Сигнализатор неисправности кулера

Выбор необходимой элементной базы и формирования библиотечных элементов в системе проектирования P-CAD для сигнализатора неисправности кулера. Разработка электрической принципиальной схемы и печатной платы устройства. Состав конструкторской документации.

Рубрика Программирование, компьютеры и кибернетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 25.01.2013
Размер файла 3,2 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

СОЧИНСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКОНОМИКИ И ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

КАФЕДРА ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ

КУРСОВАЯ РАБОТА

по дисциплине: «Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ»

на тему: «Сигнализатор неисправности кулера»

Сочи 2009г.

Содержание

Цель курсовой работы

Введение

Выбор необходимой элементной базы

Формирование библиотечных элементов в системе проектирования P-CAD

Разработка электрической принципиальной схемы устройства в P-CAD

Разработка печатной платы в P-CAD

Формирование пакета конструкторско-технологической документации

Заключение

Список использованных источников

Цель курсовой работы

Целью курсового проектирования по дисциплине «Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ» является самостоятельное углубление знаний и закрепление навыков и умений, связанных с процессом разработки практических конструкций средств вычислительной техники.

принципиальная схема печатная плата кулер

Введение

P-CAD -- система автоматизированного проектирования электроники (EDA) производства компании Altium. Предназначена для проектирования многослойных печатных плат вычислительных и радиоэлектронных устройств. В настоящее время в России P-CAD является наиболее популярной EDA.В состав P-CAD входят два основных модуля -- P-CAD Schematic, P-CAD PCB, и ряд других вспомогательных программ. P-CAD Schematic и P-CAD PCB -- соответственно графические редакторы принципиальных электрических схем и ПП. В отличие от P-CAD для DOS, где для выполнения простейших операций перемещения, копирования, поворота или удаления объектов нужно пробираться через последовательность выпадающих меню, здесь это делается гораздо проще. Например, для перемещения объекта курсором включают режим выбора, отмечают нужный объект и перемещают его движением мыши, поворот объекта при этом выполняется нажатием клавиши R, зеркальное отображение ? клавишей F. Двойной щелчок левой клавишей мыши по выбранному объекту открывает доступ к просмотру и редактированию всех его атрибутов. Щелчок правой клавишей открывает контекстно-зависимое меню команд. Все эти приемы стали привычны в среде Windows, что ускоряет освоение ACCEL EDA и делает работу с ним более приятной. Копирование объектов в буфер обмена Windows позволяет не только переносить их из одной базы данных в другую, но и помещать в другие программы Windows, например в MS WinWord для выпуска технической документации. Полезна возможность изменения движением курсора размеров выбранного объекта (к ним относятся линии, проводники, шины, дуги и полигоны). При размещении на схеме символа компонента в окне выводится его изображение. При этом для цифровых ИС имеются три варианта графики: Normal -- нормальное (в стандарте США), DeMorgan ? обозначение логических функций, IEEE -- в стандарте института инженеров по электротехнике и электронике (наиболее близкое к отечественным стандартам). Средствами Windows реализован многооконный интерфейс, что позволяет на одном экране просмотреть чертежи схем и плат и провести идентификацию на плате цепей, выделенных на схеме. Применение шрифтов True Type позволяет наносить на схемах и печатных платах надписи по-русски.

Выбор необходимой элементной базы

Для реализации курсовой работы мной будет использована следующая элементная база:

Элементная база

Количество элементов (шт.)

Микросхема

1

Резисторы

6

Транзистор

1

Конденсаторы

4

Характеристика элементной базы

Микросхема

Интегральная микросхема - тонкая пластинка, отколотая, отсечённая от чего-либо- первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы. Микроэлектронное устройство это электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковом кристалле или плёнке и помещённая в неразборный корпус.

Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа

Рис. Советские и зарубежные цифровые микросхемы

Микросхемы серии КМОП

Микросхемы этих серий изготовляются по технологии комплементарных транзисторов структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП). Ранее в качестве диэлектрика использовался окисел кремния, поэтому сокращенным обозначением структуры этих микросхем было КМОП. Основная особенность микросхем КМОП - ничтожное потребление тока в статическом режиме - 0,1...100 мкА. При работе на максимальной рабочей частоте потребляемая мощность увеличивается и приближается к потребляемой мощности наименее мощных микросхем ТТЛ.

Рассмотрим внутреннюю структуру микросхем КМОП на примере двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ (рис. 160). Основу этого элемента составляют два транзистора структуры МОП с индуцированным каналом р-типа VT1 и VT2 и два транзистора с каналом n-типа VT3 и VT4. Резисторы и диоды являются вспомогательными и в нормальной работе элемента участия не принимают. При подаче на оба входа напряжения, близкого к нулю (лог. 0), транзисторы VT3 и VT4 закрыты, транзисторы VT1 и VT2 открыты и соединяют выход элемента с источником питания. На выходе элемента напряжение близко к напряжению источника питания (лог. 1). Если на один из входов, например вход 1, подать лог. 1, транзистор VT2 закроется, транзистор VT4 откроется и соединит выход элемента с общим проводом, на выходе элемента появится лог. 0. Такой же результат будет при подаче лог. 1 на вход 2 или при подаче лог. 1 на оба входа одновременно. Таким образом, изображенный на схеме рис. 160 элемент выполняет функцию ИЛИ-НЕ на два входа. Для увеличения числа входов элемента увеличивают число последовательно соединенных транзисторов с каналом р-типа и параллельно соединенных транзисторов с каналом n-типа. Для построения элементов с функцией И-НЕ транзисторы с каналом р-типа соединяют параллельно, с каналом п-типа - последовательно.

На рис. 161 приведена статическая переключательная характеристика инвертирующего МОП-элемента - зависимость его выходного напряжения от входного. Как видно из зависимости, переключение элемента происходит при входном напряжении, близком к половине напряжения питания. Диоды VD7 и VD8 (рис. 160) являются неотъемлемой частью МОП-транзисторов, диоды VD1 - VD6 и резисторы R1 и R2 специально вводятся в состав элемента для защиты МОП-транзисторов от статического электричества При превышении входным напряжением напряжения источника питания открываются диоды VD1 - VD4, что исключает подачу на затворы транзисторов напряжения, превышающего напряжение питания. При снижении входного напряжения до уровня, более низкого, чем потенциал общего провода, открываются диоды VD5 и VD6. В микросхемах серии К176 первых выпусков для защиты входов использовались диоды-стабилитроны с напряжением включения порядка 30 В, которые устанавливались вместо VD5 и VD6. Микросхемы серий К176, К561, КР1561 выпускаются в пластмассовых корпусах с двухрядным расположением 14, 16 или 24 штыревых выводов, а микросхемы серии 564 - в корпусах с тем же количеством выводов, расположенных в одной плоскости, в так называемых планарных корпусах. Номинальное напряжение питания микросхем серии К176 - 9 В ±5%, однако они, как правило, сохраняют работоспособность в диапазоне питающих напряжений от 5 до 12 В. Для микросхем серий К561 и 564 гарантируется работоспособность при напряжении питания от 3 до 15 В, для КР1561 - от 3 до 18 В. Диапазон рабочих температур микросхем серии К176 от -10 до +70 "С, серий К561 и КР1561 от -45 до +85 'С, серии 564 от -60 до +125 С. Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода. Максимальный выходной ток большинства микросхем серий К176, К561 и 564 не стандартизирован и не превышает единиц миллиампер, что несколько затрудняет непосредственное согласование микросхем этих серий с какими-либо индикаторами и микросхемами ТТЛ-серий. Отличительной особенностью микросхем серии КР1561 является наличие буферных элементов не только на выходах сложных элементов, как в микросхемах серий К176, К561 и 564, но и на входах и выходах всех микросхем, независимо от их сложности. Кроме того, в микросхемах серии КР1561 улучшена защита от перегрузок как по входу, так и по выходу, в выходные цепи добавлены небольшие токоограничительные резисторы. Стандартные статические нагрузочные характеристики микросхем серии КР1561 следующие. При лог. 0 на выходе и выходном напряжении 0,4; 0,5; 1,5 В выходной втекающий ток не менее 0,44; 1,1; 3 мА при напряжении питания 5,10,15 В соответственно. Те же нормы существуют и для вытекающих токов в состоянии лог. 1 при выходном напряжении 4,6; 9,5; 13,5 В соответственно. Кроме того, гарантируется, что при напряжении питания 5 В, выходном напряжении 2,5 В выходной вытекающий ток при лог. 1 составит не менее 1,36 мА. Реально выходные токи микросхем серии КР1561 значительно больше. При лог. 0 на выходе и выходном напряжении 0,5 В выходной ток составляет примерно 3...5, 5...10, 6...15мА при напряжении питания 5, 10, 15 В соответственно. Аналогично вытекающий ток в состоянии лог. 1 при выходном напряжении, на 0,5 В меньшем, чем напряжение питания, составляет при тех же напряжениях питания примерно 1,2... 1,5; 2...3; 3...4 мА. При напряжении на выходе 1 В в состоянии лог. 0 выходной втекающий ток составляет 6...10,10...20,12...25 мА при указанных выше напряжениях питания, при напряжении, на 1 В меньшем напряжения питания, в состоянии лог. 1 вытекающий ток 2...3, 4...5,5...7 мА соответственно. Ток короткого замыкания при напряжении 5 В составляет около 10 мА в состоянии лог. 0 и около 6 мА в состоянии лог. 1, что позволяет подключать практически любые светодиоды к выходам микросхем этой серии без ограничительных резисторов. При напряжении питания 10 или 15 В ток короткого замыкания может достигать 20...60 мА, поэтому включение ограничительных резисторов необходимо. Выходной ток 0,44 мА в состоянии лог. 0 при напряжении на выходе 0,5 В и напряжении питания 5 В гарантирует нормальную работу микросхем серии КР1561 на один вход микросхем серии К555. Поскольку, как указывалось выше, реальный выходной ток в этих условиях больше, микросхемы серии КР1561 можно нагружать на несколько входов микросхем серии К555 или на один вход микросхемы серии К 155. Напряжение питания на микросхемы рассматриваемых серий подается на вывод с наибольшим номером, общий провод подключается к выводу с вдвое меньшим номером. Исключение составляют микросхемы К561ПУ4 и КР1561ПУ4, а также микросхемы, требующие для своей работы два источника питания. Все исключения отмечены далее при описании конкретных микросхем.

При использовании микросхем следует помнить, что защита входов микросхем диодами от статического электричества не является полной. Поэтому при монтаже устройств с микросхемами КМОП необходимо соблюдать следующие правила. Для исключения случайного пробоя за счет статического электричества потенциалы монтируемой платы, паяльника и тела монтажника должны быть уравнены. Для этого на ручку паяльника можно намотать несколько витков неизолированного провода или укрепить металлическую пластинку и соединить через резистор 100...200 кОм с металлическими частями паяльника. Конечно, обмотка паяльника не должна иметь контакта с его жалом. При монтаже свободной рукой следует касаться шин питания монтируемой платы. Если микросхема находится в металлической коробке или ее выводы упакованы в фольгу, прежде чем взять микросхему, следует дотронуться до коробки или фольги. При передаче микросхемы из рук в руки следует уравнять потенциалы участвующих в этом, дотронувшись друг до друга до момента передачи.

Применение микросхем КМОП-серий имеет свои особенности. Ни один из входов микросхем не может быть оставлен неподключенным, даже если логический элемент в микросхеме не использован. Свободные входы элементов должны быть или соединены с используемыми входами того же элемента или подключены к шине питания или к общему проводу в соответствии с логикой работы микросхемы. Напряжение источника питания должно подаваться ранее или одновременно с подачей входных сигналов. В любом устройстве, собранном на микросхемах структуры КМОП, рекомендуется перед первым включением проверить прозвонкой подачу напряжения питания на все выводы питания и те выводы микросхем, на которые напряжение питания подается в соответствии с принципиальной схемой. Дело в том, что микросхема КМОП из-за наличия входных защитных диодов может работать без подачи напряжения на вывод питания, если хотя бы на один из входов микросхемы подано напряжение питания или лог. 1. Аналогично следует проверить цепь общего провода по той же причине.

Рис. Микросхема К561ЛА7

Микросхема К561ЛА7 состоит из четырех элементов 2И-НЕ, которые выполняют логическую функцию и четырнадцати выводов на корпус. Реализация этой логической функции обеспечивается последовательным соединением МДП-транзистора с каналом n-типа и параллельным соединением МДП-транзистора p-типа. Корпус К561ЛА7 содержит два логических элемента И-НЕ. Количество элементов в корпусе определяется количеством входов и выходов всех элементов и ограничивается количеством выводов корпуса.

Резисторы

Резистор -- пассивный элемент электрической цепи, в идеале характеризуемый только сопротивлением электрическому току, то есть для идеального резистора в любой момент времени должен выполняться закон Ома: мгновенное значение напряжения на резисторе пропорционально току проходящему через него . На практике же резисторы в той или иной степени обладают также паразитной ёмкостью, паразитной индуктивностью и нелинейностью вольтамперной характеристики.

Обозначение резисторов на схемах

Рис. а) обозначение, принятое в России и в Европе б) принятое в США

В России условные графические обозначения резисторов на схемах должны соответствовать ГОСТ 2.728-74. В соответствии с ним, постоянные резисторы обозначаются следующими образом:

Обозначение по ГОСТ 2.728-74

Описание

Постоянный резистор без указания номинальной мощности рассеивания

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 0,05 Вт

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 0,125 Вт

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 0,25 Вт

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 0,5 Вт

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 1 Вт

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 2 Вт

Постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 5 Вт

Классификация резисторов

По зависимости ВАХ от внешних условий:

1) постоянные резисторы -- номинал сопротивления не управляется;

2) переменные управляемые резисторы:

а) потенциометры;

б) реостаты;

в) подстроечные резисторы;

3) специальные резисторы:

а) нелинейные -- ВАХ не линейна;

б) терморезисторы -- сопротивление зависит от температуры;

в) фоторезисторы -- сопротивление зависит от освещённости;

г) тензорезисторы -- сопротивление зависит от деформации резистор;,

д) магниторезисторы -- сопротивление зависит от величины магнитного поля;

По технологии изготовления:

1) Проволочные резисторы. Представляют собой кусок проволоки с высоким удельным сопротивлением намотанный на какой-либо каркас. Могут иметь значительную паразитную индуктивность. Высокоомные малогабаритные проволочные резисторы иногда изготавливают из микро-провода.

2) Плёночные металлические резисторы. Представляют собой тонкую плёнку металла с высоким удельным сопротивлением, напылённую на керамический сердечник, на концы сердечника надеты металлические колпачки с проволочными выводами. Иногда, для повышения сопротивления, в плёнке прорезается винтовая канавка. Это наиболее распространённый тип резисторов.

3) Металлофольговые резисторы. В качестве резистивного материала используется тонкая металлическая лента.

4) Угольные резисторы. Бывают плёночными и объёмными. Используют высокое удельное сопротивление графита.

5) Интегральный резистор. Используется сопротивление слаболегированного полупроводника. Эти резисторы могут иметь большую нелинейность вольт-амперной характеристики. В основном используются в составе интегральных микросхем, где применить другие типы резисторов невозможно или не технологично.

Резисторы, выпускаемые промышленностью

Выпускаемые промышленностью резисторы одного и того же номинала имеют разброс сопротивлений. Значение возможного разброса определяется точностью резистора. Выпускают резисторы с точностью 20 %, 10 %, 5 %, и т. д. вплоть до 0,01 %[1]. Номиналы резисторов не произвольны: их значения выбираются из специальных номинальных рядов, наиболее часто из номинальных рядов E6 (20 %), E12 (10 %) или E24 (для резисторов с точностью до 5 %), для более точных резисторов используются более точные ряды (например E48).Резисторы, выпускаемые промышленностью характеризуются также определённым значением максимальной рассеиваемой мощности (выпускаются резисторы мощностью 0,125Вт 0,25Вт 0,5Вт 1Вт 2Вт 5Вт). (Согласно ГОСТ 24013-80 и ГОСТ 10318-80 советской радиотехнической промышленностью выпускались резисторы следующих номиналов мощностей, в Ваттах, Вт.: 0.01, 0.025, 0.05, 0.062, 0.125, 0.5, 1, 2, 3, 4, 5, 8, 10, 16, 25, 40, 63, 100, 160, 250, 500)

В данной курсовой работе при построении сигнализатора неисправности кулера использовались полупрецизионные металлопленочные резисторы (Р1-АБШК.434110.049ТУ). Полупрецизионный резистор - это резистор всеклиматического изолированного и неизолированного вариантов исполнения, предназначен для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов. Аналог импортного резистора по техническим характеристикам, габаритным и установочным размерам.

Характеристика резистора.

Допускаемое отклонение от номинального сопротивления

от 10 Ом до 1 Мом……………………….± (0,51) %

Промежуточные значения номинальных сопротивлений

от 100 Ом до 100 кОм……………………..± (0,251 ) %

Промежуточные значения номинальных сопротивлений

- ТКС, ppm/°С± (15; 25, 50, 100) Зависимость допускаемой мощности

- Диапазон рабочих температурот- 55 до +155°С (%) рассеяния от температуры

Габаритные размеры и технические характеристики

Вид резистора

Условное обозначение при заказе

Размеры в мм

Мощность рассеяния, Вт

Предельное рабочее напряжение, В

L

D

H

d

Р1-72

Р1-72-0,125

3,30,2

1,80,2

292,0

0,50,06

0,125

200

Р1-72-0,25М

3,30,2

1,80,2

292,0

0,50,06

0,25

200

Р1-72-0,25

6,30,5

2,30,3

282,0

0,60,1

0,25

250

Р1-72-0,5М

6,30,5

2,30,3

282,0

0,60,1

0,5

300

Р1-72-0,5

9,00,5

3,20,5

262,0

0,60,1

0,5

350

Р1-72-1М

9,00,5

3,20,5

262,0

0,60,1

1,0

400

Р1-72-1

11,51,0

4,50,5

352,0

0,80,1

1,0

450

Р1-72-2М

11,51,0

4,50,5

352,0

0,80,1

2,0

500

Транзистор

Транзистор электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы. Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми. Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32нм. На одном современном чипе (обычно размером 1--2 см?) размещаются несколько миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.

Классификация транзисторов

P-n-p

Канал p-типа

N-p-n

Канал n-типа

Биполярные

Полевые

По основному полупроводниковому материалу

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

-Германиевые; - Кремниевые; - Арсенид-галлиевые;

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов -- полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

По структуре

Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры.

Биполярные: -n-p-n структуры, «обратной проводимости». -p-n-p структуры, «прямой проводимости» .

Полевые: -с p-n переходом; -с изолированным затвором;

Однопереходные;

Криогенные транзисторы;

Комбинированные транзисторы

Транзисторы со встроенными резисторами и биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

Транзистор Дарлингтона - комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

-на транзисторах одной полярности; - на транзисторах разной полярности;

Лямбда-диод -- двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

Биполярный транзистор с изолированным затвором- силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами.

По мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают: - маломощные транзисторы до 100 мВт; -транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт; - мощные транзисторы (больше 1 Вт);

По исполнению

Дискретные транзисторы: а)Корпусные: -для свободного монтажа; -для установки на радиатор; -для автоматизированных систем пайки; б) Бескорпусные. Транзисторы в составе интегральных схем

По материалу и конструкции корпуса

Металло-стеклянный; Пластмассовый; Керамический;

В данной курсовой работе при построении схемы я использовал транзистор КТ3117А. Транзистор КТ3117А предназначен для работа в оперативных, постоянных запоминающих устройствах и другой радиотехнической аппаратуре. Изготавливается в корпусе КТ1-7(ТО-18)

Рис: 1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор

Таблица: Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметры

Обозначения

Единица измерения

Значения

А

Б

Напряжение коллектор-база

Uкб max

В

60

75

Напряжение коллектоp-эмиттеp

Uкэ max

В

60

75

Напряжение эмиттер-база

Uэб max

В

4

4

Постоянный ток коллектора

Iк max

мА

400

400

Импульсный ток коллектора

Iки max

мА

800

800

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

Рк max

Вт

0,3

0,3

Температура перехода

Tj

°C

150

150

Таблица: Основные электрические параметры ( Tокр.ср.=25°C )

Параметры

Обозначение

Ед.из-меp

Режимы измеpения

Min

Max

Обратный ток коллектора

КТ3117А

КТ3117Б

Iкбо мкА

мкА

Uкб=60B Uкб=75B

10

10

Статический коэффициент передачи тока

КТ3117А

КТ3117Б

h21Е

Uкб=-5B,Iэ=200Мa

f=50Гц

40

100

200

300

Напряжение насыщения коллектор- эмитер

Uкэ(нас)

В

Iк=500мА,Iб=50мA

0,6

Напряжение насыщения база - эмиттер

Uкэ(нас)

В

Iк=500мА,Iб=50мA

1,2

Емкость коллекторного перехода

пФ

Uкб=10B, Iэ=0,

f=107Гц

10

Емкость эмиттерного перехода

Сэ

пФ

Uбэ=0B f=10Гц

80

Граничная частота коэффициента передачи тока

Fгр

MГц

200

Конденсатор

Конденсатор -- двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой омической проводимостью. Устройство для накопления энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. Обычно состоит из двух электродов в форме пластин (называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок.

Основа конструкции конденсатора -- две токопроводящие обкладки, между которыми находится диэлектрик.

Слева -- конденсаторы для поверхностного монтажа; справа -- конденсаторы для объёмного монтажа; сверху -- керамические; снизу -- электролитические.

Различные конденсаторы для объёмного монтажа

Свойства конденсатора

Конденсатор в цепи постоянного тока может проводить ток в момент включения его в цепь (происходит заряд или перезаряд конденсатора), по окончании переходного процесса ток через конденсатор не течёт, так как его обкладки разделены диэлектриком. В цепи же переменного тока он проводит колебания переменного тока посредством циклической перезарядки конденсатора, замыкаясь так называемым током смещения.

Обозначение конденсаторов на схемах

В России условные графические обозначения конденсаторов на схемах должны соответствовать ГОСТ 2.728-74[2] либо международному стандарту IEEE 315--1975:

Обозначение по ГОСТ 2.728-74

Описание

Конденсатор постоянной ёмкости

Поляризованный конденсатор

Подстроечный конденсатор переменной ёмкости

На электрических принципиальных схемах номинальная ёмкость конденсаторов обычно указывается в микрофарадах (1 мкФ = 10-6 пФ) и пикофарадах, но нередко и в нанофарадах. При ёмкости не более 0,01 мкФ, ёмкость конденсатора указывают в пикофарадах, при этом допустимо не указывать единицу измерения, то есть постфикс «пФ» опускают. При обозначении номинала ёмкости в других единицах указывают единицу измерения (пикоФарад). Для электролитических конденсаторов, а также для высоковольтных конденсаторов на схемах, после обозначения номинала ёмкости, указывают их максимальное рабочее напряжение в вольтах (В) или киловольтах (кВ). Например так: «10 мк x 10 В». Для переменных конденсаторов указывают диапазон изменения ёмкости, например так: «10 -- 180». В настоящее время изготавливаются конденсаторы с номинальными ёмкостями из десятичнологарифмических рядов значений Е3, Е6, Е12, Е24, то есть на одну декаду приходится 3, 6, 12, 24 значения, так, чтобы значения с соответствующим допуском (разбросом) перекрывали всю декаду.

Характеристики конденсаторов

Основные параметры

Основной характеристикой конденсатора является его ёмкость, характеризующая способность конденсатора накапливать электрический заряд. В обозначении конденсатора фигурирует значение номинальной ёмкости, в то время как реальная ёмкость может значительно меняться в зависимости от многих факторов. Реальная ёмкость конденсатора определяет его электрические свойства. Так, по определению ёмкости, заряд на обкладке пропорционален напряжению между обкладками (q = CU). Типичные значения ёмкости конденсаторов составляют от единиц пикофарад до сотен микрофарад. Однако существуют конденсаторы с ёмкостью до десятков фарад.

Ёмкость плоского конденсатора, состоящего из двух параллельных металлических пластин площадью каждая, расположенных на расстоянии друг от друга, в системе СИ выражается формулой: , где  -- относительная диэлектрическая проницаемость среды, заполняющей пространство между пластинами (эта формула справедлива, лишь когда много меньше линейных размеров пластин).

Для получения больших ёмкостей конденсаторы соединяют параллельно. При этом напряжение между обкладками всех конденсаторов одинаково. Общая ёмкость батареи параллельно соединённых конденсаторов равна сумме ёмкостей всех конденсаторов, входящих в батарею.

или

Если у всех параллельно соединённых конденсаторов расстояние между обкладками и свойства диэлектрика одинаковы, то эти конденсаторы можно представить как один большой конденсатор, разделённый на фрагменты меньшей площади. При последовательном соединении конденсаторов заряды всех конденсаторов одинаковы. Общая ёмкость батареи последовательно соединённых конденсаторов равна

или

Эта ёмкость всегда меньше минимальной ёмкости конденсатора, входящего в батарею. Однако при последовательном соединении уменьшается возможность пробоя конденсаторов, так как на каждый конденсатор приходится лишь часть разницы потенциалов источника напряжения. Если площадь обкладок всех конденсаторов, соединённых последовательно, одинакова, то эти конденсаторы можно представить в виде одного большого конденсатора, между обкладками которого находится стопка из пластин диэлектрика всех составляющих его конденсаторов.

Удельная ёмкость

Конденсаторы также характеризуются удельной ёмкостью -- отношением ёмкости к объёму (или массе) диэлектрика. Максимальное значение удельной ёмкости достигается при минимальной толщине диэлектрика, однако при этом уменьшается его напряжение пробоя.

Номинальное напряжение

Другой, не менее важной характеристикой конденсаторов является номинальное напряжение -- значение напряжения, обозначенное на конденсаторе, при котором он может работать в заданных условиях в течение срока службы с сохранением параметров в допустимых пределах. Номинальное напряжение зависит от конструкции конденсатора и свойств применяемых материалов. При эксплуатации напряжение на конденсаторе не должно превышать номинального. Для многих типов конденсаторов с увеличением температуры допустимое напряжение снижается, что связано с увеличением тепловой скорости движения носителей заряда и, соответственно, снижению требований для образования электрического пробоя.

Полярность

Конденсаторы, разрушившиеся без взрыва, из-за действия температуры и напряжения, не соответствовавших рабочим. Многие конденсаторы с оксидным диэлектриком (электролитические) функционируют только при корректной полярности напряжения из-за химических особенностей взаимодействия электролита с диэлектриком. При обратной полярности напряжения электролитические конденсаторы обычно выходят из строя из-за химического разрушения диэлектрика с последующим увеличением тока, вскипанием электролита внутри и, как следствие, с вероятностью взрыва корпуса. Взрывы электролитических конденсаторов -- довольно распространённое явление. Основной причиной взрывов является перегрев конденсатора, вызываемый в большинстве случаев утечкой или повышением эквивалентного последовательного сопротивления вследствие старения (актуально для импульсных устройств). Для уменьшения повреждений других деталей и травматизма персонала в современных конденсаторах большой ёмкости устанавливают клапан или выполняют насечку на корпусе (часто можно заметить её в форме буквы X, K или Т на торце). При повышении внутреннего давления открывается клапан или корпус разрушается по насечке, испарившийся электролит выходит в виде едкого газа, и давление спадает без взрыва и осколков.

Паразитные параметры

Реальные конденсаторы, помимо ёмкости, обладают также собственными сопротивлением и индуктивностью. С высокой степенью точности, эквивалентную схему реального конденсатора можно представить следующим образом:

-- собственная ёмкость конденсатора;

-- сопротивление изоляции конденсатора;

-- эквивалентное последовательное сопротивление;

-- эквивалентная последовательная индуктивность.

Электрическое сопротивление изоляции конденсатора -- r

Сопротивление изоляции -- это сопротивление конденсатора постоянному току, определяемое соотношением r = U / Iут , где U -- напряжение, приложенное к конденсатору, Iут -- ток утечки.

Эквивалентное последовательное сопротивление -- R

Эквивалентное последовательное сопротивление (ЭПС, англ. ESR) обусловлено главным образом электрическим сопротивлением материала обкладок и выводов конденсатора и контакта(-ов) между ними, а также потерями в диэлектрике. Обычно ЭПС возрастает с увеличением частоты тока, протекающего через конденсатор. В большинстве случаев этим параметром можно пренебречь, но иногда (напр., в случае использования электролитических конденсаторов в фильтрах импульсных блоков питания) достаточно малое его значение может быть жизненно важным для надёжности устройства.

Эквивалентная последовательная индуктивность -- L

Эквивалентная последовательная индуктивность обусловлена, в основном, собственной индуктивностью обкладок и выводов конденсатора. На низких частотах (до единиц килогерц) обычно не учитывается в силу своей незначительности.

Тангенс угла потерь

Тангенс угла потерь -- отношение мнимой и вещественной части комплексной диэлектрической проницаемости.

Потери энергии в конденсаторе определяются потерями в диэлектрике и обкладках. При протекании переменного тока через конденсатор векторы напряжения и тока сдвинуты на угол , где  -- угол диэлектрических потерь. При отсутствии потерь . Тангенс угла потерь определяется отношением активной мощности Pа к реактивной Pр при синусоидальном напряжении определённой частоты. Величина, обратная , называется добротностью конденсатора. Термины добротности и тангенса угла потерь применяются также для катушек индуктивности и трансформаторов.

Температурный коэффициент емкости (ТКЕ)

ТКЕ -- относительное изменение емкости при изменении температуры окружающей среды на один градус Цельсия (Кельвина). Таким образом, значение ёмкости от температуры представляется линейной формулой:

,

где ДT -- увеличение температуры в °C или °К относительно нормальных условий, при которых специфицировано значение ёмкости. TKE применяется для характеристики конденсаторов со значительной линейной зависимостью ёмкости от температуры. Однако ТКЕ определяется не для всех типов конденсаторов. Конденсаторы, имеющие нелинейную зависимость емкости от температуры, и конденсаторы с большими уходами емкости от воздействия температуры окружающей среды в обозначении имеют указание на относительное изменение емкости в рабочем диапазоне температур.

Диэлектрическое поглощение

Если заряженный конденсатор быстро разрядить до нулевого напряжения путём подключения низкоомной нагрузки, а затем снять нагрузку и наблюдать за напряжением на выводах конденсатора, то мы увидим, что напряжение медленно повышается. Это явление получило название диэлектрическое поглощение или адсорбция электрического заряда. Конденсатор ведёт себя так, словно параллельно ему подключено множество последовательных RC-цепочек с различной постоянной времени. Интенсивность проявления этого эффекта зависит в основном от свойств диэлектрика конденсатора. Подобный эффект можно наблюдать и на большинстве электролитических конденсаторов, но в них он является следствием химических реакций между электролитом и обкладками. Наименьшим диэлектрическим поглощением обладают конденсаторы с органическими диэлектриками: тефлон (фторопласт), полистирол, полиэтилентерефталат, поликарбонат.

Классификация конденсаторов

Основная классификация конденсаторов проводится по типу диэлектрика в конденсаторе. Тип диэлектрика определяет основные электрические параметры конденсаторов: сопротивление изоляции, стабильность ёмкости, величину потерь и др.

По виду диэлектрика различают:

- Конденсаторы вакуумные (обкладки без диэлектрика находятся в вакууме).

- Конденсаторы с газообразным диэлектриком.

- Конденсаторы с жидким диэлектриком.

- Конденсаторы с твёрдым неорганическим диэлектриком: стеклянные (стеклоэмалевые, стеклокерамические, стеклоплёночные), слюдяные, керамические, тонкослойные из неорганических плёнок.

- Конденсаторы с твёрдым органическим диэлектриком: бумажные, металлобумажные, плёночные, комбинированные -- бумажноплёночные, тонкослойные из органических синтетических плёнок.

- Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Такие конденсаторы отличаются от всех прочих типов прежде всего своей огромной удельной ёмкостью. В качестве диэлектрика используется оксидный слой на металлическом аноде. Вторая обкладка (катод) -- это или электролит (в электролитических конденсаторах) или слой полупроводника (в оксидно-полупроводниковых), нанесённый непосредственно на оксидный слой. Анод изготовляется, в зависимости от типа конденсатора, из алюминиевой, ниобиевой или танталовой фольги или спеченного порошка.

Керамический подстроечный конденсатор.

Кроме того, конденсаторы различаются по возможности изменения своей ёмкости:

- Постоянные конденсаторы -- основной класс конденсаторов, не меняющие своей ёмкости (кроме как в течение срока службы).

- Переменные конденсаторы -- конденсаторы, которые допускают изменение ёмкости в процессе функционирования аппаратуры. Управление ёмкостью может осуществляться механически, электрическим напряжением (вариконды, варикапы) и температурой (термоконденсаторы). Применяются, например, в радиоприемниках для перестройки частоты резонансного контура.

- Подстроечные конденсаторы -- конденсаторы, ёмкость которых изменяется при разовой или периодической регулировке и не изменяется в процессе функционирования аппаратуры. Их используют для подстройки и выравнивания начальных ёмкостей сопрягаемых контуров, для периодической подстройки и регулировки цепей схем, где требуется незначительное изменение ёмкости.

В зависимости от назначения можно условно разделить конденсаторы на конденсаторы общего и специального назначения. Конденсаторы общего назначения используются практически в большинстве видов и классов аппаратуры. Традиционно к ним относят наиболее распространённые низковольтные конденсаторы, к которым не предъявляются особые требования. Все остальные конденсаторы являются специальными. К ним относятся высоковольтные, импульсные, помехоподавляющие, дозиметрические, пусковые и другие конденсаторы.

Также различают конденсаторы по форме обкладок: плоские, цилиндрические, сферические и другие.

Название

Ёмкость

Электрическое поле

Схема

Плоский конденсатор

Цилиндрический конденсатор

Сферический конденсатор

Конденсаторы находят применение практически во всех областях электротехники. В данной курсовой работе при построении схемы использовались алюминиевые оксидно-электролитические конденсаторы к 50-35 (оЖ0.464.214ТУ). Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего тока и в импульсном режиме.

Конденсаторы оксидно-электролитические алюминиевые изолированные и неизолированные.

Технические характеристики

Допустимые отклонения емкости +50%,-20%.

Тангенс угла потерь

6,3 < U < 16 B макс. 30 %.

25 < U < 63 B макс. 20 %.

U = 100 В макс. 15 %.

U = 160 B макс. 10 %.

Ток утечки

макс. 0.02 U < 100 B СU + 3 мкА

макс. 0.02 U = 160 B СU + 20 мкА

Интервал рабочих температур -40 … + 85 °С

Гарантийная наработка Т = - 45 … + 70 °С 5000 час. Т = - 45 … + 55 °С 10000 час.

Номинальная емкость, мкФ

Номинальное напряжение, В

Размеры

Масса, г.

D

H

1

160

6,3

12

0,8

2,2

100

3,3

100

4,7

100

10

63

22

25

33

16

47

6,3

47

16

2,2

160

6,3

14

1,0

22

40

100

6,3

22

63

8

12

1,2

47

25

4,7

160

8

14

1,4

10

100

47

40

100

16

Формирование библиотечных элементов в системе проектирования P-CAD

В программах P-CAD Schematic и P-CAD PCB были разработаны элементы, составляющие схему. В программе P-CAD Schematic разрабатывалось условно графические обозначения, а в программе P-CAD PCB - изображение корпуса и выводов.

Используемые элементы

Название элемента

УГО(Schematic)

Корпус(PCB)

Микросхема

К561ЛА7

ГОСТ 2.721 - 74

Резистор(1кОм)

ГОСТ 2.721 - 74

Транзистор КТ3117А

ГОСТ 2.721 - 74

Конденсатор(100Мкф)

ГОСТ 2.721 - 74

Вход внешнего

источника опорного

напряжения

ГОСТ 2.721 - 74

Заземление

(Земля)

ГОСТ 2.721 - 74

После создания УГО элементов и их корпусов было произведено объединение их в единые компоненты с помощью программы P-CAD Library Executive. В этой же программе была создана библиотека, где хранятся все мои библиотечные элементы.

Разработка электрической принципиальной схемы устройства в P-CAD

Электрическая принципиальная схема устройства строится с помощью Schematic, которая входит в состав системы PCAD. Необходимо сконфигурировать шаг сетки через диалоговое меню «Options - Grids» и выставить необходимый шаг сетки в 2.5 мм. Затем через это же меню зайти в диалоговое окно Configure и выбрать необходимый размер рабочей области формата А4(210мм*297мм), а также единицу измерения миллиметры (мм). Затем можно размещать на рабочем листе библиотечные элементы с помощью инструмента «Place Part », и соединять их между собой соединениями, с помощью инструмента «Place Wire ». После выполнения операций по соединению элементов и их размещению, можно приступать к созданию списка соединений. Это делается с помощью меню «Utils - Generate Netist». Список соединений необходим для создания печатной платы устройства. На этом заканчивается разработка принципиальной схемы устройства. Принципиальная микросхема сигнализатора неисправности кулера хранится в файле LaptevAV.sch.

Принципиальная схема устройства

Разработка печатной платы в P-CAD

Печатная плата строится в программе PCB, которая входит в состав системы P-CAD. Необходимо сконфигурировать шаг сетки через диалоговое меню «Options - Grids» и выставить необходимый шаг сетки в 2.54 мм. Затем через это же меню зайти в диалоговое окно Configure и выбрать единицу измерения миллиметры (мм). Затем необходимо загрузить список соединений сгенерированных программой Schematic. Это делается через меню «Utils - Load Netlist». После загрузки списка соединений приступаем к размещению элементов, это можно сделать автоматически через меню «Place - Autoplacement», либо вручную с помощью курсора мыши. После размещения элементов можно заняться трассировкой соединений, это можно сделать автоматически через меню «Route - Avtorouters», либо вручную с помощью инструмента «Route Manual ». При трассировке необходимо учитывать на каком слое находятся элементы и их соединения, а так же соединения недолжны, пересекаться друг с другом. Элементы могут размещаться только в одном из двух слоев или на обеих сразу, соединительные линии тоже могут размещаться только на одном из двух слоев или на обеих сразу. Если используются оба слоя для трассировки, то для их соединения используются переходные отверстия(инструмент Place Via). Этими слоями являются верхний (Top) и нижний (Bottom) слои.

Рисунок 1.

На рисунке 1 использовался список соединения Laptev AV.net, Элементы размещены на верхнем слое, а трассировка выполнена на обоих слоях.

Оценка площади печатной платы и оптимизация соединений.

Размер печатной платы сигнализатора неисправности кулера : Ширина - 52мм, Высота - 115мм. Оптимизация соединений не требуется, так как элементы расположены максимально близко друг к другу.

Формирование пакета конструкторско-технологической документации

Данная курсовая работа основывается на следующих стандартах ЕСКД:

- ГОСТ 2.701 - 84 - Единая система конструкторской документации. Схемы. Вид и типы. Общие требования к выполнению.

- ГОСТ 2.702 - 75 - Единая система конструкторской документации. Правила выполнения электрических схем.

- ГОСТ 2.708 - 81 - Единая система конструкторской документации. Правила выполнения электрических схем цифровой вычислительной техники.

- ГОСТ 2.709 - 89 - Единая система конструкторской документации. Обозначение условных проводов и контактных соединений электрических элементов, оборудования и участка цепей в электрических схемах.

- ГОСТ 2.710 - 81 - Единая система конструкторской документации. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах.

- ГОСТ 2.721 - 74 - Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Обозначения общего применения.

- ГОСТ 2.726 - 68 - Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Токосъемники.

Сигнализатор неисправности кулера

Устройство предназначено для подачи звукового сигнала при остановке вентилятора, охлаждающего центральный процессор ПК (т.е. кулера). Сигнализатор включается в разрыв кабеля питания кулера, размеры печатной платы 40x32.5 мм (умещается в спичечном коробке). Работа устройства основана на особенности формы потребляемого кулером тока . С резистора R1 снимается напряжение, пропорциональное току через кулер, с амплитудой импульсов около 2В. Фильтр C1R2 подавляет постоянную составляющую сигнала, чтобы в отсутствие импульсов транзистор VT1 был полностью закрыт. Каждый импульс тока (один оборот кулера) на короткое время открывает транзистор VT1, разряжая конденсатор C2. После окончания импульса транзистор закрывается, конденсатор C2 начинает постепенно заряжаться через R4, но при нормальной работе кулера к моменту прихода следующего импульса он успевает зарядиться незначительно, на входе 9 DD1 постоянно присутствует низкий уровень. При обрыве, заклинивании или замыкании кулера импульсы тока прекращают поступать на вход сигнализатора, транзистор VT1 постоянно закрыт, и конденсатор C2 заряжается (сопротивление резистора R4 подбирается так, чтобы установившееся напряжение на C2 уверенно распознавалось микросхемой как высокий уровень). Высокий уровень на входе 9 DD1 разрешает работу генератора, собранного на вентилях DD1.1-DD1.4 и формирующего прерывистый звуковой сигнал. Частота звука зависит от C4 и R6 (приведенные на схеме номиналы соответствуют приблизительно 2 кГц), частота прерывания звука - с помощью C3 и R5 (по схеме 9-10 Гц). В качестве излучателя звука можно использовать пьезоэлектрический капсюль (подобный используемым в электронных будильниках и телефонных аппаратах). Настройка сигнализатора выполняется в два этапа. Сначала подбором R1 и C1 необходимо добиться устойчивого открывания транзистора VT1 положительными импульсами тока кулера. Затем подбором R4 и C2 устанавливается допустимый интервал между испульсами, по истечении которого включается сигнализация. (Желательно контролировать форму напряжения на конденсаторе C2 с помощью осциллографа.)

Заключение

В данном курсовом проекте я рассмотрел принцип действия моего устройства, сконструировал его конструкцию, составил технологическую карту, произвел выбор технологического оборудования, которое применяется при сборке и монтаже плат.

Список использованных источников

1. Хорвиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В. 2т.: Пер. с англ. - М.: Мир 1983. -т.1.-598с.; т.2, - 590 с.

2. Томас Р.К. Коммутационные устройства: Справочник. - М.: Радио и связь, 1989,-144с.

3. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справочное пособие /Э.Т. Романычева и др. - М.: Радио и связь, 1984. -249с.

4. Иванченко Е.Д. Коррекция характеристик преобразователей частоты. -3 кн. Полупроводниковые приборы в технике связи / Под ред. И.Ф. Николаевского. - М.: Связь, 1979, вып.4.

5. Операционные усилители (справочные материалы). Сост. В.М. Кунов; Фирма "Системы электроники и медицины". - Новосибирск, 1992. -48с.

6. Микро-ЭВМ "Электроника К1-10". Программное обеспечение. Руководство оператора. И1.00001-013401, 1980. -38с.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Функциональная схема объекта заданной структуры. Выбор алгоритма диагностирования. Построение принципиальной схемы дешифратора технического объекта. Выбор элементной базы и построение принципиальной схемы устройства автоматического поиска неисправностей.

    контрольная работа [196,9 K], добавлен 28.01.2017

  • Особенности проектирования нечетких систем, создание функций принадлежности и продукционных правил. Методы устранения нечеткости. Порядок создания библиотек компонентов, электрической принципиальной схемы в DipTrace, проверка топологии печатной платы.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 11.12.2012

  • Описание схемы электрической принципиальной. Разработка монтажа элементов электронного блока. Компоновка элементов на печатной плате. Проектирование сборочного чертежа электронного блока, разработка спецификации и проведение моделирования его работы.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 16.10.2012

  • Алгоритм выполнения операций, необходимых для обработки информации. Расчет и составление временной диаграммы управляющих сигналов. Выбор элементной базы, необходимой для разработки принципиальной схемы. Обнаружение ошибок, допущенных при вводе информации.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 16.08.2012

  • Анализ архитектуры, структуры и элементной базы существующих ОЗУ и системных шин компьютеров. Разработка структурной и принципиальной схемы адаптера связи оперативного запоминающего устройства с синхронной системной шиной. Выбор элементов и узлов ОЗУ.

    курсовая работа [271,4 K], добавлен 17.09.2013

  • Основания для выбора контроллера, который подключается по IDE-шине к устройству CD-ROM. Принцип действия устройства, описание структурной и принципиальной схемы. Выбор элементной базы. Алгоритм работы устройства, разработка программного обеспечения.

    курсовая работа [136,0 K], добавлен 23.12.2012

  • Прослушивание и локализация шумов, возникающих в двигателях автомобилей. Использование системы Altium Designer Summer 09. Формирование принципиальной электрической схемы. Порядок проектирования печатных плат. Создание библиотеки электрорадиоэлемента.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 11.07.2012

  • Охранно–пожарная сигнализация. Принципы работы систем пожарной сигнализации. Блок-схема алгоритма функционирования разработанного устройства. Выбор и обоснование элементной базы. Схема электрической принципиальной и проектирование цифровых устройств.

    курсовая работа [786,6 K], добавлен 10.11.2011

  • Структура микропроцессорной системы, алгоритм ее управления и передачи сигналов. Карта распределения адресов. Разработка электрической принципиальной схемы и выбор элементной базы. Расчет потребляемого тока, блока питания, программного обеспечения.

    курсовая работа [5,1 M], добавлен 22.01.2014

  • Выбор конструкционных материалов, элементной базы и алгоритм изготовления печатной платы шлюза для связи центрального процессора с периферийными устройствами. Предварительный расчет массогабаритных характеристик. Конструкция РЭМ, оценка качества изделия.

    курсовая работа [169,2 K], добавлен 14.08.2012

  • Разработка структурной и принципиальной схемы. Блок-схема основной программы и подпрограмм обработки прерываний. Имена переменных, используемых в них. Результаты моделирования работы устройства в программе ISIS пакета Рroteus. Разработка печатной платы.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 13.11.2016

  • Разработка функциональной и принципиальной схемы. Выбор управляющего контроллера. Описание МК PIC16F626, МК AVR, МК 51. Выбор элементной базы. Разработка управляющей программы. Описание алгоритма работы программы. Схема устройства, листинг программы.

    курсовая работа [492,9 K], добавлен 28.12.2012

  • Особенности создания библиотеки элементов. Основные приемы и функции графических редакторов данной среды, основы создания библиотек, PCB-проектов, принципиальных схем, элементов. Принципиальная электрическая схема и разработка топологии печатной платы.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 16.03.2019

  • Разработка структурной схемы устройства управления учебным роботом. Выбор двигателя, микроконтроллера, микросхемы, интерфейса связи и стабилизатора. Расчет схемы электрической принципиальной. Разработка сборочного чертежа устройства и алгоритма программы.

    курсовая работа [577,8 K], добавлен 24.06.2013

  • Анализ структур шифраторов. Описание принципиальной электрической схемы и разработка функциональный схемы. Описание работы базового логического элемента ИС 155. Технология изготовления печатной платы. Особенности монтажа на односторонних печатных платах.

    курсовая работа [375,6 K], добавлен 08.05.2019

  • Проектирование аппаратно-программного комплекса, предназначенного для отображения текстовой информации в виде бегущей строки (о дате, времени, температуре воздуха). Выбор микроконтроллера, элементной базы. Разработка принципиальной схемы устройства.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 17.08.2013

  • Описание принципа работы светодиодного пробника p-n переходов. Создание интегрированной библиотеки компонентов. Разработка принципиальной электрической схемы в системе P-CAD Schematic и ее установка на печатную плату. Трассировка и верификация платы.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 21.12.2010

  • Составление схемы электрической структурной и функциональной. Описание элементной базы: микроконтроллер PIC16F88, микросхема DS18B20, ЖК-индикатор MT10T9. Описание схемы электрической принципиальной, главные элементы. Правила работы с устройством.

    контрольная работа [1,2 M], добавлен 06.12.2013

  • Разработка алгоритма работы устройства, описание выбора элементной базы и работы принципиальной схемы. Текст программы, инициализация указателя стека, структура системы и ресурсов микроконтроллера. Запись кодов при программировании данного устройства.

    контрольная работа [18,4 K], добавлен 24.12.2010

  • Разработка устройства последовательного сбора и обработки информации с последующим выводом. Выбор элементной базы. Расчет характеристик элементов функциональной схемы. Определение разрядности АЦП и количества бит, передаваемых в информационном кадре.

    курсовая работа [160,9 K], добавлен 05.05.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.