Методы регистрации торсионных полей

Размещено на http://www.allbest.ru/

Контрольная работа

Методы регистрации торсионных полей

Содержание

1. Преобразователи на ДЭС

2. Типы асимметричных электродных систем

3. Преобразователи на полупроводниковых интегральных микросхемах

4. Биологические детекторы

Литература

1. Преобразователи на ДЭС

Регистрацию и исследование торсионного излучения, торсионных полей (ТП) и ВНКИЧ осуществляют преобразователями на двойных электрических слоях (ДЭС), преобразователями на полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС), а также с применением биодатчиков: живых организмов - растений, микроорганизмов (например, дрожжей) и т. д.

Двойной электрический слой, возникающий на поверхности раздела двух фаз, обладает уникальными сенсорными свойствами. Чувствительность ДЭС к воздействию физических факторов - переменным магнитным полям (ПЕМП), акустическому (звук, ультразвук) и электромагнитному излучению (ЭМИ), равна или превышает чувствительность всех известных естественных (в том числе биологических) объектов. Воздействие ЭМИ на частоте 550 кГц и ПЕМП регистрировались при плотности потока мощности 10^-12 Вт/м² [1-5]. Реакция на воздействие звука возникала при интенсивности 10^-13 Вт/м² или ниже [6]. электрический полупроводниковый детектор

ДЭС отвечают реакцией на воздействие ВНКИЧ [7], воздействие торсионного генератора Акимова [8] и на обнаруженный в 1997 г. неэлектромагнитный компонент излучения квантовых генераторов [9]. Реакция ДЭС проявляется в виде изменения величины электрического потенциала (рис. 1.1) и объясняется изменением величины диэлектрической проницаемости в слое Гуи и его эффективной толщины. Описанные свойства позволили создать преобразователи («датчики») для регистрации перечисленных факторов.

Потенциал двойного электрического слоя определяется из выражения:

(1.1)

где - толщина слоя Гельмгольца,

- граничный потенциал между слоями Гельмгольца и Гуи,

- толщина слоя Гуи,

х - текущая координата с началом отсчета от поверхности элект-рода.

Рис. 1.1. Распределение потенциала в двойном электрическом слое:

1 - адсорбционный слой (слой Гельмгольца),

2 - диффузный слой (слой Гуи), 3 - жидкая фаза

К электродным асимметричным системам (ЭАС) - преобразователям (датчикам) на двойных электрических слоях (ДЭС), предназначенным для регистрации слабых физических излучений, предъявляется ряд требований, из которых наиболее важными являются: высокая чувствительность к воздействующему фактору, высокое значение отношения сигнал/шум, стабильность во времени, быстродействие, защищенность от вредного воздействия посторонних физических факторов внешней среды естественного, техногенного и антропогенного характера [1]. Главным условием эффективной работы таких преобразователей является неравенство параметров приэлектродных ДЭС - их асимметрия.

Степень асимметрии определяет, прежде всего, чувствительность ЭАС. Другие ее характеристики в большой степени зависят от типа ЭАС - ее конструкции, материала электродов, состава жидкой фазы и т.д.

Условие неравенства параметров приэлектродных ДЭС определяется следующим. В электродной системе на поверхности раздела жидкой и твердой фазы - на поверхности электродов - возникают ДЭС с потенциалами ₁ и ₂ относительно объема жидкой фазы, удаленного от электродов. В результате, между электродами устанавливается разность потенциалов:

U=₂-₁. (1.2)

Воздействие фактора внешней среды изменяет потенциалы ₁ и ₂ на величины ₁ и ₂ соответственно, что приводит к изменению разности потенциалов электродной системы U на величину U:

(₂+₂) - (₁+₁) = (₂ - ₁) + (₂- ₁) = U + U, (1.3)

где U и есть реакция ЭАС на воздействие внешнего фактора.

Как следует из выражения (1.3), необходимым условием для регистрации этой реакции является асимметрия ЭАС ₁₂, обеспечивающая неравенство нулю величины U.

В ЭАС, имеющей конечные размеры, внешний фактор воздействует одинаково на оба электрода. Поэтому условие (1.3) может быть выполнено только при несовпадении одного или нескольких параметров приэлектродных ДЭС.

2. Типы асимметричных электродных систем (ЭС)

Асимметричные ЭС состоят из двух, как правило, металлических электродов, находящихся в контакте с полярной жидкостью (например, бидистиллированной водой). Неравенство параметров в них достигается следующими способами:

1) вытягиванием столба жидкости под одним из электродов [1, 3, 4];

2) применением остеклованного электрода с сформированной геометрией приэлектродного ДЭС [3, 4];

3) формированием ионного состава приэлектродных ДЭС в «токовых датчиках» [5, 6].

Способ 1. Электродная система с вытянутым столбом жидкости. В сосуд с жидкостью на глубину 2-5 мм погружен металлический, например, платиновый электрод Эл.2 (рис. 1.2). На расстоянии 5-20 мм от него на поверхность жидкости опущен электрод Эл.1 из аналогичного материала. После установления контакта с жидкостью электрод Эл.1 приподнимается микрометрическим винтом на некоторую высоту h_кр- h, где h_кр - высота столба жидкости, при которой происходит ее отрыв от электрода.

С увеличением h в ДЭС, возникшем у поверхности электрода Эл1, в результате растяжения жидкости под воздействием собственного веса происходит изменение диэлектрической проницаемости среды, что является одной из двух причин, обуславливающих отличие емкости ДЭС под электродом Эл.1 от емкости ДЭС, возникшего у поверхности электрода Эл.2.

Рис. 1.2. Электродная система с вытянутым столбом жидкости в составе устройства для регистрации торсионного излучения:

h - высота столба жидкости; h_кр - критическая высота (высота отрыва водяного столба);

УПТ - усилитель постоянного тока

Другая причина заключается в различии их геометрии. По мере вытягивания столба жидкости влияние обоих факторов будет возрастать. При h = h_кр степень асимметрии приэлектродных ДЭС и чувствительность ЭС максимальны.

Способ 2. ЭС с остеклованным электродом. Асимметрия достигается путем изменения геометрии ДЭС [3, 4]. С этой целью один из электродов, за исключением его торцовой поверхности, покрывается изоляцией из стекла. Плоский проводящий торец электрода после зачистки погружается в жидкость или устанавливается на ее поверхность.

Способ 3. «Токовая» электродная система. В «токовой» ЭС асимметрия приэлектродных ДЭС достигается путем формирования их ионного состава. Электродная система (риc. 1.3) включается последовательно в замкнутую цепь с источником ЭДС Е_ист и нагрузочным резистором R_н. При прохождении по цепи тока I на концах резистора возникает падение напряжение U = I R_н, которое подается на входы усилителя постоянного тока. Силу тока в цепи контролирует микроамперметр А.

Под воздействием разнополярных потенциалов, приложенных к электродам, к ним устремляются противоположные по знаку ионы с разными по величине зарядами, образовавшиеся в результате диссоциации воды, перехода в нее компонентов твердой фазы и т.д., формирующие приэлектродные ДЭС. Асимметрия этих ДЭС обусловлена различным по природе ионным составом, его количественными и зарядовыми характеристиками. Реакция такой ЭС на воздействие внешнего фактора выражается изменением средней величины протекающего в ней межэлектродного тока I на величину I, вследствие чего описанная ЭС названа «токовой». Эффективность работы токовых датчиков можно значительно повысить путем создания определенных условий, при которых в системе приэлектродных ДЭС возникает автоколебательный (АК) процесс, чрезвычайно чувствительный к воздействию внешних факторов [4].

А. Конструкция датчика: 1- крышка; 2 - стеклянный изолятор; 3 - платиновый электрод; 4 - корпус (2-ой электрод), материал - сталь нержавеющая.

Рис. 1.3. Токовая асимметричная электродная система:

Б. Схема включения датчика и блок-схема установки для исследования реакции ЭАС на воздействие физических факторов: 1 - датчик; 2 - резистор нагрузки; 3 - источник ЭДС; 4 - микроамперметр; 5 - усилитель постоянного тока; 6 - регистратор; 7 - экранирующая камера

Возникающее в ответ на внешнее воздействие изменение основных параметров этого процесса - амплитуды и частоты, является вторым («частотным») компонентом реакции токовых датчиков. АК-феномен, обнаруженный в 1988 г. и подробно описанный в 1992 г., сыграл исключительную роль в последующих исследованиях, результатом которых стало обнаружение торсионного компонента излучения квантовых генераторов (гл. 2), обнаружение собственного (характеристического) поля воды (гл. 3) и подтверждение полевой концепции механизма действия активированной воды на биологические объекты (гл. 4).

В 1992 г. был создан компьютеризованный комплекс, включающий четыре датчика на ДЭС. Предусматривались компьютерная обработка и просмотр поступающей от них информации, корреляционных кривых и кривых усреднения этой информации в масштабе реального времени. Применение компьютерной техники значительно расширило возможность использования датчиков на ДЭС и повысило эффективность их работы при исследовании реакции на воздействие сверхслабых факторов.

На рис. 1.4 показаны результаты использования в комплексе токовых датчиков, работающих в режимах регистрации изменения средней величины межэлектродного тока и регистрации изменения АК-процесса на воздействие этого же фактора.

О наличии реакции на сверхслабое воздействие характеристического поля неактивированной воды можно судить по изменению параметров АК-процесса в «частотном» датчике, тогда как реакция «аналогового» датчика представляет собой лишь незначительные по величине флуктуации средней величины межэлектродного тока.

Повышение интенсивности воздействующего фактора (характеристического поля активированной воды) вызвало четкий ответ обоих токовых датчиков (рис. 1.4Б).

На рис. 1.5 показана реакция электродной системы, введенной в АК-режим, на воздействие человека, связанное с изменением его внутреннего состояния. Оператор находился на расстоянии 10 м от датчика в смежном помещении, за железобетонной стеной толщиной 40 см (гл. 6, рис. 6.14). Реакция четко выражена вторым компонентом: в результате воздействия с экспозицией 5 минут период AK возрос втрое, а амплитуда - более чем в два раза.

А: 1 - приход экспериментатора в ЭП; 2 и 3 - начало и окончание воздействия.

Рис. 1.4. Реакция датчиков на воздействие неактивированной (А) и активированной (Б) воды.

Б: 1 - начало, 2 - окончание воздействия

Рис. 1.5. Изменение параметров АК- процесса в результате волевого воздействия оператора с экспозицией 5 минут

Рис. 1.6. Реакция датчиков 1-3 на воздействие правым (R) и левым (L) ТП. К - корреляционная кривая для датчиков 1 и 2.

На рис. 1.6 приведен пример зарегистрированной реакции трех токовых датчиков на воздействие левого и правого ТП, индуцированных генератором Акимова. Совпадение реакций трех датчиков подтверждается приведенным на кривой К результатом корреляционной обработки сигналов на выходах первого и второго датчиков, Отношение сигнал/шум для корреляционной кривой в десятки раз превышает это отношение для сигналов на выходах токовых датчиков (кривые 1-3).

Стрелкой, обращенной к кривой, обозначено начало воздействия; от кривой - его окончание. Прямой линией обозначена смена воздействия правого ТП на воздействие левым

3. Преобразователи на полупроводниковых интегральных микросхемах

Обнаружено, что при определенных условиях операционные усилители (ОУ) на полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС) реагируют изменением выходного потенциала как при тепловом воздействии, так и на дистантное воздействие человека. Это изменение обусловлено реакцией р-n (n-p) переходов, входящих в качестве функциональных структурных элементов в состав ИМС. Их индивидуальные вклады в суммарный ответ на воздействие не равновелики. Величина реакции каждого перехода обусловлена его функцией в составе ОУ, режимом работы (заданными вольтамперными параметрами, наличием обратных связей) и удаленностью от входного каскада усиления.

При штатном использовании ОУ напряжение на его выходе определяется выражением:

U_{вых.У_}= U_вх.2 К₂ - U_вх.1 К₁ + U_сф. К_у.сф., (1.4)

где К₁ и К₂ - коэффициенты усиления инвертирующего и неинвертирующего плеч, соответственно;

U_вх.1 и U_вх.2 - величины напряжений исследуемого сигнала на инвертирующем и неинвертирующем входах;

U_сф. - синфазное напряжение помехи на входах ОУ;

К_у.сф.- коэффициент усиления синфазной помехи, поступающей на входы ИМС.

Третий член в выражении (1.4) - сигнал помехи на выходе ОУ.

Между коэффициентом усиления синфазной помехи К_у.сф. и коэффициентом ее ослабления К_ос.сф. существует зависимость:

К_у.сф. = К_у./ К_ос.сф. , (1.5)

где К_у. - коэффициент усиления ОУ с учетом вводимой обратной связи, а величина коэффициента подавления синфазной помехи К_ос.сф., приводимая в справочной литературе, обычно составляет 60-80 дБ.

При использовании ОУ в штатном режиме, в случае U_вх.1 = U_вх.2 = 0, U_вых. = U_сф.·К_у.сф. представляет собой напряжение синфазной помехи.

В общем случае оно может возникать не только за счет подведения напряжения такой помехи ко входу ОУ, но и за счет факторов, воздействующих на полупроводниковую ИМС в целом или на отдельные ее элементы. Таким фактором является, например, тепловой - инфракрасное электромагнитное излучение. Если принять, что все каскады ОУ одинаково восприимчивы к тепловому воздействию, то учитывая равное распределение воздействующего теплового фактора на все р-n (n-p) переходы в объеме ИМС, изменение напряжения ДU_вых.У на выходе ОУ должно определяться в основном реакцией на это воздействие переходов в первых каскадах усиления. В этом случае ДU_вых.У можно условно рассматривать как результат усиления некоего напряжения U^T_сф., приведенного ко входу ОУ.

Реакция ОУ на дистантное воздействие человека так же, как и на тепловое воздействие, выражается изменением его выходного потенциала U_вых.У на величину ДU_вых.У. Таким образом, ОУ на ИМС при закороченных входах можно рассматривать как чувствительный элемент - датчик, реагирующий на воздействие инфракрасного излучения и ВНКИЧ. В этом случае величину ДU_вых.У следует рассматривать не как напряжение помехи, а как полезный сигнал на выходе датчика.

При использовании ОУ в качестве датчика излучения исследуемый фактор воздействует непосредственно на р-n (n-p) структуры неинвертируемого и инвертируемого каналов. Неинвертируемый и инвертируемый входы ОУ заземляются, при этом первые два члена в выражении (1.4) исчезают, а величина ДU_вых.У на выходе ОУ определяется только интенсивностью исследуемого фактора, воздействующего на ОУ.

Из (1.5) видно, что значение К_у.сф. возрастает с увеличением коэффициента усиления ОУ и при снижении К_ос.сф. Увеличение коэффициента усиления ОУ лимитируется условием стабильности его работы. Поэтому основной задачей, возникающей при использовании ОУ в качестве датчика, становится снижение заданного паспортного значения К_ос.сф. Эта задача, обратная подавлению синфазной помехи, достигается установлением неравенства величин К₁ и К₂, например, путем установления асимметрии (неравенства) величин ЭДС разнополярных источников питания ИМС.

Функция ИМС как сенсорного элемента не изменится, если на один из двух ее входов подать выходное напряжение с аналогичного сенсорного элемента. При этом оконечный сенсорный элемент может одновременно выполнять функцию усилителя постоянного тока (УПТ). С увеличением количества сенсорных элементов величина отношения полезного сигнала к шуму возрастает.

Показано, что с помощью детектора, составленного из двух последовательно включенных ОУ и, по существу, представляющего собой усилитель постоянного тока (УПТ) с закрытым входом, можно проводить биофизические исследования, связанные с дистантным воздействием человека. Нормальная работа такого детектора возможна только при изотермическом режиме.

Эксперименты показали, что при снижении величины ЭДС разнополярных источников питания (в 3 - 4 раза относительно номинала, но при сохранении равенства их значений) не менее 20% ИМС типа К553УД1А приобретают способность реагировать на дистантное воздействие человека.

На рис. 1.7А приведены результаты двух волевых воздействий (ВВ) человека на ИМС типа К553УД1А, а на рис. 1.7Б - блок-схема установки.

На выходе ИМС включена интегрирующая цепочка RC. Питание ОУ осуществлялось от двух батарей типа 3336 («Планета»).

Рис. 1.7. А - реакция МС на волевые воздействия Б - схема включения операционного усилителя

ИМС с источниками питания находились в изготовленной из стального листа толщиной 1мм металлической камере размером 400·480·500мм, экранирующей объект от внешних статических и низкочастотных электрических полей, аэроионов, конвекционных потоков воздуха и светового (за исключением инфракрасного) излучения. Постоянная времени интегрирующей RC-цепи, включенной на выходе ИМС, составляла 3,75 ceк.

На рис. 1.7Б показана схема датчика на ИМС в составе установки для регистрации реакции на воздействие внешних факторов. На выходе ИМС включена интегрирующая цепочка RC.

Напряжение с выхода ИМС с помощью экранированного кабеля подавалось на вход УПТ, о котором заранее было известно, что он не отвечает на дистантное воздействие человека. После усиления это напряжение поступало на один из входов двухканального регистратора ТZ-4221 (ЧССР). Экранирующая камера, электронная схема внутри нее, УПТ и регистратор были заземлены. Калибровка осуществлялась путем подачи калибровочного напряжения на неинвертирующий вход ИМС.

После выхода всей аппаратуры на режим, в отсутствии людей производилась регистрация фонового уровня выходного потенциала ИМС. Спустя некоторое время оператор входил в помещение и, расположившись в 0,5 метра от экранирующей камеры, начинал волевое воздействие. Начало волевого воздействия ВВ отмечено стрелкой, обращенной к кривой; окончание - от кривой.

На рис. 1.7A, величина ЭР на волевое воздействие оператора в два раза превосходила уровень шумов ИМС: она превышала 12 - 14 мкВ при напряжении шума порядка 6 -7 мкВ. Изменения потенциала совпадают по времени с началом и окончанием первого ВВ и с началом второго ВВ, однако реакция на окончание второго воздействия отсутствует.

На рис. 1.8 приведены результаты двух экспериментов с двумя последовательно включенными ИМС типа К553УД1А, предварительно отобранными по признаку чувствительности к волевому воздействию человека. ЭДС источников питания составляла ± 4,5 В. Входы первого ОУ были закорочены. На выходе второй ИМС включена интегрирующая RC-цепь с постоянной времени 3,75 сек. Для синхронной регистрации реакции обоих ОУ, сигнал с выхода первой ИМС (кривая 1) подавался на один из входов регистратора TZ-4221 через дополнительный УПТ, не отвечавший на дистантное воздействие человека. Сигнал с выхода второй ИМС (кривая 2) подавался на второй вход регистратора без дополнительного усиления.

В первом эксперименте (рис. 1.8А) величина шумов на выходе первой ИМС составила 6-8 мкВ, в то время как величина реакции на волевое воздействие составляет 5-6 мкВ (рис. 1.8A-1) и соизмерима с величиной шума, а на выходе второй ИМС она составляет порядка 25--30 мкВ и превышает величину шума в 2 - 3 раза (рис. 1.8А-2).

Во втором эксперименте (рис. 1.8) также четко видна реакция на ВВ: на выходе второй ИМС ее величина составляет порядка 25-30 мкВ и превышает величину шума в 2 - 3 раза (рис. 1.8Б-2).

Рис. 1.8. Реакция на волевое воздействие на выходе детектора на ИМС с двумя последовательно включенными микросхемами

Реакцию на выходе ИМС, возникающую в ответ на дистантное воздействие человека при равных значениях ЭДС разнополярных источников питания, можно повысить путем подбора их величины.

Детекторы на ИМС использовались в экспериментах, проводившихся при исследовании свойств ВНКИЧ (гл. 6).

4. Биологические детекторы

Мы рассмотрели два типа преобразователей, которые можно использовать для регистрации ТП. При соблюдении определенных условий для каждой из этих систем их реакция может быть адекватной внешнему воздействию. Это значит, что при определенных параметрах самих систем и определенных внешних условиях (например, при соблюдении температурного режима) указанные системы могут быть использованы в качестве датчиков. Одним из таких (пока невыполнимых) условий, общим для обоих типов систем, является наличие необходимой для калибровки единицы измерения. Что касается биологических детекторов, в качестве которых могут быть использованы растения или микроорганизмы, их реакция на воздействие внешних факторов сопряжена с изменением жизнедеятельности и имеет сложный (для микроорганизмов необратимый) характер.

При использовании растений в качестве биологического детектора реакция, возникающая в ответ на воздействие излучения исходящего от человека, может быть выражена изменением величины электрического потенциала, возникновением или изменением направления тренда потенциала, изменением электрической активности (изменением спектрального состава флуктуаций электрического потенциала, возникновением автоколебаний и изменением их параметров - частоты или амплитуды), возникновением импульсной активности и т.д). Реакция может содержать один, несколько или все перечисленные компоненты. Возможны любые их сочетания.

Во всех случаях реакция может носить следовый характер: каждый из перечисленных элементов, возникнув в результате воздействия, может сохраняться на протяжении длительного периода после прекращения воздействия. Часты случаи возникновения «отложенной» реакции, возникающей сразу после прекращения воздействия или спустя некоторое время после него. Очень часто реакция на прекращение воздействия по величине превышает реакцию на его начало.

Рассмотрим эту возможность на примере результата эксперимента с инактивированным кактусом (рис. 1.9). Кактус, лишенный освещения и полива на протяжении 12 суток, находился в экранирующей камере. К началу эксперимента электрическая активность на поверх-ности кактуса проявлялась в виде коротких и редких всплесков потенциала - импульсов с амплитудой около 100 мкВ и частотой следования порядка 1 имп/минуту.

Воздействия первого рода производились на кактус без нару-шения темнового режима, при закрытой крышке камеры путем подведения к нему с помощью штока стальной пластины площадью 50х50 мм (позиции 1-2, 3-4, 6-7 и 8-9). Воздействие второго рода с энергетической накачкой (позиция 5) заключалось в серии коротких включений (длительностью от 15 до 45 с) лампочки накаливания от карманного фонаря мощностью 0,04 Вт, находившейся на расстоянии 5 см от кактуса.

Рис. 1.9. Изменения электрической активности на поверхности кактуса, возникавшие в результате подведения к его поверхности стальной пластины и воздействия светом. Цифрами в кружках (позиция 5) обозначена длительность светового воздействия

Девятиминутное воздействие на кактус путем подведения стальной пластины (позиции 1-2) вызвало изменение величины потенциала (сдвиг потенциала) на поверхности кактуса на 1 мВ и привело к прекращению электрической активности. Спустя 2-3 минуты после окончания воздействия началось восстановление межэлектродной разности потенциалов, за которым последовало возникновение длительного тренда потенциала величиной порядка 3,5 мВ/час.

Восстановление электрической активности после окончания первого воздействия происходило на протяжении получаса. Реакция, возникавшая в результате трех следующих подобных воздействий, была слабее, и восстановление импульсной активности проходило быстрее, что особенно наглядно выразилось при последних воздействиях (позиции 6-7 и 8-9), проводившихся после серии коротких световых воздействий длительностью от 16 до 45 с.

В результате световых воздействий электрическая активность, напротив, резко возросла, что выразилось (примерно через 5 минут после окончания последнего светового воздействия) значительным скачкообразным увеличением частоты следования импульсов.

По характеру реакций на воздействия можно заключить, что все они приводили к изменению физико-химических процессов на тканевом (возможно, организменном) уровне. Незначительная энергетическая накачка путем светового воздействия привела к включению фотосинтеза и резкому ускорению ферментативных процессов.

На основании приведенных экспериментальных результатов можно заключить, что биологические сенсорные системы (преобразователи) не могут быть откалиброваны и не могут выполнять функцию датчика. Их можно использовать в качестве индикатора ТП (ВНКИЧ), а для количественной оценки «интенсивности» воздействующего фактора (точнее, его биологической активности) необходимо воспользоваться методом сравнения состояния исследуемого образца с состоянием контрольного образца, не подвергшегося воздействию исследуемого фактора. Применение этой методики с участием микроорганизмов, например дрожжевых клеток, исключительно удобно вследствие быстрого протекания процессов, и использовалась нами на протяжении нескольких лет в основном при исследовании проблем, связанных с внедрением ТП в прикладных областях - в медицину, в биотехнологии и производство продуктов питания.

Литература

1. Бобров А.В., Колесникова Т.В., Шрайбман Ф.О. Дистантное воздействие человека на электродную систему. Биофизика. ВИНИТИ, деп. №3950-В85, М., 1985, 34 с.

2. Музалевская Н.И., Бобров А.В., Шрайбман Ф.О. Двойной электрический слой в первичном звене механизма действия слабых сверхнизкочастотных магнитных полей на биологические объекты // Информационные взаимодействия в биологии. Изд. ТГУ, Тбилиси, 1990, с. 165-172.

3. Бобров А.В. Сенсорные свойства двойных электрических слоев в биологии и в технике регистрации слабых и сверхслабых излучений. МНТЦ ВЕНТ, препринт N 54, 1995, с. 3-14.

4. Бобров А.В. Моделирование реакции живых систем на внешние воздействия. Современные проблемы изучения и сохранения биосферы. Гидрометеоиздат С.-Пб 1992, с. 227-244.

5. Бобров А.В. Сенсорные свойства ДЭС и возможный механизм реакции на воздействие факторов внешней среды. Сб. тезисов и
докладов на Международном конгрессе «Биоэнергоинформатика.» (БЭИ-98), Том 2, Барнаул, 1998, с. 11-16

6. Бобров А.В. Модельное изучение механизма рецепции // Информационные взаимодействия в биологии. Изд. ТГУ, Тбилиси , 1990, с. 151-162.

7. Бобров А.В. Инструментальное исследование природы и свойств высокопроникающего нетеплового компонента излучения человека. МНТЦ ВЕНТ, препринт N 55, 1995, с. 15-60.

8. Бобров А.В. Реакция двойных электрических слоев на воздействие торсионного поля. ВИНИТИ, деп. № 1055-В97, М., 97, 26 с.

9. Бобров А.В. Торсионный компонент электромагнитного излучения. Информационные торсионные поля в медицине и растениеводстве. ВИНИТИ, деп. № 635-В98, М., 1998, 41 с.

Размещено на Allbest.ru