F-центры в кристаллах LIF-U и LIF-U,OH

Изучение F-центров щелочно-галлоидных кристаллов, активированных ураном. Проведение анализа кинетических кривых, полученных в эксперименте, на основе которого предложена модель ураниловых центров. Разложение кривой поглощения на полосы гауссовой формы.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 20.05.2018
Размер файла 88,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

УДК 548.0:534.34

F-ЦЕНТРЫ В КРИСТАЛЛАХ LiF-U И LiF-U,OH

Г.С. Денисов

Исследованы F-центры щелочно-галлоидных кристаллов, активированных ураном. Проведен анализ кинетических кривых, полученных в эксперименте, на основе которого предложена модель ураниловых центров.

Кристаллы фтористого лития чистые и легированные были выращены усовершенствованным методом Киропулоса в платиновой чашке на воздухе из реактива особой чистоты. Примеси вводили в шихту перед выращиванием кристалла в виде азотнокислого урана и едкого лития. Спектральный анализ образцов показал, что в легированных кристаллах содержится урана 0.01 вес. % и небольшое количество других примесей. Наличие примеси ОН контролировалось по линии поглощения 3720 см-1 .

Перед измерениями кристаллы отжигали при температуре 600C в течение 12 ч. Образцы размером примерно 1050.3 мм выкалывали по плоскостям спаянности. Кристаллы облучали при комнатной температуре на аппарате УРС-70 с вольфрамовой рентгеновской трубкой 1БПВ1 - 60 с ванадиевым антикатодом (55 кВ , 10 мА) сквозь алюминиевую пластинку толщиной 0.5 мм. Спектры поглощения кристаллов измеряли на спектрофотометре SP8-100.

Изучение щелочно-галоидных кристаллов, активированных ураном представляет значительный интерес. Благодаря высокому квантовому выходу люминесценции, они относятся к классу уникальных полифункциональных материалов. На их основе разработаны сцинтилляционные детекторы для регистрации нейтрино и тепловых нейтронов, термолюминесцентные дозиметры рентгеновского и гамма излучения и т.д.

Многие исследователи [1,2] подчеркивают особое значение кислорода для образования люминесцирующих центров, но влияние кислородосодержащих примесей на эти центры практически не изучено. Известно, что кристаллы LiF и NaF, активированные ураном выращенные в бескислородной среде не люминесцируют. Те же кристаллы, выращенные на воздухе дают яркую люминесценцию соответственно в зеленой и желтой области спектра при любом возбуждении. В спектрах излучения и поглощения этих кристаллов наблюдается большое количество линий. Строение центра излучения до конца не определено.

По существующим представлениям, при вхождении гетеровалентной примеси урана в кристалл LiF возможно образование нескольких типов центров, различающихся способами компенсации вносимого ионами U6+ избыточного положительного заряда. Различные способы зарядовой компенсации линейного уранилового комплекса UO22+ могут привести к образованию центров разного типа. Преобладающими, по данным эксперимента, являются центры с тетрагональной (C4V) и ромбической (C2V) симметрией. Об образовании линейных ураниловых комплексов в активированных ураном кристаллах сообщается также в работе [3]. Авторы [4,5], проведя тщательный анализ и интерпретацию электронно-колебательных спектров активированных ураном кристаллов фторидов лития и натрия, пришли к заключению об образовании различных центров - UO5F, UO6 и UO4F2,

Рис. 1. Поглощение кристалла LiF-U не облученного (1) и облученного 5 мин (2).

Для выяснения вопроса о структуре центра нами выполнен сравнительный анализ спектров активированных кристаллов, полученных до и после облучения.

Урансодержащие кристаллы фтористого лития прозрачны в видимой части спектра, однако в ультрафиолетовой области окраска оказалась настолько интенсивной, что для измерения профиля полос поглощения в этой области пришлось выкалывать образцы в виде очень тонких (около 0.3 мм) пластинок. На рис.1 представлены спектры оптического поглощения таких пластинок, необлученного и облученного кристалла LiF-U, измеренные при комнатной температуре. Можно видеть, что в обоих спектрах присутствуют выраженные пики с максимумами около 250 и 310 нм, а также полосы в более коротковолновой части спектра. Полоса при 250 нм в неактивированных кристаллах LiF обусловлена F-центрами. Эти центры появляются при облучении кристаллов ионизирующей радиацией, а также после аддитивного окрашивания. Ранее вопрос о возможности появления F-центров при легировании кристаллов ионами урана не обсуждался, поэтому вопрос о том, действительно ли наблюдаемая нами в спектрах LiF-U полоса в области 250 нм обусловлена F-центрам и, представляет принципиальный интерес.

Для того, чтобы убедиться, что это не случайное совпадение, мы разлагали участок спектра на индивидуальные пики (рис.2). Согласно теории [6], форма полос поглощения, обусловленных внутри центровыми переходами, описывается нормальным законом распределения оптической плотности (поглощения) по энергии фотонов (формулой Гаусса) вида , где Dmax - оптическая плотность в максимуме полосы, Emax - энергия фотонов, на которую приходится максимум полосы, H1/2 - энергетическая ширина полосы на полувысоте, k - коэффициент пропорциональности. Аппроксимация полосы при 5.0 эВ распределением Гаусса, выполненная нами по ее неискаженным наложением других полос длинноволновому крылу, дала следующие значения параметров: энергия фотонов, на которую приходится максимум полосы Em = 4.98 эВ, энергетическая ширина на полувысоте H1/2 = 0.67 эВ. Полученные значения с хорошей точностью совпадают с известными для F-полосы в чистом LiF из литературы [7].

Таким образом, полоса при 250 нм по спектральным характеристикам - положению максимума и полуширине, совпадает с полосой, обусловленной F-центрами окраски в облученных кристаллах фторида лития (рис.1,кривая 2). Это значит, что в необлученном кристалле LiF-U существуют F-центры окраски. галлоидный кристалл кинетический ураниловый

Итак, наиболее перспективной для объяснения образования F-центров в кристаллах LiF-U представляется предложенная в [3] модель центра в виде занимающего узел лития иона U6+ , окруженного замещающими все шесть соседних с этим узлом ионов фтора ионами кислорода O2-. Избыточный отрицательный заряд такого центра локально компенсируется анионной вакансией (va+) во второй координационной сфере. Структурная формула центра может быть записана в виде [Uc6+6Oa--va+] (верхний индекс указывает величину эффективного заряда, нижний - анионную или катионную узельную позицию дефекта). Факт наличия в спектре оптического поглощения кристалла LiF-U F- полосы указывает, по нашему мнению, на возможность локализации электрона одного из ионов кислорода на анионной вакансии с образованием F-центра, который является электронейтральным по отношению к решетке. Поэтому структурную формулу можно переписать в виде [Uс6+ 5Oa-- Oa- F]. Центр анизотропен и ориентирован по осям симметрии четвертого порядка.

Небольшое количество F-центров было обнаружено также в необлученных кристаллах NaF-U. Местоположение F-полосы при комнатной температуре - 340нм и полуширина 0.62 еV, что близко к литературным данным. Поскольку свойства кристаллов LiF-U и NaF-U во многом схожи, то в последнем также образуются центры, структура которых рассмотрена выше.

Как показали выполненные нами на основе уравнения Смакулы-Декстера количественные оценки (сила осциллятора переходов в расчете принималась равной 0.8), концентрация F-центров в исследуемых образцах достигала величины около 51017 см-3, сопоставимой с содержанием урана (10-2 мол. % ). Это подтверждает правильность предложенной модели ураниловых центров.

Из того же уравнения следует, что концентрация F-центров в кристалле прямо пропорциональна коэффициенту поглощения в максимуме полосы поглощения. В связи с этим уровни образования и разрушения центров мы измеряли в единицах поглощения соответствующих полос.

Рис. 2. Разложение кривой поглощения на полосы гауссовой формы

В кристаллах LiF-U,ОН F-центры образуются хуже, чем в LiF-U. Видимо, примеси ОН препятствуют возникновению анионных вакансий или захватываются ими. Модели центров поглощения и излучения в этих кристаллах будут другими.

Мы исследовали также зависимость количества F-центров в чистых и примесных кристаллах от дозы облучения (рис.3). Обычно кривую накопления центров разлагают на три стадии:

N = n1(1-e-b1t) + n2(1-e-b2 t) - n3(1-e-b3t)

Физический смысл первого слагаемого - накопление F-центров на дорадиационных вакансиях (быстрая стадия), второго - на вновь образуемых (медленная стадия), а третьего - разрушение. Параметры n1 и n2 - максимально достижимые уровни образования, а n3 - разрушения центров; b1, b2, b3 - скоростные параметры образования и разрушения центров.

На рис.3 кинетические кривые кристаллов с ураном начинаются не с нуля, а с некоторого довольно большого значения, поскольку, как было сказано выше, в необлученных кристаллах существует значительное число F-центров. В дальнейшем их рост происходит незначительно. Кривые накопления F-центров окраски в кристаллах, содержащих уран, достигают насыщения через 2-3 часа, а для чистого кристалла для этого потребуется время, на порядок большее.

В соответствии с указанной формулой кинетические кривые накопления F-центров разлагали на три составляющие. Разложение проводилось методом наименьших квадратов в среде Matlab 5.0 с использованием встроенных средств нахождения минимума функции нескольких переменных. Полученное решение устойчиво к вариациям начальных приближений параметров. Параметры разложения сведены в таблицу.

Рис. 3. Зависимость F - полосы поглощения от времени облучения в кристаллах LiF (1), LiF-U (2) и LiF-U,ОН (3)

Из таблицы следует, что скорость накопления F-центров на дорадиационных вакансиях наибольшая в кристалле LiF-U. Это значит, что примесь уранила увеличивает подвижность катионных вакансий или дивакансий. Увеличение подвижности вакансий в облученных кристаллах при воздействии мягкого излучения наблюдалось в работе [8].

То же происходит при легировании примесью ОН. При одновременном введении этих разноименных примесей, они взаимно притягиваются, образуя новый комплекс [9] и уменьшая количество свободных катионных вакансий кристалла. Поэтому параметр b1 уменьшается.

Кинетические параметры разложения F-полосы

n1

см-1

b1

час-1

n2

см-1

b2

час-1

n3

см-1

b3

час-1

LiF

23,5

1,3

61,2

0,44

8,9

0,51

LiF-U

10,2

2,2

20,7

0,35

10,8

0,55

LiF-U,OH

9,8

1,7

17,5

0,35

8,2

0,55

В то же время уран, являясь эффективной ловушкой для электронов, уменьшает вероятность образования F-центров, поэтому параметры n1 и n2 наибольшие у чистого кристалла

Литература

1. Каплянский А.А., Москвин Н.А. Комбинированные магнито-электрические дипольные переходы в спектрах щелочных фторидов, активированных шестивалентным ураном. Доклады АН СССР, т.148, c.558-561, 1963.

2. Каплянский А.А., Медведев В.Н., Москвин Н.А., Гаврилов Д.Г. Линейный эффект Штарка в спектрах люминесценции щелочных фторидов, активированных шестивалентным ураном. Оптика и спектроскопия, т.27, №6, c.960-964, 1969

3. Алешкевич Н.И., Титков Е.Ф., Комяк А.И. Спектры поглощения монокристалла LiF, активированного шестивалентным ураном. //Журнал прикладной Спектроскопии, т.33, №6, с.1060-1064, 1980.

4. Lupei V., Georgescu S., Ursu I. EPR of U5+ ion in X-ray irradiated NaF-U. Rev. Roumaine Phis., vol. 21, N1, p.25-29, 1976.

5. Lupei A., Lupei V. and Ursu I. Impurities effects on the U6+ luminescence in LiF. J. Phys. С: Solid State Phys., vol.18, р. 6099-6107, 1985.

6. Klick C.C. Properties of Electron Centers. Point Defects in Solids.1972.

7. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977

8. Абрамишвили М.Г., Ахаледиани З.Г. и др. Релаксационные процессы в окрашенных кристаллах LiF, после совместного воздействия УФ излучения и ударной волны. ФТТ, т. 42, вып.10, с. 1793-1799, 2000

9. Денисов Г.С., Кидибаев М.М., Кабыл уулу Адыл, Лозовских А.А. Центр поглощения в кристалле LiF-U,OH. Проблемы спектроскопии и спектрометрии, вып.11, с.49-54, 2002

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Основные процессы и явления, определяющие спектры активированных лазерных сред. Принципы получения спектральных характеристик матриц на основе ионов Er3+. Экспериментальные измерения спектров поглощения и люминесценции, анализ полученных данных.

    дипломная работа [634,7 K], добавлен 18.05.2016

  • Описание структуры и параметров активированных кристаллов. Характеристики полиэдров Вороного-Дирихле. Исследование структуры и расчет параметров Джадда-Офельта для активированных кристаллов. Изучение структуры шеелитов методом пересекающихся сфер.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 20.07.2015

  • Конструктивные особенности оптических резонаторов для твердотельных лазеров. Перспективы эффективного применения градиентных лазеров. Математические модели, демонстрирующие характер распределения мощности электромагнитного поля в лазерных кристаллах.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 16.07.2013

  • Уровни свободного иона. Мощность поглощения планковской радиации. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции. Параметры экситонов в различных полупроводниковых материалах. Образование центров люминесценции в результате прогрева.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 10.06.2011

  • Создание дефектов в кристаллах и появление в запрещенной зоне определенных полос поглощения. Недостаток радиационного способа. Фотохимическая и термическая обработка кристаллов. Перевод электрона на уровень энергии, обусловленный наличием F-центра.

    презентация [34,0 K], добавлен 19.02.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.