Физико-химические свойства полупроводниковых материалов на основе систем с гомогенным и гетерогенным замещением ZnTe – AIIBIV, ZnTe - AIIIBV

Размещено на http://www.allbest.ru/

Физико-химические свойства полупроводниковых материалов на основе систем с гомогенным и гетерогенным замещением ZnTe - AIIBIV, ZnTe - AIIIBV

И.А. Кировская

По разработанной методике получены твердые растворы систем ZnTe - CdSe, ZnTe - GaSb. Выполнены рентгенографические, электронно-микроскопические, электрофизические исследования, определения кислотно-основных свойств.

Найдены закономерности в изменении с составом систем объемных и поверхностных свойств. Взаимосвязь между закономерностями обоснована с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследованных объектах.

Обнаружено влияние на изученные свойства как второго бинарного компонента, так и элементных составляющих.

Твердые растворы экстремальных составов рекомендованы в качестве первичных преобразователей сенсоров - датчиков на микропримеси основных газов.

При поиске новых материалов для современной техники по-прежнему большие возможности заложены в семействе алмазоподобных полупроводников, тем более, многокомпонентных - твердых растворов замещения. Последние, сохраняя в себе многие замечательные свойства исходных бинарных соединений, вместе с тем, приобретают новые, неизвестные свойства, а потому таят в себе нереализованные возможности, привлекающие внимание специалистов в различных областях. Одной их таких областей является полупроводниковый газовый анализ, базирующийся на создании сенсоров - датчиков [1].

Для их создания и раскрытия нереализованных возможностей необходимы разработка методов синтеза и глубокое комплексное изучение объемных и поверхностных физико-химических свойств.

В таком плане выполнена настоящая работа, объектами которой явились твердые растворы систем с общим бинарным компонентом: ZnTe - CdSe, ZnTe - GaSb.

Ключевые слова: полупроводники, твердые растворы, рентгенографические, электронно-микроскопические, электрофизические исследования, кислотно-основных свойства, закономерности.

Твердые растворы различного состава получали методом изотермической диффузии бинарных соединений (ZnTe, CdSe и ZnTe, GaSb) в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах при температуре 1273 К, с дополнительной гомогенизацией при 773 К для получения однородных по составу образцов[1]. Режим получения твердых растворов соответствовал специально разработанной программе температурного прогрева. Навески исходных бинарных соединений, отвечающие заданным мольным соотношениям, предварительно подвергали механохимической активации. Аттестацию твердых растворов осуществляли в основном по результатам рентгенографических исследований (дифрактометр D8Advance, CuKб-излучение, л= 1,5406 ?). По снятым рентгенограммам и соответствующим формулам [2] рассчитывали значения параметров (а, с), объема элементарной ячейки (Vp) кристаллической решетки, межплоскостного расстояния dhkl, рентгеновской плотности (сr) компонентов системы, определяли их структуру. Об образовании твердых растворов судили также по результатам электронно - микроскопических исследований, которые выполняли на сканирующем электронном микроскопе JCM-5700, оборудованном приставкой для энергодисперсионного анализа JED 2300, и электрофизических (определение удельного сопротивления с и соответственно удельной электропроводности у четырехзондовым методом Ван-дер-Пау [1]. Поверхностно - активные (кислотно-основные) свойства изучали методами гидролитической адсорбции, механохимии, неводного кондуктометрического титрования и ИК - спектроскопии МНПВО [1].

Результаты рентгенографических исследований свидетельствуют об образовании в системах ZnTe-CdSe, ZnTe - GaSb (в пределах взаимной растворимости) твердых растворов замещения. Действительно, линии на рентгенограммах сдвинуты относительно линий бинарных соединений при постоянном их числе (рис. 1).

полупроводниковый кислотный рентгенографический

(а) (б)

Рис. 1. Зависимости значений параметров кристаллической решетки (I), объема элементарной ячейки (II), межплоскостного расстояния (II1) и ренгеновской плотности (III) от состава компонентов систем (ZnTe - CdSe) (а), ZnTe - GaSb(б).

В соответствии с положением и распределением по интенсивности основных линий, компоненты системы ZnTe-CdSe имеют либо кубическую структуру сфалерита (при избытке ZnTe), либо гексагональную структуру вюртцита (при избытке CdSe), компоненты системы ZnTe - GaSb имеют структуру сфалерита.

На основе электронно-микроскопических исследований установлено распределение каждого бинарного компонента системы ZnTe-CdSe между объемом и поверхностью кристаллических зерен другого компонента, взятого в избытке, определены средний размер частиц, их распределение по размерам, коэффициент полидисперсности, удельная поверхность, элементный состав твердых растворов и бинарных компонентов [3].

Так, согласно изображению сканирующей электронной микроскопии (SEM-изображение) в режиме фазового контраста порошка твердого раствора (ZnTe)0.75(CdSe)0.25, на однородном фоне поверхности зерен ZnTe наблюдаются светлые вкрапления зерен CdSe размером < 5 мкм, которые менее заметны в твердом растворе (ZnTe)0.68(CdSe)0.32. Поверхность зерен при этом становится более гладкой. Аналогичная картина наблюдается и для твердых растворов с избытком CdSe. В бинарном компоненте ZnTe преобладают крупнодисперсные зерна. Увеличение содержания ZnTe в твердых растворах сопровождается увеличением размера их частиц.

Отмечаем: средние размеры частиц бинарных компонентов и твердых растворов укладываются в пределе 21-30 мкм; их распределение по размерам отвечает преимущественно плавной зависимости; коэффициенты полидисперсности составляют 0.56-0.82; рассчитанный элементный состав удовлетворительно согласуется с мольным составом.

Согласно результатам электрофизических исследований, с увеличением содержания в системах ZnTe электропроводность уменьшается (см., например, рис. 2). Это можно связать с внутренними процессами, протекающими при образовании твердых растворов за счет медленной диффузии компонентов [1].

Плавный характер изменения электропроводности с составом дополнительно подтверждает образование твердых растворов замещения.

Рис. 2. Зависимость удельной электропроводности пленок компонентов системы ZnTe - GaSb от состава

Согласно исследованиям кислотно-основных свойств, значения рН изоэлектрического состояния поверхности (рНизо) исследуемых полупроводников, экспонированных на воздухе, в обеих системах плавно нарастают с увеличением содержания ZnTe, укладываясь в пределах 6,84 - 7,87. При воздействии СО в целом отмечается смещение значений рНизо в щелочную область (рис.3). Такое поведение водородного показателя логично связать с природой активных центров, электронной структурой и двойственной функцией молекул СО [4]: обладая избыточной электронной плотностью за счёт неподелённых электронных пар атомов углерода и кислорода, а также за счёт образования двойной связи между ними, СО может представлять собой льюисовское основание (донор электронных пар). В то же время поверхность полупроводников системы содержит координационно-ненасыщенные атомы (Zn, Cd), которые, испытывая недостаток электронов, проявляют свойства льюисовских кислот (акцепторов электронных пар)[1]. В результате взаимодействия неподелённых электронных пар СО и свободных орбиталей координационно-ненасыщенных атомов льюисовские кислотные центры на поверхности частично гасятся. Это, скорее всего, и приводит к смещению рНизо в щелочную область, свидетельствуя о повышенной активности поверхности компонентов систем с меньшими значениями рНизо к основным газам.

(а) (б)

Рис. 3а. Зависимости от состава компонентов системы ZnTe - CdSe количества частиц среднего размера (n) в интервале 21-31 мкм (1), рН изоэлектрического состояния поверхности, экспонированной на воздухе (2), в атмосфере СО (3), общей концентрации кислотных центров (4)

Рис. 3б. Зависимости от состава компонентов системы ZnTe - GaSb рНизо(1), концентрации кислотных центров (С?103, г-экв/г) (2) и величин адсорбции СО (б?103, моль/м2) (3)

Как показал систематический анализ полученных результатов, с изменением состава компонентов систем ZnTe - CdSe, ZnTe - GaSb наблюдаются определенные, взаимосвязанные закономерности в изменении объемных и поверхностных свойств (рис. 1 - 3). Так, отмечаем линейное или плавное изменение параметров (а, с), объема элементарной ячейки (Vp) кристаллической решетки, межплоскостного расстояния, рентгеновской плотности (сr), электропроводности (рис. 1, 2). Особого внимания заслуживает экстремальное изменение числа частиц определенного размера и при этом экстремальное, зеркально отраженное изменение рНизо (рис. 3а). Логично считать, что с увеличением числа частиц определенного (указанного) размера в компонентах системы возрастает координационная ненасыщенность поверхностных атомов, их роль как активных (льюисовских) центров и соответственно должна возрастать кислотность поверхности. О справедливости такого заключения свидетельствует на рис. 3а кривая 1, являющаяся зеркальным отражением кривой 3.

Интересна и корреляция между зависимостями «величина адсорбции - состав» и «кислотность поверхности - состав» (рис. 3б). При изменении состава системы ZnTe - GaSb общая концентрация кислотных центров (С?103, г-экв/г) изменяется экстремально с максимумом при 5 мол.% ZnTe. Этому же составу системы соответствует минимальное значение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНизо). Логично, что поверхность твердого раствора состава (ZnTe)0,05(GaSb)0,95, характеризующаяся наибольшей концентрацией кислотных центров, минимальным значением рНизо, обладает наибольшей адсорбционной активностью по отношению к основному газу (аммиаку - донору электронных пар и акцептору протонов) (рис. 3б).

При сравнении систем ZnTe - CdSe, ZnTe - GaSb по изученным свойствам обнаруживаются влияния как второго компонента, так и элементных составляющих, что подлежит дальнейшему обсуждению.

Заключение

Найдены закономерности в изменении с составом систем объемных и поверхностных свойств. Взаимосвязь между закономерностями обоснована с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследованных объектах.

Обнаружено влияние на изученные свойства как второго бинарного компонента, так и элементных составляющих.

Твердые растворы экстремальных составов рекомендованы в качестве первичных преобразователей сенсоров - датчиков на микропримеси основных газов.

Библиографический список

[1]. Кировская, И.А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем / И.А. Кировская. - Омск: ОмГТУ, 2010. - 400 с.

[2]. Горелик, С. С. Ренгенографический и электронооптический анализ / Л. Н. Расторгуев, Ю. А. Скаков. - М.: Металлургия, 1970. - 107 с.

[3]. Гоулдстейн, Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: в двух книгах. / Гоулдстейн Дж. и др. - пер. с англ. - М.: Мир, 1984. - 303 с.

[4]. Kirovskaya I.A. and et. Patterns in acid-base property chandes of oxides and chalcogenides surfaces - ZnB6, CdB6 analogues. Conf. on Dyn. of Sys., Mech. and Mach. Dynam. 2014. Proc.. Omsk: Omsk State Tech. Univ. Russia, Omsk, November11-13,2014. DOI:10.1109/Dynamics.2014.7005665.

Размещено на Allbest.ru