контрольная работа  Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость

Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  ####     ####       ##       ##     ####   
 ##  ##   ##  ##     ###      ###    ##  ##  
 ##  ##   ##  ##    ####       ##        ##  
  #####    #####   ## ##       ##      ###   
     ##       ##   ######      ##        ##  
    ##       ##       ##       ##    ##  ##  
  ###      ###       ####      ##     ####   
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 15.01.2016
Размер файла 39,5 K

Подобные документы

  • Расчет основных размеров и массы трансформатора. Определение испытательных напряжений обмоток и параметров холостого хода. Выбор марки, толщины листов стали и типа изоляции пластин, индукции в магнитной системе. Расчет параметров короткого замыкания.

    курсовая работа [812,3 K], добавлен 20.03.2015

  • Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.

    курсовая работа [362,1 K], добавлен 28.02.2016

  • Понятие квантового размерного эффекта (КРЭ). Выбор висмута, его обоснование. Требуемые улучшения в исследовании КРЭ. Расширенная зонная структура висмута вдоль различных кристаллографических направлений. График зависимости сопротивления от толщины плёнки.

    дипломная работа [2,5 M], добавлен 26.08.2017

  • Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.

    контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011

  • Методика и особенности проверки зависимости периода колебаний от емкости и определения индуктивности катушки, а также сопротивления катушки от периода колебаний. Анализ и оценка взаимосвязи логарифмического декремента затухания от сопротивления контура.

    курсовая работа [101,6 K], добавлен 21.09.2010

  • Составление схемы замещения электропередачи и определение ее параметров. Определение волнового сопротивления. Определение радиуса расщепления фазы. Отыскание границ области по ограничениям на радиус провода. Расчеты режима работы электропередачи.

    курсовая работа [5,1 M], добавлен 31.08.2011

  • Выбор и обоснование принципиальной электрической схемы двухкаскадного усилителя, их элементы. Определение основных параметров транзисторов и их статических режимов. Методика и главные этапы вычисления электрических параметров всех элементов усилителя.

    курсовая работа [402,2 K], добавлен 26.01.2015

  • Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013

  • Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.

    дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012

  • Расчет теплофизических параметров теплоносителя и рабочего тела. Определение основных геометрических параметров трубного пучка. Вычисление толщины деталей парогенератора, обеспечивающей условия прочности. Анализ мощности главного циркуляционного насоса.

    курсовая работа [336,5 K], добавлен 10.11.2012

  • Определение параметров характерных точек цикла. Расчет давления, температуры и удельного объёма. Полезная работа за цикл. Вычисление параметров дополнительных точек для цикла, осуществляемого при заданных постоянных. Построение графика по точкам.

    контрольная работа [244,4 K], добавлен 30.03.2015

  • Выбор марки и толщины листов стали и типа изоляции пластин. Определение испытательных напряжений обмоток. Расчет механических сил в обмотках при коротком замыкании. Определение размеров пакетов и активных сечений стержней и ярм, параметров холостого хода.

    курсовая работа [675,4 K], добавлен 13.01.2016

  • Структура и параметры МДП-транзистора с индуцированным каналом, его топология и поперечное сечение. Выбор длины канала, диэлектрика под затвором транзистора, удельного сопротивления подложки. Расчет порогового напряжения, крутизны характеристики передачи.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.11.2010

  • Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные. Основные несовершенства кристаллов, образование точечных дефекто, их концентрация и скорость перемещения по кристаллу. Диффузия частиц за счет движений вакансий.

    реферат [571,0 K], добавлен 19.01.2011

  • Баллистика движения материальной точки в случае нелинейной зависимости силы сопротивления от скорости. Зависимости коэффициента лобового сопротивления от числа Рейнольдса для шара и тонкого круглого диска. Расчет траектории движения и силы сопротивления.

    статья [534,5 K], добавлен 12.04.2015

  • Расчет параметров теплообменивающихся сред по участкам. Обзор основных параметров змеевиковой поверхности. Выбор материалов, конструктивных размеров. Распределение трубок по слоям навивки. Определение параметров кипящей среды и коэффициентов теплоотдачи.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 16.08.2012

  • Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.

    лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008

  • Построение электрической схемы фильтра, графиков частотной зависимости входного сопротивления и карты полюсов и нулей. Нахождение комплексной функции передачи. Определение основных параметров импульсной и переходной характеристик электрической цепи.

    контрольная работа [568,0 K], добавлен 28.09.2015

  • Выбор типа и основных параметров элемента защиты. Расчет удельных параметров прямой последовательности. Расчет основных режимов короткого замыкания. Расчет уставки и проверка чувствительности измерительного органа тока обратной последовательности.

    курсовая работа [325,5 K], добавлен 20.03.2013

  • Выбор и обоснование марки провода. Расчет параметров четырехполюсника. Определение режимов: натуральной мощности, максимальной нагрузки, малых нагрузок и холостого хода. Порядок вычисления и анализ тока, напряжения и мощности в исследуемой линии.

    курсовая работа [456,0 K], добавлен 07.08.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.