Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 31.07.2018 |
| Размер файла | 203,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени кандидата физико - математических наук
Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
А.А. Моез
Санкт-Петербург - 2007
Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)
Научный руководитель -
доктор физико-математических наук, профессор Пихтин А. Н.
Официальные оппоненты:
доктор физико-математических наук, профессор Сейсян Р.П.
кандидат физико-математических наук, доцент Удальцов В.Е.
Ведущая организация - Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы: Полупроводниковые эпитаксиальные слои и структуры на основе арсенида галлия и фосфида индия являются не только интересными объектами для фундаментальных исследований, но и широко используются в оптоэлектронике и наноэлектронике. Именно на основе этих материалов изготавливаются современные полупроводниковые приборы, поэтому неразрушающая диагностика таких слоёв является важной задачей физики полупроводников. Применяемые для этой цели методы электронной микроскопии, Оже-спектроскопии и электронно-зондового микроанализа весьма трудоёмки и требуют дорогостоящего оборудования. Развиваемые в настоящей работе методы фотоотражения (ФО) и электроотражения (ЭО) являются разновидностью модуляционной оптической спектроскопии и обладают высокой чувствительностью и информативностью. Они сравнительно просты в практической реализации, не требуют помещения образца в высокий вакуум и являются неразрушающими.
Исследуемые в настоящей работе эпитаксиальные слои арсенида галлия, фосфида индия и их твёрдые растворы являются базовыми материалами для современной опто- и наноэлектроники. Поэтому полученные результаты могут представлять общий интерес для физики и техники полупроводников.
Целью диссертационной работы является исследование влияния легирования на форму спектров фото- и электроотражения объемных кристаллов и эпитаксиальных слоёв InP, GaAs, GaAs1-xPx и разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля и высоты потенциального барьера в структурах металл-полупроводник.
Задачи исследования:
1. Измерение модуляционных оптических спектров фотоотражения InP и GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму.
2. Расшифровка дифференциальных спектров ФО и ЭО и выделение вклада экситонных переходов в их формирование.
3. Определение встроенных электрических полей и концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях InP и GaAs по спектрам ФО и ЭО.
4. Измерение спектров ФО и ЭО эпитаксиальных слоёв твёрдых растворов GaAs1-xPx и разработка метода определения концентрации свободных носителей заряда в них.
5. Разработка метода определения высоты потенциального барьера металл-полупроводник на примере системы Ag-GaAs1-xPx и определение влияния состава твёрдого раствора на эту величину.
В качестве объектов исследования были выбраны:
- эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией свободных носителей заряда от 1013 до 1017 см-3, выращенные методом газофазной или жидкофазной эпитаксии как на полуизолирующих, так и на низкоомных n+-подложках;
- эпитаксиальные слои n- и p-InP с концентрацией свободных носителей заряда n от 1015 до 1018 см-3 и p1016 см-3, выращенные методом газофазной эпитаксии;
- эпитаксиальные слои твёрдых растворов GaAs1-xPx в диапазоне составов 0?х?1, выращенные методом газофазной эпитаксии.
Методы исследований: Экспериментальные методы фото- и электроотражения. Математические методы численного решения дифференциальных уравнений для определения концентрации свободных носителей заряда и высоты потенциального барьера в структурах металл-полупроводник.
Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:
1. Показано, что форма модуляционных спектров фото- и электроотражения монокристаллических эпитаксиальных слоёв InP и GaAs определяется в основном концентрацией свободных носителей заряда.
2. Спектральное положение и форма осцилляций в спектрах ФО и ЭО GaAs1-xPx определяются как составом х твёрдого раствора, так и концентрацией свободных носителей заряда.
3. Методом электроотражения определена зависимость высоты потенциального барьера Шоттки Ag-GaAs1-xPx от состава твёрдого раствора и показано, что она может быть аппроксимирована квадратичной функцией х.
Практическая значимость работы:
1. На основе измерений спектров фотоотражения разработан неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в объемных кристаллах и эпитаксиальных слоях InP, GaAs и GaAs1_xPx в диапазоне изменения n от 51013 до 51017 см-3.
2. Получены данные о высоте потенциального барьера Шоттки Ag-GaAs1_xPx, необходимые для создания селективных фотоприёмников.
Научные положения, выносимые на защиту:
1. Форма линий фото- и электроотражения однородных эпитаксиальных слоёв InP и GaAs определяется концентрацией свободных носителей заряда и изменяется с её ростом от единичной осцилляции в случае малых концентраций (1012 см3 для GaAs) к уширяющимся затухающим осцилляциям Франца-Келдыша.
2. Фотоотражение, измеренное при комнатной температуре, позволяет определять концентрации свободных носителей заряда в InP в диапазоне от 6·1015 до 1.4·1018 см3 и в GaAs в диапазоне от 5·1013 до 5·1017см3.
3. Высота потенциального барьера Ag-GaAs1-xPx, определённая методом электроотражения, монотонно растёт с увеличением доли фосфора в твёрдом растворе и может быть аппроксимирована квадратичной функцией состава х.
Апробация работы:
Основные результаты диссертационной работы докладывались на следущих конференциях:
- 6-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, Россия, 2004);
- 8-й научной молодёжной школе по твердотельной электронике “Актуальные аспекты нанотехнологии”( Санкт-Петербург, Россия, 2005);
- 10-й научной молодежной школе по твердотельной электронике “Физика и технология микро- и наносистем” (Санкт-Петербург, Россия, 2007);
- научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (2005-2006).
Публикации:
По теме диссертации опубликованы 4 научные работы, из них - 1 статья, опубликованная в ведущих рецензируемых научных журналах рекомендованных ВАК, 3 работы - в трудах научно-технических конференций.
Объём и структура диссертации:
Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка литературы, включающего 68 наименований. Основная часть диссертации изложена на 100 страницах машинописного текста. Работа содержит 30 рисунков и 12 таблиц.
СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
Во введении к диссертации приведено обоснование актуальности темы, сформулированы цель и задачи работы, её научная новизна, практическая ценность полученных результатов и научные положения, выносимые на защиту.
В первой главе на базе обзора литературы рассматриваются физические основы фото- и электроотражения, как эффективных методов исследования полупроводниковых материалов и структур. Рассмотрен эффект Франца-Келдыша, который является основной причиной появления сигналов ФО и ЭО в объёмных полупроводниках. Проведён обзор опубликованных работ, в которых ФО применялось для характеризации эпитаксиальных слоёв InP и GaAs.
Сущность метода ФО заключается в регистрации изменения отражённого зондового света вследствие периодического возмущения поверхности образца лазерным лучом, энергия фотонов которого находится в области собственного поглощения исследуемого объекта. При этом возникают электрон-дырочные пары. Оказавшись в электрическом поле приповерхностной области, электроны и дырки разделяются, что приводит к уменьшению барьерного электрического поля. Возникающие при этом изменения оптических характеристик модулируют отражённый зондовый свет, который детектируется с помощью фазочувствительной техники в виде дифференциального спектра. В методе электроотражения, модуляция оптических характеристик производится непосредственно за счёт приложения внешнего переменного электрического поля, например, к нанесённым на образец металлическим контактам. Наличие этих контактов позволяет прикладывать к структуре различные по знаку и величине напряжения постоянного смещения, что значительно расширяет аналитические возможности метода ЭО.
В последней части главы описываются свойства твёрдых растворов GaAs1-xPх. В зависимости от состава эти твёрдые растворы являются или прямозонными (х=0…0,46), или непрямозонными (х=0,46…1). В случае непрямозонных составов минимальный энергетический зазор наблюдается в точке Х. концентрация электрическое поле заряд
Во второй главе описана использованная в работе экспериментальная установка и применённые автором методики измерения спектров фото- и электроотражения. Отмечена необходимость повышения чувствительности измерений, так как изменения коэффициента отражения ДR/R при фотомодуляции составляют всего 10-5 - 10-4. С этой целью для регистрации модуляционных спектров был разработан малошумящий усилитель. Обработка электрического сигнала проводилась по стандартному принципу синхронного детектирования.
Во второй части главы приводятся характеристики исследованных образцов: эпитаксиальных слоёв InP и GaAs. Указаны методы их получения и основные параметры. Для некоторых образцов имеются результаты измерений методом Холла, которые использовались для сравнения с получаемыми в ходе работы данными. Также приводятся характеристики твердых растворов GaAs1-xPx, выращенных методом газофазной эпитаксии на подложке GaAs или GaP (в зависимости от состава).
При подготовке образцов к измерению ЭО на полупроводниковую пластину наносились металлические контакты. Со стороны исследуемого эпитаксиального слоя напылялся полупрозрачный слой серебра, выполняющий роль барьера Шоттки. Его нанесение проводилось методом вакуумного термического осаждения на установке ВУП-4. Со стороны подложки при помощи технологии лазерного вжигания формировался омический контакт.
В третьей главе приводятся результаты исследования объёмных кристаллов и эпитаксиальных слоёв InP и GaAs методом ФО.
В первой части главы дана методика определения напряжённости внутреннего электрического поля и концентрации свободных носителей заряда по спектрам фотоотражения эпитаксиальных слоёв InP. Спектры ФО таких образцов представляли собой последовательные затухающие осцилляции при энергии больше ширины запрещённой зоны Eg (1,34 эВ для InP при комнатной температуре). Эти осцилляции описывались в асимптотическом приближении уширенного эффекта Франца-Келдыша выражением
, (1)
а в точках экстремумов наблюдаемых осцилляций выполнялось равенство
, (2)
где j- порядковый номер экстремума. В приведённых формулах: Г- параметр уширения, hщ=E- энергия фотона зондового пучка света, ц- фазовый фактор, а hи- электрооптическая энергия, которая характеризует эффективный (кажущийся) сдвиг края поглощения полупроводника приповерхностным электрическим полем Es. Величина электрооптической энергии определяется выражением
, (3)
где м=(1/me+1/mh)-1- приведённая эффективная масса электрона и дырки в направлении поля.
Рис. 1. Зависимости энергетического положения экстремумов осцилляций Франца-Келдыша (ОФК) в спектрах ФО от номера экстремума j для исследованных эпитаксиальных слоёв InP.
Для определения Es строился график зависимости (Ej-Eg)3/2 от номера экстремума j. На рисунке 1 точками показаны экспериментальные значения положения экстремумов, а сплошными линиями - прямые проведённые по методу наименьших квадратов. Как видно на этом рисунке, рассматриваемая зависимость даёт прямую линию с некоторым наклоном. Тангенс угла этого наклона пропорционален искомой напряжённости электрического поля Es. Стоит отметить, что экспериментальные точки достаточно хорошо укладываются на соответствующие прямые линии, что свидетельствует об однородности электрического поля в области формирования сигнала ФО.
Концентрация свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника определялась при помощи решения уравнения Пуассона, куда подставлялись взятые из литературы значение диэлектрической проницаемости исследуемого полупроводника е и величина пиннинга уровня Ферми на поверхности InP. В таблице 1 приводятся результаты для некоторых из исследованных образцов эпитаксиальных слоёв InP.
Таблица 1
|
№ образца |
Концентра-ция (метод Холла), см-3 |
Электро-оптическая энергия, мэВ |
Напряжённость электрического поля, Es (метод ФО), кB/см |
Концентрация (метод ФО), см-3 |
|
|
n-InP 1 |
- |
51 |
360 |
1.4·1018 |
|
|
n-InP 2 |
- |
8 |
24 |
6.0·1015 |
|
|
n-InP 3 |
- |
12 |
39 |
1.7·1016 |
|
|
p-InP |
4·1016 |
13 |
42 |
2.0·1016 |
Рис. 2. Спектры фотоотражения образцов GaAs различного качества, измеренные при комнатной температуре.
Вторая часть третьей главы посвящена методике бесконтактной характеризации эпитаксиальных слоёв GaAs различной степени чистоты.
В основу методики положено измерение спектров ФО при комнатной или «азотной» температурах. В случае относительно большой концентрации (1014 - 1017 см3) величину |ND-NA| можно было определить по описанному выше методу. Типичные спектры ФО для таких эпитаксиальных слоёв GaAs приведены на рисунке 2. Уменьшение периода осцилляций от образца к образцу указывает на уменьшение приповерхностного электрического поля, что вызвано более низким уровнем легирования эпитаксиального слоя. Здесь также показана ширина на полувысоте основного экситонного пика фотоотражения (ДЕ). Было замечено, что ДЕ уменьшается при снижении концентрации |ND-NA|. Полученная эмпирическая зависимость приведена на рисунке 3. Величина ДЕ может служить дополнительным источником информации о качестве полупроводникового слоя.
Характеризация образцов GaAs с концентрацией меньше 1014 см-3 проводилась при температуре 85 К. В этих условиях удавалось выявить осциллирующую структуру, аналогичную ОФК и количественно оценить |ND-NA|.
Полученые при пониженной температуре методом ФО значения концентрации хорошо коррелировали с данными метода Холла (Т=77К). Однако, в случае, когда эпитаксиальные слои выращивались на n+-подложке, фотоотражение оставалось практически единственным методом количественного определения |ND-NA|. Это вызвано тем, что при использовании электрофизических методов сильнолегированная подложка шунтирует исследуемый эпитаксиальный слой.
Рис. 3. Зависимость ширины на полувысоте пика ФО вблизи Egeх от концентрации свободных носителей заряда в GaAs, определённой по ОФК.
Помимо спектральной особенности в фундаментальной области, в спектрах ФО GaAs наблюдается длинноволновый пик при энергии на 30ч40 мэВ меньше ширины запрещённой зоны этого материала.
Интенсивность длинноволнового пика (ДВП) связана с шириной области пространственного заряда, которая, в свою очередь, зависит от уровня легирования образца. Мы предположили, что отношение интенсивности ДВП к амплитуде основной осцилляции можно использовать для косвенной оценки ширины области пространственного заряда. Наблюдалось резкое увеличение этого отношения при уменьшении |ND-NA|. Данное явление можно связать с увеличением ширины области, в которой происходит модуляция поглощения при многократном внутреннем отражении от задней грани образца.
Четвёртая глава посвящена исследованию методами ФО и ЭО твёрдых растворов GaAs1-xPx.
Рис. 4. Типичные спектры фотоотражения твёрдых растворов GaAs1-xPx при х=0.30 , 0.37 и 0.38.
В первой части главы описано исследование твёрдых растворов методом ФО.
На рисунке 4 приведены типичные спектры фотоотражения твёрдых растворов GaAs1-xPx при х=0.3, 0.37 и 0.38. Энергия запрещенной зоны увеличивается с увеличением доли фосфора. Полученные экспериментально значения Eg приведены в таблице 2. Эти значения хорошо согласуются с данными, опубликованными в литературе.
Как и для бинарных соединений, спектры ФО твёрдых растворов представляют собой затухающие осцилляции Франца-Келдыша. Используя описанную выше методику в этом материале также были определены напряжённости внутреннего электрического поля. Полученные результаты сведены в таблицу 2.
Таблица 2.
|
Состав (х) |
Концентрация по Холлу, см3 |
Ширина запрещен-ной зоны (метод ФО), эВ |
Напряжён- ность электричес-кого поля Es, кВ/см |
Концентрация, (метод ФО), см3 |
|
|
0.18 |
3.6·1017 |
1.590 |
132 |
6.2·1017 |
|
|
0.28 |
2.8·1017 |
1.650 |
11 |
4.7·1016 |
|
|
0.30 |
-- |
1.790 |
6 |
1.0·1016 |
|
|
0.37 |
-- |
1.822 |
55 |
1.2·1017 |
|
|
0.38 |
2.3·1017 |
1.840 |
60 |
1.6·1017 |
Очевидно, что величина пиннинга уровня Ферми на поверхности твёрдых растворов GaAs1-xPx зависит от состава. Эти данные отсутствуют в литературе, поэтому для одновременного определения и концентрации, и пиннинга мы воспользовались методом электроотражения.
Рис. 5. Типичные спектры электроотражения твёрдых растворов GaAs1-xPx (х=0,7).
Вторая часть четвёртой главы посвящена исследованию твёрдых растворов GaAs1-xPx методом ЭО, а также разработке независимого метода определения высоты потенциального барьера металл-полупроводник Vbi (на примере контакта Ag- GaAs1-xPx).
На рисунке 5 показаны типичные спектры электроотражения GaAs1_xPx (х=0,7) при разных величинах обратного смещения (V). Из рисунка видно что, число ОФК растёт с увеличением обратного смещения. Чем больше осцилляций, тем точнее определение поля.
Для определения качества барьера Шоттки была построена зависимость напряжённости приповерхностного электрического поля от корня квадратного обратного смещения. Линейность этой зависимости подтвердила хорошее качество исследуемых барьерных структур.
Важным отличием ЭО от ФО является возможность прикладывания хорошо контролируемого напряжения смещения. Это позволяет получать для каждого образца целую серию модуляционных спектров (рис. 5), а анализ спектров ЭО (при нескольких V) дал возможность определить не только Es и |ND-NA|, но и Vbi. Учитывая прикладываемое напряжение смещения V в решении уравнения Пуассона, получаем следующее соотношение для высоты потенциального барьера:
. (4)
При помощи этого уравнения и двух или более спектров ЭО определяется искомая высота барьера Vbi. В таблице 3 приведены основные результаты, которые получены с помощью используемого метода. Из таблицы видно, что Vbi сильно зависит от состава твёрдого раствора и растёт с увеличением доли фосфора в нём.
Таблица 3
|
Состав (х) |
Напряжённость электрического поля Es, кВ/см |
Концентрация свободных носителей заряда, cм-3 |
Высота барьера Vbi, эВ |
|
|
0 |
20 |
1.75 ·1015 |
0.75 |
|
|
0.3 |
64 |
3.8·1016 |
0.91 |
|
|
0.4 |
92 |
2.8·1016 |
1.05 |
|
|
0.57 |
52 |
7.3·1015 |
1.24 |
|
|
0.7 |
79 |
1.55·1016 |
1.29 |
|
|
0.85 |
106 |
2.4·1016 |
1.50 |
На рисунке 6 показана зависимость высоты барьера Ag-GaAs1-xPx от состава для исследованных образцов твёрдых растворов. На этом рисунке видно, что определённая методом электроотражения высота потенциального барьера Ag-GaAs1-xPx монотонно растёт с увеличением доли фосфора в твёрдом растворе. Отметим, что в полученной нами зависимости не наблюдается характерный «излом» вблизи х=0,46 при переходе от прямой к непрямой структуре энергетических зон.
Рис. 6. Зависимость высоты барьера Ag-GaAs1-xPx от состава
Эта эмпирическая зависимость может быть аппроксимирована квадратичной функцией состава х:
Vbi = 0.36·х2 + 0.61·x + 0.73. [эВ] (5)
Эта зависимость хорошо коррелирует с данными, полученными на этих же образцах фотоэлектрическим методом.
В заключении сформулированы основные результаты работы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Показано влияние свободных носителей заряда на форму спектральных линий фото- и электроотражения монокристаллических эпитаксиальных слоёв InP и GaAs.
2. Бесконтактно, при комнатной температуре определена напряжённость приповерхностного электрического поля и измерена концентрация |ND_NA| в InP (6·1015ч 1·1018 см3) и в GaAs (5·1013ч5·1017 см3).
3. Методом электроотражения определена высота потенциального барьера Ag-GaAs1-xPx при разных составах. Показано, что эта величина монотонно растёт с увеличением доли фосфора в твёрдом растворе и может быть аппроксимирована квадратичной функцией состава х.
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
1. Бесконтактное определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистом арсениде галлия / А.А. Моез [и др.] // 6-я Всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. - Санкт-Петербург, 2004.- С. 4.
2. Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия методом фотоотражения / А.А. Моез [и др.] // Изв. СПбГЭТУ “ЛЭТИ” (Известия государственного электротехнического университета). Сер. Физика твёрдого тела и электроника. -2005. - № 2. - С. 48-51.
3. Комков, О.С. Низкотемпературное фотоотражение сверхчистого арсенида галлия / О.С. Комков, А.А. Моез // 8-я научная молодёжная школа по твердотельной электронике “Актуальные аспекты нанотехнологии”. -Санкт-Петербург, 2005. - С. 48.
4. Моез, А.А. Исследование твёрдых растворов GaAs1-xPx методом электроотражения / А.А. Моез, О.С. Комков // 10-я научная молодежная школа по твердотельной электронике “Физика и технология микро- и наносистем”. -Санкт-Петербург, 2007. - С.51-52.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Работа сил электрического поля при перемещении заряда. Циркуляция вектора напряжённости электрического поля. Потенциал поля точечного заряда и системы зарядов. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля. Эквипотенциальные поверхности.
реферат [56,7 K], добавлен 15.02.2008Понятие и свойства полупроводника. Наклон энергетических зон в электрическом поле. Отступление от закона Ома. Влияние напряженности поля на подвижность носителей заряда. Влияние напряжённости поля на концентрацию заряда. Ударная ионизация. Эффект Ганна.
реферат [199,1 K], добавлен 14.04.2011Экспериментальные методы измерения подвижности носителей зарядов в диэлектриках. Эффект переключения диэлектрических пленок в высокопроводящее состояние. Исследование подвижностей носителей заряда времяпролетным методом. Изготовление пленочных образцов.
дипломная работа [484,3 K], добавлен 13.10.2015Исследование формирования катодолюминесцентного излучения, генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей заряда. Характеристика кинетики процессов возгорания и гашения люминесценции, концентрации легирующих примесей в ряде полупроводников.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 10.06.2011Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.
курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013Структуры с квантовым ограничением за счет внутреннего электрического поля. Модуляционно- и дельта-легированные структуры. Баллистический транспорт носителей заряда. Схематическая зонная диаграмма квантовой ямы. Строение полупроводниковых сверхрешеток.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 24.04.2014Поиск местонахождения точки заряда, отвечающей за его устойчивое равновесие. Нахождение зависимости напряженности электрического поля, используя теорему Гаусса. Подбор напряжения и заряда на каждом из заданных конденсаторов. Расчет магнитной индукции.
контрольная работа [601,8 K], добавлен 28.12.2010Понятие электрического заряда, единица его измерения. Закон сохранения алгебраической суммы заряда в замкнутой системе. Перераспределение зарядов между телами при их электризации. Особенности взаимодействия зарядов. Основные свойства электрического поля.
презентация [185,5 K], добавлен 07.02.2015Исследование спектров электролюминесценции, вольт-амперных и люкс-амперных характеристик "фиолетовых" и "желтых" светодиодов в температурном диапазоне 300-90 К. Анализ процессов токопереноса, генерации и рекомбинации носителей заряда в гетероструктурах.
контрольная работа [245,8 K], добавлен 11.08.2010Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014Элементарный электрический заряд. Закон сохранения электрического заряда. Напряженность электрического поля. Напряженность поля точечного заряда. Линии напряженности силовые линии. Энергия взаимодействия системы зарядов. Циркуляция напряженности поля.
презентация [1,1 M], добавлен 23.10.2013Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015Определение напряжённости поля, создаваемого пластинами. Расчет ускорения, сообщаемого электрическим полем Земли. Нахождение общего заряда батареи конденсаторов и заряда на обкладках каждого из них в заданных случаях. Расчет полезной мощности батареи.
контрольная работа [70,9 K], добавлен 21.04.2011Исследование электрического поля методом зонда. Температурная зависимость сопротивления проводников и полупроводников. Определение удельного заряда электрона. Магнитное поле кругового тока и измерение горизонтальной составляющей магнитного поля Земли.
учебное пособие [4,6 M], добавлен 24.11.2012Металлургические свойства арсенида галлия - химического соединения галлия и мышьяка. Полупроводниковые приборы на его основе. Выращивание кристаллов, направленная кристаллизация. Проведение зонной плавки дополнительной очистки и получения монокристалла.
курсовая работа [458,7 K], добавлен 01.10.2009Понятие и предмет электростатики. Изучение свойств электрического заряда, закона сохранения заряда, закона Кулона. Особенности направления вектора напряженности. Принцип суперпозиции полей. Потенциал результирующего поля, расчет по методу суперпозиции.
презентация [773,6 K], добавлен 26.06.2015Сущность внутреннего фотоэффекта. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Измерение фотоэлектромагнитного эффекта. Особенности p-n переходов в полупроводниках, барьер Шоттки для электронов.
курсовая работа [788,8 K], добавлен 27.11.2013Электрический заряд. Взаимодействие заряженных тел. Закон Кулона. Закон сохранения заряда. Електрическое поле. Напряженность электрического поля. Электрическое поле точечного заряда. Принцип суперпозиции полей. Электромагнитная индукция. Магнитный поток.
учебное пособие [72,5 K], добавлен 06.02.2009Описание опытов Стюарта, Толмена и Рикке по изучению носителей заряда в металлах. Определение направления, сопротивления и силы электрического тока в металлах. Возможности применения сверхпроводимости в проводнике в ускорителях элементарных частиц.
презентация [1,2 M], добавлен 20.10.2012Сущность механизма электропроводности. Волновая функция электрона в кристалле. Квазиимпульс и эффективная масса носителей заряда. Статистика электронов и дырок в полупроводнике. Структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Энергонезависимые элементы памяти.
курсовая работа [697,7 K], добавлен 14.02.2016
