Размещено на http://www.allbest.ru/

Обзор и характеристика запоминающих устройств

Халеева Виктория

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное

Учреждение высшего образования

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ЭКОНОМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

РЕФЕРАТ

"Обзор и характеристика запоминающих устройств"

По дисциплине «Информатика»

Руководитель О.Д. Мердина

Исполнитель В. В. Халеева

Группа С-1503

Санкт-Петербург 2015



Оглавление

Введение

Основные характеристики запоминающих устройств

Классификация запоминающих устройств

Последовательные полупроводниковые ЗУ

Полностью ассоциативная кэш-память

Кэш-память с прямым отображением

Наборно-ассоциативный кэш

Внешняя память (внешние запоминающие устройства)

Заключение

Список литературы



Введение

С древних времен и по сей день человечество не только активно добывало знания, но и старалось его сохранить, пыталось не потерять, обеспечивая эффективное хранение накапливаемой информации на различных хранителях. С того момента как зародилась письменность было перепробовано великое множество различных носителей информации. Человек использовал и шкуры животных, и кору деревьев, и многое другое. Изобретение в средние века дешевого и долговечного носителя информации (бумага) и, что очень важно, дешевого и эффективного способа записи на носитель (книгопечатание) вызвало настоящий информационный взрыв в обществе. Но что хорошо человеку - не подходит компьютеру. С момента изобретения первого ЭВМ человечеству пришлось искать другие пути хранения информации, новые, совершенно отличающиеся от традиционных способов. В своем реферате я расскажу о различных видах запоминающих устройств и их основных характеристиках.

Интерес моей работы заключается в том, чтобы открыть для себя ранее неизвестные факты. Целью данного реферата является изучение характеристик запоминающих устройств. Для ее реализации мною были поставлены следующие задачи:

1) объяснить понятие запоминающих устройств;

2) описать основные характеристики запоминающих устройств;

3) классифицировать запоминающие устройства по различным критериям.

Основной эмпирической базой стала многочисленная информация из различных источников.

Объект исследования - обзор и характеристика запоминающих устройств.

Предмет исследования - запоминающие устройства.

Этапы создания работы:

1) поиск актуальной информации;

2) работа с электронными ресурсами и печатными изданиями;

3) систематизация полученной информации в единое представление.



Основные характеристики запоминающих устройств

Запоминающие устройства играют важную роль в общей структуре электронно-вычислительных машин. По оценкам специалистов производительность компьютера на разных задачах на 40-50% определяется характеристиками запоминающих устройств различных типов и видов, входящих в его состав.

Систему называют запоминающим устройством (ЗУ), если она обладает способностью воспринимать и сохранять информацию, а затем при определенных условиях частично или полностью адекватно воспроизводить ее, обеспечивая достаточно длинный временной интервал между моментами прихода и использования информации. Простейшая модель, имеющая свойство памяти, состоит из запоминающих элементов, связанных с каналом ввода и/или вывода информации. Так как в вычислительной технике информация представлена в двоичном коде, запоминающее устройство должно содержать элементы, которые могут находиться в двух устойчивых состояниях. Каждый такой элемент называется ячейкой памяти и имеет собственный уникальный адрес.

Одну из основных функциональных частей цифровой вычислительной системы составляет память. память хранение информация цифровой

Для функционирования компьютерной системы необходимо наличие как оперативного запоминающего устройства (ОЗУ), так и постоянного запоминающего устройства (ПЗУ), обеспечивающего сохранение информации при выключении питания. ОЗУ может быть статическим и динамическим, а ПЗУ однократно или многократно программируемым.

Степень слияния и быстродействие, электрические параметры ЗУ при записи и хранении информации, долговременная стабильность помехоустойчивость, стабильность к внешним неблагоприятным факторам при функционировании и т.д. зависят от физических принципов работы приборов, применяемых материалов и параметров технологических процессов при их изготовлении.

Важнейшими характеристиками отдельных устройств памяти являются емкость памяти, удельная емкость, быстродействие данного устройства.

Емкость памяти определяется максимальным количеством данных, которые могут в ней храниться. Емкость измеряется в двоичных единицах или битах, машинных словах, но большей частью в байтах.

Удельная емкость - отношение емкости запоминающего устройства к его физическому объему.

Быстродействие памяти определяется продолжительностью операций обращения, т.е. временем, затрачиваемым на поиск единицы информации в памяти и на ее считывание, или временем на поиск места в памяти, предназначенного для хранения данной единицы информации, и на ее запись.

Время считывания (подборки) информации - интервал времени обращения к ЗУ от подачи сигнала считывания и до получения выходного сигнала.

Время записи информации - интервал времени от момента подачи сигнала обращения к запоминающему устройству до момента готовности ЗУ к приему последующей части информации.

Для оценки энергопотребления обычно используется удельная потребляемая мощность (из расчета на 1 бит). Могут приводиться два значения удельной потребляемой мощности: для хранения и обращения.

Важными характеристиками запоминающих устройств также являются надежность, масса устройства, габариты и стоимость.



Классификация запоминающих устройств

Рисунок 1. Классификация запоминающих устройств.

Рассмотрим таблицу видов полупроводниковых ЗУ, и подробнее рассмотрим каждый из них.

Адресные ЗУ:

Адресные запоминающие устройства - это устройства памяти, главным признаком которых является то, что код на адресном входе указывает ячейку, с которой ведется обмен. Адресные ЗУ подразделяются на оперативные запоминающие устройства или RAM (Random ACCESS Memory) и постоянные запоминающие устройства или ROM (Read-Only Memory).

RAM

Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ или RAM) представляются в виде платы (или нескольких плат) оперативной памяти. Запоминающее устройство с произвольным доступом (сокращённо ЗУПД), также Запоминающее устройство с произвольной выборкой (сокращённо ЗУПВ; англ. Random Access Memory, RAM) -- один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке (всегда за одно и то же время, вне зависимости от расположения) по её адресу на чтение или запись.

Объёмы данного вида памяти сейчас, в современных компьютерах, колеблются от 32 до 1024 мегабайт (Мб), хотя встречаются ещё с 4-мя, и с 8-мью, и с 16-тью Мб памяти. Говоря о разновидностях плат оперативной памяти (не вникая в подробности), можно выделить следующие типы: SIMM(сейчас в основном уже не используется), DIMM(данный вид плат сейчас наиболее востребован на рынке данного вида услуг), DDR и RIMM - данные платы памяти пока ещё только выходят на мировой рынок высоких технологий, но пока широко не используются (при выключении компьютера информация в данном виде памяти не сохраняется).

Записывающие устройства типа RAM существуют двух видов: статические и динамические. Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM), а динамические DRAM (Dynamic RAM).

Рассмотрим статические записывающие устройства. К ним относятся асинхронные, тактируемые и синхронные (конвейерные) ЗУ.

Асинхронный принцип подразумевает, что момент начала еще одного действия определяется лишь моментом окончания предыдущей операции. Перенося данный принцип на систему памяти, нужно принимать во внимание, что контроллер памяти постоянно действует синхронно. В асинхронных ЗУ цикл чтения начинается лишь при поступлении запроса от контроллера памяти, и если память никак не успевает предоставить эти в текущем такте, контроллер может считать их только в последующем такте, так как следующий шаг контроллера начинается с приходом очередного тактового импульса. В последнее время асинхронная схема активно вытесняется.

В тактируемых ЗУ некоторые сигналы непременно должны быть импульсными, к примеру, сигнал разрешения работы CS в каждом цикле обращения к памяти обязан переходить из пассивного состояния в активное (должен формироваться фронт данного сигнала в каждом цикле). Данный вид ЗУ именуют часто синхронным. Здесь применен термин "тактируемые", чтобы "освободить" термин "синхронные" для новейших типов ЗУ, в которых организован конвейерный тракт передачи данных, синхронизируемый от тактовой системы процессора, что дает повышение темпа передач данных в несколько раз.

В микросхемах, где реализован синхронный принцип, процессы чтения и записи (если это ОЗУ) выполняются одновременно с тактовыми сигналами контроллера памяти.

Другим типом полупроводниковых адресных запоминающих устройств являются динамические ЗУ, которые подразделяются еще на три вида, среди которых имеются стандартные, квазистатические запоминающие устройства и ЗУ повышенного быстродействия.

Динамические запоминающие устройства характеризуются наибольшей информационной емкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память ЭВМ. Статические ЗУ в 4-5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же раз меньше по информационной емкости. Их достоинство высокое -- быстродействие, а типичной областью использования -- схемы кэш-памяти.

К динамическим RAM повышенного быстродействия относят следующие виды запоминающих устройств.

FPM RAM (от англ. Fast Page Mode Random Access Memory -- память с свободным доступом, (поддерживающая) стремительный страничный режим, время от времени также page mode memory) -- вид оперативной памяти, используемой в компьютерах первой половины 1990-х годов. Повышение быстродействия по сравнению с обыкновенной (PM RAM) достигается следующим образом: в случае, когда последовательно выбираемые элементы расположены на одной странице (строке), полный адрес (строка + столбец) подается только один раз для выборки первой ячейки строки. Для доступа к иным ячейкам той же страницы используется только адрес столбца. В традиционной DRAM памяти приходилось каждый раз выдавать полный адрес (строка + столбец).

EDO RAM (англ. Extended Data Out Random Access Memory) -- память случайного доступа к данным с расширенным выводом -- усовершенствованный вид памяти FPM RAM (иное название Hyper Page Mode). В памяти EDO при выставлении сигнала CAS в линию продолжали выдаваться эти с текущего такта, что позволило уменьшить длительность цикла чтения. В ней использовалась шина данных шириной 64 бита (разъем SIMM с 72 контактами), пропускная способность составляла до 320 Мбит/с (на частоте 40 МГц). Напряжение питания 5 вольт. В 1994 году EDO (40 МГц) сменила более раннюю память FPM (25 МГц), а затем, приблизительно с 1996 года была замещена памятью стандарта SDRAM, работавшей на частотах до 133 МГц. Модули памяти EDO имели типичные объёмы около 16 Мб.

В структуру BEDORAM (Burst EDORAM) с пакетным доступом, эффективную при кучности адресов, вводится счетчик адресов столбцов. При обращении к группе слов (пакету) адрес столбца формируется обычным способом только в начале пакетного цикла. Характерный для пакета из четырех слов тайминг: 5-1-1-1. Память BEDORAM не получила широкого распространения из-за появления сильного конкурента - синхронных DRAM (SDRAM). (П., 2010)

MDRAM (Multibank DRAM - модульная динамическая память) - память для видеоадаптера, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком. (Л.М., 2002)

SDRAM - это вид динамической оперативной памяти (DRAM), работа которой синхронизируется с шиной памяти. SDRAM передает информацию в высокоскоростных пакетах, использующих высокоскоростной синхронизированный интерфейс. SDRAM позволяет избежать использования большинства циклов ожидания, необходимых при работе асинхронной DRAM, поскольку сигналы, по которым работает память такого типа, синхронизированы с тактовым генератором системной платы. (Мюллер, 2006)

Вид памяти RDRAM (Rambus Dynamic RAM) использует узкую (малоразрядную) магистраль данных (в отличие от SDRAM и SGRAM). Это позволяет в несколько раз повысить частоту, на которой она функционирует. Существуют три разновидности RDRAM - Base, Concurrent и Direct. Различия между первой и второй совсем незначительны: их технологии настолько сильно переплетаются, что, в принципе, это одно и то же. Но изменения в последней просто революционны. Особый интерес представляет DRDRAM. Она имеет 16-битовую шину и функционирует на частоте 400 МГц, что позволяет ей достичь пропускной способности в 1,6 Гбайт/с, что по сравнению с BRDRAM и CRDRAM это 2,5 - 3 раза больше. (Ватаманюк, 2011)

SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory -- синхронная динамическая память со свободным доступом) -- вид запоминающего устройства, применяемого в компьютере и остальных цифровых устройствах в качестве ОЗУ. SDRAM имеет очень высокую эффективность по сравнению с другими запоминающими устройствами. Память SDRAM представляется в виде модулей DIMM и, как правило, ее быстродействие оценивается в мегагерцах, а не в наносекундах (табл.1). (Мюллер, 2006)

Таблица 1. Быстродействие памяти SDRAM. №	Длительность цикла, нс	Частота, МГц	Спецификация
1	15	66	PC66
2	10	100	PC66
3	8	120	PC100
4	7,5	133	PC133
5	7	143	PC133

ROM

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ или ROM) -- т.е. накопитель на жёстком диске или "винчестере". Объёмы таких носителей зависят также от постоянно идущего вперёд компьютерного прогресса, т.е. каждый день появляются всё новые и новые носители информации с всё более и более большим объёмом хранения информации. На сегодняшний день на современных компьютерах их объёмы находятся примерно в следующих интервалах: от 2 до 80 и более гигабайт (Гб) (при выключении компьютера информация в данном виде памяти сохраняется, т.к. данное устройство и предназначено для её хранения долгое время).

PROM (англ. Рrogrammable Read-Only Memory - рус. программируемая память, используемая только для чтения) - это чип памяти, данные в который могут быть записаны только однажды, то что записано в PROM, не стирается и может храниться долгое время. В отличие от основной памяти, PROM содержит данные даже при выключенном компьютере.

Память представляет собой двумерный массив проводников (строк и столбцов).

EPROM (англ. Erasable Programmable Read Only Memory) -- класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память, для записи информации (программирования) в которую используется электронное устройство-программатор и допускающее перезапись.

Представляет собой матрицу транзисторов с плавающим затвором отдельно запрограммированных с помощью электрического устройства, которое подаёт наиболее высокое напряжение, нежели обычно используется в цифровых схемах. В отличие от PROM, после программирования данные на EPROM разрешено стереть (мощным ультрафиолетовым светом от ртутного источника света). EPROM легко узнаваем по прозрачному окошку из кварцевого стекла в верхней части корпуса, через которое заметен кремниевый чип и через которое производится облучение ультрафиолетовым светом во время стирания.

EEPROM (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) -- электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таковых, как PROM и EPROM). Память такого вида имеет возможность стираться и заполняться данными до миллиона раз.

На сегодняшний день традиционная двухтранзисторная разработка EEPROM практически полностью вытеснена флеш-памятью вида NOR. Но название EEPROM прочно зафиксировалось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии. Запись на данные носители производится электрическими сигналами.

Флеш-память (англ. flash memory) -- тип полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово употребляется в электронной схемотехнике для обозначения технологически оконченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе данной полупроводниковой технологии. В обиходе это сочетание слов зафиксировалось за широким классом твердотельных приборов хранения информации.

Благодаря компактности, невысокой стоимости, механической прочности, большому объёму, скорости работы, низкому энергопотреблению, флеш-память широко используется в цифровых портативных приспособлениях и носителях информации. Серьёзным недочетом предоставленной технологии считается ограниченный срок эксплуатации носителей, а также чувствительность к электростатическому разряду.



Последовательные полупроводниковые ЗУ

FIFO

FIFO (акроним First In, First Out -- «первым пришёл -- первым ушёл») -- метод организации и манипулирования данными условно времени и приоритетов. Это представление описывает принцип технической обработки очереди либо обслуживания конфликтных требований путём упорядочения процесса по принципу: «первым пришёл -- первым обслужен» (ПППО). Тот, кто приходит первым, тот и обслуживается первым, пришедший последующим ожидает, пока обслуживание первого не будет окончено, и так дальше.

Стековая память

Стековая память - это очередь со стратегией работы "последний вошел - первый вышел". Стековая память обычно реализуется на основе обычной линейной адресной памяти с использованием специального регистра - указателя стека (SP).

Файловая память

Файловая система flash-памяти (Flash File System, FFS) лишь эмулирует обычный дисковый накопитель и состоит из блоков управления и блока инициализации. На самом деле об истинном расположении и адресации блоков памяти знает только контроллер Flash-диска или карты памяти. (Ташков, 2009)

Циклическая память

В циклических ЗУ слова доступны одно за другими постоянным периодом, характеризуемым ёмкость памяти. К этому виду ЗУ относится видеопамять(VRAM). Время доступа к конкретной единице хранимой информации в последовательных запоминающих устройствах представляет собой случайную величину. В наихудшем случае для такого доступа может понадобиться просмотр всего объема хранимых данных. (П., 2010)

Ассоциативная память

Ассоциативная память (АП) либо Ассоциативное запоминающее устройство (АЗУ) - особый вид машинной памяти, применяемый в приложениях очень скорого поиска, память, направляемая по содержимому, ассоциативное запоминающее устройство, контентно-адресуемая память либо ассоциативный массив, хотя последний термин чаще употребляется в программировании для обозначения структуры данных. (Пахомов, 2013)

Полностью ассоциативная кэш-память

Первый и самый простой вариант заключается в том, что любая строка оперативной памяти может быть записана в любую строку кэш-памяти. То есть каждая строка кэш-памяти может быть связана с любой строкой оперативной памяти и наоборот (рис. 2). Такая кэш-память получила название полностью ассоциативной (fully associative).

Рисунок 2. Структура полностью ассоциативной кэш-памяти.

Полностью ассоциативный кэш имеет как плюсы, так и минусы. Главным минусом является поиск информации в нем по тегу строки, который требует сложной аппаратной реализации, а, как следствие, довольно дорог. Таким образом, для того чтобы определить, имеются ли данные в кэш-памяти, запрошенные процессором, нужно перебрать все кэш-строки, то есть сравнить тег кэш-строки со старшими битами адреса. Младшие биты адреса описывают смещение в самой кэш-строке.. Наиболее простой способ -- это последовательный перебор всех тегов, но при большом их количестве этот способ крайне непроизводителен, и поиск нужной кэш-строки может растянуться на сотни тактов, что спровоцирует низкую производительность кеш-памяти. С точки зрения энергопотребления параллельный просмотр всех тегов - не самое лучшее решение, поэтому полностью ассоциативные кэши не могут иметь большой размер. (Пахомов, 2013)

Кэш-память с прямым отображением

Иной способ организации отображения ОП Оперативная память. на кэш-память противоположен рассмотренному полностью ассоциативному кэшу. Это кэш прямого отображения (Direct mapping), когда каждая строка ОП соответствует строго определенной строке кэш-памяти. Каждая строка ОП связана только с одной строкой кэш-памяти, а каждой строке кэш-памяти соответствует некоторое количество строго определенных строк ОП.

В рассмотренном примере кэша из восьми строк и ОП из 24 строк можно установить следующую жесткую связь между кэш-строками и строками памяти. Строке кэш-памяти с номером 0 соответствуют строки ОП с номерами 0, 8 и 16; строке с номером 1 -- строки с номерами 1, 9 и 17, а последней строке с номером 7 -- строки с номерами 7, 15 и 23 (рис. 3). Так в данном примере каждой строке кэш-памяти будут соответствовать три строки ОП.



Рисунок 3. Структура кэш-памяти с прямым отображением.

Если обозначить через N_cache номер кэш-строки, через N_{max_cache} количество строк кэш-памяти, а через N_memory номер строки оперативной памяти, то соотношение между номерами строк оперативной памяти и номерами кэш-строк будет следующим:

N_cache = (N_memory) mod (N_{max_cache}),

где mod -- это функция получения остатка от деления N_memory на N_{max_cache}. (Пахомов, 2013)

Наборно-ассоциативный кэш

Средним вариантом между полностью ассоциативным кэшем и кэшем с прямым отображением является наборно-ассоциативный кэш (N-way cache - N-канальный кэш). Данный кэш состоит из нескольких банков (сегментов) независимых друг от друга, каждый из которых представляет собой кэш с прямым отображением, а банки являются полностью ассоциативными по отношению к ОП. Так любой элемент ОП может быть размещен в любом банке кэш-памяти, но внутри банка ему соответствует строго определенная кэш-строка (рис. 4).

Рисунок 4. Структура наборно-ассоциативного кэша.

Определить, в какую именно строку кэш-памяти попадет элемент оперативной памяти, довольно просто, так как каждый банк кэш-памяти - сегмент памяти с прямым отображением. Действует следующее правило, то есть:

N_{bank_cache} = (N_memory) mod (N_{max_bank_cache}).

Только в данном случае N_{bank_cache} - это номер кэш-строки в банке памяти; Nmax_bank_cache - количество строк кэш-памяти в банке; а Nmemory - номер строки ОП. (Пахомов, 2013)

Внешняя память (внешние запоминающие устройства)

К внешним относят:

Накопители на магнитной ленте

Накопители на магнитной ленте - это накопители на обыкновенных кассетах, либо бобинах, но в настоящее время данные накопители не используются (данные накопители использовались ещё не так давно 10-20 лет назад на старых электронно-вычислительных машинах [ЭВМ]);

Накопители на гибких магнитных дисках

Накопители на гибких магнитных дисках - это всем известные дискеты, начиная от "древних" 8-ми дюймовых, которые сейчас нигде не используются, как и 5-ти дюймовые, и заканчивая современными ZIP-дисками. Сейчас широко используют 3,5 дюймовые дискеты ёмкостью 1,44 Мб, но также используются ещё и ZIP-диски ёмкостью до 100 Мб. Но пока ZIP-диски не очень распространены, по крайней мере, на отечественном рынке, из-за дороговизны дисководов, устройств для считывания информации с данного вида носителя информации, хотя данные диски постепенно находят своё применение в цифровой видео и сотовой индустрии.

Рисунок 5. Логическая структура поверхности магнитного диска.

Накопители на лазерных дисках

Накопители на лазерных дисках - это и есть, так хорошо известные нам, музыкальные компакт-диски, которые изначально были созданы именно для музыки, а уже потом приобрели вид "универсального" CD-диска используемого как для аудио, так и для хранения закодированной компьютерной информации, а сейчас и для видео. Объём данного носителя - 600-700 Мб, но в последнее время "компьютерные гении" предполагают создать более "плотный" компакт-диск, построенный на несколько иной технологии и имеющий не один, как в обыкновенных компакт-дисках, а несколько слоёв для записи (хранения) информации (называются они FMD-диски), который ещё может посоперничать с DVD-дисками (см. ниже). Что касается разновидностей компакт-дисков, то различают:

a) CD-диски - это диски, выпушенные на заводе-изготовителе и хранящие информацию, записанную там же, т.е. данная информация редактироваться и удаляться с данного диска не может, она может только копироваться;

b) CD-R-диски. При наличии определённого дисковода на данный носитель можно записывать информацию, но только один раз, удалят информацию с такого носителя, соответственно тоже нельзя;

c) CD-RW-диски - такие же CD-R, нона них уже можно не только записывать, но и стирать и перезаписывать информацию до 5 млн. раз на один диск (данный вид носителей информации сейчас очень сильно востребован на отечественном рынке услуг компьютерных технологий).

Накопители на DVD-дисках

Накопители на DVD-дисках - сейчас используются в основном в видео-прокате (хотя изначально предназначались не для этого), т.к. имеют наиболее большой объём, чем остальные накопители и наилучшее качество изображения, чем видео-кассеты. Но сейчас идёт тенденция к их модернизации и использованию в целях хранения не только зацифрованной видеоинформации, но и других видов информации. Объём их колеблется от 1 до 50 Гб, в зависимости от модели DVD-диска, т.к. они подразделяются на: DVD-диски, DVD-ROM-диски и DVD-RAM-диски (кстати данный вид накопителя также не очень распространён сейчас в России у пользователей ЭВМ, опять же из-за дороговизны и самих дисков и дисководов).

MultiMedia Card [ММС]

MultiMedia Card [ММС] (или карты флэш-памяти) - это совершенно новое веяние в компьютерных технологиях, не так давно вышедшее на мировой рынок потребителей данного вида услуг. Данный вид накопителей производится минимум с 32 - 64 Мб памяти и более. Пока данный вид запоминающих устройств (кстати, размером они чуть больше спичечного коробка) используется для аудио- и видео-технологий (в цифровых видеокамерах, фотоаппаратах, плеерах, музыкальных центрах и сотовых телефонах), использование его непосредственно в среде компьютерных технологий пока не распространено, так как эти карты были созданы непосредственно для multimedia-приложений, то есть для развлечений. Но, сейчас данный вид накопителей приобретает всё большую и большую популярность на мировом рынке высоких технологий. Также ставится вопрос о его серийном производстве и внедрение его, непосредственно, в среду компьютерных технологий, т.е. в современный домашний компьютер.

Узкий классификатор

По форме записанной информации:

· Аналоговые - сигналы описываются непрерывными функциями времени, поэтому аналоговый сигнал иногда называют континуальным сигналом.

Например: Электрическое напряжение;

· Цифровые - устройства, предназначенные для записи, хранения и считывания информации, представленной в цифровом коде.

Например: компьютерная память.

По энергозависимости:

· энергонезависимые, записи в которых не стираются при снятии электропитания;

· энергозависимые, записи в которых стираются при снятии электропитания;

· статические, которым для хранения информации достаточно сохранения питающего напряжения;

· динамические, в которых информация со временем разрушается (деградирует), и, кроме подачи электропитания, необходимо производить её периодическое восстановление (регенерацию).

По типу доступа:

· С последовательным доступом (например, магнитные ленты).

· С произвольным доступом (RAM; например, оперативная память).

· С прямым доступом (например, жёсткие диски).

· С ассоциативным доступом (специальные устройства, для повышения производительности баз данных).

По геометрическому исполнению:

· дисковые (магнитные диски, оптические, магнитооптические);

· ленточные (магнитные ленты, перфоленты);

· барабанные (магнитные барабаны);

· карточные (магнитные карты, перфокарты, флэш-карты, и др.);

· печатные платы (карты DRAM, картриджи).

По физическому принципу:

· Перфорационные (перфокарта, перфолента)

· С магнитной записью

o магнитные сердечники (пластины, стержни, кольца)

o магнитные диски (Жёсткий магнитный диск, Гибкий магнитный диск)

o магнитные ленты

o магнитные карты

· Оптические(CD, DVD, HD-DVD, Blu-ray Disc)

o Магнитооптические (CD-MO (значительное количество циклов стирания-записи))

· По количеству устойчивых (распознаваемых) состояний одного элемента памяти:

o Двоичные;

o Троичные;

o Десятичные.



Заключение

Изучение запоминающих устройств является неотъемлемой частью такой дисциплины, как «информатика». Даже не задумываясь об этом, мы сталкиваемся с ними повсеместно каждый день. Как было ранее указано в целях и задачах, я изучила многие виды запоминающих устройств и внимательно разобралась с ними. Я проследила эволюционирование в области ЗУ и заметила как сильно изменились запоминающие устройства современности по сравнению с теми, которые использовались, например, пятьдесят лет тому назад. Хотелось бы отметить, что поставленным мной задачи были выполнены и цель достигнута.



Список литературы

1) Ватаманюк Александр, Ремонт, апгрейд и обслуживание компьютера [Книга]. - Санкт-Петербург : Питер, 2011. - стр. 272.

2) Л.М. Невдяев, Телекоммункационные технологии. Англо-русский толковый словарь-переводчик. [Книга] / ред. М. Горностаев Ю.. - Москва : [б.н.], 2002.

3) Мюллер Скотт, Модернизация и ремонт ноутбуков [Книга] / ред. Н. Тригуб С.. - Москва : "Вильямс", 2006. - стр. 688.

4) Пахомов Сергей, "Что такое кэш процессора, и как он работает". [В Интернете] // "Комптютер пресс".. - январь 2013 г.. - 15 декабрь 2015 г.. - http://compress.ru/.

5) Ташков Пётр, Восстановление данных [Книга]. - Санкт-Петербург : Питер, 2009. - стр. 178.

6) Угрюмов Е. П., Цифровая схемотехника [Книга]. - Санкт-Петербург : БХВ-Петербург, 2010. - 3-е : стр. 796.

Размещено на Allbest.ru

...