Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

Размещено на http://www.allbest.ru/

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

01.04.10 -- Физика полупроводников

Куликов Олег Николаевич

Краснодар - 2012

Работа выполнена на кафедре физики и информационных систем ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный университет»

Научный руководитель:

доктор физ.-мат. наук, профессор Богатов Николай Маркович

Официальные оппоненты:

Чижиков Владимир Михайлович доктор физ.-мат. наук, профессор заведующий кафедрой теоретической физики и компьютерных технологий ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный университет»

Васильченко Александр Анатольевич кандидат физ.-мат. наук, доцент ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный технологический университет»

Ведущая организация:

ФГАОУ ВПО «Северо-Кавказский федеральный университет»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Современная электроника, являющаяся основным средством обработки и передачи информационных потоков, развивается по двум основным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники. Тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и нанометровых размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемотехники, при использовании принципа технологической интеграции статических неоднородностей - потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем, металлические и диэлектрические участки кристалла.

Разработчики интегральных схем первого направления изыскивают возможности уменьшения размеров активных областей, способы обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.

Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения функций сложных электронных систем.

Эти явления являются физической основой функциональной электроники. Интеграция в функциональной электронике параметрическая, интегрируются функции преобразования, что исключает схемотехнический принцип их формирования, а, следовательно, компонентную и элементную их интеграцию. Физические процессы и явления, происходящие в твердом теле, используются для моделирования функций передачи и преобразования, определяемых способами обработки массивов информации.

Одним из направлений функциональной электроники - является негатроника. Эта область электроники связана с теоретическим рассмотрением и практической реализацией электронных приборов, имеющих в своих рабочих режимах отрицательное значение основного дифференциального параметра, в частности, отрицательного активного сопротивления. В настоящее время разработаны различные виды полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Представителями этого класса приборов являются: мощные сверхвысокочастотные приборы - лавинно-пролетные диоды, ключи на лавинных транзисторах с высоким быстродействием и временем отклика на воздействие, сильноточные полупроводниковые переключатели на динисторах и тиристорах. Развитие этой области электроники проходило неравномерно и, в отличие от классической транзисторной электроники, долгое время не имело четкой теоретической базы.

Первым толчком в исследованиях данного направления считается открытие падающего участка на вольтамперной характеристике полупроводникового точечного диода, сделанное О.В. Лосевым. Также принято считать, что это открытие дало начало эре полупроводниковой электроники.

Однако, успешное развитие больших и сверхбольших микросхем ослабило научный интерес разработчиков от этого направления. Тем не менее, освоение и дальнейшее использование СВЧ диапазона привело к интенсивным поисковым исследованиям физических эффектов и полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением. Усилия были направлены на создание полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением на высоких и сверхвысоких частотах. Началом поиска путей создания таких СВЧ-приборов было положено Шокли. В ходе экспериментальных исследований были получены практические результаты в виде: диода Ганна, туннельного диода Эсаки, лавинно-пролетного диода и его разновидность ТРАПАТТ-диод, инжекционно-пролетный диод.

В низкочастотном диапазоне серьезное практическое распространение получили четырехслойные полупроводниковые структуры типа p-n-p-n и их различные вариации, обладающие отрицательным сопротивлением. В снове принципа работы лежит тиристорный эффект, который обусловлен лавинным умножением носителей на закрытом среднем p-n-переходе. Наиболее широкое применение в схемотехнике получили динисторы и тиристоры. Самые полные теоретические и практические исследования таких тиристорных систем проведены С.А. Гаряиновым и Н.Д. Абезгаузом. Эти приборы могут работать в усилительном, генераторном и ключевом режимах.

Исследование эффекта лавинного умножения в коллекторном переходе биполярного транзистора привело к созданию лавинного транзистора, на вольтамперной характеристике, которого имеется участок отрицательного сопротивления. Теоретические исследования таких приборов с отрицательным сопротивлением и импульсных устройств на их основе, были проведены В.П. Дьяконовым.

Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная разработке математической модели нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей элемент с S-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления, является актуальной.

Объект исследований: процесс генерации релаксационных колебаний тока и напряжения

Предмет исследований: одно- и двухпереходные полупроводниковые структуры

Цели диссертационной работы.

Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур и объяснение с её помощью экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в таких системах.

При этом решались следующие основные задачи:

1. Разработать физическую модель колебательной релаксационной системы, содержащей в качестве необходимого компонента элемент с S-образной вольтамперной характеристикой

2. Провести исследование нелинейных электрофизических характеристик одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

3. Определить электрические и материальные параметры влияющие на возникновение релаксационных колебаний тока и напряжения в одно- и двухпереходных полупроводниковых структурах.

Научная новизна.

1. Построена принципиально новая математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с S-образной вольтамперной характеристикой.

2. Впервые исследованы электрические и частотные параметры генерируемой неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах с S-образной вольтамперной характеристикой в эмиттерном переходе, выполненных по технологии термовакуумного напыления. Получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах.

3. Впервые показана возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с S-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в физической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Впервые дано объяснение возбуждению релаксационной неустойчивости тока и напряжения в широком диапазоне рабочих напряжений (3ч40 Вольт).

Научная и практическая значимость

1. Предложенная физическая модель релаксационной колебательной системы, содержащей элемент с вольтамперной характеристикой S-типа и барьерную емкость, позволила соотнести рассматриваемую систему с аналогичной системой, рассмотренной в радиофизике. Полученные в работе теоретические выводы в большей степени соответствуют результатам экспериментальных исследований неустойчивости тока и напряжения в одно- и двухпереходных структурах, чем ранее предложенные модель процессов обмена поверхностных состояний и глубоких энергетических уровней с зоной проводимости полупроводникового кристалла под действием электрического поля, модель, использующей упрощенную эквивалентную схему двухпереходной структуры и модель, использующей эквивалентную схему для объяснения усиления тока и накопления неосновных носителей заряда в базовой области двухпереходной структуры.

2. Результаты диссертационной работы нашли применение в учебном процессе физико-технического факультета в изучении физических явлений, происходящих в полупроводниковых приборах.

Достоверность полученных результатов

Созданная физическая модель основана хорошо апробированной методике расчета релаксационной колебательной системы используемой в радиофизике. Применение математической модели подтверждается хорошим совпадением экспериментальных и теоретических данных.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Физическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей активный элемент с S-образной вольтамперной характеристикой.

2. Результаты исследования электрических и частотных параметров неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления.

3. S-образная вольтамперная характеристика эмиттерного перехода является необходимым и достаточным условием возникновения релаксационных колебаний.

Личное участие автора в получении научных результатов

Изготовлены образцы двухпереходных полупроводниковых структур с использованием технологии термовакуумного напыления; проведены измерения электрофизических характеристик двухпереходных структур; плучено аналитическое выражение для S-образных вольтамперных характеристик эмиттерного перехода двухпереходных структур; разработана математическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур; проведены расчеты длительности фаз колебаний, амплитуды напряжения и тока.

Апробация. Основные положения диссертации докладывались на пятая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1998); шестая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1999); седьмая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2000); восьмая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2002); Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia, 1999); седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Санкт-Петербург, 2001), девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Красноярск, 2003), десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Москва, 2004), двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Новосибирск, 2006), четырнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Уфа, 2008), пятнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Кемерово-Томск, 2009), семнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Екатеринбург, 2011), третьей международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002), международной научной конференции «Излучение и рассеяние ЭМВ ИРЭМВ-2005» (Таганрог, 2005), третьей Всеросийской научной конференции молодых ученых и студентов (Краснодар, 2006), научно-технической конференции «Космическая энергетика» (Краснодар, 2011), семнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2011), восемнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2012), международной конференции «Инноватика-2011» (Ульяновск, 2011), Всероссийская заочная научно-практическая конференци «Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий» (Краснодар 2012)

Область исследований: содержание диссертационного исследования соответствует пунктам 4, 6, 7, 9, 17, 18 паспорта специальности 01.04.10 - физика полупроводников.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликованы 26 печатных работ, из них 3 в изданиях из перечня рецензируемых научных журналов и изданий.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4-х глав, заключения. Список использованной литературы содержит 170 наименований. Текст диссертации содержит 135 страниц машинописного текста, включая 85 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность диссертационной работы, сформулированы научная задача, на решение которой были направлены исследования, проведенные в диссертационной работе, цель работы, основные положения, выносимые на защиту, отмечены научная новизна и практическая значимость полученных результатов.

Первая глава посвящена обзору отечественных и зарубежных научных работ, связанных с исследованием процессов неустойчивости электрического тока в различных полупроводниковых структурах. Кратко рассмотрены неустойчивости тока в однородных полупроводниках, более подробно рассмотрены работы по неустойчивости тока в неоднородных полупроводниковых структурах. Была выработана следующая классификация неустойчивости тока и напряжения в полупроводниковых структурах:

а) рекомбинационные волны;

б) термоэлектрическая неустойчивость;

в) неустойчивость тока в однопереходных структурах;

г) неустойчивость тока, обусловленная наличием потоков носителей между различными типами центров, создающие глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне полупроводника;

д) поверхностно-барьерная неустойчивость тока.

Далее приведен обзор ранее проведенных исследований одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. В частности рассмотрены способы получения и результаты исследования электрофизических характеристик. Исследовано воздействие оптического излучения и магнитного поля на электрофизические характеристики рассматриваемых структур.

Проведен анализ физико-математического описания процессов обмена носителей заряда в поверхностно-барьерном переходе. Рассмотрены эквивалентные схемы двухпереходных структур, на основе которых проводился анализ возникновения колебательного режима работы и процессов усиления тока.

В заключение к первой главе сформулированы задачи, которые позволяют выявить несоответствие существующих теоретических моделей и массивом экспериментальных данных

Вторая глава посвящена технологическим аспектам изготовления образцов одно- и двухпереходных структур и методике исследования их электрофизических параметров.

Для изготовления образцов структур были использованы следующие методы:

- тренировка игольчатого контакта импульсами тока;

- осаждение металла на поверхность полупроводника электрохимическим способом;

- низкотемпературное сплавление навесок металла, находящихся на поверхности полупроводника;

- изготовление окисной пленки на поверхности полупроводника с последующим термическим напылением металлических контактов.

Для изготовления образцов однопереходных полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом, использовались монокристаллы германия n-типа с удельным сопротивлением с=25 Ом•см и кремния n-типа с удельным сопротивлением с=7 Ом•см.

Образцы двухпереходных структур изготавливались с использованием кремниевых эпитаксиальных пластины с подложкой p⁺-типа с удельным сопротивлением с=0,01ч1 Ом•см, с эпитаксиальным слоем n-типа толщиной 4,5ч16 мкм и с удельным сопротивлением с=2,5ч8 Ом•см, выращенный по промышленной технологии. Для изготовления экспериментальных образцов со сплавными p-n-переходами использовались пластины германия и кремния n-типа (германий с удельным сопротивлением с=10 Ом•см и кремний с=7,5 Ом•см), которые вырезались из слитков в кристаллографическом направлении. Диаметр получаемых в результате пластин составлял 6-8 мм и толщина 200-300 мкм. Из пластин с готовым эпитаксиальным p-n-переходом вырезались образцы с геометрическими размерами от 1Ч2 мм² до 4Ч6 мм².

Был проведен анализ структуры поверхностно-барьерного перехода на основе данных об энергии ионизации примесей, использованных для изготовления, и на основе фазовых диаграмм двухкомпонентных систем металл-полупроводник.

Рассмотрены методики исследования электрофизических свойств двухпереходных структур. Существует 24 варианта подключения образцов двухпереходных структур к измерительным разъемам измерителя параметров полупроводниковых приборов при различных комбинациях полярностей подаваемых напряжений на выводы образцов, при помощи которых можно получить семейства вольтамперных характеристик.

Образцы подключались к измерительным разъемам по схеме с общей базой, с общим эмиттером и общим коллектором.

Для однопереходных структур приведены методики исследования области поверхностно-барьерного перехода представляющего собой контакт металл-полупроводник.

Третья глава содержит результаты исследований и анализ электрофизических характеристик одно- и двухпереходных структур. Приведены вольтамперные характеристики двухпереходных структур с различными активными контактами при различных схемах включения.

На основе анализа вольтамперных структур, проведена их строгая классификация по способу приложения внешних электрических воздействий. Выявлена закономерность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в зависимости от схемы подключения и величины внешних электрических воздействий.

В четвертой главе предложена эквивалентная схема полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, с помощью которой было получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Данная схема содержит следующие минимально необходимые элементы: поверхностно-барьерный переход, обладающий вольтамперной характеристикой S-типа, барьерная емкость перехода и сопротивление базовой области однопереходной структуры, играющей роль последовательной нагрузки. Изучено влияние типа емкости контакта с поверхностно-барьерным переходом на длительность отдельных фаз протекания тока через полупроводниковую структуру. Выявлена взаимосвязь между химическим составом полупроводника, используемого для изготовления образцов полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом и частотой колебаний тока и напряжения.

Для двухпереходной структуры физическая модель доработана с учетом локализации элемента с S-образной вольтамперной характеристикой и барьерной емкости в эмиттерном переходе. Проведено аналитическое численное моделирование S-образной вольтамперной характеристики эмиттерного перехода на основе соотношений Эберса-Молла. Установлена связь между материальными параметрами, параметрами внешних электрических воздействий и величинами возникающих релаксационных колебаний тока и напряжения.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

нелинейный колебательный полупроводниковый

1. Построена математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с S-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления. Получена высокая степень соответствия расчетов произведенных с помощью построенной модели и экспериментальными данными

2. Исследованы генерация неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления и содержащей S-образную вольтамперную характеристику в эмиттерном переходе. Впервые были получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах. Установлен высокий процент выхода годных структур, обладающих возможностью реализации релаксационной колебательной системы

3. Установлена возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с S-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в математической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Дано объяснение рабочим напряжениям (3ч40 Вольт), при которых наблюдается релаксационная неустойчивость тока и напряжения в двухпереходных структурах. Получено соответствие экспериментальных и расчетных величин частот (1ч6 МГц), возникающей неустойчивости тока и напряжения. Показано, что в зависимости от сочетания внешенего электрического воздействия и материальных параметров можно получить объекты, реализующие релаксационную колебательную систему в двухпереходных структурах, с иными выходными электрическими параметрами

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Муравский, Б.С. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе/ Б.С. Муравский, Г.П. Рубцов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Журнал радиоэлектроники (электронный журнал), 2000. - № 10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html < 15 октября 2012 г.>

2. Муравский, Б.С. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе/ Б.С. Муравский, О.Н. Куликов, В.Н. Черный // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. - вып. 4. - С. 393-397.

3. Богатов, Н.М. Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Экологический вестник научных центров ЧЭС, 2012. - №5. - С.1-5.

4. Григорьян, Л.Р. Фотоэлектрические характеристики транзисторных структур с распределенным эмиттерным переходом / Л.Р. Григорьян, Б.С. Муравский, О.Н. Куликов // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 1998. - С. 154.

5. Куликов, О.Н. Динамика накопления заряда в транзисторных структурах с распределенным эмиттерным переходом / О.Н. Куликов, Г.П. Рубцов, М.Г. Барышев // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 1998. - С. 155.

6. Muravskiy, B.S. Transistor structures with the distributed emitter and active contact to admixtures, which are leading in deep energy levels / Muravskiy, B.S., Kulikov O.N. //Proceedings of 1999 international semiconductor Devise Research Symposium University of Virginia. - p. 160-163.

7. Куликов, О.Н. Воздействие излучения на параметры колебаний функционального генератора на основе транзисторной структуры с распределенным эмиттером / Куликов О.Н., Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Черный В.Н. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды VI Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 1999. - С. 121.

8. Муравский, Б.С. Функциональные фотоприемники на основе транзисторных структур с распределенным эмиттером / Б.С. Муравский, О.Н. Куликов, М.А. Жужа, С.Ф. Голиков // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 2000. - С. 313.

9. Куликов, О.Н. Туннельная спектроскопия глубоких центров в транзисторных структурах с распределенным p⁺-n-переходом / О.Н. Куликов, М.А. Жужа, В.Н. Черный // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 2002. - С.10.

10. Муравский, Б.С. Фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным p⁺-n-переходом / Б.С. Муравский, О.Н. Куликов, Н.А. Яковенко // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов 3-й международной конференции. СПб. - 2002 - С. 25.

11. Куликов, О.Н. Перезарядка глубоких уровней сильным электрическим полем как метод исследования их параметров / О.Н. Куликов, Б.С. Муравский // 7-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. СПб. - 2001 - С. 196.

12. Куликов, О.Н. Прибор «Туннелистор» и его биологический аналог - химический синапс / О.Н. Куликов, Н.Н. Куликова // 9-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Красноярск. - 2003. - С. 818.

13. Куликов, О.Н. Кинетика накопления заряда неосновных носителей в транзисторных структурах с распределенным эмиттером / О.Н. Куликов // 10-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. М. - 2004. - С. 201.

14. Куликов, О.Н. Моделирование генераторов на диодных структурах с поверхностно-барьерным переходом / О.Н. Куликов, С.А. Вызулин // 12-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Новосибирск. - 2006. - С. 222.

15. Куликов, О.Н. Модель релаксационного генератора на транзисторной структуре с распределенным p-n-переходом / О.Н. Куликов, Н.Н. Куликова, Н.В. Куликов // 14-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Уфа. - 2006. - С. 197.

16. Куликов, О.Н. Анализ влияния технологического фактора на электрофизические свойства транзисторных структур с p⁺-n-переходом / О.Н. Куликов, Н.Н. Куликова // 15-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Кемерово. - 2009. - С. 205.

17. Куликов, О.Н. Инверсная S-образная характеристика двухпереходной полупроводниковой структуры / О.Н. Куликов, Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян // 17-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Екатеринбург. - 2011. - С.191.

18. Вызулин, С.А. Моделирование автоколебательной системы в диодной структуре с поверхностно-барьерной неустойчивостью тока / С.А. Вызулин, О.Н. Куликов // Излучение и рассеяние ЭМВ: труды международной научной конференции. Таганрог. - 2005. - С. 217.

19. Вызулин, С.А. Численный расчет характеристик релаксационных генераторов на диодах с поверхностно-барьерным переходом / С.А. Вызулин, О.Н. Куликов // Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук в регионах: труды 3-й Всероссийской научной конференции молодых ученых и студентов. Краснодар. - 2006. - С. 138.

20. Богатов, Н.М. Механизм возникновения S-характеристики в эмиттере двухпереходной полупроводниковой структуры / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Иноватика-2011: труды Международной конференции. Ульяновск. - 2011. - с 132.

21. Богатов, Н.М. Полупроводниковая структура с поверхностно-барьерным переходом как основа колебательной системы / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XVII Всероссийской конференции. Краснодар. - 2011. - С.184.

22. Григорьян, Л.Р. Накопление носителей заряда в транзисторных структурах с активными энергетическими уровнями / Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов, М.А. Сахно // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар. - 2012. - С. 82.

23. Григорьян, Л.Р. Неравновесные процессы в многослойных твердотельных структурах / Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов, М.А. Сахно // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар. - 2012. - С. 89.

24. Куликов, О.Н. Механизм возникновения S-ВАХ в эмиттере транзисторной структуры / Куликов О.Н. // Научно-техническая конференция «Космическая энергетика». Тезисы докладов. Краснодар. - 2011. - С.10.

25. Богатов, Н.М. Модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий: коллективная монография. Краснодар: Краснодарский ЦНТИ. 2012

26. Богатов, Н.М. Измерение вольтамперных характеристик с отрицательным коэффициентом нелинейности / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов, М.А. Сахно // Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий: коллективная монография. Краснодар: Краснодарский ЦНТИ. 2012

Размещено на Allbest.ru