Физические основы контактов металл-GaAs (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiB
Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 23.05.2018 |
| Размер файла | 766,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
2. Экспериментально обнаружено немонотонное изменение радиуса кривизны пластин GaAs и GaP, коррелирующее с немонотонным изменением параметров ПБС на основе GaAs и GaP.
3. На основе полученных корреляций и закономерностей по стимулированию релаксации ВМН определен диапазон доз облучения арсенидгалллиевых диодных структур с барьером Шоттки -квантами 60Со и СВЧ, в котором наблюдается улучшение электрических характеристик приборных структур.
4. Доказано, что контактная система TiBx - n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до Т=600 °С.
5. Установлено, что микроволновая обработка приводит к структурно-примесному упорядочению на границе раздела TiBx-n-GaP, сопровождающемуся более однородным распределением профилей компонентов полупроводника и TiBx, чем в исходных образцах.
6. Предложен новый технологический подход к изготовлению автоэпитаксиальных пленок InP n-типа, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии на пористых подложках n+-InP и омических и барьерных контактов к ним с использованием аморфных (квазиаморфных) фаз внедрения TiBx.
7. Установлены преимущества диодов с барьером Шоттки TiBx-n-n+-n++InP, изготовленных на пористых подложках перед подобными, изготовленными на стандартных жестких подложках, а также возможность создания на эпитаксиальных структурах InP, выращенных на пористых подложках диодов Ганна на частотный диапазон 120-150 ГГц.
8. Экспериментально доказано, что диодные структуры с барьером Шоттки, сформированные на пористых подложках InP обладают лучшими параметрами, чем диодные структуры, изготовленные на стандартных подложках InP, что обусловлено их большей структурной и топографической однородностью и минимальным содержанием концентраторов напряжений.
9. Установлено, что использование фаз внедрения TiBx для эпитаксиальных структур InP дает реальную возможность формирования на их основе термостойких до 6000С высококачественных приборных структур с барьером Шоттки.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Коротченков Г.С., Михайлов В.А., Блаже В.А., Кисенко В.Е. Процессы взаимодействия на границе раздела М-InP, ответственные за временную стабильность параметров барьеров Шоттки на фосфида индия // Поверхность. Физика, химия, механика. 1997. №7. С. 68-74.
2. Галанихин А.В., Маркин Б. В., Чикун В.В. Влияние термических отжигов на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки с барьером на основе LaB6-GaAs, TiB2-GaAs // Электрон. техн. Сер.1. СВЧ-Техника. 1994. №.4 (464). С. 38-41.
3. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Особенности механизма протекания тока в омическом контакте к GaP // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30, № 19. С. 17-24.
4. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г., Тхорик Ю.А., Шаховцов В.И. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5. Препринт. Киев: ИФ АН УССР. 1986. №6. 68 с.
5. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. // Киев.: Наукова думка. 1983. 303 с.
6. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник // М.: Радио и связь. 1982. 208 с.
список опубликованных работ
Монография и журнальные статьи:
1. Камалов А.Б. Особенности изготовления и электрофизические свойства контактов n-GaAs(GaP, InP) (монография) Киев-2008. 122 с.
2. Камалов А.Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя в контактах Mo-GaAs, стимулированной СВЧ излучением // Известия вузов. Радиоэлектроника. Киев, 2009. №9-10. С. 46-51.
3. Камалов А.Б. Модификация свойств контактов Au-Ti(W, Cr, TiВх)-GaAs внешними воздействиями // Известия вузов. Радиоэлектроника. Киев, 2009. №3. С. 71-77.
4. Камалов А.Б. Effect of external actions on characteristics of gallium arsenide Schottky-barrier diode structures // Radioelectronics and Communications Systems. © Allerton Press Inc., 2008. V.51. №2. Р. 80-86. (обзорная статья).
5. Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Конников С.Г., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Камалов А.Б., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Руссу Е.В. Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями ТiBx. // ФТП. Санкт-Петербург, 2008. Том 42. Вып. 7. С. 793-798.
6. Арсентьев И.Н., Байдакова М.В., Бобыль А.В., Конников С.Г., Ситникова А.А., Улин В.П., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Камалов А.Б., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В. Морфология поверхности автоэпитаксиальных слоев на пористых подложках InP и вольтамперные характеристики диодов Шоттки на их основе // Физика и химия обработки материалов. Москва, 2008. №2. С. 43-47.
7. Камалов А.Б. Необратимые изменения электрофизических параметров диодов Шоттки Au-TiВх-n-n+-GaAs под действием СВЧ и ультразвуковой обработок // Узбекский физический журнал. Ташкент, 2008. Т.10. №3. С. 221-224.
8. Камалов А.Б. Влияние радиационной и термической обработки на параметры диодов Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs // Физика и химия обработки материалов. Москва, 2006. №3. С. 9-13.
9. Исмаилов К.А., Тагаев М.Б., Камалов А.Б., Насыров М.У. Влияние термообработки на электрофизические свойства силовых диодов Шоттки Au-TiBx-GaAs // Доклады АН РУз. Ташкент, 2006. №1. С. 24-25.
10. Исмайлов К.А., Отениязов Е., Камалов А.Б., Бижанов Е. Влияние малых доз гамма радиации и СВЧ излучения на электрофизические параметры диодов с барьером Шоттки GaP и GaAs // Узбекский физический журнал. Ташкент, 2005. Т. 7. № 2. С. 124-127.
11. Arsentyev I.N., Bobyl A.V., Tarasov I.S., Shishkov M.V., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Belyaev A.E., Kamalov A.B., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Lytvyn O.S., Lytvyn P.M., Markovsky E.P., Milenin V.V. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. Kiev, 2005. V. 8. № 4. P. 105-114.
12. Arsentyev I.N., Bobyl A.V., Konnikov S.G., Tarasov I.S., Ulin V.P., Shishkov M.V., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Belyaev A.E., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Kamalov A.B., Lytvyn P.M., Markovsky E.P., Milenin V.V., Redko R.A. Porous nanostructured InP: Technology, Properties, Application // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. Kiev, 2005. V. 8. № 4. P. 95-104.
13. Камалов А.Б. Радиационные эффекты в барьерных контактах металл-GaAs // Петербургский журнал электроники. 2005. Вып. 4(45). С. 40-43.
14. Конакова Р.B, Исмайлов К.А., Утениязов Е., Камалов А.Б., Бижанов Е.. Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные СВЧ излучением // Узбекский физический журнал. Ташкент, 2003. Т. 5. №1. С. 29-33.
Труды международных конференций:
15. Камалов А.Б. Процессы структурного упорядочения в диодных структурах Mo-GaAs, стимулированные СВЧ излучением // Труды XVIII Международного совещания «Радиационная Физика твёрдого тела» -Севастополь, 2008. С. 152-157.
16. Камалов А.Б. Исследование термостабильности контактов на основе фаз внедрения с GaP // Труды пятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы физики» -Баку, 25-27 июня, 2008. С. 241-243.
17. Исмайлов К.А., Камалов А.Б., Отегенов Б.Ж. Влияние СВЧ излученияна свойства контакта Au-Ti-n-n+-GaAs. // Материалы IV Республиканской конференции «Рост, свойства и применение кристаллов» РСПК -2005. 27-29 октября 2005 г. Нукус-2005. С. 63-64.
18. Камалов А.Б. Влияние сверхвысокочастотной обработки на параметры диодов с барьером Шотки на основе GaP // Труды шестой международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе». Баку-Сумгаит, 14-16 ноября, 2007. С. 85-87.
19. Камалов А.Б. Радиационные эффекты в барьерных контактах металл- GaAs, стимулированные гамма-радиацией, микроволновым и лазерным облучением // Труды XV Международного совещания «Радиационная Физика твёрдого тела». Севастополь, 4 - 9 июля 2005. С. 234-238.
20. Камалов А.Б., Исмайлов К.А., Тагаев М.Б., Бекбергенов С.Е. Влияние гамма радиации и СВЧ излучения на эклектические и механические свойства диодных структур Au-TiBx-GaAs // Труды юбилейной международной научно-технической конференции посвященной 70-летию академика А.Ш. Мехтиева. «Информационные и электронные технологии в дистанционном зондировании». Баку, 20-23 декабрь 2004. С. 291-293.
Тезисы и материалы Международных научных конференций:
21. Камалов А.Б., Бекбергенов С.Б. Электрофизические свойства барьерных структур Pt-GaAs подвергнутых радиационным обработкам // Материалы конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Ташкент, 2010. С. 203-205.
22. Исмайлов К.А., Камалов А.Б., Бижанов Е.К. Радиационные изменения электрофизических свойства полупроводниковых гетероструктур // Материалы конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Ташкент, 2010. С. 198-200.
23. Kolyadina E.Yu., Kamalov A.B., Konakova R.V., Ismailov K.A., Lytvyn P.M., Matveeva L.A., Milenin V.V. Relaxation of intrinsic stresses in Au-Ti(TiBx)-n-n+-GaAs surface barrier structures induced by microwave radiation // Materials of International Scientific-Practical Conference “Structural Relaxation in Solids”. Vinitsa, May 23-25, 2006. Р. 225-227.
24. Камалов А.Б. Влияние СВЧ излучения на электрофизические свойства контактов Au-Ti(Au-TiBx, W)-GaAs // Материалы международной конференции, посвященной 15-летию независимости Узбекистана «Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Ташкент, 26-27 октября, 2006. С. 217-218.
25. Исмайлов К.А., Камалов А.Б., Сапаров Ф. Атермические механизмы релаксации внутренних механических напряжений в полупроводниковых гетероструктурах. // Тезисы Международной научной конференции «Физика и физическое образование: достижения и перспективы развития». Бишкек, 2006. С. 20.
26. Камалов А.Б. Влияние гамма и СВЧ излучения на электрофизические характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Ti-GaAs // Материалы VI Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, 28-30- сентября, 2005. С. 375-377.
27. Исмайлов К.А., Камалов А.Б., Насыров М.У. Влияние гамма радиации 60Со на изменение радиуса кривизны и электрофизические параметры ПБС Cr-GaP // Материалы международной научно-практической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников». Андижан, 20-21 декабря, 2005. С. 36-37.
28. Камалов А.Б. Влияние термообработки на электрофизические свойства силовых диодов Шоттки Au-TiBx-GaAs // Тезисы V Международной конференции «Актуальные проблемы физики полупроводников». Дрогобичь, 27-30 июня, 2005. С. 187-188.
РЕЗЮМЕ
механический напряжение контакт пленка
диссертации Камалова Амангелди Базарбаевича на тему: «Физические основы контактов металл-GaAs (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiBx» на соискание учёной степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников
Ключевые слова: пористая подложка InP, эпитаксиальные структуры, диод Ганна, омический и барьерные контакты, аморфные пленки, Оже-спектроскопия, атомно-силовая микроскопия.
Объект исследования: является приборные структуры с барьером Шоттки на основе GaAs (GaP, InP), предметом исследования выбраны процесс изменения параметров контактов металл-А3В5, сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiBx под воздействием гамма-радиации 60Со, СВЧ излучении и быстрой термической обработки.
Цель работы: выяснение механизмов повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx, .
Методы исследования: Оже-электронная спектроскопия в сочетании с ионным травлением (Ar+, En=1 кэВ), рентгеноструктурный анализ, атомно-силовая микроскопия. Облучение гамма квантами 60Со проводилось на установке МРХ--25М, а СВЧ обработка магнетронным излучением на частоте f=2,45ГГц с плотностью выходной мощности 1,5 Вт/см2. Вольтамперные характеристики исследовались на стандартизированных автоматизированных характериографах.
Полученные результаты и их новизна: проведен анализ механизмов формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов к А3В5, которые позволяют выявить закономерности влияния технологических факторов на механические напряжения в структурах контактов. Разработаны физико-технологические основы формирования контактов к А3В5 включающие быструю термообработку, позволяющие контролировать параметры контактов путем влияния на процессы фазообразования и параметры границы раздела. Разработан новый технологический подход к изготовлению автоэпитаксиальных пленок InP n-типа, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии на пористых подложках n+-InP и омических и барьерных контактов к ним с использованием аморфных фаз внедрения TiBx.
Практическая значимость: полученные данные по стойкости к внешним воздействиям полупроводниковых приборных структур с барьером Шоттки на основе А3В5 могут быть применены при создании полупроводниковых приборных структур с барьером Шоттки на основе А3В5.
Степень внедрения и экономический эффект: результаты исследований использованы в научно-исследовательских работах и опытно-конструкторских разработках в Научно-исследовательском институте «ОРИОН» при разработке и изготовлении СВЧ диодов с барьером Шоттки.
Область применения: твердотельная СВЧ электроника, полупроводниковое приборостроение, технология микроволновых полупроводниковых приборов.
Физика-математика фанлари доктори илмий даражасига талабгор Камалов Амангелди Базарбаевичнинг 01.04.10-Яримўтказгичлар физикаси ихтисослиги бўйича “Таш?и кучларнинг тоза металлар ва TiBx аморф плёнкалари билан шаклланган металл- А3В5 контактлари хоссаларига таъсирини тад?и? ?илиш” мавзусидаги диссертациянинг
РЕЗЮМЕСИ
Таянч сўзлар: InP ?овак тўшамаси, эпитаксиал тузилмалар, Ганн диоди, омик ва ?овли контактлар, аморф плёнкалар, Оже-спектроскопия, атом-куч микроскопияси.
Тад?и?от объектлари: 60Со гамма-радиация, ЎЮЧ-нурланиш ва тезкор термик ишлов таъсирида тоза металлар ва TiBx аморф плёнкалар билан шаклланган металл-А3В5 контакт параметрлари ўзгариши жараёни. Тад?и?от предмети сифатида тоза металлар ва TiBx аморф плёнкалар билан шаклланган Шоттка ?овили GaAs, (GaP, InP) асосидаги ?урилма тузилмалари олинди.
Ишнинг ма?сади: Диссертация ишининг ма?сади таш?и кучларнинг тоза металлар ва киритиш фазалари билан шаклланган Шотка ?овили асенидгаллий, фосфидгаллий, ва фосфидиндий ?урилма тузилмаларига таъсирини ўрганиш.
Тад?и?от услублари: Тажрибавий тад?и?отлар ?атор стандартлашган, автоматлашган услублардан А3В5 асосидаги Шоттка ?овили яримўтказгич ?урилмаларнинг электрофизик ва тузилиш хоссаларни ўрганишда фойдаланган ?олда олиб борилди. Фазалараро таъсирларни ўрганишда Оже электрон спектроскопия, рентгенструктуравий та?лил, атом кучли микроскопия (АКМ) усулларидан фойдаланилди.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: А3В5 контакт тузилмалари ва плёнкаларда технологик омилларнинг контакт тузилмаларида механик кучланишларга таъсири ?онуниятларини очиб беришга имкон берувчи механик кучланишларнингшаклланиши механизми та?лили олиб борилди. Фаза ?осил ?илиш ва бўлиниш чегараси параметрларига таъсир ор?али контактларнинг параметрларини назорат ?илишга имкон берувчи тезкор ?арорат ишлови бериш асосида А3В5 контактлари шаклланиши физик-технологик асослари ишлаб чи?илди. -n+-InP ?овакли тўшамаларида сую? фазали эпитаксия усули билан етилтириладиган n-туридаги InP эпитаксиал плёнкаларини ?амда TiBx киритиш аморф фазасини ?ўллаган ?олда улар учун омик ва ?овли контактлар тайёрлашга янги технологик ёндашув ишлаб чи?илди.
Амалий а?амияти: А3В5 асосидаги яримўтказгич ?урилма тузилмаларининг таш?и таъсирларга бар?арорлигини ўрганиш бўйича олинган натижалар А3В5 асосидаги яримўтказгич ?урилма тузилмаларини яратишда ?ўлланилиши мумкин.
Татби? этиш даражаси ва и?тисодий самарадорлиги: тад?и?от натижалари илмий-тад?и?от ишларида ва тажриба конструкторлик амалиётларида “ОРИОН” илмий-тад?и?от институтида Шоттка ?овили ЎЮЧ диодлар ишлаб чи?ишда ва тайёрлашда ?ўлланилган.
?ўлланиш со?аси: ?атти? жинсли ЎЮЧ электроника, яримўтказгич ?урилмалар тайёрлаш, микротўл?инли яримўтказгич ?урилмалар тиехнологияси.
RESUME
Thesis of Kamalov Amangeldi Bazarbayevich on the scientific degree competition of the doctor of sciences in physic and mathematic sciences on specialty 01.04.10 - semiconductor physics subject: “Basic physics of contacts of metal-GaAs (GaP, InP), generated by fine metals and amorphous films TiBx”
Key words: InP`s porous bottom layer, epitaxial structures, Gunn diode, ohmic and barrier contacts, amorphous films, Auger spectroscopy, atomic-force microscopy.
Object of research: is instrumental structures with Schottky barrier on basis of GaAs (GaP, InP), as subject of research are selected transition process of the characteristic of metal металл-А3В5, generated by fine metals and amorphous films TiBx under the influence of 60Со gamma-radiation, microwave radiation and rapid thermal treatment.
Purpose of work: clarifying the mechanism of reproducibility increasing and stabilization of instrumental structures on basis of GaAs, GaP and InP with Schottky barrier generated by amorphous films TiBx.
Methods of research: аuger-electron spectroscopy in aggregate with ion etching (Ar+, En=1 kiloelectronvolt), X-ray structural analysis, atomic-force microscopy. 60Со gamma-quantum irradiation conducted on installation МРХ--25М, and microwave treatment with magnetron radiation on a frequency f=2,45 GHz with1,5 Vt/sm2 output power density. Voltage-current characteristic investigated on standardized automated curve tracers.
The results obtained and their novelty: conducted the analysis of the mechanism of mechanical stress on films and contact structures against the А3В5, which allows clarify the regularity of processing factors` impact on mechanical stress of contact structures. Developed the physic-technological basis of contacts generating against А3В5 including rapid thermal treatment, which allows to control contact characteristic by the impact on phase formation process and interface characteristic. Developed the new technological approach to preparation of autoepitaxial films of InP n type, growing by the method of liquid-phase epitaxy on n+-InP porous bottom layer and ohmic and barrier contacts to them using the amorphous interstitial phase of TiBx.
Practical value: findings on external action tolerance of the semiconductor instrumental structures with Schottky barrier on basis of А3В5 can be used in creating the semiconductor instrumental structures with Schottky barrier on basis of А3В5.
Degree of embed and economic effectivity: findings of research are used in research scientific works and engineering developments in “ORION” research institution at developing and preparing microwave diode with Schottky barrier.
Field of application: solid-state microwave electronics, semiconductor instrument making, the technology of microwave semiconductor instruments.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Современное состояние элементной базы полупроводниковых оптических преобразователей. Воздействие электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs n-типа.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 18.07.2014Загальна характеристика терагерцового випромінювання. Напівпровідникові гетероструктури. Загальна характеристика речовин GaAs, AlAs. Будова надрешітки. Рух електронів у статичному електричному полі та у терагерцових полях. Використання осцилятора.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 04.12.2014Применение коммутирующих устройств в конструкции агрегатов современной техники. Автоматизированный измерительный прибор И-189-73 для оценки качества взаимодействия слаботочных контактов. Сверхпроводимость и формирование структуры "трибометаллокерамики".
курсовая работа [731,7 K], добавлен 23.12.2010Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Функціонал електронної густини Кона-Шема. Локальне та градієнтне наближення для обмінно-кореляційної взаємодії. Одержання та застосування квантово-розмірних структур. Модель квантової ями на основі GaAs/AlAs. Розрахунки енергетичних станів фулерену С60.
магистерская работа [4,6 M], добавлен 01.10.2011Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014Электролюминесценция кристаллофосфоров на основе сульфида цинка. Механизмы возбуждения электролюминесценции. Механизмы свечения цинк-сульфидных электролюминофоров. Зависимость интегральной яркости электролюминесценции от частоты.
дипломная работа [3,1 M], добавлен 26.04.2007Расчет слаботочных контактов и электромагнита. Определение основных размеров и параметров электромагнита, магнитопровода и катушки. Вычисление и приведение действующих сил. Расчет параметров пружин. Согласование тяговой и механической характеристик.
курсовая работа [121,3 K], добавлен 04.09.2012Основные понятия, виды (диамагнетики, ферримагнетики, парамагнетики, антиферромагнетики) и условия проявления магнетизма. Природа ферромагнитного состояния веществ. Сущность явления магнитострикции. Описание доменных структур в тонких магнитных пленках.
реферат [25,6 K], добавлен 30.08.2010Физические механизмы удержания. Электронная дрейфовая волна. Флуктуации и их связь с турбулентным переносом. Основные масштабы и механизмы турбулентного переноса. Различные режимы удержания и скейлинги. Бутстреп токи в граничном пьедестале плазмы.
курс лекций [1,7 M], добавлен 29.10.2013Природа звука, физические характеристики и основы звуковых методов исследования в клинике. Частный случай механических колебаний и волн. Звуковой удар и кратковременное звуковое воздействие. Звуковые измерения: ультразвук, инфразвук, вибрация и ощущения.
реферат [24,5 K], добавлен 09.11.2011Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.
реферат [755,3 K], добавлен 17.12.2013Дослідження функцій, які описують спектри модуляційного фотовідбивання; експериментально отримано спектри модуляційного фотовідбивання для епітаксійних плівок; засобами пакету MatLab апроксимовано експериментальні спектри відповідними залежностями.
курсовая работа [815,3 K], добавлен 08.06.2013Основы физики полупроводников, их энергетические зоны, уровни. Распределение носителей в зонах, их рекомбинация. Движение носителей и контактные явления в данных устройствах. Особенности контактов между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости.
контрольная работа [780,1 K], добавлен 19.08.2015Физические основы различных распылений: ионного, катодного, магнетронного, высокочастотного. Получение покрытий распылением в несамостоятельном газовом разряде. Методы контроля параметров осаждения покрытий. Вакуумная металлизация полимерных материалов.
курсовая работа [457,3 K], добавлен 19.01.2011Диапазон параметров приборов, дифференциальное сопротивление на участке стабилизации. Температурный коэффициент напряжения стабилизации, примеры практического применения прибора. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики при разных температурах.
курсовая работа [740,7 K], добавлен 21.02.2023Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл. Формула и реферат описания изобретения. Характеристика современных светодиодов, их устройство и работа. Разработка голубых светодиодов. Получение белого света с их помощью.
курсовая работа [709,9 K], добавлен 23.07.2010История развития устройств хранения данных на магнитных носителях. Причины появления доменов, а также запоминающие устройства на тонких магнитных пленках. Доменная структура тонких магнитных пленок. Запоминающие устройства на гребенчатых структурах.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 23.12.2012Особенности двухстоечного винтового пресса, рассмотрение и характеристика элементов: станина, поперечина. Способы проверки винта на устойчивость и определения нормальных, касательных и эквивалентных напряжений. Этапы расчета момента трения в резьбе.
курсовая работа [861,4 K], добавлен 25.01.2013
