Радиационно-стимулированные и короноэлектретные изменения структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций

Изучение изменений структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций под воздействием квантов быстрых электронов и отрицательного коронного разряда. Разработка физических основ модификации эксплуатационных параметров устройств прикладной магнитооптики.

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 16.02.2018
Размер файла 2,0 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.Allbest.ru/

Размещено на http://www.Allbest.ru/

Специальность 01.04.10 - «Физика полупроводников и диэлектриков»

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Тема:

Радиационно-стимулированные и короноэлектретные изменения структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций

Костишин В.Г.

Москва 2009

Работа выполнена на кафедре технологии материалов электроники ФГОУ ВПО Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Научные консультанты: доктор технических наук, профессор Летюк Леонид Михайлович доктор технических наук, профессор Шипко Михаил Николаевич

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Бублик Владимир Тимофеевич, МИСиС, г. Москва

доктор физико-математических наук, профессор Рыков Владимир Александрович ФЭИ, г. Обнинск

доктор физико-математических наук, профессор Степович Михаил Адольфович КалуГПУ, г. Калуга

Ведущая организация: Московский энергетический институт (технический университет), г. Москва

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке МИСиС

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физико-математических наук, профессор В.В. Гераськин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Эпитаксиальные монокристаллические пленки ферритов-гранатов (ЭМПФГ; феррогранатовые гетерокомпозиции) в настоящее время принадлежат к наиболее популярным материалам современной магнитной микроэлектроники, физики магнитных материалов и физики диэлектриков и применяются для производства микроэлектронных устройств прикладной магнитооптики и СВЧ-техники. Обладая высокой изоморфной емкостью, данные материалы сочетают в себе целый комплекс интересных магнитных, оптических и электрофизических свойств и, таким образом, являются уникальнейшими объектами научных исследований. На сегодняшний день научный интерес к данным объектам усиливается в связи с интенсивным развитием магнитной наноэлектроники, так как во многих случаях магнитные наночастицы представляют собой наночастицы ферритов или наночастицы оксидов железа. Переход от микро к наноматериалам сопровождается открытием качественно новых квантовых свойств материалов и реализацией в них принципиально новых физических эффектов, понимание которых во многих случаях - невозможно без полных знаний свойств данных материалов в микро- и макроисполнении.

Активизации дальнейшей исследовательской деятельности в области физики данных материалов способствует, прежде всего, тот факт, что стремление к снижению геометрических размеров магнитных носителей информации вступило в противоречие с теорией магнитной стабильности частиц (тонких пленок). На сегодняшний день установлены закономерности изменения физических свойств тонкопленочных материалов, которые лимитируются так называемыми эффектами конечного размера: влиянием открытой поверхности как структурного дефекта, наличием межфазных границ «пленка-подложка» и др.

Влияние указанных факторов на магнитные свойства тонких ЭМПФГ усугубляется наличием большого разнообразия возможных типов точечных дефектов ввиду сложного химического состава и структуры этих материалов. Отклонение от стехиометрии при неизовалентном замещении, часто используемом для получения феррит-гранатовых гетерокомпозиций с необходимыми магнитными параметрами, приводит к количественным и качественным изменениям набора присутствующих точечных дефектов. Данные факторы формируют в материале метастабильные состояния, разрушающиеся в процессе эксплуатации устройств на его основе или при различных физических воздействиях. Следует отметить, что существуют довольно привлекательные возможности использования таких состояний в ЭМПФГ для управления их оптическими, электрическими и магнитными свойствами с помощью низкоэнергетических (например, униполярный коронный разряд) и радиационных воздействий. Однако, надежные сведения об особенностях влияния радиационных воздействий на энергетическое состояние и концентрацию различных дефектов в эпитаксиальных ферритах-гранатах практически отсутствуют. Возможность изменения эксплуатационных характеристик тонких магнитных диэлектричеких пленок, в частности ЭМПФГ, путем их электретирования в униполярном коронном разряде до работ автора не высказывалась даже гипотетически.

Несомненно, что использование радиационных воздействий и воздействия униполярного коронного разряда для повышения уровня и стабильности свойств ЭМПФГ, предопределяет необходимость выяснения природы влияния этих воздействий на кристаллохимическую структуру, энергетическое состояние дефектов и физические свойства указанных объектов исследования различных составов. Однако, понимание механизмов радиационно-стимулированных и короноэлектретных изменений структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций - невозможно без знаний структуры и свойств основных видов генетических дефектов данных материалов. Несмотря на наличие на сегодняшний день в мировой научной литературе огромного количества публикаций по изучению дефектов в эпитаксиальных ферритах-гранатах, понимание и теоретические трактовки механизмов связи свойств нестехиометрических диэлектрических оксидных магнетиков с их дефектностью, валентным состоянием ионов еще весьма далеки от совершенства. Наименее изученными остаются дефекты анионной подрешетки (кислородные вакансии, их комплексы, дырочные центры внешних электронных оболочек анионной подсистемы). Указанными обстоятельствами, в некоторой мере, объясняются значительные трудности в получении феррит-гранатовых пленок с уровнем свойств, приближающихся к потенциально возможным, или значительно улучшенными. Следует отметить, что облучение не только приводит к созданию новых дефектов, но и может служить инструментом, позволяющим выявлять генетические дефекты, а в ряде случаев и «залечивать» их. Кроме того, изучение радиационно-стимулированных изменений напрямую связано с вопросами дозиметрии излучений и записи информации. И, наконец, исследования по влиянию радиации на физические свойства и структуру материалов могут дать информацию, необходимую для надежности устройств, работающих в условиях радиационных воздействий.

Поскольку ЭМПФГ являются магнитными диэлектриками (так, у Y3Fe5O12 удельное сопротивление с = 1012 - 1014 Ом•см; ширина запрещенной зоны Eg ~ 2,5 эВ), их обработка в униполярном коронном разряде приведет к формированию в пленке электретного состояния. Путем изменения поверхностного заряда такой тонкой магнитной пленки в электретном состоянии можно эффективно управлять ее магнитными характеристиками. Таким образом, подобные исследования позволят сформировать предпосылки для создания целого класса приборов микро- и наноэлектроники, основанных на управлении магнитными характеристиками рабочего слоя путем изменения его электретного состояния.

Цель и основные задачи работы.

Целью настоящей работы являлось комплексное изучение изменений структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций разных составов под воздействием г-квантов Co60 (Eг = 1,25 МэВ), быстрых электронов (Ee = 6 МэВ) и отрицательного коронного разряда (ОКР), разработка физических основ модификации эксплуатационных параметров устройств на основе ЭМПФГ.

Для достижения указанной цели, с учетом проведенного анализа состояния настоящих проблем, в работе решались следующие основные задачи:

- изучение влияния типа раствора-расплава и параметров роста на формирование генетических дефектов в ЭМПФГ различных составов;

- комплексное изучение структуры и свойств генетических дефектов, определяющих основные механизмы радиационностимулированных изменений феррогранатовых гетерокомпозиций и кристаллов галлиевых гранатов;

- установление структуры радиационных дефектов и механизмов радиационного дефектообразования, индуцируемых в феррогранатовых гетерокомпозициях и кристаллах галлиевых гранатов воздействием г-квантов Со60 (Eг = 1,25 МэВ) и быстрых электронов (Ee = 6 МэВ);

- изучение в феррогранатовых гетерокомпозициях природы короноэлектретного состояния и наводимых этим состоянием изменений основных физических свойств и эксплуатационных параметров;

- установление механизмов зарядовой компенсации сверхстехиометрических и «паразитных» (попадающих в пленку из расторарасплава) ионов Ca2+ в ЭМПФГ;

- установление механизмов зарядовой компенсации «паразитных» ионов Pb в ЭМПФГ;

- разработка и обоснование методологии регистрации спектров термостимулированных токов проводимости (ТСТП), соответствующих глубоким уровням захвата кислородных вакансий в ЭМПФГ;

- разработка метода обработки спектров ТСТП, значительно повышающего достоверность расчета параметров электрически активных центров за счет использования при анализе всех экспериментальных точек температурной зависимости тока;

- разработка методологии формирования в феррогранатовых гетерокомпозициях с помощью низкоэнергетического воздействия ОКР электретного состояния;

- разработка устройств униполярного коронного разряда с высокими значениями плотности тока короны, позволяющих эффективно получать электретное состояние в тонких магнитных диэлектрических слоях;

- разработка методов контроля дефектности и примесного состава ЭМПФГ и редкоземельных галлиевых гранатов (РЗГГ).

Постановка настоящего исследования связана с разработкой и внедрением в народное хозяйство новых технологий - радиационный, электронно-лучевой, в том числе и нанотехнологий. Такие разработки предусмотрены «Основными направлениями экономического развития РФ до 2020 года», а также планами НИР по межвузовским программам:

- научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники: подпрограмма 202 «Новые технологии»;

- инновационная деятельность высшей школы: подпрограмма 202.02 «Инно-вационные научно-технические проекты по приоритетным направлениям науки и техники;

- фундаментальные исследования в области технологических наук: раздел «Металлургия».

Научная новизна.

Впервые на основе комплексных исследований установлены закономерности изменения структурного состояния, магнитных, оптических и электрофизических свойств феррогранатовых гетерокомпозиций и кристаллов РЗГГ под воздействием г-квантов Со60 (Eг = 1,25 МэВ), быстрых электронов (Ee = 6 МэВ) и отрицательной короны и определены пути использования этих закономерностей для контроля качества и модификации свойств ЭМПФГ и РЗГГ и устройств на их основе. Конкретно новизна работы заключается в следующем:

1). Впервые экспериментально подтверждена роль кислородных вакансий в зарядо-вой компенсации в ЭМПФГ сверхстехиометрических и «паразитных» ионов Ca2+;

2). Впервые экспериментально показано, что вследствие неэквивалентности позиций ионов кислорода в решетке граната, однозарядные V (F+- центр) и нейтральные V(F - центр) кислородные вакансии создают в запрещенной зоне ЭМПФГ энергетический спектр близкорасположенных глубоких уровней захвата, количество которых, по всей видимости, определяется катионным составом. Так, для ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 экспериментально определено 13 видов F+- центров и 9 ви-дов F - центров.

3). Впервые экспериментально доказано, что ответственными за повышенные значения коэрцитивной силы и одноосной анизотропии в ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 являются кислородные вакансии V (F+- центр) и V(F - центр), компенсирующие сверхстехиометрические ионы Ca2+.

4). Впервые экспериментально показано, что изменения физических свойств и эксплуатационных параметров феррогранатовых гетерокомпозиций под воздействием г-квантов Со60 (Eг = 1,25 МэВ) и быстрых электронов (Ee = 6 МэВ) обусловлено формированием дырочных центров O- и интенсивным ростом концентрации F+- центров.

5). Впервые в мессбауэровских спектрах ЭМПФГ Y3Fe5O12 обнаружено наличие центрального парамагнитного дублета (изомерный сдвиг д = - 0,117 мм/с, квадрупольное расщепление Д = 0,573 мм/с), обусловленного ионами Fe3+(d), выключенными из обменного взаимодействия находящимися в октапозициях ионами Pb4+, Pt4+ и Y3+.

6). На примере феррогранатовых гетерокомпозиций заложены и развиты физические основы нового научного направления, - «свойства магнитных диэлектрических слоев и частиц в электретном состоянии», дающего предпосылки создания целого класса приборов микро- и наноэлектроники, основанных на управлении магнитными характеристиками слоя (частицы) путем изменения его электретного состояния.

На основе комплексных исследований впервые показана возможность форми-рования и длительного существования в эпитаксиальных феррогранатовых гетеро-композициях различных составов короноэлектретного состояния, отличающегося аномально высокими для данных материалов значениями коэрцитивной силы и повышенными значениями поля магнитной анизотропии.

7). Впервые (на примере ЭМПФГ (YPrLuBi)3(FeGa)5O12) обнаружена асимметрия петли гистерезиса феррогранатовых гетерокомпозиций кристаллографической ориентации (210).

8). Установлена физическая природа гигантского роста коэрцитивной силы моно- и поликристаллических феррит-гранатовых пленок под влиянием отрицательного коронного разряда. Определены оптимальтные параметры обработки ЭМПФГ в ОКР для получения стабильного короноэлектретного состояния.

9). Впервые экспериментально доказано, что в кристаллах галлиевых гранатов ответственной за желто-коричневую окраску является полоса дополнительного поглощения с с нmax = 24000 см-1, а не с нmax = 29000 см-1, как считалось ранее.

10). Предложены физическая и математическая модели влияния электрического поля, индуцированного в наноструктурных материалах (поликристаллических феррит-гранатовых пленках, наноразмерных частицах магнетита) инжектированными отрицательной короной зарядами, на частоту электронного обмена между разновалентными ионами; определена роль такого обмена в изменении динамических свойств ферритов при их обработке в коронном разряде.

Практическая ценность полученных результатов

Полученные в работе результаты имеют важное практическое значение для прикладной магнитооптики, СВЧ-электроники, материаловедения ферритов, оптической спектроскопии, радиационной физики твердого тела, физики диэлектриков, могут найти применение в ювелирной промышленности. Конкретно практическая ценность работы заключается в следующем:

1). Разработанное «Устройство для жидкофазной эпитаксии феррогранатовых пленок» позволяет получать ЭМПФГ различных составов с улучшенными эксплуатационными параметрами (а.с. СССР №1655137).

2) Разработанный «Емкостный датчик для измерения толщины напыляемой пленки» (а.с. СССР №1366872) позволяет эффективно измерять толщину напыляемых на поверхность ЭМПФГ платиновых электродов для проведения электрофизических..исследований.

3) Разработанный «Способ бесконтактного измерения удельного электросопротивления полупроводниковых пленок» (А.С. СССР №1642410) позволяет эффективно измерять удельное сопротивление ЭМПФГ не разрушая образцы.

4) Предложенные «способы обработки эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок» позволяют с помощью облучения г-квантами Со60 (Eг = 1,25 МэВ) существенно понизить оптическое поглощение, полностью подавить жесткие цилиндрические магнитные домены (ЦМД) и повысить термостабильность ЭМПФГ (а.с. СССР №1658678, патент РФ №2073934).

5) Разработанные способы оптического контроля ферритов-гранатов и РЗГГ позволяют вести экспресс-отбраковку пластин-подложек РЗГГ, непригодных для наращивания пленок, служащих активными средами магнитооптических приборов, работающих в условиях радиационных воздействий (патент РФ №2093922), экспресс-отбраковку монокристаллических ферритов-гранатов (объемных кристаллов и пленок), непригодных для производства приборов СВЧ-электроники и магнитооптики, требующих узкой ширины линии ФМР и минимального оптического поглощения (патент РФ №2157576).

6). Разработанные способы оптического контроля ферритов-гранатов позволяют определять концентрацию ионов Pb (патент РФ №2206143) и ионов Tm (патент РФ №2210835) в монокристаллических пленках и объемных кристаллах ферритов-гранатов.

7) Предложенный «Способ обработки магнитооптических управляемых транспарантов (МОУТ) на основе эпитаксиальных пленок (Bi, Ga)-содержащих ферритов-гранатов» (патент РФ №2150768) позволяет путем облучения МОУТ быстрыми электронами до флюенса Фе = (1-5)•1016 см-2 (энергия Ee = (4-7) МэВ, плотность потока цe = (2-6)•1012 см-2•c-1) с последующим отжигом в атмосфере кислорода понизить разброс порогового поля переключения ячеек на 23-26%, а время переключения на 19-24%.

8) Предложенный «Способ окрашивания вставок из ювелирных камней на основе оксидных кристаллов» (патент РФ №2081949) позволяет получать из отходов производства окрашенные вставки для ювелирных изделий, а также вставки с игрой цвета.

9) Разработанные «Устройства для получения униполярного коронного разряда» (а.с. СССР №1612917, патент РФ №2050654) за счет использования магнетронного эффекта (а.с. СССР №1612917) в зоне генерации заряженных частиц и выполнения зоны генерации заряженных частиц в виде адиабатической магнитной ловушки и многоострийного коронируюего электрода (патент РФ №2050654) по своим эксплуатационным характеристикам существенно превышают мировые аналоги, что позволяет эффективное формирование с их помощью в феррогранатовых гетерокомпозициях короноэлектретного состояния.

10) Предложены основанный на короноэлектретном эффекте «термомагнитооптический способ записи информации и устройство для его реализации», позволяющие вести запись информации в магнитооптических диэлектрических средах с низкими значениями коэрцитивной силы, увеличивающие вероятность записи в точке компенсации и повышающие надежность хранения информации (подана заявка на патент).

11). Разработаны «магнитооптический диск для записи, хранения и воспроизведения информации и способ его изготовления», позволяющие повысить: на 40% выход годных дисков, на 25% стабильность эксплуатационных параметров при работе в жестких условиях эксплуатации и на 10% вероятность сохранения информации в процессе записи (подана заявка на патент).

12). Разработан магнитооптический материал, имеющий высокую магнитооптическую добротность и коэрцитивную силу 200-1200 А/м, позволяющий получать методом термомагнитной записи высококонтрастные изображения (подана заявка на патент).

Научные положения, выносимые на защиту:

- комплекс результатов взаимосвязи магнитных, оптических и электрофизи-ческих свойств феррогранатовых гетерокомпозиций различных составов с примесным замещением и дефектностью в катионной и анионной подрешетках;

- установленные значения параметров однозарядных и нейтральных кислород-ных вакансий, создающих в запрещенной зоне магнитного граната глубокие уровни захвата;

- механизмы зарядовой компенсации сверхстехиометрических и паразитных ионов Ca2+ в пленках магнитных гранатов различных составов;

- механизмы радиационно-стимулированных изменений всего комплекса физических свойств и эксплуатационных параметров феррогранатовых гетерокомпозиций под воздействием г-квантов Со60 и быстрых электронов в зависимости от энергетических характеристик радиационных воздействий;

- физическая природа центрального парамагнитного дублета в мессбауэровских спектрах ЭМПФГ Y3Fe5O12 c повышенным содержанием ионов Pb;

- физическая природа и механизмы формирования короноэлектретного состояния в феррогранатовых гетерокомпозициях;

- механизмы изменения физических свойств феррогранатовых гетерокомпозиций при их короноэлектретировании и природа высококоэрцитивного состояния ЭМПФГ в электретном состоянии.

Апробация работы

Основные результаты и положения диссертации были доложены и обсуждены более чем на 30 международных и республиканских конференциях, симпозиумах и семинарах по данной тематике: Всесоюзной научной конференции «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники (г. Минск, 1985 г.), Школе-семинаре «Проектирование и изготовление научной аппаратуры. Новые материалы и технология (г. Фрунзе, 1987 г.), XII-й Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике (г. Тбилиси, 1987 г.), XI-й, XII-й и XIII-й Всесоюзной школе-семинаре «Новые магнитные материалы микроэлектоники» (г. Ташкент, 1988 г.; г. Новгород, 1990 г.; г. Астрахань, 1992 г.), XVIII-й Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений (г. Калинин, 1988 г.), VI-м Всесоюзном совещании по термодинамике и технологии ферритов (г. Ивано-Франковск, 1988 г.), Республиканском научном семинаре «Физика магнитных явлений» (г. Донецк, 1990 г.), Всесоюзной конференции «Современные проблемы физики и ее приложений» (г. Москва, 1990 г.),

I-й Всесоюзной научно-технической конференции «Актуальные проблемы технологии композиционных материалов и радиокомпонентов в микроэлектронных информационных системах» (г. Ялта, 1990 г.), Республиканском научном семинаре «Физика ферритов и родственных соединений, их применение в технике» (г. Донецк, 1991 г), Европейской конференции по магнитным материалам и их использованию (г. Кошице, Словакия, 1993 г.), Российской научно-технической конференции «Новые материалы и технологии» (г. Москва, 1995 г.), V-й Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (г. Ивано-Франковск, 1995 г.) VI-м Межнациональном совещании «Радиационная физика твердого тела» (г. Севастополь, 1996 г.), Третьем Российско-китайском симпозиуме «Перспективные материалы и процессы» (г. Калуга, 1995), 7-й Международной конференции по ферритам - JCF7 (г. Бордо, Франция, 1996 г.), Европейской конференции по физике магнетизма (г. Познань, Польша, 1996 г.), Втором Российском симпозиуме «Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур» (г. Обнинск, 1997), Научно-технической конференции «Сварка и пайка в машиностроении. Новые материалы и технологии в машиностроении и приборостроении» (г. Пенза, 1997 г.), 12-й, 13-й и 15-й международных конференциях по магнитомягким материалам (г. Краков, Польша, 1995 г.; г. Гренобль, Франция, 1997 г.; г. Бильбао, Испания, 2001 г.), Международной конференции «Физика электронных материалов» (г. Калуга, 2002 г.), III-м Российско-японском семинаре «Оборудование и технологии для производства компонентов твердотельной электроники и наноматериалов» (г. Москва, 2005 г.).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 83 печатных работы, в том числе 2 монографии, 1 учебник (в двух томах), 24 статьи в рецензируемых периодических научных изданиях и изданиях, включенных в перечень ВАК (из них 8 статей - в иностранных научных журналах с высоким индексом цитируемости), 14 авторских свидетельств СССР и патентов России. 3 заявки на патенты находятся на рассмотрении.

Личный вклад автора

Автором лично определена научная идеология всей работы, сформулированы цель и задачи работы, осуществлена постановка теоретических и экспериментальных исследований и их практическая реализация, проведено обобщение представленных в диссертации результатов и сформулированы научные выводы. Отдельные результаты работы получены и опубликованы в печати в соавторстве с сотрудниками МИСиС, ВНИИМЭТ (г. Калуга), Ивановского энергетического университета, ИОФРАН, Львовского государственного университета, Белорусского государственного технологического университета.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 6 глав, выводов и списка использованных источников. Общий объем диссертации составляет 340 страниц, включая список литературы из 185 наименований, 32 таблицы и 89 рисунков.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цель и задачи исследований, отмечены научная новизна и практическая значимость полученных результатов, изложены основные положения, выносимые на защиту, представлена апробация работы.

Первая глава посвящена анализу работ, непосредственно связанных с тематикой диссертации. Показано, что интерес к изучению механизмов влияния униполярного коронного разряда, г - квантов Со60 и быстрых электронов на физические свойства феррогранатовых гетерокомпозиций обусловлен спецификой эффектов, которые могут наблюдаться в этих материалах. С одной стороны, удовлетворительная «прозрачность» ЭМПФГ в широком диапазоне длин волн позволяет исследовать их методами оптической, ЯМР-, ЯГР - спектроскопии, что дает возможность извлечь информацию о фундаментальных процессах, которые трудно или невозможно регистрировать в массивных образцах. С другой стороны, огромная роль границ раздела (граница «пленка-воздух» и граница «пленка-подложка»), наличие в пленке напряжений из-за несоответствия параметров решетки пленки и подложки, а также неизбежность попадания в решетку пленки «паразитных» примесей из раствора-расплава придают ЭМПФГ специфические свойства и особенности, не наблюдающиеся в массивных кристаллах. В третьих, сложные химический состав и структура феррогранатовых гетерокомпозиций порождают многообразие генетических и, как следствие, многообразие радиационных дефектов в данных материалах.

В обзоре научной литературы обсуждаются вопросы, связанные с особенностями структуры и магнитных свойств ЭМПФГ, полученных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Проводится анализ влияния неизовалентных замещений в катионной подрешетке и индуцируемых ими дефектов на свойства и эксплуатационные параметры ЭМПФГ разных составов. Отмечена разноречивость сведений относительно природы одноосной анизотропии в таких гранатах. Отмечается, что до сих пор остаются невыясненными до конца природа и энергетическое состояние дефектов, образующихся в процессе роста. В результате, до сих пор не получили полного объяснения изменения оптических, магнитных и электрических свойств при вариации технологических параметров роста.

Рассмотрены основные характеристики и особенности гамма- и электронного облучений и проанализированы возможные механизмы радиационного дефектообразования под их воздействием в кристаллических материалах со структурой граната. Отмечается, что к началу выполнения настоящей диссертационной работы (1986 г.), имеющиеся в литературе сведения о воздействии г-квантов и быстрых электронов на кристаллическую структуру и свойства магнитных оксидов со структурой граната - весьма ограничены. Изложенная в работах информация сводится, в основном, к констатации полученных результатов без обсуждения причин наблюдаемых изменений.

На основе анализа литературных данных тмечено, что высокая радиационная стойкость ЭМПФГ к воздействию г-квантов и быстрых электронов обусловлена высокой концентрацией генетических дефектов в данных материалах. Сделан вывод, что остается неизученной и роль генетических дефектов в радиационном дефектообразовании в феррогранатовых гетерокомпозициях.

Особое внимание уделено работам, посвященным изучению влияния униполярного коронного разряда на физические свойства материалов электронной техники. Отмечено отсутствие исследований по влиянию обработки в униполярном коронном разряде на ферриты к началу выполнения настоящей диссертационной работы. Детально проанализированы имеющиеся результаты исследований процессов окисления металлических пленок в короне, диффузионные процессы в пластинах кремния и пленках двуокиси кремния, процессов записи информации и процессов формирования электретного состояния в диэлектриках под воздействием униполярной короны. Исходя из анализа литературных источников, обосновывается актуальность и перспективность использования коронного разряда для управления физическими свойствами магнитных диэлектрических пленок.

Во второй главе представлена информация об использованных в работе объектах исследования и технологических параметрах их получения, представлены характеристики используемых в работе источников радиационных воздействий и источников униполярного коронного разряда, описаны экспериментальные методы, использованные при изучении особенностей кристаллической структуры и физических свойств феррогранатовых гетерокомпозиций. Значительное внимание было уделено методам математической обработки результатов.

В качестве основных объектов исследования служили феррогранатовые гетерокомпозиции трех типов: (YSmLuCa)3(FeGe5)O12, Y3Fe5O12 и Bi-содержащие ЭМПФГ различных составов, монокристаллические пластины-подложки Gd3Ga5O12 и (GdCa)3(GaMgZr)5O12. Объекты исследования были выращены в НИИ материалов (г. Львов) и во ВНИИМЭТ (г. Калуга). ЭМПФГ были получены методом ЖФЭ из раствора в расплаве, РЗГГ - методом Чохральского. Разработанное в диссертации «Устройство для жидкофазной эпитаксии феррогранатовых пленок» позволяет получать ЭМПФГ различных составов с улучшенными эксплуатационными параметрами (а.с. СССР №1655137).

В качестве вспомагательных объектов исследования служили монокристаллы Y3Fe5O12 и поликристаллические пленки (YBi)3(FeGa)5O12.

В табл. 1 представлены технологические параметры роста исследованных в работе феррогранатовых гетерокомпозиций (YSmLuCa)3(FeGe5)O12.

Таблица 1

Технологические параметры роста исследованных в работе феррогранатовых гетерокомпозиций (YSmLuCa)3(FeGe)5O12

№п/п

Номер состава

Значения молярных отношений компонент в расплаве

Скорость роста V, мкм/мин

Толщина h, мкм

R1

R2

R3

R4

R5

R6

1.

I

12,63ч 13,65

9,82ч 10,07

18,83ч21,7

0,197ч0,23

0,31

0,57ч0,62

0,75ч0,77

2ч5

2.

II

----

----

----

----

0,35

----

----

5ч7

3.

III

----

----

----

----

0,48

----

----

5ч10

4.

IV*

----

----

----

----

0,50

----

----

5ч10

Раствор-расплав: PbO-B2O3, подложка Gd3Ga5O12 <111>; * 10%-е обогащение Fe57

где - сумма оксидов редкоземельных элементов в расплаве (моль).

В табл. 2 представлены технологические параметры исследованных в работе феррогранатовых гетерокомпозиций Y3Fe5O12.

Таблица 2

Параметры роста исследованных феррогранатовых гетерокомпозиций Y3Fe5O12

№п/п

Пленка

Толщина плёнки h, мкм

Скорость роста v, мкм/мин

Температура роста Tg , °С

1.

КВ- 2

24,4

1, 20

985

2.

КВ- 3

4, 90

0, 16

940

3.

КВ- 4

10, 96

0, 76

930

4.

КВ- 5

26, 30

0, 64

930

5.

КВ- 6

6, 10

1, 02

920

6.

КВ- 7

6, 96

1, 16

915

7.

КВ- 8

6, 12

1, 22

905

8.

КВ- 9

5, 10

1, 02

895

Раствор-расплав PbO-B2O3, подложка Gd3Ga5O12 <111>, 10%-е обогащение Fe57

В табл. 3 представлены технологические параметры исследованных в работе Bi-содержащих феррогранатовых гетерокомпозиций.

Таблица 3

Параметры роста исследованных феррогранатовых гетерокомпозиций Bi-содержащих ферритов-гранатов

№состава

Состав пленки

Подложка

Раствор-расплав

Тем-ра роста Tg , °С

3-1

(YBi)3(FeGa)5O12

<111> Gd3Ga5O12

CaCO3-Bi2O3-V2O5

780

3-2

(YYbBi)3(FeGa)5O12

<111> Gd3Ga5O12

CaCO3-Bi2O3-V2O5

780

3-3

(BiTm)3(FeGa)5O12

<111> Gd3Ga5O12

PbO-Bi2O3-B2O3

770

3-4

(YBi)3(FeGa)5O12

<111> (GdCa)3(GaMgZr)5O12

PbO-Bi2O3-B2O3

760

3-5.

(YBi)3(FeGa)5O12

<210> (GdCa)3(GaMgZr)5O12

PbO-Bi2O3-B2O3

750

3-6

(YPrLuBi)3(FeGa)5O12

<210> (GdCa)3(GaMgZr)5O12

PbO-Bi2O3-B2O3

750

При изучении структурного состояния ЭМПФГ использовали конверсионную электронную мессбауэровскую спектроскопию (КЭМС), ядерную гамма-резонансную спектроскопию (ЯГРС), рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (РФЭС), рентгеноструктурный анализ. Уточнение состава ЭМПФГ проводилось методом рентгено-спектрального микроанализа. Исследования выполнены на промышленных установках отечественного и зарубежного производства, обработку результатов осуществляли по стандартным программам.

При изучении магнитных свойств феррит-гранатовых пленок контролировали период доменной структуры Р0, поле коллапса Н0, поле эллиптической неустойчивости Н2, поле эффективной магнитной анизотропии Нк, коэрцитивную силу Нс, намагниченность насыщения 4рМs, температуру Нееля ТN.

Перечисленные магнитные параметры определяли при использовании магнитооптических методик. Поле эффективной магнитной анизотропии Нк определяли методом ферромагнитного резонанса и магнитооптическим методом, а коэрцитивную силу Нс - методом осциллирующего поля и по петле гистерезиса. Петли магнитного гистерезиса регистрировали на магнитооптическом поляриметре, а также с помощью вибромагнетометра M-155 фирмы EG&G.PARC (США).

Для изучения электрофизических и оптических характеристик было предложено ряд оригинальных методик.

Спектры оптического пропускания и отражения исследуемых образцов регистрировали на спектрофотометрах «Specord M-40» фирмы «Карл Цейс Йена» и «Lambda-9» фирмы «Perkin-Elmer» (США). Спектры поглощения пленок рассчитывали по стандартным методикам. Для определения концентрации редкоземельных примесей и свинца в монокристаллических ферритах-гранатах, контроля качества ЭМПФГ и РЗГГ оптическими методами были предложены новые способы (патент РФ №2206143, патент №2210835, патент РФ №2157576, патент РФ №2093922). При изучении электрофизических параметров был разработан способ бесконтактного измерения удельного сопротивления (А.С. СССР 1642410). Для изучения электрически активных дефектов были использованы методы термостимулированных токов проводимости (ТСТП) и термостимулированных токов проводимости короткого замыкания (ТСТП КЗ). Параметры активных центров определяли по интенсивности пиков ТСТ по разработанной в работе методике. Применение разработанного метода позволило упростить определение параметров центров по кривым ТСТ с близкорасположенными максимумами и повысить достоверность полученных данных. Измерение поверхностной плотности заряда объектов исследования проводилось методом Егучи.

г-облучение объектов исследования проводили в промышленных изотопных установках на основе радионуклида Со60 МРХ- г -100 и УКП - 100000. Мощность дозы при облучении варьировали в пределах PD = 2,5-40 Гр/с. Диапазон поглощенных доз облучения составлял Dп = 1•103 - 3•108 Гр. Облучение объектов исследования быстрыми электронами осуществляли на электронном ускорителе «Электроника ЭЛУ-6». Использовались плотности потока электронов: цe = 1,25•1011 см-2 • с-1 и цe = 6,0•1011 см-2 • с-1. Образцы облучались до значений флюенса Фе = 1013 - 5•1016 см-2.

Обработку объектов исследования в униполярном коронном разряде проводили на модифицированной нами установке типа «пластина-многоигольчатый электрод», а также на разработанных в работе устройствах коронного разряда (а.с. СССР №1612917, патент РФ №2050654). Использование в разработанных устройствах перпендикулярных электрического и магнитного полей, а также магнетронного эффекта (а.с. СССР №1612917) и выполнение зоны генерации в виде адиабатической магнитной ловушки с многоострийным электродом в виде стержня с радиально отходящими иглами разной высоты и внешнего электрода в виде системы металлических полос, огибающих иглы (патент РФ №2050654), позволяет увеличить плотность тока коронного разряда в 5-10 раз. Обработка образцов в короне проводилась при следующих параметрах: напряжение на коронирующем электроде 5-25 кВ, ток короны Ik = 10-500 мкА, температура обработки Т = 300К, атмосфера - воздух. Время обработки составляло 0,5-60 часов. В работе использовался отрицательный коронный разряд, что мотивировалось возможностью накопления на поверхности объектов исследования при этом виде разряда существенно большей плотности поверхностного заряда и возможностью интенсивнее стимулировать диффузионные процессы.

Глава 3 посвящена изучению особенностей взаимосвязи физических свойств объектов исследования с технологическими условиями их получения и, как следствие, с природой образующихся генетических дефектов. Для выяснения структуры радиационных дефектов, наводимых в объектах исследования г-квантами Со60 и быстрыми электронами, а также для создания условий закрепления инжектированных короной зарядов в объеме феррогранатовых гетерокомпозиций и создания эффективного электретного состояния, необходимо решить проблему, связанную с интерпретацией механизмов образования дефектов кристаллической структуры в процессе синтеза. На момент начала научных исследований по теме настоящей диссертации (1986 г.), данная проблема была ещё весьма далека от полного понимания. Вопрос относительно типа дефектов (особенно в анионной подрешетке), их энергетического состояния в таких ферритах оставался проблематичным. Не существовало и единого мнения относительно роли сверхстехиометрических ионов Са2+ в формировании коэрцитивной силы, ростовой анизотропии.

Проведенные исследования позволили обнаружить целый ряд специфических свойств ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12. Так, обращает на себя внимание рост коэрцитивной силы и эффективной магнитной анизотропии таких пленок с увеличением параметра R5 (рис. 1). Величина ДHk представляет собою разницу между измеренными и рассчитанными значениями Hk .

Еще одна обнаруженная особенность состоит во влиянии параметра R5 на форму петли гистерезиса пленок (YSmLuCa)3(FeGe5)O12: при полях перемагничивания, близких к значению поля H2, петли ЭМПФГ, полученных при высоких значениях R5, обладают неким своеобразным «аппендиксом» (рис. 2, б; обведен окружностью) типа скачков Баркгаузена, форма которого изменяется (рис. 2, в).

Известно, что коэрцитивная сила принадлежит к структурно-чувствительным параметрам магнетика. В магнитоодноосных материалах Hc определяется как минимальное пороговое поле, необходимое для необратимого смещения доменной границы. Рост Hc говорит о закреплении доменных границ на дефектах кристалла, природа которых может быть самой различной.

Размещено на http://www.Allbest.ru/

Размещено на http://www.Allbest.ru/

Рис. 1. Зависимость эффективной магнитной анизотропии для ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 от молярного параметра R5

Дефектность ЭМПФГ, имея некое «упорядочение», может приводить к существенному росту одноосной анизотропии путем искажения симметрии кристаллического поля на магнитоактивных ионах Fe3+ в тетра- и октаположениях кристаллической решетки. Поскольку H2 - это поле смещения в материале-носителе ЦМД, при котором последние развертываются в полосы, то наличие обнаруженных особенностей на петле гистерезиса обусловлено существенной дефектностью магнитной среды (полосовым доменам - сложнее «преодолевать препятствия», чем цилиндрическим). Это позволяет заключить, что повышенные значения Hc , Hk и особенности петли гистерезиса феррогранатовых гетерокомпозиций с высокими значениями R5 обусловлены одной причиной.

Размещено на http://www.Allbest.ru/

Размещено на http://www.Allbest.ru/

Рис. 2. Характерные петли гистерезиса ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12

Феррогранатовые гетерокомпозиции (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 обладают значительным оптическим поглощением, причем величина последнего существенно растет с увеличением значения R5. К примеру, ЭМПФГ данной группы при значении R5 = 0,5 будут обладать в ультрафиолетовом и видимом диапазонах по сравнению с пленками, выращенными при значении R5 = 0,31, существенно большим оптическим поглощением, несмотря на разбавленность магнитной подрешетки последней группы ЭМПФГ на 5%. Увеличение параметра R5 ведет к смещению края фундаментального поглощения ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 в сторону больших длин волн и уменьшению ширины запрещенной зоны пленок. Причем, рост R5 от значения 0,31 до значения 0,5 ведет к уменьшению ширины запрещенной зоны для непрямых разрешенных переходов на 6,1%, а для прямых разрешенных переходов на 1,6%. Важной особенностью пленок ферритов-гранатов с повышенным значением параметра R5 является также форма пика оптического поглощения, соответствующего переходу 6А1> 4Т1(Fe3+тетр.), в виде плато.

С целью выяснения причин наблюдаемых особенностей магнитных и оптических свойств, проводилось уточнение химического состава исследованных феррогранатовых гетерокомпозиций (YSmLuCa)3(FeGe5)O12. Результаты рентгено-спектрального микроанализа представлены в таблице 4.

Таблица 4

Уточненный химический состав исследованных феррит-гранатовых пленок (YSmLuCa)3(FeGe5)O12

Номер состава

Значение R5

Уточненная химическая формула

Концентрация сверхстехиометрических ионов Са2+, ф.е.

I

0,31

Y1.37Sm0.29Lu0.58Pb0.01Ca0.83Fe4.11Pt0.01Ge0.8O12

0,03

II

0,35

Y1.37Sm0.29Lu0.58Pb0.01Ca0.85Fe4.11Pt0.01Ge0.8O12

0,05

III

0,48

Y1.6Sm0.16Lu0.26Pb0.01Ca0.96Fe4.09Pt0.02Ge0.87O12

0,09

IV(1)

0,50

Y1.52Sm0.2Lu0.31Pb0.01Ca0.99Fe4.06Pt0.01Ge0.89O12

0,10

IV(2)

0,50

Y1.48Sm0.2Lu0.31Pb0.02Ca0.99Fe4.02Pt0.03Ge0.88O12

0,11

Как видно из таблицы, для всех использованных в работе составов ЭМПФГ(Ca,Ge)-системы характерно вхождение в пленку сверхстехиометрического кальция, причем концентрация последнего растет с увеличением значения коэффициента R5. Так, при увеличении R5 от 0,31 до 0,50 концентрация сверхстехиометрических ионов Са2+ растет со значения 0,03 ф.е. (1,3•1020 ион•см-3) до 0,10-0,11 ф.е. (4,2-4,6•1020 ион•см-3) соответственно. Таким образом, в основе роста Hc, Hk и б в ЭМПФГ (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 лежит рост концентрации сверхстехиометрических ионов Са2+. Следует отметить, что Бубликом В.Т. и Ткаличем А.К., в частности, показано, что концентрация сверхстехиометрических ионов Са2+ растет также с увеличением переохлаждения раствора-расплава.

Травление в H3PO4, а также поляризационно-оптические исследования показали, что во всех исследованных образцах YSmLuCaFeGe (включая и ЭМПФГ с высокими значениями R5) плотность дислокаций не превышала 5 см-2. Результаты рентгено-топографических и рентгеновских исследований не обнаружили в пленках наличия второй фазы, а также структурно-неоднородных поверхностных или переходных слоев пленка-подложка, где могло бы происходить поверхностное закрепление доменных границ. Перпендикулярная поверхности компонента деформации несоответствия праметров пленки и подложки не превышала 5•10-4. По данным Шупегина М.Л., в этом случае дислокации несоответствия не образуются. Это позволяет заключить, что повышенные значения Нс в данных пленках не обусловлены действием неоднородних упругих напряжений или закреплением доменных границ на дислокациях.

Ионы Са2+ являются электроотрицательными по отношению к решетке пленки. Для соблюдения электронейтральности в последней необходимо увеличение положительного заряда или уменьшение отрицательного (ионов Ge4+, Pt4+ и Pb4+ (если реализуется механизм автокомпенсации свинца), как видно из табл. 4 - недостаточно. Это возможно путем образования ионов Fe4+, дырочных центров O- или кислородных вакансий. Однако, РФС-исследования не обнаружили в данных пленках ионов Fe4+. Объемный характер закрепления доменных границ дал основание полагать, что в ЭМПФГ (Ca,Ge)-системы присутствуют немагнитные точечные дефекты и они, а не дефекты электронной структуры являются причиной высоких Нс, Hk и скачков типа Баркгаузена на петлях гистерезиса.

Окончательное выяснение структуры генетических дефектов, ответственных за обнаруженные в данной работе особенности магнитных и оптических свойств, проводилось методом ТСТП. Было обнаружено, что спектры ТСТП феррогранатовых гетерокомпозиций, не содержащих в качестве легирующей или «паразитной» примеси ионов Са2+, представляют собою експоненциальные зависимости силы тока от температуры независимо от вида электродов, вида и режимов возбуждения. В то же время, спектр ТСТП гетерокомпозиций (YSmLuCa)3(FeGe5)O12 предствляет собою сложный энергетический спектр, состоящий из «низкотемпературной» и «высокотемпературной» частей. «Низкотемпературной» части соответствуют 13 локальных центров, имеющих пики ТСТП со значениями температуры от 422 К до 501 К, высокотемпературной - 8 локальных центров, имеющих пики ТСТП со значениями температуры от 603 К до 689 К. Параметры обнаруженных локальных центров представлены в табл. 5 и табл. 6.

Таблица 5

Основные параметры локальных центров «низкотемпературной» части спектра ТСТП феррогранатовых гетерокомпозиций (YSmLuCa)3(FeGe5)O12

№п/п

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

Tm, K

422

430

434

439

442

445

450

455

460

465

470

476

501

Et, эВ

0,82

0,83

0,84

0,85

0,855

0,86

0,87

0,88

0,89

0,90

0,91

0,92

0,97

Таблица 6

Основные параметры локальных центров «высокотемпературной» части спектра ТСТП феррогранатовых гетерокомпозиций (YSmLuCa)3(FeGe5)O12

№п/п

14

15

16

17

18

19

20

21

22

Tm, K

603

616

652

659

665

679

683

685

689

Et, эВ

1,17

1,19

1,26

1,28

1,29

1,315

1,325

1,33

1,34

Приводятся данные рассчитанных для каждого локального центра следующих параметров: частотный фактор щ, время релаксации ф, сечение захвата St и концентрация Nt. Результаты Ларсена и Метселера, а также проведенные нами расчеты позволили заключить, что обнаруженные локальные центры обусловлены наличием в объектах исследования заряженных кислородных вакансий. Причем, центры, параметры которых представлены в табл. 5, соответствуют однозарядным кислородным вакансиям V (F+- центрам), а центры, параметры которых представлены в табл. 6, - нейтральным кислородным вакансиям V(F-центрам). Характерно, что интенсивность пиков ТСТП составов IV(1) и IV(2) в 3-4 раза выше интенсивности пиков ТСТП состава I. Данные факты подтверждают, что зарядовая компен...


Подобные документы

  • Характеристика кристаллической структуры оксида титана с точки зрения кристаллографических и кристаллофизических свойств. Расчет рентгенограмм для двух материалов: диоксида олова и теллурида свинца. Пиролитический и пьезоэлектрический эффект в кристаллах.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.06.2011

  • Изучение свойств графита и структуры однослойных нанотруб. Квантовые поправки к проводимости невзаимодействующих электронов. Эффекты слабой локализации в присутствии магнитного поля. Взаимодействие в куперовском канале в присутствии магнитного поля.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 20.10.2011

  • Изучение физических свойств и явлений, описывающих протекание электрического тока в газах. Содержание процесса ионизации и рекомбинации газов. Тлеющий, искровой, коронный разряды как виды самостоятельного газового разряда. Физическая природа плазмы.

    курсовая работа [203,2 K], добавлен 12.02.2014

  • Изучение понятия и свойств полупроводников. Квантовый размерный эффект электронов и дырок. Классификация многократно повторяющихся квантовых ям и сверхрешеток. Электрический транспорт: резонансное туннелирование через квантовую яму с двойным барьером.

    реферат [602,0 K], добавлен 06.06.2012

  • Понятие плазмы тлеющего разряда. Определение концентрации и зависимости температуры электронов от давления газа и радиуса разрядной трубки. Баланс образования и рекомбинации зарядов. Сущность зондового метода определения зависимости параметров плазмы.

    реферат [109,9 K], добавлен 30.11.2011

  • Изучение фотоэлектрических свойств полупроводников для выявления физических закономерностей в различных структурах. Полупроводниковые свойства хлопковых волокон. Рассмотерние особенностей сорта электрических свойств хлопковых волокон "Гульбахор".

    реферат [13,0 K], добавлен 22.06.2015

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Описание структуры и параметров активированных кристаллов. Характеристики полиэдров Вороного-Дирихле. Исследование структуры и расчет параметров Джадда-Офельта для активированных кристаллов. Изучение структуры шеелитов методом пересекающихся сфер.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 20.07.2015

  • Изучение свойств пористых материалов. Исследование изменения диэлектрических характеристик и температуры фазового перехода сегнетовой соли и триглицинсульфата, внедрённых в Al2O3. Получение оксидных плёнок с нанометровыми порами анодированием алюминия.

    дипломная работа [3,2 M], добавлен 28.09.2012

  • Моделирование квантовохимическим методом MNDO/AM1 различных структурных форм полупроводникового полимера паратиоцианогена, анализ его структуры, электронных и спектрофизических характеристик, сравнение их с экспериментальными спектроскопическими данными.

    дипломная работа [1,5 M], добавлен 21.01.2016

  • Исследование импеданса водной суспензии нанопорошка железа посредством емкостной ячейки. Анализ частотной зависимости импеданса суспензии нанопорошка. Применение плазменного разряда для синтеза наноматериалов и создания технологии стерилизации воды.

    дипломная работа [888,8 K], добавлен 18.07.2014

  • Анализ физических свойств перовскитов, в которых сосуществуют электрическая и магнитная дипольные структуры. Общая характеристика пленок феррита висмута BiFeO3. Особенности взаимодействия электромагнитной волны и спиновой подсистемой магнитного кристалла.

    реферат [512,3 K], добавлен 20.06.2010

  • Описание двухступенчатого BOSH-процесса. Классификация электрических разрядов в газе. Способы создания разряда постоянного тока. Движение электрона в постоянном электрическом поле в вакууме. Зависимость типа разряда от частоты отсечки ионов и электронов.

    презентация [2,5 M], добавлен 02.10.2013

  • Разработка радиоизотопных, кремниевых источников питания. Изучение двух ступенчатых преобразователей. Описание различных полупроводниковых материалов для бетавольтаических преобразователей. Анализ энергии потерь электронов в полупроводниковой структуре.

    дипломная работа [1,4 M], добавлен 19.05.2015

  • Анализ противоречий в механизмах протекания электрического тока в проводниках. Обзор изменения состава и структуры поверхности многокомпонентных систем, механизма диффузии и адсорбции. Исследование поверхности электродов кислотных аккумуляторных батарей.

    контрольная работа [25,0 K], добавлен 14.11.2011

  • Изучение основных форм самостоятельного разряда в газе, влияние на электрическую прочность и электрическое поле разрядного промежутка основных свойств газа и геометрических характеристик. Использование данных закономерностей в электроэнергетике.

    лабораторная работа [274,1 K], добавлен 22.04.2014

  • Методика измерения магнитных свойств веществ в переменном и постоянном магнитном поле на примере магнитной жидкости. Исследование изменения магнитного потока, пронизывающего витки измерительной катушки при быстром извлечении из нее контейнера с образцом.

    лабораторная работа [952,5 K], добавлен 26.08.2009

  • Исследование классификации, структуры и вольтамперной характеристики тиристора, полупроводникового прибора, выполненного на основе монокристалла полупроводника. Изучение принципа работы, таблеточной и штыревой конструкции корпусов тиристорных устройств.

    курсовая работа [790,5 K], добавлен 15.12.2011

  • Исследование и физическая интерпретация соотношения, определяющего зависимость напряжения возникновения разряда от давления газа и межэлектродного расстояния. Возникновение коронного и дугового разрядов в газовом промежутке с плоским оксидным катодом.

    реферат [159,5 K], добавлен 30.11.2011

  • Электрические методы исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводников. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотопроводимость. Шумовые свойства фоторезисторов при совместном действии напряжения и фоновой засветки.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 02.10.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.