Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
Анализ значения метода туннельной спектроскопии для изучения особенностей не только заполненных, но и пустых энергетических уровней. Исследование многочастичных особенностей в туннельных спектрах, связанных с неупругими процессами при туннелировании.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.03.2018 |
| Размер файла | 519,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
А27. Шульман А.Я., Котельников И.Н., Варванин Н.А., Миргородская Е.Н., Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы n-GaAs/Me // Письма в ЖЭТФ, Т. 73, вып.9-10, с.643-648 (2001).
А28. Kotel'nikov I.N., Dizhur S.E., Persistent 2D states of -layer quantum well and resonant polaron in -GaAs/Al structures // Proceedings of 9th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 17-22, 2001, pp.286-289.
А29. Dizhur E.M., Shulman A.Ya., Kotelnikov I.N., Voronovsky A.N., Pressure dependence of the barrier height in tunnel n-GaAs/Au junctions // Phys. stat. sol. (b), V. 223, pp. 129-137 (2001).
А30. Dizhur S.E., Kotel'nikov I.N., Kokin V.A., Shtrom F.V., 2D-subband spectra variations under persistent tunnelling photoconductivity condition in tunnel delta-GaAs/Al structures // Physics of Low-Dimensional Structures, V 11/12, pp. 233-244 (2001).
А31. Kotel'nikov I.N., Dizhur S.E., Shtrom F.V., Many-body lines in tunneling spectra of Al/-GaAs junctions near resonant polaron threshold // Proceedings of 10th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 17-21, 2002, pp.323-326.
А32. Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Kotelnikov I.N., Dizhur S.E., Feiginov M.N., Experimental study of pressure influence on tunnel transport into 2DEG // Phys. Stat. Sol. (b), V. 235, No 2, pp. 531-535 (2003).
А33. Kotel'nikov I.N., Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Dizhur S.E., Kokin V.A. Feiginov M.N., Tunneling spectroscopy of near-surface delta-layer in GaAs at high pressure // Proceedings of the 11th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 23-28, 2003, pp.117-118.
А34. Kotel'nikov I.N., Dizhur S.E., Polaron singularities in tunnelling spectra of high density 2D electron system in delta-layer // Proceedings of 12th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 366-367.
А35. Дижур Е.М., Вороновский А.Н., Федоров А.В., Котельников И.Н., Дижур С.Е., Переход приповерхностного -слоя туннельной структуры Al/(Si)-GaAs в диэлектрическое состояние под давлением // Письма в ЖЭТФ, Т. 80, № 6, с. 489-492 (2004).
А36. Котельников И.Н., Дижур С.Е., Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя // Письма в ЖЭТФ, Т. 81, Вып. 9, с. 574-577 (2005).
А37. Kotel'nikov I.N., Dizhur S.E., Mordovets N.A., Decrease of tunnelling conductance near LO-phonon emission threshold in Al/delta-GaAs junctions // Proceedings of 13th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, pp.171-172.
А38. Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Fedorov A.V., Kotel'nikov I.N., Dizhur S.E., Pressure Induced Transition of 2DEG in -doped GaAs to Insulating State // Proceedings of 13th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, pp. 409-410.
А39. Дижур С.Е., Котельников И.Н., Дижур Е.М., Отражение электронов при туннелировании и межподзонный резонансный полярон в двумерной электронной системе дельта-слоя в GaAs // Радиотехника и электроника, Т. 51, №5, с. 625-632 (2006).
А40. Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Е., Мордовец Н.М., Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta-GaAs // ФТП, Т..40, Вып.7, с. 839-845 (2006).
А41. Kotel'nikov I.N., Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Dizhur S.E., Tunnel density of states at the Fermi level in the two-dimensional electron system of the delta-doped layer in GaAs // Proceedings of 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 26-30, 2006, pp. 352-353.
А42. Kotel'nikov I.N., Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Dizhur S.E., Tunnel density of states at the Fermi level in the two-dimensional electron system // Abstracts of International Conference of the Physics of Semiconductors, July 24-28, 2006, Vienna, Austria, WeA2h.4, p.185.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Wolf, E.L. Principles of Electron Tunneling Spectroscopy / E.L. Wolf - Oxford : Oxford Univ. Press, 1985. - 576 p.
2. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под редакцией Л. Ченга, К. Плога; перевод с английского под ред. Ж.И. Алферова. Москва : Мир, 1989. - 582 с.
3. Шик А.Я., Полупроводниковые структуры с дельта-слоями / А.Я. Шик // ФТП. 1992. - Т.26, Вып.7. - С. 1161-1181.
4. Delta Doping of Semiconductors / Ed. by E.F. Schubert - Cambridge: Cambridge University Press, 1996. - 616 p.
5. Altshuler, B.I. Electron-electron interection in desordered conductors / B.I. Altshuler, A.G. Aronov // in Electron-electron interection in desordered systems. Eds. A.L. Efros, M. Pollak - North-Holland : Elsevier Science Publishers B.V., 1985.- Chapter 1, P. 1-153.
6. Khavin, Yu. Strong localization of electrons in quasi-one-dimensional conductors / Yu. Khavin, M. Gershenson, A. Bogdanov // Phys. Rev. B. - V. 58, No 12 - P. 8009 8019.
7. Pilkington, S.J. The growth of epitaxial aluminium on As containing compound semiconductors / S. J. Pilkington, M. Missons // Journal of Crystal Growth. - 1999. - V. 196. - P. 1-12.
8. Пекар, С.И. Исследования по электронной теории кристаллов / С. И. Пекар - М. : Гостехиздат, 1951. - 256 с.
9. Аппель, Дж. Поляроны / Дж. Аппель // в книге «Поляроны», перевод с английского; под редакцией Ю. А. Фирсова - Москва : Наука. - 1975. - С. 13-204.
10. Левинсон, И.Б. Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме / И.Б. Левинсон, Э.И. Рашба // УФН. - 1973. - Т. 111, Вып. 4 - С. 683-718.
11. Mahan, G.D. Many-particle physics / G. D. Mahan - New York: Kluwer, 2000. - Ch.7, Sec.7.3.
12. Appelbaum, J.A. Interface effects in normal metal tunneling / J. A. Appelbaum, W. F. Brinkman // Phys. Rev. B. - 1970. - V. 2 - P. 907-915.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Возможности развития двумерной спектроскопии ЯМР. Использование методов Фурье-спектроскопии с использованием Фурье-преобразования в процессе проведения двумерного ЯМР-эксперимента, обработка данных. Корреляция и ее значение в гетероядерном случае.
реферат [1,0 M], добавлен 27.08.2009Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.
реферат [755,3 K], добавлен 17.12.2013Упругое и неупругое рассеяние света, теория комбинационного метода. Применение Рамановской спектроскопии для контроля лекарственных, наркотических и токсичных средств. Комбинационное рассеяние света как метод изучения вещества, основные преимущества.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 28.10.2011Возбуждение и ионизация, определение потенциалов ионизации и возбуждения газов методом электронной спектроскопии. Схема энергетических состояний атома газа. Отклоняющее напряжение и процессы столкновений. Схема энергетических уровней атомного ядра.
реферат [3,0 M], добавлен 30.11.2008Расчет энергии иона. Количественная интерпретация данных о рассеянии быстрых ионов. Метод спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Форма энергетических спектров двухкомпонентных материалов. Спектр кремния с анатомами на поверхности.
контрольная работа [86,3 K], добавлен 14.11.2011Рассмотрение правил получения серии однослойных образцов металлов и их сплавов, напылённых на подложки с варьируемой толщиной слоя. Изучение влияние толщины напылённого слоя на соотношение характеристических полос испускания в рентгеновских спектрах.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 20.07.2015Исследование диэлектрических свойств кристаллов со структурой перовскита методами дифференциальной диэлектрической спектроскопии. Спектры коэффициента отражения, восстановление диэлектрических функций феррита висмута. Диэлектрические и оптические функции.
курсовая работа [3,3 M], добавлен 26.03.2012Одно из наиболее ярких научных достижений ХХ столетия - теория метода комбинационного рассеяния. Упругое и комбинационное рассеяние света. Применение Рамановской спектроскопии для контроля лекарственных, наркотических и токсичных средств и веществ.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 08.06.2011Импедансная спектроскопия гетерогенных систем. Высокотемпературная ячейка и источник питания. Анализ зависимости комплексного электрического сопротивления от частоты переменного тока. Векторные диаграммы токов и напряжений. Треугольники проводимостей.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 10.11.2015Метрологические характеристики и аналитические возможности атомно-абсорбционного метода. Способы монохроматизации и регистрации спектров. Индикаторные, мембранные и металлические электроды. Рентгеновская, атомно-флуоресцентная, электронная спектроскопия.
автореферат [3,1 M], добавлен 30.04.2015Основные физические принципы ЯМР-спектроскопии. Ансамбль ядер со спином 1/2. Получение одномерных спектров. Полоса возбуждаемых импульсом частот. Химический сдвиг. Константа спин-спинового взаимодействия. Ядерный эффект Оверхаузера. Конформация кресла.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 12.06.2014Импульсные лазеры как источник высокоэнергетического излучения. Исследование концентрационной зависимости параметра кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны твердого раствора методами рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии.
реферат [1,9 M], добавлен 26.06.2010Исследование и описание метода магнитно-резонансной томографии (МРТ). Устройство МР томографа. Физические основы явления ядерного магнитного резонанса. Диаграммы энергетических уровней. Статистика Больцмана. Спиновые пакеты. Импульсные магнитные поля.
реферат [7,7 M], добавлен 11.03.2011Характеристика электрона в стационарных состояниях. Условие ортогональности сферических функций. Решения для радиальной функции. Схема энергетических состояний атома водорода и сериальные закономерности. Поправки, обусловленные спином электрона.
презентация [110,2 K], добавлен 19.02.2014- Физические принципы, заложенные в основу измерения концентрации вещества кондуктометрическим методом
Определение понятия концентрации как отношения числа частиц компонента системы, его количества или массы к объему системы. Характеристика методов измерения концентрации: хроматографических, электрохимических, селективных, спектроскопии и кондуктометрии.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 22.01.2012 Физические основы диагностики плазмы. Методы излучения, поглощения и рассеяния для определения плотностей частиц в дискретных энергетических состояниях. Лазерный резонатор, спектроскопия поглощения с частотно-перестраиваемыми и широкополосными лазерами.
реферат [677,7 K], добавлен 22.12.2011Расчет зенитного угла и его функции. Расчет по значению зенитного угла высоты максимума F-слоя, значения скорости ионизации в максимуме, значения константы скорости рекомбинации, электронной концентрации и критических частот. Расчет солнечного склонения.
практическая работа [37,3 K], добавлен 27.01.2010Физическая природа поглощения и люминесценции. Состав стекла, легированного висмутом, и спектры поглощения. Структурирование висмутовых стекол с помощью фемтосекундного лазера. Исследование температурной зависимости спектрального коэффициента поглощения.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 14.01.2014Современное состояние элементной базы полупроводниковых оптических преобразователей. Воздействие электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs n-типа.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 18.07.2014Базовые сведения о необычном эффекте туннельной интерференции полей волн произвольной физической природы, проявление которой необходимо при изучении и физико-математическом моделировании условий распространения указанных волн в поглощающих средах.
реферат [43,6 K], добавлен 30.01.2008
