автореферат  Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями

Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

    d8888   .d8888b.  888888888   .d8888b.   .d8888b.  
   d8P888  d88P  Y88b 888        d88P  Y88b d88P  Y88b 
  d8P 888  888    888 888               888 888        
 d8P  888  888    888 8888888b.       .d88P 888d888b.  
d88   888  888    888      "Y88b  .od888P"  888P "Y88b 
8888888888 888    888        888 d88P"      888    888 
      888  Y88b  d88P Y88b  d88P 888"       Y88b  d88P 
      888   "Y8888P"   "Y8888P"  888888888   "Y8888P"  
                                                       
                                                       
                                                       

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 02.09.2018
Размер файла 126,8 K

Подобные документы

  • Технология изготовления, свойства и сферы применения квантовых ям, нитей и точек. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания кристаллических наноструктур. Использование двойной гетероструктуры полупроводниковых лазеров для генерации излучения.

    дипломная работа [290,4 K], добавлен 05.04.2016

  • Технология изготовления квантовых ям. Применение квантовых наноструктур в электронике. Квантовые нити, их изготовление. Особенности квантовых точек. Сверхрешётки: физические свойства; технология изготовления; энергетическая структура; применение.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 25.11.2010

  • Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.

    курсовая работа [203,3 K], добавлен 01.01.2014

  • Проведение исследования механических и пароструйных вакуумных насосов. Анализ высоковакуумной установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и импульсного-лазерного испарения "Smart NanoTool MBE/PLD". Роль вакуума в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 18.11.2021

  • Основные закономерности развития и особенности формирования регулярных поверхностных микро- и наноструктур. Анализ получения регулярных поверхностных и пористых микро- и наноструктур с использование методов объемной микрообработки и фотолитографии.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 08.10.2015

  • Трековые мембраны, их свойства, определение, получение, применение. Наноразмерные материалы: наноструктуры, нанопроволоки и нанотрубки. Матричный синтез, микроскопия. Получение наноструктур из ферромагнитных материалов, микроскопия металлических реплик.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.06.2012

  • Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.

    дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016

  • Структура межзеренных границ наноструктурированных материалов и сверхпластичность наноструктур. Сущность закона Хола-Петча. Дефекты в наноструктурированных материалах. Влияние границ раздела на механические свойства нанокристаллических наноматериалов.

    курсовая работа [838,1 K], добавлен 21.09.2013

  • Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.

    презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014

  • Взаимодействие зонда и исследуемой поверхности с использованием обратной связи. Методы постоянного туннельного тока и постоянной высоты для получения изображения рельефа поверхности. Принципы атомно-силовой оптической и магнитно-силовой микроскопии.

    реферат [517,5 K], добавлен 18.04.2016

  • Термодинамическая модель роста соединения GaхIn1-хPуAs1-у. Константы равновесия реакций образования бинарных соединений, используемые при расчетах. Влияние переиспаренных потоков элементов на стехиометрический состав, тонкости технических проблем.

    курсовая работа [388,8 K], добавлен 28.10.2014

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Исследование методов формирования полупроводниковых квантовых точек. Анализ возможности их применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров. Размерное квантование энергии электронов. Квантовые ямы.

    статья [143,0 K], добавлен 28.11.2013

  • Атомный и молекулярный спектральный анализ. Оптическая спектроскопия. Лазерное сканирование полупроводниковых пластин с последующим спектральным анализом люминесцентного излучения. Спектральные приборы и их принципиальная схема. Дифракционная решётка.

    реферат [2,3 M], добавлен 15.01.2009

  • Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.

    курсовая работа [548,5 K], добавлен 29.04.2014

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

  • Эволюция развития нано- и оптоэлектроники, этапы и направления данного процесса. Характеристические длины мезоскопических структур. Характеристика квантовых ям, нитей и точек. Плотность состояний и размерность системы. Полупроводниковые гетероструктуры.

    реферат [262,0 K], добавлен 24.08.2015

  • Примесные состояния атомного типа в полупроводниковых квантовых ямах, проволоках, точках во внешних полях. Магнитооптическое поглощение комплексов "квантовая точка–водородоподобный примесный центр". Актуальность исследований и их практическое применение.

    дипломная работа [1,5 M], добавлен 23.08.2010

  • Оптические свойства квантовых ям, сверхрешеток, квантовых точек, нанокристаллов. Электрооптические эффекты в квантовых точках и сверхрешетках под действием внешнего электрического поля. Квантово-размерный эффект Штарка. Лестницы Штарка, осцилляции Блоха.

    контрольная работа [2,4 M], добавлен 24.08.2015

  • Квантовая точка как наноразмерная частица проводника или полупроводника. Сканирующая электронная микрофотография наноструктур различного размера из арсенида галлия. Люминисценция кристаллов селенида кадмия. Перспективы применения наноэлектронного лазера.

    презентация [864,5 K], добавлен 24.10.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.