2015).

Список литературы

1. Ананьева М.В., Звеков А.А. и др Перспективные составы для капсюля оптического детонатора // Перспективные материалы. - 2014. - №7. - С. 5-12.

2. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Способ регулирования порога инициирования оптического детонатора // патент на изобретение RUS. - № 2538263. - 26.06.2013.

3. Ананьева М.В., Каленский А.В. Инициирование взрывного разложения микрокристаллов азида серебра // Молодой ученый. - 2014. - №19. - С. 52-55.

4. Каленский А.В., Ананьева М.В. и др. Спектральная зависимость критической плотности энергии инициирования композитов на основе пентаэритриттетранитрата с наночастицами никеля // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2014. - Т. 11. - №3. - С. 340 - 345.

5. Каленский А.В., Звеков А.А. и др. Влияние длины волны лазерного излучения на критическую плотность энергии инициирования энергетических материалов // Физика горения и взрыва. -2014. - Т. 50. - № 3. - С. 98-104.

6. Kalenskii A.V., Ananyeva M.V. Spectral regularities of the critical energy density of the pentaerythriol tetranitrate -aluminium nanosystems initiated by the laser pulse // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2014. - Т. 5. - № 6. - С. 803-810.

7. Адуев Б.П., Нурмухаметов Д.Р. и др. Взрывчатое разложение ТЭНа с нанодобавками алюминия при воздействии импульсного лазерного излучения различной длины волны // Химическая физика. - 2013. - Т. 32. - № 8. - С. 39-42.

8. Гришаева Е.А., Каленский А.В. и др. Неизотермическая модель разветвленной цепной реакции взрывного разложения энергетических материалов // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2013. -Т. 10. - № 1. - С. 44-49.

9. Гришаева Е.А., Кригер В.Г. и др. Механизм цепно-теплового взрыва энергетических материалов // Известия ВУЗов. Физика. - 2013. - Т. 56. - № 9-3. - С. 159-161.

10. Kalenskii A.V., Kriger V.G. and others The Microcenter Heat Explosion Model Modernization // Известия ВУЗов. Физика. - 2012. - Т. 55. - № 11-3. - С. 62-65.

11. Ananyeva M.V., Kriger V.G. and others Comparative analysis of energetic materials explosion chain and thermal mechanisms // Известия ВУЗов. Физика. - 2012. - Т.55. - №11-3. - С. 13-17.

12. Ананьева М.В., Каленский А.В. и др. Кинетические закономерности взрывного разложения ТЭНа, содержащего наноразмерные включения алюминия, кобальта и никеля // Вестник КемГУ. - 2014. - №1-1(57). - С. 194 - 200.

13. Адуев Б.П., Нурмухаметов Д.Р. и др. Исследование оптических свойств наночастиц алюминия в тетранитропентаэритрите с использованием фотометрического шара // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84. - №9. - С. 126 - 131.

14. Каленский А.В., Зыков И.Ю. и др. Взрывная чувствительность композитов тэн-алюминий к действию импульсного лазерного излучения // Вестник КемГУ. - 2014. - № 3-3(59). - С. 211-217.

15. Каленский А.В., Звеков А.А. и др. Моделирование распределения интенсивности в прозрачной среде с Френелевскими границами, содержащей наночастицы алюминия// Компьютерная оптика. - 2014. - Т. 38. - № 4. - С. 749-756.

16. Кригер В.Г., Каленский А.В. Размерный эффект при инициировании разложения азидов тяжелых металлов импульсным излучением // Химическая физика. - 1996. - Т. 15. - № 3. - С. 40-47.

17. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Механизм твердофазной цепной реакции // Материаловедение. - 2006. - № 9. - С. 14-21.

18. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Диффузионная модель разветвленной цепной реакции взрывного разложения азидов тяжелых металлов // Химическая физика. - 2009. - Т. 28. - № 8. - С. 67-71.

19. Ananyeva M.V., Kalensii A.V. The size effects and before-threshold mode of solid-state chain reaction // Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Химия. - 2014. - Т. 7. - № 4. - С. 470-479.

20. Каленский А.В., Кригер В.Г. и др. Зависимость пороговой энергии инициирования монокристаллов азида серебра от диаметра зоны облучения //Ползуновский вестник. - 2006. - № 2-1. - С. 75-77.

21. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Взрывное разложение монокристаллов азида серебра при различных диаметрах зоны облучения // ФГВ. - 2009. - Т. 45. - № 6. - С. 105-107.

22. Aduev B.P., Aluker E.D. и др. Study of silver azide explosive decomposition by spectroscopic methods with high temporal resolution// Solid State Ionics. - 1997. - Т. 101-103. - № PART 1. - С. 33-36.

23. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Определение пространственных характеристик волны цепной реакции в азиде серебра // Химическая физика. - 2014. - Т. 33. - № 8. - С. 22-29.

24. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Кинетическая модель цепно-теплового взрыва азида серебра // Известия ВУЗов. Физика. - 2011. - Т 54. - № 1(3). - С. 24-30.

25. Каленский А.В., Булушева Л.Г. и др. Моделирование граничных условий при квантовохимических расчетах азидов металлов в кластерном приближении //Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41. - № 3. - С. 605-608.

26. Каленский А.В., Ананьева М.В. и др. Коэффициент захвата электронных носителей заряда на экранированном отталкивающем центре // Химическая физика. - 2014. - Т. 33. - № 4. - С. 11-16.

27. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Релаксация электронно-возбужденных продуктов твердофазной реакции в кристаллической решетке // Химическая физика. - 2012. - Т. 31. - № 1. - С. 18-22.

28. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Взаимодействие возбужденных продуктов твердофазных реакций с кристаллической решеткой // Известия ВУЗов. Физика. - 2009. - Т. 52. - № 8-2. - С. 284-288.

29. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Определение ширины фронта волны реакции взрывного разложения азида серебра // Физика горения и взрыва. - 2012. - Т.48. - № 4. - С. 129-136.

30. Боровикова А.П., Каленский А.В., Зыков И.Ю. Пространственно-временные характеристики волны горения в азиде серебра // Аспирант. - 2014. - №3. - С. 37-42.

31. Ананьева М.В., Каленский А.В. Математическое моделирование взрывного разложения энергетических материалов // Молодой ученый. - 2014. - № 21. - С. 1-6.

32. Боровикова А.П., Каленский А.В. Методика моделирования распространения взрывного разложения азида серебра // Аспирант. - 2014. №4. - С. 96-100.

33. Кригер В.Г., Каленский А.В. и др. Зависимость критической плотности энергии инициирования взрывного разложения азида серебра от размеров монокристаллов // Физика горения и взрыва. - 2008. - Т. 44. - № 2. - С. 76-78.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Яркость люминесценции кристаллов. Основные физические характеристики люминесценции. Изучение спектра, кинетики и поляризации излучения люминесценции. Яркость фосфоресценции органических молекул. Начальные стадии фосфоресценции кристаллофосфоров.

    реферат [36,8 K], добавлен 05.06.2011

  • Основные понятия люминесценции кристаллов. Квантовый и энергетический выход люминесценции. Способы возбуждения электролюминесценции. Влияние внешних электрических полей и высоких гидростатических давлений на характеристики галофосфатных люминофоров.

    дипломная работа [1,7 M], добавлен 07.07.2015

  • Общие положения теории люминесценции. Разгорание и затухание люминесценции. Зависимость интегральной и мгновенной яркости электролюминесценции от напряжения, частоты, температуры. Действие на люминофоры инфракрасного излучения. Электрофотолюминесценция.

    дипломная работа [51,1 K], добавлен 05.04.2008

  • Сущность и законы флуоресценции, принципы регистрации данного явления, кинетика и поляризация. Спектры возбуждения люминесценции. Фотообесцвечивание красителей. Зависимость флуоресценции от микроокружения молекулы. Иммуно-флуоресцентная микроскопия.

    контрольная работа [1,4 M], добавлен 19.08.2015

  • Физическая природа поглощения и люминесценции. Состав стекла, легированного висмутом, и спектры поглощения. Структурирование висмутовых стекол с помощью фемтосекундного лазера. Исследование температурной зависимости спектрального коэффициента поглощения.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 14.01.2014

  • Зонная модель электронно-дырочной проводимости полупроводников. Расчет концентрации ионизованной примеси. Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости. Электронно-дырочные переходы. Полупроводниковые выпрямители. Суть сверхпроводимости.

    презентация [122,7 K], добавлен 09.04.2015

  • Уровни свободного иона. Мощность поглощения планковской радиации. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции. Параметры экситонов в различных полупроводниковых материалах. Образование центров люминесценции в результате прогрева.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 10.06.2011

  • Общее понятие о люминесценции. Лазерные кристаллы, активированные ионами Ln3+. Соединения cемейства шеелита. Редкоземельные оптические центры. Явление комбинационного рассеяния света. Метод полиэдров Вороного-Дирихле. Главные свойства молибдатов.

    курсовая работа [2,8 M], добавлен 18.07.2014

  • Основные элементы конструкции волоконных лазеров. Фотонно-кристалические активированные волокна. Энергетические уровни ионов иттербия в кварцевом стекле. Влияние нагрева на спектры поглощения и люминесценции, на эффективность генерации волоконных лазеров.

    дипломная работа [1,7 M], добавлен 09.10.2013

  • Влияние ударно-волновых и краевых эффектов на измерение проводимости продуктов детонации контактной методикой. "Деформация" восстанавливаемого распределения электропроводности в зависимости от постановки эксперимента; существование двух зон проводимости.

    дипломная работа [5,1 M], добавлен 02.06.2011

  • Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.

    реферат [730,0 K], добавлен 26.08.2015

  • Понятие об электрическом токе. Изменение электрического поля вдоль проводов со скоростью распространения электромагнитной волны. Условия появления и существования тока проводимости. Вектор плотности тока. Классическая электронная теория проводимости.

    презентация [181,7 K], добавлен 21.03.2014

  • Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.

    курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013

  • Порядок определения степени проводимости электрической цепи по закону Кирхгофа. Комплекс действующего напряжения. Векторная диаграмма данной схемы. Активные, реактивные и полные проводимости цепи. Сущность законов Кирхгофа для цепей синусоидального тока.

    контрольная работа [144,6 K], добавлен 25.10.2010

  • Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013

  • Расчёт катушки на заданную МДС. Расчёт магнитной цепи методом коэффициентов рассеяния. Расчёт магнитной суммарной проводимости. Расчет удельной магнитной проводимости и коэффициентов рассеяния. Определение времени срабатывания, трогания, движения.

    курсовая работа [189,6 K], добавлен 30.01.2008

  • Теория электрической проводимости и методика её измерения. Теория диэлектрической проницаемости и методика её измерения. Экспериментальные исследования электрической проводимости и диэлектрической проницаемости магнитной жидкости.

    курсовая работа [724,5 K], добавлен 10.03.2007

  • Квантовые точки Ge/Si. "Кулоновская щель" в плотности состояний. Общее представление о прыжковой проводимости. Нахождение распределения носителей в массиве квантовых точек. Возбуждение и релаксация в массиве квантовых точек, результаты моделирования.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 02.07.2012

  • Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.

    презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016

  • Метод диодного детектора (датчика). Эффект изменения проводимости полупроводника в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, эквивалентная схема диода. Метод с использованием газоразрядного датчика. Структурная схема измерителя импульсной мощности.

    реферат [608,6 K], добавлен 10.12.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.