Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями

Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 02.09.2018
Размер файла 126,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

30. A.C. Maciel, M. Tatham, J.F. Ryan, J.M. Worlok R.E. Nahori, J.P. Harbison, L.T. Florez. Raman scattering from electronic excitations in periodically д-doped GaAs // Surf. Sci., 1990, v. 228, No. 1-3, p. 251-254.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Технология изготовления, свойства и сферы применения квантовых ям, нитей и точек. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания кристаллических наноструктур. Использование двойной гетероструктуры полупроводниковых лазеров для генерации излучения.

    дипломная работа [290,4 K], добавлен 05.04.2016

  • Технология изготовления квантовых ям. Применение квантовых наноструктур в электронике. Квантовые нити, их изготовление. Особенности квантовых точек. Сверхрешётки: физические свойства; технология изготовления; энергетическая структура; применение.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 25.11.2010

  • Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.

    курсовая работа [203,3 K], добавлен 01.01.2014

  • Проведение исследования механических и пароструйных вакуумных насосов. Анализ высоковакуумной установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и импульсного-лазерного испарения "Smart NanoTool MBE/PLD". Роль вакуума в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 18.11.2021

  • Основные закономерности развития и особенности формирования регулярных поверхностных микро- и наноструктур. Анализ получения регулярных поверхностных и пористых микро- и наноструктур с использование методов объемной микрообработки и фотолитографии.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 08.10.2015

  • Трековые мембраны, их свойства, определение, получение, применение. Наноразмерные материалы: наноструктуры, нанопроволоки и нанотрубки. Матричный синтез, микроскопия. Получение наноструктур из ферромагнитных материалов, микроскопия металлических реплик.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.06.2012

  • Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.

    дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016

  • Структура межзеренных границ наноструктурированных материалов и сверхпластичность наноструктур. Сущность закона Хола-Петча. Дефекты в наноструктурированных материалах. Влияние границ раздела на механические свойства нанокристаллических наноматериалов.

    курсовая работа [838,1 K], добавлен 21.09.2013

  • Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.

    презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014

  • Взаимодействие зонда и исследуемой поверхности с использованием обратной связи. Методы постоянного туннельного тока и постоянной высоты для получения изображения рельефа поверхности. Принципы атомно-силовой оптической и магнитно-силовой микроскопии.

    реферат [517,5 K], добавлен 18.04.2016

  • Термодинамическая модель роста соединения GaхIn1-хPуAs1-у. Константы равновесия реакций образования бинарных соединений, используемые при расчетах. Влияние переиспаренных потоков элементов на стехиометрический состав, тонкости технических проблем.

    курсовая работа [388,8 K], добавлен 28.10.2014

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Исследование методов формирования полупроводниковых квантовых точек. Анализ возможности их применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров. Размерное квантование энергии электронов. Квантовые ямы.

    статья [143,0 K], добавлен 28.11.2013

  • Атомный и молекулярный спектральный анализ. Оптическая спектроскопия. Лазерное сканирование полупроводниковых пластин с последующим спектральным анализом люминесцентного излучения. Спектральные приборы и их принципиальная схема. Дифракционная решётка.

    реферат [2,3 M], добавлен 15.01.2009

  • Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.

    курсовая работа [548,5 K], добавлен 29.04.2014

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

  • Эволюция развития нано- и оптоэлектроники, этапы и направления данного процесса. Характеристические длины мезоскопических структур. Характеристика квантовых ям, нитей и точек. Плотность состояний и размерность системы. Полупроводниковые гетероструктуры.

    реферат [262,0 K], добавлен 24.08.2015

  • Примесные состояния атомного типа в полупроводниковых квантовых ямах, проволоках, точках во внешних полях. Магнитооптическое поглощение комплексов "квантовая точка–водородоподобный примесный центр". Актуальность исследований и их практическое применение.

    дипломная работа [1,5 M], добавлен 23.08.2010

  • Оптические свойства квантовых ям, сверхрешеток, квантовых точек, нанокристаллов. Электрооптические эффекты в квантовых точках и сверхрешетках под действием внешнего электрического поля. Квантово-размерный эффект Штарка. Лестницы Штарка, осцилляции Блоха.

    контрольная работа [2,4 M], добавлен 24.08.2015

  • Квантовая точка как наноразмерная частица проводника или полупроводника. Сканирующая электронная микрофотография наноструктур различного размера из арсенида галлия. Люминисценция кристаллов селенида кадмия. Перспективы применения наноэлектронного лазера.

    презентация [864,5 K], добавлен 24.10.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.