Три режима работы транзистора
Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 23.03.2022 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектронники (ТУСУР)
Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)
Контрольная работа
Три режима работы транзистора
Выполнил:
Студент гр. 368-2
Д.А. Грохотов
Проверил:
Доцент кафедры ПрЭ
В.М. Саюн
2020
Исходные данные
усилитель транзистор напряжение ток
Задание
Контрольная работа
«Три режима работы транзистора»
Цель: изучить физические процессы схемы усилителя для трех режимов транзистора
Примечание. Ниже: Требования к выполнению контр. работы, Варианты, Порядок оформления контрольной работы, Титульный лист (приложение).
Требуется:
Составить уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепи
Рассмотреть три режима работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
Для каждого режима указать:
- положение рабочей точки на нагрузочной прямой;
- составить схему замещения и записать Iбэ, Iкэ, Uкэ, Rкэ;
Выбор транзистора
определить максимальные значения напряжения и тока в схеме;
записать условие выбора транзистора;
выбрать транзистор по напряжению и току из электронного сайта (например, чип и дип).
Режим насыщения
записать условие насыщения транзистора Iкэ= Еп* Кнас/ ( Rк*), Кнас= 2;
определить ток Iкэ, Iбэ, Rб;
определить для Rб номинал, мощность, тип, типовую запись.
определим мощность, рассеиваемую на транзисторе, и площадь радиатора охлаждения.
Активный режим (напряжение Uкэ задано в таблице)
записать уравнение связи тока коллектора и базы в схеме с ОЭ для активного режима ;
определить ток Iкэ, Iбэ, Rб;
определить для Rб номинал, мощность, тип, типовую запись.
определить для Rк номинал, мощность, тип, типовую запись.
Решение
Составить уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепи
Рассмотреть три режима работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
Для каждого режима указать:
- положение рабочей точки на нагрузочной прямой;
- составить схему замещения и записать Iбэ, Iкэ, Uкэ, Rкэ;
Рис. 1. ВАХ транзистора с ОЭ
Рис. 2. Нагрузочная прямая по постоянному току
Режим насыщения
Условие насыщения:
,
Условие выбора транзистора по напряжению и току
Выберем транзистор модели КТ3102ГМ
, , ,
Ом
Активный режим (напряжение Uкэ задано в таблице)
IКЭ = IБЭ ? в
UКЭ+URK=Еп
UКЭ + IКЭ ? RK =EП IКЭ ? RK = EП - UКЭ
EГ = URБ + UБЭ
URБ = EГ - UБЭ = 3 - 0.7 = 2.3 В
Из ряда Е24 2.4 кОм +/- 1%
P = URБ ? IБЭ = 2.3 ? 0.001 = 0.0023 Вт
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007Расчет каскада транзисторного усилителя напряжения, разработка его принципиальной схемы. Коэффициент усиления каскада по напряжению. Определение амплитуды тока коллектора транзистора и значения сопротивления. Выбор типа транзистора и режима его работы.
контрольная работа [843,5 K], добавлен 25.04.2013Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010Характеристика біполярного транзистора - напівпровідникового елементу електронних схем, з трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Особливості принципу роботи, технології виготовлення на прикладі транзистора-КТ3107.
реферат [18,3 K], добавлен 02.02.2010Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.
курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010Історія створення напівпровідникового тріоду, або транзистора, загальні відомості та його значення для розвитку напівпровідникової електроніки. Розгляд схем включення та принципів дії транзисторів. Вплив температури на роботу біполярного транзистора.
курсовая работа [161,3 K], добавлен 19.12.2010Структура и параметры МДП-транзистора с индуцированным каналом, его топология и поперечное сечение. Выбор длины канала, диэлектрика под затвором транзистора, удельного сопротивления подложки. Расчет порогового напряжения, крутизны характеристики передачи.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.11.2010Электрические характеристики кремниевого интегрального n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры. Корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа [864,3 K], добавлен 17.12.2014История открытия одноэлектронного транзистора, его конструкция, принцип работы, вольт-амперные характеристики. Явление кулоновской блокады. Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с "механической рукой". Прототип транзистора на основе графена.
реферат [246,7 K], добавлен 12.12.2013Общие технические характеристики используемого транзистора, схема цепи питания и стабилизации режима работы. Построение нагрузочной прямой по постоянному току. Расчет параметров элементов схемы замещения. Анализ и оценка нелинейных искажений каскада.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 27.12.2013Решение задач по электротехнике. Расчет выпрямителя источников электропитания электронных устройств. Расчет электронного усилителя. Определение режима работы транзистора. Наращивание размерности мультиплексоров. Сигналы настройки для мультиплексоров.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 19.12.2009Расчет цепей при замкнутом и разомкнутом ключах. Определение переходных тока и напряжения в нелинейных цепях до и после коммутации с помощью законов Кирхгофа. Расчет длинных линий и построение графиков токов при согласованной и несогласованной нагрузке.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 13.07.2013Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Выбор и обоснование структурной схемы усилителя гармонических сигналов. Необходимое число каскадов при максимально возможном усилении одно-двухтранзисторных схем. Расчет выходного каскада и входного сопротивления транзистора с учетом обратной связи.
курсовая работа [692,9 K], добавлен 28.12.2014Исследование модели транзистора с обобщенной нагрузкой. Определение амплитудно- и фазо-частотных характеристик входной и передаточной функции. Представление входного сопротивления полной цепи последовательной и параллельной моделями на одной из частот.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 08.04.2015
