Главная Коллекция "Revolution" Физика и энергетика Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии

Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии

Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 15.02.2018
Размер файла 1,0 M
рефераты на заказ со скидкой

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Страница:

8. Shastin, V. N. Far-infrared hole absorption in InxGa1-xAs/GaAs MQW heterostructures with -doped barriers / V. N. Shastin, S. G. Pavlov, A. V. Muravjov, E. E. Orlova, R. Kh. Zhukavin, and B. N. Zvonkov // phys. stat. sol. (b). - 1997. - Vol. 204, Issue 1. - P. 174-177.

9. Жукавин, Р. Х. Использование квантоворазмерных Ge/Ge1-xSix гетероструктур для синхронизации мод в лазере дальнего инфракрасного излучения на p-Ge / Р. Х. Жукавин, А. В. Муравьев, С. Г. Павлов, А. Х. Ситдиков, В. . Шастин, О. А. Кузнецов // Изв. АН, сер. физ. - 1999. - Том 63, вып. 2. - С. 364-368.

10. Шастин, В. Н. Внутрирезонаторная спектроскопия Ge/Ge1-xSix гетероструктур в лазере дальнем ИК диапазоне длин волн / В. Н. Шастин, Н. А. Бекин, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, О. А. Кузнецов // Изв. АН, серия физ. - 1999. - Том 63, вып. 2. - С. 374-378.

11. Orlova, E. E. Far infrared active media based on the shallow impurity states transitions in silicon / E. E. Orlova, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov and V. N. Shastin // physica status solidi (b). - 1998. - Vol. 210, Issue 2. - P. 859-863.

12. Hьbers, H.-W. Population inversion and far-infrared emission from optically pumped silicon / H.-W. Hьbers, K. Auen, S. G. Pavlov, E. E. Orlova, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 74, Issue 18. - P. 2655-2657.

13. Muravjov, A. V. Broad band p-Ge optical amplifier of terahertz radiation / A. V. Muravjov, S. H. Withers, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, and R. E. Peale // J. Appl. Phys. - 1999. - Vol. 86, Issue 7. - P. 3512-3515.

14. Pavlov, S. G. Stimulated emission from donor transitions in silicon / S. G. Pavlov, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, V. N. Shastin, A. V. Kirsanov, H.-W. Hьbers, K. Auen, and H. Riemann // Phys. Rev. Lett. - 2000. - Vol. 84, Issue 22. - P. 5220-5223.

15. Шастин, В. Н. Инверсия населенностей и усиление ТГц излучения при оптическом возбуждении кулоновских центров в гетероструктурах с квантовыми ямами / В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, Е. Е. Орлова, С. Г. Павлов // Изв. АН, сер. физ. - 2001. - Том 65, Вып. 2. - С. 246-248.

16. Auen, K. Influence of group II and III shallow acceptors on the gain of p-Ge lasers / K. Auen, H.-W. Hьbers, A. V. Muravjov, E. E. Orlova, S. G. Pavlov, V. N. Shastin and R. Kh. Zhukavin // Physica B. - 2001. - Vols. 302-303. - P. 334-341.

17. Hьbers, H.-W. Terahertz emission from silicon doped by shallow impurities / H.-W. Hьbers, S. G. Pavlov, M. H. Rьmmeli, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, H. Riemann and V. N. Shastin // Physica B. - 2001. - Vols. 308-310. - P. 232-235.

18. Orlova, E. E. FIR lasing based on group V donor transitions in silicon / E. E. Orlova, S. G. Pavlov, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, A. V. Kirsanov, H.-W. Hьbers, K. Auen, M. Rьmmeli, H. P. Rцser and H. Riemann // Physica B. - 2001. - Vols. 302-303. - P. 342-348.

19. Pavlov, S. G. Physics of optically pumped semiconductor bulk lasers for the 5-15 THz frequency range / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, M. H. Rьmmeli, V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, and H. Nakata // 2001 Symposium of IEEE/LEOS Benelux Chapter: Symp. Proc., Ed. by H. Trienpont et al. Brussels, Belgium, 3 Dec. 2001. - Brussels: Vrije Universiteit Brussel Press. 2001. - P. 49-52.

20. Hьbers, H.-W. Terahertz emission spectra of optically pumped silicon lasers / H.-W. Hьbers, S. G. Pavlov, M. Greiner-Bдr, M. F. Kimmitt, M. H. Rьmmeli, R. Kh. Zhukavin, H. Riemann, and V. N. Shastin // physica status solidi (b). - 2002. - Vol. 233, Issue 2. - P. 191-196.

21. Pavlov, S. G. Far-infrared stimulated emission from optically excited bismuth donors in silicon / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, M. H. Rьmmeli, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, V. N. Shastin, and H. Riemann // Appl. Phys. Lett. - 2002. - Vol. 80, Issue 25. - P. 4717-4719.

22. Pavlov, S. G. Terahertz optically pumped Si:Sb laser / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, and V. N. Shastin // J. Appl. Phys. - 2002. - Vol. 92, Issue 10. - P. 5632-5634.

23. Shastin, V. N. Stimulated THz emission from group-V donors in silicon under intracenter photoexcitation / V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, S. G. Pavlov, M. H. Rьmmeli, H.-W. Hьbers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, H. Riemann, I. V. Bradley, and A. F. G. van der Meer // Appl. Phys. Lett. - 2002. - Vol. 80, Issue 19. - P. 3512-3514.

24. Pavlov, S. G. Optically pumped terahertz semiconductor bulk lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, E. E. Orlova, R. Kh. Zhukavin, H. Riemann, H. Nakata, and V. N. Shastin // physica status solidi (b). - 2003. - Vol. 235, Issue 1. - P. 126-134.

25. Pavlov, S. G. Electrically pumped far-infrared population inversion in heterostructures doped by shallow impurity centers // phys. stat. sol. (c). - 2003. - Vol. 0, Issue 2. - P. 726-729.

26. Pavlov, S. G. Terahertz silicon lasers: Intracenter optical pumping / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, M. H. Rьmmeli, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, R. Kh. Zhukavin, A. V. Muravjov, and V. N. Shastin // “Towards the First Silicon Laser”, Eds. L. Pavesi et al., NATO Science Series II: Mathematics, Physic and Chemistry. Kluwer Academic Publishers. - 2003. - Vol. 93. - P. 331-340.

27. Zhukavin, R. Kh. Laser transitions under resonant optical pumping of donor centres in Si:P / R. Kh. Zhukavin, D. M. Gaponova, A. V. Muravjov, E. E. Orlova, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, H. Riemann, A. F. G. van der Meer // Appl. Phys. B. - 2003. - Vol. 76, No. 5. - P. 613-616.

28. Hьbers, H.-W. Stimulated terahertz emission from arsenic donors in silicon / H.-W. Hьbers, S. G. Pavlov, R. Kh. Zhukavin, H. Riemann, N. V. Abrosimov, and V. N. Shastin // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84, Issue 18. - P. 3600-3602.

29. Nakata, H. Excitation spectroscopy of Si:P THz laser and infrared photoconductivity in Ge:Te / H. Nakata, A. Yokoyama, T. Hatou, T. Ohyama, N. Tsubouchi, S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers // Joint 29th Int. Conf. on Infrared and Millimeter Waves and 12th Int. Conf. on Terahertz Electronics: Conf. Digest, 27 Sept. - 1 Oct. 2004. Karlsruhe, Germany. Eds. M. Thumm, W. Wiesbeck. IEEE Cat. No. 04EX857, 2004. - P. 507-508.

30. Pavlov, S. G. Nonequilibrium electron distribution in terahertz intracentre silicon lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, E. E. Orlova, R. Kh. Zhukavin and V. N. Shastin // Semicond. Sci. Technol. - 2004. - Vol. 19, No. 4. - S465-S468.

31. Шастин, В. Н. Стимулированное излучение, вынужденное комбинационное рассеяние и инверсия населенности на внутрицентровых переходах доноров в кремнии / В. Н. Шастин, С. Г. Павлов, Р. Х. Жукавин, H.-W. Hьbers, H. Riemann, T. O. Klaassen, J. N. Hovenier, P. J. Phillips // "Полупроводники-2005": Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, Москва, 18-23 сент. 2005. - Москва: ФИ РАН им. П. Н. Лебедева. 2005. - С. 97.

32. Hьbers, H.-W. Terahertz lasers based on germanium and silicon / H.-W. Hьbers, S. G. Pavlov and V. N. Shastin // Semicond. Sci. Technol. - 2005. - Vol. 20, Special Issue 7: Photonic Terahertz Technology. - P. S211-S221.

33. Hьbers H.-W. Spectroscopy of excited states in p-type germanium with coherent terahertz synchrotron radiation / H.-W. Hьbers, S. G. Pavlov, K. Holldack, P. Kuske, U. Schade, G. Wьstefeld // Int. Workshop on Infrared Microscopy and Spectroscopy with Accelerator Based Sources: Abstracts Book, Rathen, Germany. 26-30 June 2005. - P.135.

34. Zhukavin R. Kh. D- centers in intracenter Si:P lasers / R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, K. A. Kovalevsky, H.-W. Hьbers, H. Riemann, and V. N. Shastin // J. Appl. Phys. - 2005. - Vol. 97. Issue 11. - P. 113708.

35. Pavlov, S. G. Stimulated terahertz Stokes emission of silicon crystals doped with antimony donors / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. J. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin // Phys. Rev. Lett. - 2006. - Vol. 96, Issue 3. - P. 037404.

36. Pavlov, S. G. Frequency tunability of the terahertz silicon laser by a magnetic field / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, M. F. Kimmitt, H. Riemann, and V. N. Shastin // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 89, Issue 2. - P. 021108.

37. Pavlov, S. G. Silicon donor and Stokes terahertz lasers / S.G. Pavlov, H.-W. Hьbers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, H. Riemann, N. V. Abrosimov, N. Nцtzel, R. Kh. Zhukavin and V. N. Shastin // J. of Luminescence. - 2006. - Vol. 121, Issue 2. - P. 304-310.

38. Pavlov, S. G. Impurity-based infrared emitters in silicon // «Si-based Optoelectronics»: Abstracts of the Rank-Prize Funds Mini-Symposium, Storrs Hall Hotel, Windermere, Cumbria, UK. 3-6 April 2006. - P. 37.

39. Павлов, С. Г. Определение энергии ионизации возбуженных состояний донорных центров в кремнии из спектров накачки и излучения терагерцовых кремниевых лазеров // «Полупроводники-2007»: Teзисы VIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сент. - 5 окт. 2007 - Екатеринбург: ИФМ УрО РАН. 2007. - С. 342.

40. Pavlov, S. G. Intracenter Raman silicon lasers // Laser Physics. - 2007. - Vol. 17, No. 8. - P. 1037-1040.

41. Zhukavin, R. Kh. Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon / R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, U. Bцttger, H.-W. Hьbers, H. Riemann, N. V. Abrosimov, and N. Nцtzel // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 90, Issue 5. - P. 051101.

42. Pavlov, S. G. Low-threshold terahertz Si:As laser / S. G. Pavlov, U. Bцttger, H.-W. Hьbers, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov and H. Riemann // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 90, Issue 14. - P. 141109.

43. Zhukavin, R. Kh. Terahertz gain on shallow donor transitions in silicon / R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, and A. F. G. van der Meer // J. Appl. Phys. - 2007. - Vol. 102, Issue 9. - P. 093104.

44. Шастин, В. Н. Времена жизни локализованных состояний мелких доноров в кремнии / В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, H.-W. Hьbers, P. J. Phillips // «Нанофизика и наноэлектроника»: Материалы XII ежегодного симпозиума, 10-14 марта 2008, Нижний Новгород. - Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2008. - Том 1. - С. 182-185.

45. Pavlov, S. G. Mono- and polycrystalline silicon for terahertz intracenter lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, N. V. Abrosimov, and H. Riemann // Solid State Phenomena. - 2008. - Vols. 131-133. - P. 579-582.

46. Abrosimov, N. V. Silicon doped with lithium and magnesium from the melt for terahertz laser application / N. V. Abrosimov, N. Nцtzel, H. Riemann, K. Irmscher, S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, U. Bцttger, P. M. Haas, N. Drichko, and M. Dressel // Solid State Phenomena. - 2008. - Vols. 131-133. - P. 589-593.

47. Pavlov, S. G. Terahertz emission from phosphor centers in SiGe and SiGe/Si semiconductors / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H. H. Radamson, N. A. Bekin, A. N. Yablonsky, R. Kh. Zhukavin, Yu. N. Drozdov and V. N. Shastin // Solid State Phenomena. - 2008. - Vols. 131-133. - P. 613-618.

48. Pavlov, S. G. Multi-crystalline silicon as active medium for terahertz intracenter lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, N. V. Abrosimov, H. Riemann, L. V. Gavrilenko and A. V. Antonov // Physica B. - 2008. - Vol. 403, Issue 4. - P. 535-538.

49. Pavlov, S. G. Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, U. Bцttger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, and H. Riemann // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 92, Issue 9. - P. 091111.

50. Pavlov, S. G. Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, P. M. Haas, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. A. Carder and B. Redlich // Phys. Rev. B. - 2008. - Vol. 78, Issue 16. - P. 165201.

51. Pavlov, S. G. Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, R. Kh. Zhukavin, P. J. Phillips, D. A. Carder, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen and V. N. Shastin // IEEE Int. Conf. on Group IV Photonics 2008: Conf. Abstracts, Sorrento, Italy, 17-19 Sept. 2008. - P. 27-28.

52. Pavlov, S. G. Stimulated terahertz emission due to nonlinear frequency conversion in silicon / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, U. Bцttger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier and B. Redlich // "THz Radiation: Basic Research and Applications“: Proc. of the Int. Workshop, Alushta, Crimea, Ukraine, 2-4 Oct. 2008. - IEEE Catalog No # CFP0893E-CDR. 2008. - P. 13-15.

53. Pavlov, S. G. Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon / S. G. Pavlov, U. Bцttger, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer and H.-W. Hьbers // Physica B. - 2009. - Vol. 404, Issues 23-24. - P. 4661-4663.

54. Bekin N. A. Quantum cascade laser design based on impurity-band transitions of donors in Si/GeSi(111) heterostructures / N. A. Bekin and S. G. Pavlov // Physica B. - 2009. - Vol. 404, Issues 23-24. - P. 4716-4718.

55. Pavlov, S. G. Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon / S. G. Pavlov, U. Bцttger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, and H.-W. Hьbers // Appl. Phys. Lett. - 2009. - Vol. 94, Issue 17. - P. 171112.

56. Pavlov, S. G. Optimizing the operation of terahertz silicon lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hьbers, U. Bцttger, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, V. N. Shastin // IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. - 2009. - Vol. 15, Issue 3. - P. 925-932.

57. Pavlov, S. G. Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers / S. G. Pavlov, U. Bцttger, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, and H.-W. Hьbers // Appl. Phys. Lett. - 2009. - Vol. 95, Issue 20. - P. 201110.

58. Shastin, V. N. Advanced THz laser performance of shallow donors in axially stressed silicon crystal / V. N.Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov and H.-W. Hьbers // J. Phys.: Conf. Ser. - 2009. - Vol. 193. - P. 012086.

59. Pavlov, S. Stress-controlled phonon-impurity resonances in terahertz silicon lasers // Phonon Engineering - Theory and Applications: Proceedings of the Material Research Society Fall Meeting, Symposium EE, Boston, MA, USA. 30 Nov. - 4 Dec. 2009. - Vol. 1221E. - Abstract ID # 659941.

60. Pavlov, S. G. Influence of electric field on operation of terahertz intracenter silicon lasers / S. G. Pavlov, U. Bцttger, H.-W. Hьbers, N. V. Abrosimov, K. Irmscher and H. Riemann // J. Appl. Phys. - 2010. - Vol. 107, Issue 3. - P. 033114.

Размещено на Allbest.ru

...

Страница:


Подобные документы

  • Осцилятор терагерцового діапазону на основі надрешітки AlAs/GaAs

    Загальна характеристика терагерцового випромінювання. Напівпровідникові гетероструктури. Загальна характеристика речовин GaAs, AlAs. Будова надрешітки. Рух електронів у статичному електричному полі та у терагерцових полях. Використання осцилятора.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 04.12.2014

  • Зависимость ширины запрещенной зоны в кремнии от температуры

    Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.

    контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014

  • Химические и полупроводниковые лазеры. Лазеры на центрах окраски

    Механизм возникновения инверсной населенности. Особенности генерации в химических лазерах, способы получения исходных компонентов. Активная среда лазеров на центрах окраски, типы используемых кристаллов. Основные характеристики полупроводниковых лазеров.

    презентация [65,5 K], добавлен 19.02.2014

  • Применение полупроводников в технике

    Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.

    реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004

  • Оптические переходы в полупроводниках с глубокими уровнями

    Явления оптической и термической перезарядки, их роль в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Особенности оптических переходов при наличии нескольких глубоких и мелких уровней в запрещённой зоне, в основном, при комбинированном возбуждении.

    реферат [35,2 K], добавлен 22.06.2015

  • Некоторые вопросы физики полупроводников

    Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.

    реферат [730,0 K], добавлен 26.08.2015

  • Использование дефектов, возникающих при имплантации водорода или гелия, для формирования глубинных структур в кремнии

    Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.

    реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010

  • Влияние температуры на концентрацию триплетных молекул в твердых растворах при сенсибилизированном возбуждении

    Тушение возбужденных состояний примесных молекул в твердых растворах органических соединений. Особенности температурной зависимости параметров сенсибилизированной фосфоресценции примесных молекул в замороженных н-парафинах.

    диссертация [410,5 K], добавлен 13.03.2007

  • Основные диапазоны электромагнитного спектра

    Характеристика диапазона частот, излучаемых электромагнитными волнами. Особенности распространения радиоволн. Исследование частотного диапазона инфракрасного и ультрафиолетового излучения. Специфика восприятия видимого света. Свойства рентгеновских лучей.

    презентация [122,5 K], добавлен 20.04.2014

  • Фотоэлектрические явления в полупроводниках

    Сущность внутреннего фотоэффекта. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Измерение фотоэлектромагнитного эффекта. Особенности p-n переходов в полупроводниках, барьер Шоттки для электронов.

    курсовая работа [788,8 K], добавлен 27.11.2013

  • Спектральные исследования процессов модификации

    Импульсные лазеры как источник высокоэнергетического излучения. Исследование концентрационной зависимости параметра кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны твердого раствора методами рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии.

    реферат [1,9 M], добавлен 26.06.2010

  • Определение концентрации атомов в газе методом атомно-абсорбционной спектроскопии

    Теория атомно-абсорбционных измерений: излучение и поглощения света, понятие линии поглощения и коэффициента поглощения, контур линии поглощения. Принцип работы лазера. Описание работы гелий-неонового лазера. Лазеры на органических красителях.

    реферат [392,9 K], добавлен 03.10.2007

  • Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)

    Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Методы увеличения коэффициента усиления по току биполярного транзистора

    Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.

    курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015

  • Акустика пузырьковой жидкости

    Исследование распространения акустических возмущений в смесях жидкости с газовыми пузырьками с учетом нестационарных и неравновесных эффектов межфазного взаимодействия. Расчет зависимости фазовой скорости и коэффициента затухания в пузырьковой жидкости.

    курсовая работа [433,2 K], добавлен 15.12.2014

  • Зонная структура непрямозонного полупроводника Si

    Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.

    курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011

  • Общие сведения о полупроводниках

    Классификация твердых тел по электропроводности. Процесс образования пары электрон - дырка. Преимущества использования кремния в качестве полупроводникового материала. Структура кристаллической решетки типа "алмаз". Электронно-дырочный p-n-переход.

    презентация [823,2 K], добавлен 09.07.2015

  • Общие сведения о полупроводниках

    Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.

    презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016

  • Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры

    Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.

    лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016

  • Лазеры на центрах окраски

    Создание дефектов в кристаллах и появление в запрещенной зоне определенных полос поглощения. Недостаток радиационного способа. Фотохимическая и термическая обработка кристаллов. Перевод электрона на уровень энергии, обусловленный наличием F-центра.

    презентация [34,0 K], добавлен 19.02.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.

© 2000 — 2023, ООО «Олбест» Все права защищены