Электрофизические и теплофизические процессы и явления при лазерном воздействии на твердые диэлектрики

Как свидетельствуют результаты измерений, у хлоридов натрия I_кр^s и I_кр^v отличаются несильно, у хлоридов калия I_кр^s составляет половину I_кр^v, а у иодида калия - одну треть.

В большинстве случаев у неорганических диэлектриков I_кр^v превышает I_кр^s почти на порядок, что связывают с наличием значительного количества поверхностных дефектов и другими причинами, снижающими качество поверхности. Однако для поверхностей хорошего качества I_кр^s и I_кр^v различаются не очень сильно, что и было обнаружено в проведенных опытах.

Во втором параграфе главы на базе экспериментальных результатов, приведенных в первом параграфе данной главы, изучен вопрос проверки оценок сужения запрещенной зоны на поверхности ионных кристаллов с учетом поверхностных состояний.

Принято считать, что в ионных и частично ионных кристаллах поверхностные состояния сливаются в поверхностные энергетические зоны и могут снижать ширину запрещенной зоны на поверхности кристаллических диэлектриков.

Измеренные пороги лазерного пробоя позволили оценить изменения ширины запрещенной зоны на поверхности (100) ряда ионных диэлектриков и сравнить полученные результаты со значениями сужения запрещенной зоны, ранее теоретически рассчитанными в ряде работ.

Как выяснилось, теоретические и экспериментальные значения хорошо согласуются для иодида калия, результаты для хлорида натрия различаются в два раза, а результаты для хлорида калия отличаются значительно.

Дополнительно было проведено сравнение порога поверхностного пробоя граней (100) и (110) хлорида натрия. Порог пробоя на грани (110) оказался ниже, чем на грани (100), что можно связать с зависимостью сужения запрещенной зоны от поверхностной энергии грани .

Третий параграф главы посвящен изучению возможности смены знака поверхностной энергии щелочно-галоидных кристаллов в сильных лазерных полях.

В случае концентрации мощности и энергии лазерного излучения на поверхности твердотельных диэлектриков могут иметь место необычные свойства, переходы и состояния.

Рассмотрен вопрос перехода поверхностной энергии в область отрицательных значений при высоких давлениях.

В равновесных условиях поверхностная энергия представляет собой строго положительную величину. Однако с ростом внешнего давления поверхностная энергия уменьшается, и вполне вероятно, что при некотором давлении p_кр она обращается в нуль, а при дальнейшем увеличении давления может перейти в область отрицательных значений. Провести расчет значения давления, при котором поверхностная энергия может обратиться в нуль, позволяет, например, метод функционала электронной плотности.

Величину p_кр можно сравнить с давлением других переходов. При давлениях в десятки-сотни кбар в веществе может проходить полиморфный В1-В2 переход, а при давлениях в единицы-десятки Мбар - переход диэлектрик-металл (схлопывание запрещенной зоны).

Найденные значения р_кр для различных размеров расчетной области оказались несколько ниже величин давления В1-В2 перехода (p_В1-В2).

Возможность существования состояния вещества с отрицательной поверхностной энергией рассматривалась также в опытах по оптическому пробою объема и поверхности ионных кристаллов высокого качества.

Для состояния вещества с отрицательной поверхностной энергией можно ожидать резкого изменения свойств и даже разрушения. Именно это имеет место в случае лазерного пробоя. Давления, при которых образец может перейти в состояние с отрицательной поверхностной энергией, и давления, которые могут иметь место при лазерном разрушении поверхности ионных диэлектриков, близки.

Согласно проведенным расчетам, если имеет место E_кр^s > E_кр^v, это соответствует < 0 и может означать экспериментальное нахождение условий возникновения состояния вещества с отрицательной поверхностной энергией.

У хлорида натрия в проведенных опытах I_кр^s < I_кр^v. Согласно расчета абляционных давлений, p_a 60 6 кбар. Эта величина меньше р_кр, и для хлорида натрия в рассматриваемых условиях (по обоим признакам) > 0.

Для хлорида калия в выполненных экспериментах I_кр^s > I_кр^v, а вычисления дают p_a 574 кбар. Это значение превышает величину р_кр, при котором поверхностная энергия данного ионного кристалла обращается в нуль. При этом у кристалла хлорида калия вплоть до области 25 нм p_а > p_В1-В2 и, соответственно, p_а > p_кр .

Это позволяет обоснованно рассматривать (по обоим признакам) возможность перехода через нуль поверхностной энергии хлорида калия при концентрации лазерной энергии даже в пятно размером порядка нескольких длин волн.

У иодида калия расчет дает p_а = 382 кбар, а p_В1-В2 = 59 кбар. Таким образом, у кристалла иодида калия p_В1-В2 значительно превосходит p_а и, следовательно, p_а < p_кр. Кроме того, в проведенных опытах у иодида калия порог лучевого пробоя поверхности существенно ниже порога лучевого пробоя объема.

Таким образом, у иодида калия (по обоим признакам) в условиях лучевого пробоя следует ожидать, что не попадает в область отрицательных значений.

В Главе 6 рассмотрены процессы и явления, сопровождающие оптическое повреждение поверхности ионных кристаллов фемтосекундными лазерными импульсами.

Эксперименты проводились в Центре коллективного пользования “Лазерный фемтосекундный комплекс” Объединенного института высоких температур РАН на тераваттной фемтосекундной лазерной системе на хром-форстерите.

Лазерные импульсы на длине волны 1240 нм, длительностью 80 фс падали на поверхность кристалла под углом 35. Исследовалось воздействие на поверхность образцов р-поляризованного лазерного излучения.

Система наблюдения позволяла контролировать изучаемую область на предмет наличия дефектов, регистрировать картинки поверхности до облучения, в момент облучения (с задержкой 0.5 нс) и после облучения.

Ультракороткая передача энергии в решетку приводит к ультрабыстрому плавлению приповерхностного слоя образца толщиной несколько десятков нм. Общепринятым механизмом повреждения поверхности прозрачных твердых тел для фемтосекундных лазерных импульсов является абляция. В случае превышения порога абляции часть расплава удаляется, оставляя на поверхности образца пятно повреждения (кратер).

С использованием программы обработки изображения, можно было определить геометрические размеры главных осей пятен повреждений, которые имели форму овала. Размеры пятен сопоставлялись с энергией лазерного импульса, вызвавшего повреждение поверхности. Строился график зависимости размера пятна от энергии лазерного импульса для нахождения такого порогового значения энергии, где размеры пятна лучевого повреждения обращаются в нуль.

По результатам аппроксимации была определена энергия импульса, соответствующая порогу повреждения поверхности ионного кристалла. Поскольку размеры лазерного пучка были известны, можно было найти поверхностную плотность энергии порога оптического повреждения.

Выяснилось, что порог оптического повреждения поверхности грани (100) лазерными импульсами длительностью 80 фс составляет для хлорида натрия 1.610¹³ Вт/см², а для хлорида калия - 1.110¹³ Вт/см². У иодида калия разрушение поверхности происходит при критических полях, близких к тем, что были найдены для хлорида натрия и калия.

Порог оптического повреждения грани (110) хлорида натрия оказался в 1.5-2 раза выше, чем грани (100).

Полученные результаты дают опорные точки на зависимости критической напряженности электрического поля от длительности импульса в фемтосекундном диапазоне времен.

Согласно расчетам для изученных ионных кристаллов, облучаемых фемтосекундными лазерными импульсами, p_а = 1.5-2 Мбар.

Для таких давлений уже возможен фазовый переход диэлектрик-металл и ультрабыстрый нагрев среды за счет интенсивного поглощения падающего лазерного излучения возникшим ”металлическим“ зародышем.

В Приложении рассмотрены усилительные свойства активных сред и характеристики газоразрядного лазера на парах меди ИЛГИ-101.

Проведенный анализ закономерностей и режимов усиления лазерного излучения, с учетом эффекта насыщения усиления, позволил определить круг понятий, формул и пороговых условий, которые были использованы в основной части представленной диссертации.

Отмечено, что для активной среды на парах меди характерны чрезвычайно высокие коэффициенты усиления света. Выходной сигнал в такой среде может достигать, даже при единичном прохождении света через активный элемент, мощности излучения свободной генерации.

ВЫВОДЫ ИЗ РАБОТЫ

1. Облучение твердых диэлектриков излучением ряда лазеров приводит к изменениям электрических характеристик материалов, которые могут со временем релаксировать или стать необратимыми.

Реакция органических диэлектриков на лазерное излучение обусловлена лазерно-диэлектрическим эффектом и характером лазерной электропроводности исследованных материалов.

Лазерно-диэлектрический эффект, возникающий в диэлектриках, облученных мощными лазерными импульсами неполяризованного лазерного излучения, может быть назван лазерно-диэлектрическим эффектом первого рода, а лазерно-диэлектрический эффект в диэлектриках, облученных малоинтенсивным поляризованным излучением, - лазерно-диэлектрическим эффектом второго рода.

Комбинированный лазерно-диэлектрический эффект возникает в случае засветки образцов мощными импульсами поляризованного лазерного излучения. Чем больше время облучения, тем яснее для комбинированного эффекта проявляются особенности эффекта второго рода.

Для реализации лазерно-диэлектрического эффекта первого рода важна не только высокая поверхностная плотность мощности излучения в импульсе (более 1.5 кВт/см²), но и значительная импульсная мощность световых потоков (более 30 кВт).

2. Лазерно-диэлектрический эффект может вызываться различными механизмами и причинами: упругопластическими волнами, внутренними и термоупругими напряжениями, наведенными обратимыми упругими деформациями надмолекулярных структур, деформационной поляризацией органической среды, подпиткой сегментальной подвижности и диэлектрических потерь, возникновением электретного состояния, химическими реакциями и др.

Носители заряда (электроны и дырки) могут возникать в результате действия на среду многократных лучевых ударов, упругопластических волн и фотопроцессов, а дополнительные ионы - за счет химических реакций, ионизации ионогенных примесей и т.д. Вышедшие в объем, свободные носители заряда ответственны за объемный заряд и лазерную электропроводность. Движение носителей заряда осуществляется в присутствии ловушек, примесей и различных дефектов среды, и поэтому рассасывание заряда требует длительного времени.

3. Снижение поверхностной плотности импульсной мощности излучения неполяризованного лазерного излучения приводит к:

- уменьшению скачков электрических характеристик после облучения и снижению времени перехода диэлектрика к стабильным значениям параметров;

- выравниванию отклика различных композиций полимера на импульсную

- засветку;

- замене необратимых разрывов полимерной среды на обратимые упругие деформации надмолекулярных структур;

- уменьшению вклада химических реакций в процессы изменения электрических параметров после лазерной засветки.

4. На температурой зависимости тангенса угла диэлектрических потерь облученных полимеров сразу или с запаздыванием на несколько десятков часов появляются максимумы дипольно-сегментального и дипольно-группового процессов диэлектрической релаксации, значения которых меняются со временем.

Таким образом, облучение органических диэлектриков лазерным светом способствует активизации на длительное время дипольно-групповой и сегментальной подвижности.

5. Схожесть температурной и временной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь и проводимости политетрафторэтилена свидетельствует о том, что проводимость отражает ход размораживания сегментальной подвижности диэлектрической среды, возникшего под действием лазерного излучения.

6. Лазерное облучение послужило причиной возникновения условий для ощутимого поглощения в полистироле электромагнитных колебаний на частоте 1 кГц и аномально высокого тепловыделения, наблюдаемого в течение 100 часов.

7. Максимумы на временной зависимости электрических параметров органических диэлектриков, облученных поляризованным лазерным светом, возникают за счет быстропротекающих зарядовых явлений и причин, типичных для полимерных электретов: рассасывания свободного заряда через объем и разрушения остаточной поляризации.

8. Облучение в течение 10 минут малоинтенсивным поляризованным лазерным светом твердых диэлектриков значительно меняет их поверхностную и объемную проводимость, приводит к появлению вблизи поверхности на длительное время значительного постоянного электрического заряда, который может подпитываться и синхронно изменяться за счет объемного заряда.

Процесс рассасывания по объему распределенного свободного заряда в присутствии ловушек и примесей занимает для полиэтилена и силикатного стекла 13 суток, достигая максимума через 184 часа после засветки у полиэтилена и 156 часов у силикатного стекла.

9. В неорганических диэлектриках лазерно-диэлектрический эффект и лазерная электропроводность связаны с зарядовыми явлениями: появлением на поверхности и в объеме значительного заряда, который определяет наблюдаемые изменения электрических параметров среды. После облучения лазерным светом неорганическое силикатное стекло и щелочно-галоидные кристаллы ведут себя схожим образом, в основе чего лежат близкие физические процессы влияния излучения видимого участка спектра на концентрацию слабосвязанных электронов на вакансиях, неоднородностях, включениях и других дефектах.

10. Разрушение поверхности полиметилметакрилата за счет лазерно-индуцированного теплового пробоя (пиролиза) начинается при поверхностной плотности средней мощности лазерного излучения порядка 10 кВт/см².

Сканирование сфокусированного излучения по объему полиметилметакрилата дает канал термодеструкции диаметром порядка размера перетяжки лазерного пучка.

11. Для поверхностной плотности средней мощности лазерного излучения порядка 3.3 кВт/см² и поверхностной плотности импульсной мощности излучения порядка 60 МВт/см² в объеме полиметилметакрилата может возникать устойчивая тепловая линза, наблюдаемая визуально после прекращения лазерного облучения.

В области визуализированной тепловой линзы регистрируется трек лучевого разрушения, который, зарождаясь в фокусе линзы, далее двигается к ней.

12. Порог многоимпульсного пробоя полиметилметакрилата лазерными импульсами длительностью 20 нс в области 33 3 мкм достигается при критической напряженности поля 270 40 кВ/см.

Важную роль в достижении порогов пробоя полиметилметакрилата играют тепловые линзы в объеме и линзоподобные образования на поверхности, которые создают дополнительную концентрацию излучения лазера.

13. Сравнение теоретических расчетов сужения запрещенной зоны на поверхности ионных диэлектриков за счет поверхностных состояний с вычислениями по экспериментальным данным показывает, что они хорошо согласуются для иодида калия, не совсем согласуются для хлорида натрия и плохо согласуются для хлорида калия.

14. В случае лазерного пробоя поверхности у хлорида калия может возникать состояние с отрицательной поверхностной энергией, а у хлорида натрия и иодида калия - нет. Это подтверждается экспериментом, в котором порог лучевого пробоя поверхности хлорида калия высокого качества оказался выше порога пробоя объема; тогда как у хлорида натрия и иодида калия пороги лазерного пробоя поверхности ниже, чем в объеме.

15. Во время ультракороткого подвода энергии к поверхности классические теплофизические процессы не успевают развиваться, поскольку наблюдаемые явления очень скоротечны.

Тонкий слой вещества (расплава) удаляется фемтосекундным лазерным импульсом за счет абляции, оставляя на поверхности пятно повреждения (кратер).

16. Критическая напряженность поля оптического повреждения лазерными импульсами длительностью 80 фс поверхности грани (100) составляет для хлорида натрия 76 МВ/см, хлорида калия - 64 МВ/см, иодида калия - 80 10 МВ/см.

Порог оптического повреждения грани (110) хлорида натрия лазерными импульсами длительностью 80 фс в 1.5-2 раза выше, чем порог повреждения грани (100).

17. Оценка абляционных давлений для ионных кристаллов, облучаемых фемтосекундными лазерными импульсами, дает величину 1.5-2 Мбар. Для таких давлений допустимо рассматривать возможность фазового перехода диэлектрик-металл и ультрабыстрого нагрева среды за счет интенсивного поглощения излучения ”металлическим“ зародышем, возникающим вследствие скачкообразного схлопывания запрещенной зоны диэлектрика в сильных лазерных полях.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Савинцев А.П. Воздействие излучения активной среды на органические диэлектрики // Известия вузов. Физика. 2001. Т. 44. № 7. С. 57-61.

2. Савинцев А.П., Созаев В.А., Шидов Х.Т. Изучение структуры алмазоподобных пленок на кремнии с использованием лазерного микроскопа // Письма в журнал технической физики. 2001. Т. 27. № 19. С. 49-52.

3. Савинцев А.П. Влияние лазерного облучения на состояние органических диэлектриков // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Серия: Естественные науки. 2001. № 4. С. 85-87.

4. Савинцев А.П., Темроков А.И. Влияние лазерного облучения на диэлектрические потери и проницаемость органических диэлектриков // Физика и химия обработки материалов. 2002. № 2. С. 9-11.

5. Савинцев А.П., Темроков А.И. О поверхностных состояниях окислов бария и магния // Журнал технической физики. 2002. Т. 72. Вып. 4. С. 126-127.

6. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Связь между давлением металлизации и предельной оптической прочностью диэлектриков // Известия РАН. Серия физическая. 2002. Т. 66. № 6. С. 815-818.

7. Савинцев А.П., Темроков А.И. Воздействие импульсно-периодического лазерного излучения на поливинилхлорид // Теплофизика высоких температур. 2002. Т. 40. № 4. С. 558-562.

8. Савинцев А.П., Темроков А.И. Влияние неполяризованного лазерного излучения на органические диэлектрики // Химия высоких энергий. 2002. Т. 36. № 5. С. 381-385.

9. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. О возможной связи между оптическим пробоем и “металлизацией” предельно чистых прозрачных диэлектриков // Доклады РАН. 2003. Т. 388. № 1. С. 41-45.

10. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Особенности поверхностного пробоя прозрачных диэлектриков // Поверхность. 2004. № 2. С. 53-57.

11. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. О возможности смены знака поверхностной энергии ионных диэлектриков при высоких давлениях // Доклады РАН. 2005. Т. 404. № 3. С. 333-335.

12. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Учет искажений поверхностной области кристалла при исследовании полиморфных превращений в наноразмерных кристаллах // Доклады РАН. 2006. Т. 411. № 6. С. 762-765.

13. Савинцев А.П. Оптическое повреждение поверхности хлоридов натрия и калия фемтосекундными лазерными импульсами // Письма в журнал технической физики. 2008. Т. 34. Вып. 3. С. 66-69.

14. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Об аномальном поведении поверхностных характеристик некоторых ионных кристаллов при высоких давлениях // Доклады РАН. 2008. Т. 419. № 2. С. 179-183.

15. Савинцев А.П., Темроков А.И. Спектроскопия поверхностных состояний и контактного плавления // Физика экстремальных состояний вещества-2001: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2001. С. 122-124.

16. Савинцев А.П., Созаев В.А., Шидов Х.Т. Изучение микроструктуры алмазоподобных пленок на кремнии методом лазерной проекционной микроскопии // Труды 12 Международного симпозиума “Тонкие пленки в электронике”, Харьков, 2001. С. 151-152.

17. Савинцев А.П., Темроков А.И. Действие лазерного облучения на температурные зависимости диэлектрических потерь и проницаемости фторопласта и полиэтилена // Физика экстремальных состояний вещества-2002: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2002. С. 140-142.

18. Савинцев А.П., Темроков А.И. Действие интенсивных потоков энергии на органические диэлектрики // Физика экстремальных состояний вещества-2002: Сборник статей под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2002. С. 145-146.

19. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Фазовый переход “диэлектрик-металл” на поверхности кристалла в интенсивных электромагнитных полях // Труды Международного симпозиума ОМА-2002. Ч. 1. Ростов н/Д, 2002. С. 129-133.

20. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Об одном из механизмов поверхностного лучевого пробоя прозрачных ионных кристаллов // Физика экстремальных состояний вещества-2003: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2003. С. 25-27.

21. Савинцев А.П., Темроков А.И. Воздействие мощных импульсов медного лазера на ПММА // Физика экстремальных состояний вещества-2003: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2003. С. 27-29.

22. Савинцев А.П. Действие поляризованного лазерного излучения на ПММА // Физика экстремальных состояний вещества-2003: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2003. С. 29-30.

23. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. О состоянии конденсированного вещества с отрицательной поверхностной энергией // Труды Международного симпозиума ОМА-2003. Ростов н/Д, 2003. С. 148-151.

24. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Поверхностные характеристики наноразмерных кристаллических объектов // Физика экстремальных состояний вещества-2004: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2004. С. 38-40.

25. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Поверхностная энергия и поверхностное натяжение полиморфных модификаций щелочно-галоидных кристаллов // Физика экстремальных состояний вещества-2004: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2004. С. 40-42.

26. Савинцев А.П. Действие лазерной засветки на силикатное стекло и бромид калия // Физика экстремальных состояний вещества-2004: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2004. С. 125-126.

27. Савинцев А.П. Ионные диэлектрики в поле фемтосекундных лазерных импульсов // Физика экстремальных состояний вещества-2005: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2005. С. 32-34.

28. Савинцев А.П. Пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов и стекла под действием наносекундных импульсов // Физика экстремальных состояний вещества-2005: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2005. С. 34-36.

29. Карпенко С.В., Савинцев А.П., Темроков А.И. Расчет вклада поверхностной энергии в термодинамический потенциал щелочно-галоидных кристаллов // Физика экстремальных состояний вещества-2005: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2005. С. 141-142.

30. Савинцев А.П. Хлорид натрия в поле фемтосекундных лазерных импульсов // Физика экстремальных состояний вещества-2006: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2006. С. 175-177.

31. Савинцев А.П. Лучевой пробой ПММА излучением активной среды на парах меди // Физика экстремальных состояний вещества-2006: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2006. С. 177-179.

32. Савинцев А.П. Оценка поверхностных состояний ионных кристаллов // Физика экстремальных состояний вещества-2007: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2007. С. 32-33.

33. Карпенко С.В., Савинцев А.П. Аномальное поведение кристалла иодида лития при высоких давлениях // Физика экстремальных состояний вещества-2007: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2007. С. 207-209.

34. Карпенко С.В., Мамчуев М.О., Савинцев А.П. Расчет давления металлизации кристаллов галоидов щелочных металлов в условиях гидростатического сжатия // Физика экстремальных состояний вещества-2008: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2008. С. 37-39.

35. Савинцев А.П. Механизмы лазерно-диэлектрического эффекта // Физика экстремальных состояний вещества-2008: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2008. С. 182-185.

36. Савинцев А.П. Комплексное исследование лазерно-диэлектрического эффекта в силикатном стекле // Физика экстремальных состояний вещества-2008: Сборник статей / Под ред. акад. В.Е. Фортова и др. Черноголовка, 2008. С. 185-188.

37. Костин В.В., Кунижев Б.И., Савинцев А.П. и др. Разрушение твердотельных мишеней лазерным импульсом: Препринт / Института высоких температур РАН. М., 1996. 16 с.

38. Савинцев А.П. Активные среды: Учебное пособие. Нальчик, 2004. 48 с.

39. Савинцев А.П. Тепловые явления на межфазных границах // Сборник статей “Физикохимия межфазных явлений”: Нальчик, 1986. С. 224-231.

40. Савинцев А.П. Травление эпоксидных полимеров // Сборник научных трудов “Поликонденсационные процессы и полимеры”: Нальчик, 1987. С. 105-107.

41. Савинцев А.П. Усилители света на парах меди в исследованиях твердотельных органических диэлектриков / Каб.-Балк. ун-т. Нальчик, 1989. 7 с. Деп. в ВИНИТИ 20.12.1989, № 7558 - В 89.

42. Савинцев А.П. Действие мощных световых потоков на поверхность и приповерхностный слой ПММА // Сборник статей “Физика и технология поверхности”: Нальчик, 1990. С. 153-159.

43. Савинцев А.П. Воздействие интенсивного когерентного излучения на кристаллы // Доклады Адыгской международной академии наук. 1999. Т. 4. № 1. С. 78-82.

44. Савинцев А.П., Темроков А.И. Действие лазерного излучения на электрические параметры диэлектриков // Вестник КБГУ. Серия: Физические науки. Вып. 3, 1999. С. 22-24.

45. Шетов Р.А., Савинцев А.П., Атабиев Х.А. и др. Влияние лазерного облучения на диэлектрические свойства ПМП и ПВДФ // Вестник КБГУ. Серия: Физические науки. Вып. 4, 2000. С. 57-59.

46. Савинцев А.П. Исследования органических диэлектриков с использованием лазерных усилителей света // Вестник КБГУ. Серия: Физические науки. Вып. 5, 2000. С. 53-55.

47. Савинцев А.П. Обработка диэлектрических материалов излучением активного элемента на парах меди ГЛ-202 // Вестник КБГУ. Серия: Физические науки. Вып. 11, 2008. С. 54-57.

Размещено на Allbest.ru