Разработка электронной версии учебного пособия по курсу "Электроника"
Понятие гипермедийного документа, использование языка HTML (Hypertext Markup Language) как универсального средства для написания WWW страниц. Принципы гипертекстовой разметки. Использование языка JavaScript для создания интерактивных Web-страниц.
| Рубрика | Программирование, компьютеры и кибернетика |
| Вид | диссертация |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.05.2018 |
| Размер файла | 1,3 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
parent.frame2.document.write ("Привет, это вызов из первого фрейма.");
Рис. 2.5. Взаимосвязь фреймов при доступе к объекту, разместившемуся во втором фрейме
2.2 Использование языка VBScript для создания сценариев или скриптов для Internet
VBScript позволяет решать задачи, связанные с Internet, а именно создавать сценарии (или скрипты) управления объектами (кнопками, списками, ниспадающими меню и т. д.) на Web-страничках. Для понимания этого материала нужно иметь представление о структуре HTML-документа, а также основах программирования на Visual Basic. В настоящее время существуют всего два языка создания сценариев по управлению объектами -Microsoft VBScript и Sun JavaScript. Оба поддерживаются IE 3.0. Браузер же компании Netscape воспринимает только JavaScript.
С помощью VBScript Вы можете быстро создавать собственные страницы или даже писать игры. И все это размещается внутри вашего HTML-документа. Если Вы уже имели дело с Visual Basic или Visual Basic for Applications, то легко справитесь и с VBScript.
Теперь коротко опишем, как создавать скрипты с помощью VBScript. Для того чтобы браузер мог различать команды VBScript, нужно все операторы VBScript на HTML-страницах обрамлять тегами <SCRIPT> и </SCRIPT>. Первый из них используется в паре с атрибутом LANGUAGE для определения языка создания сценария. В нашем случае - Visual Basic Script (хотя может быть и JavaScript). Значением для этого языка является "VBScript":
<HTML>
<НЕАВ><Т1ТЕЕ>Пример странички
с фрагментом на VBScript</TITLE>
<SCRIPT LANGUAGE="VBScript">
<!-
Sub Buttonl_OnClick
MsgBox ''VBScript - Rulez Forever!"
End Sub
-></SCRIPT>
</HEAD>
<BODY>
<НЗ>Обычная первая страничка</НЗ><НРч>
<FORMxINPUT NAME="Buttonl" TYPE="BUTTON" VALUE=" Click Here"x/FORM>
</BODY>
</HTML>
Тег <SCRJPT> имеет завершающую часть - </SCRJPT>. Всегда употребляйте их парой! Сценарий в нашем примере помещается в специальные скобки <!-...->, которые в языке HTML обозначаю! комментарий. Это делается для того, чтобы старые браузеры, которые не умеют работать со скриптовыми языками, случайно не отобразили сценарий экране. Для них он - просто комментарий.
При разработке приложения на VBScript необходимо знать концепции этого языка, а также иметь представление о том, как работают объекты события и процедуры. Это поможет вам в дальнейшем разобраться функционировании объектной модели "Internet Explorer 3.0 и объекте ActiveX. Помните, что объекты и VBScript связаны друг с другом.[28]
2.3 Использование редактора FrontPage, как универсального средства для создания, поддержки и публикации Web-узлов в сетях Internet и Intranet
Существует множество средств для создания Web-узлов, но лишь некоторые из них способны предоставить разработчикам эффективные инструменты для решения подавляющего большинства стоящих перед ними задач. К этим немногим средствам относится FrontPage. FrontPage предоставляет полный набор инструментов для создания, поддержки и публикации Web-узлов в сетях Internet и Intranet. Немаловажное достоинство Front-Page состоит в том, что создание Web-документов осуществляется в режиме WYSIWYG (what you see is what you get - что вы видите, то и получаете). Это позволяет мгновенно оценить, как будет выглядеть страница, опубликованная в Internet.
Сегодня вниманию разработчиков Web-сайтов предлагаются сотни разнообразных инструментов разработки для WWW, и острая конкуренция в этой области весьма благоприятно сказывается на их качестве. К вашим услугам HTML-редакторы, требующие досконального знания HTML, графические пакеты, предполагающие наличие некоторого опыта работы в HTML, и, наконец, безусловный лидер в этой области - FrontPage, позволяющий вообще не знать HTML (или знать его в минимальном объеме). Первенство FrontPage среди инструментов Web-дизайна обусловлено тем, что с его помощью создание профессиональных Web-сайтов для Internet и intranet становится неправдоподобно легким делом. Уникальность FrontPage еще и в том, что он базируется на клиент-серверной модели разработки, что неимоверно облегчает интеграцию с большинством компьютерных систем. Давайте разберемся в этом получше.
В клиент-серверных системах сервер - это компьютер (или приложение), обеспечивающий удаленным пользователям доступ по сети к своим данным или ресурсам. Клиент - это компьютер (или приложение), который запрашивает эти данные или ресурсы. Чаще всего сервер - мощная машина, а клиент - обычный настольный компьютер. Предположим, например, что все счета, выставленные компанией Cascade Coffee Roasters, хранятся в базе данных на сервере. В клиент-серверной платежной системе вы вводите информацию на компьютере-клиенте, а заполнив счет, сохраняете информацию на сервере, централизованно. Таким образом, вы можете подключить к серверу неограниченное количество клиентских компьютеров, и все они будут иметь доступ к одним и тем же данным.
FrontPage работает аналогичным образом, фактически он включает и сервер, и клиента. Его клиентское ПО (FrontPage98) состоит из Проводника (FrontPage Explorer) и Редактора (FrontPage Editor). Проводник позволяет просматривать и администрировать сайты несколькими различными способами. Для серверной стороны FrontPage можно использовать FrontPage Personal Web Server или Microsoft Personal Web Server под управлением Windwjs 95 или Windows NT Workstation. При установке на Windows NT Server Front page автоматически определяет наличие Microsoft Internet Information Server (IIS), и если он установлен, то в дальнейшем с ним и работает. Вы можете установить один из персональных Web-серверов на компьютер в локальной (Local Area Network, LAN) или глобальной (Wide Area Network, VAN) сети на базе TCP/IP и тем самым превратить эту сеть в intranet. Вы даже можете разместить персональный Web-сервер на том же компьютере, на котором установлено клиентского обеспечение.
Персональные Web-серверы лучше всего использовать для размещения сайтов малого объема; они идеально подходят для разработки и внутреннего тестирования ваших сайтов, и их не стоит использовать как серверы "большого" WWW. Если вы планируете intranet- или Internet-сервер большого объема или вам нужна более высокая степень защиты, чем та, которую способы обеспечить персональные серверы, вам, вероятно, понадобится более мощное решение, такое, как один из лидирующих на нынешнем рынке Web-серверов. Кстати, обратите внимание, что лицензия для Windows NT Workstation (обычно для Microsoft Personal Web Server используется именно эта операционная система) предусматривает только 10 одновременных соединений. Если вам необходимо обеспечить более серьезный трафик, то стоит подумать о приобретении Windows NT Server и IIS или о сервере на базе UNIX и какого-либо из многих Web-серверов для UNIX, поддерживающих FrontPage. Рис.2.6. иллюстрирует клиент-серверные взаимоотношения. В состав FrontPage также входят Серверные расширения (FrontPage Server Extensions), обеспечивающие интеграцию FrontPage со всеми наиболее популярными Web-серверами. Если в вашей организации уже есть качественный Web-сервер, то серверные расширения помогут гладко решить проблемы взаимодействия между ним и FrontPage.
HTTP via YCP/IP
Рис. 2.6. FrontPage сточки зрения клиент-серверной архитектуры
Вывод к второй главе
Во второй главе исследованы вопросы понятие гипермедийного документа, использование языка HTML, как универсального средства для написания WWW страниц, принципы гипертекстовой разметки, группа тегов HTML, фреймы и формы, использования языка VBS script для создание сценариев или скриптов для Internet.
3. РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ КУРСА “ЭЛЕКТРОНИКА” И ЕГО СОДЕРЖАНИЕ
3.1 Роль электроники в устройствах автоматики, телемеханики, связи в ж\д транспорте. Оснавные этапы развития электроники
Электроника -- отрасль науки и техники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения электронных приборов и устройств и принципов их использования. Современная схемотехника построена на двух типах устройств: аналоговых и цифровых. В аналоговых устройствах величины изменяются непрерывно как по уровню, так и по времени. В цифровых устройствах существует только два уровня, условно называемые 1 и 0, по времени величины изменяются дискретно.
Ещё 30--40 лет назад практически вся схемотехника была аналоговой. В настоящее время 80-90 % разрабатываемых устройств - цифровые. Внедрение цифровых устройств стало огромным достижением учёных и инженеров конца XX века. Их преимущества над аналоговыми:
- цифровые устройства допускают большую степень интеграции в составе микросхем;
- в отличие от аналоговых данные в цифровых устройствах не зависят от температуры окружающей среды, влажности, давления, напряжения питания;
- точность цифровых устройств не ограничена, в настоящее время выпускают 64-разрядные процессоры, относительная точность которых 10-12.
Усилиями многих институтов и конструкторских бюро ГАЖК «УТИ» созданы и успешно применяются системы на базе электронных приборов и интегральных микросхем для регулирования движения поездов, обеспечения их безопасного следования, связи, электроснабжения устройств железнодорожного транспорта и других целей.
Новая высокоэффективная электронная техника всё более широко применяется на железнодорожном транспорте: в устройствах автоматики, телемеханики и связи, электроснабжения электрифицированных железных дорог, электронных вычислительных машинах, на электроподвижном составе.
Внедрение новейших электронных устройств автоматики, телемеханики связи и вычислительной техники позволяет в короткие сроки повысить безопасность движения поездов, увеличить провозную и пропускную способность железнодорожных магистралей, улучшить качество и надёжность технических средств, облегчить условия и поднять производительность труда работников различных служб.
Условия использования электронной аппаратуры на железнодорожном транспорте и предъявляемые к ней требования имеют следующие существенные особенности по сравнению с общепромышленными устройствами:
- требования высокой надёжности функционирования аппаратуры и её элементной базы;
- тяжёлые климатические условия, большой перепад температуры окружающей среды, что приводит к повышенным требованиям по обеспечению стабильной работы электронных устройств при высоких и низких температурах;
- высокий уровень помех;
- высокий уровень вибраций и ударные механические воздействия на аппаратуру подвижного состава;
- повышенное воздействие статического электричества и атмосферных грозовых разрядов;
- сложность профилактического и ремонтного обслуживания.
Вышеперечисленные особенности определяют специфику схемотехнических решений и используемой элементной базы в электронных устройствах железнодорожного транспорта.
Развитие электроники можно подразделить на два направления:
- энергетическое (силовое), связанное с преобразованием переменного и постоянного токов для нужд электроэнергетики, электротяги и пр.;
- информационное, к которому относятся электронные средства, обеспечивающие измерения, контроль и управление различными процессами, включая производство и научные исследования во многих отраслях.
Промышленное развитие электроники можно отнести к началу ХХ-го столетия, когда в 1904 г. англичанин Д. Флеминг создал первую электронную лампу (диод). В 1907 г. американец Л. Форест, введя в диод управляющий электрод, получил триод, способный генерировать и усиливать электрические колебания. В России первую электронную лампу изготовил в 1914 г. Н.Д. Папалекси.
В 30-х годах началось активное изучение полупроводниковых материалов с целью их использования в электронике. Большой вклад в решение этой проблемы внесли теоретические работы советских физиков, возглавляемых академиком А.Ф. Иоффе.
В 1948 г. американскими учёными изобретён первый полупроводниковый усилительный прибор -- транзистор. Аналогичные приборы несколько позже разработали советские учёные А.В. Красилов и С.Г. Мадоян. Обладая существенными преимуществами по сравнению с электронными лампами, транзисторы обусловили бурное развитие полупроводниковой электроники. Применение транзисторов в сочетании с печатным монтажом позволило получить малогабаритные электронные устройства с относительно малым потреблением электроэнергии.
Дальнейший скачок в развитии электроники стал возможен с появлением устройств интегральной микроэлектроники, представляющих собой интегральные микросхемы (ИС). Промышленный выпуск ИС начат в начале 60-х годов и способствовал бурному прогрессу в развитии информационной электроники и микроминиатюризации электронных средств. Эти тенденции получили ещё большее развитие с появлением больших (БИС), а затем и сверхбольших (СБИС) интегральных схем. Они позволили разработать и внедрить во все сферы деятельности человека микроЭВМ. Основным элементом в таких ЭВМ стал микропроцессор -- СБИС, содержащий десятки и сотни тысяч элементов на одном кристалле (полупроводниковой пластине площадью несколько квадратных миллиметров).
В настоящее время СБИС, наряду с БИС, ИС и отдельными типами дискретных полупроводниковых приборов, стали основной элементной базой современных электронных средств.
3.2 Р-n переход полупроводниковых диодов, характеристики и пробой р-n перехода
Твёрдые вещества по их способности проводить электрический ток делятся на три группы: проводники (металлы), диэлектрики (изоляторы) и полупроводники (рис. 3.1, б). По способности проводить электрический ток и зависимости электропроводности от температуры полупроводники значительно ближе к диэлектрикам, чем к проводникам. Причины такого сходства диэлектриков и полупроводников в построении их атомной структуры.
Атом вещества состоит из ядра и вращающихся вокруг него электронов. Ядро имеет положительный заряд, а электроны -- отрицательный. Электроны в атоме группируются в оболочки, находящиеся на некоторых расстояниях от ядра. Электроны внешней оболочки связаны с ядром значительно слабее электронов внутренних оболочек. Такие электроны называются валентными, и они обеспечивают соединение атомов в молекулы или кристаллы.
В проводниках электронные оболочки атомов сильно перекрываются и валентные электроны перестают быть жёстко связанными с какими либо определёнными атомами. Такие электроны могут свободно перемещаться в объёме вещества, совершая при отсутствии внешнего электрического поля хаотическое тепловое движение. При наличии внешнего электрического поля эти электроны получают некоторое поступательное движение и образуется электрический ток.
Число свободных электронов в металлах достаточно велико и практически не зависит от температуры. Однако с повышением температуры увеличивается число столкновений электронов при их тепловом перемещении и электропроводность металлов понижается.
В диэлектриках электроны внешней оболочки достаточно жёстко связаны с ядром и не могут свободно перемещаться даже при повышении температуры. Поэтому внешнее электрическое поле не приводит к появлению в диэлектриках заметного электрического тока. Однако при высокой напряжённости электрического поля может произойти отрыв валентных электронов и их лавинное размножение, называемое пробоем диэлектрика.
Химически чистые полупроводники три температуре абсолютного нуля ведут себя как диэлектрики и их электропроводность равна нулю. Однако с повышением температуры тепловые колебания атомов полупроводников приводят к увеличению энергии валентных электронов, которые могут оторваться от атомов и начать свободное перемещение. Поэтому при нормальной комнатной температуре полупроводники в отличие от диэлектриков имеют некоторую электропроводность. С повышением температуры растёт число оторвавшихся электронов, поэтому электропроводность полупроводников повышается. Такую электропроводность полупроводников, связанную с нарушением валентных связей, называют их собственной проводимостью.
На электропроводность полупроводников сильно влияют примеси. При наличии примесей появляются избыточные валентные электроны, которые легко освобождаются от атомов и превращаются в свободные заряды. Содержание примесей может быть весьма незначительным, однако повышение электропроводности при этом может быть весьма значительным.
Электропроводность полупроводников, обусловленную наличием примесей, называют его примесной проводимостью. Последняя может во много раз превышать их собственную проводимость.
Электронно-дырочный переход -- это переходный слой между двумя областями полупроводника с разной электропроводимостью. Условно электронно-дырочный переход обозначается р-п, независимо от последовательности расположения областей проводимости полупроводника, т.е. п-р или р-п. Электронно-дырочный переход создают внутри полупроводника введением в одну его область до-норной, а в другую акцепторной примеси. Слой р-п перехода очень тонкий (порядка нескольких микрон) и его сопротивление не подчиняется закону Ома, т.е. сопротивление слоя перехода изменяется как от величины, так и от знака приложенного к нему напряжения.
По конструктивному исполнению переходы могут быть плоскостными и точечными. Плоскостным называют переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, намного превышают его толщину. При малых линейных размерах контактирующей площади переходы относят к точечным.
В зависимости от степени легирования областей полупроводника, т.е. от концентрации основных носителей, различают симметричные и несимметричные электронно-дырочные переходы. В симметричных переходах концентрация носителей в областях полупроводника почти одинакова (р = пп). В несимметричных переходах концентрации могут различаться во много раз (рр << пn, pр >>nn).
Различают три состояния р-п перехода: равновесное, пропускное и запирающее. Равновесное состояния р-п перехода наблюдается, если к р-п переходу не приложено внешнее напряжение.
В каждом типе полупроводника всегда имеются два вида носителей тока: основные и неосновные. Основными носителями тока называются носители, составляющие большинство и определяющие тип проводимости полупроводника. Например, в области типа р основные носители зарядов -- дырки, а неосновные -- электроны; в области типа п основные носители зарядов -- электроны, а неосновные -- дырки. Концентрация неосновных носителей зарядов очень мала -- примерно в 1 000 раз меньше концентрации основных носителей. Дырки из области типа р диффундируют в область типа п, создавая вблизи границы отрицательный потенциал, а электроны, диффундируя из области типа п в область типа p, создают вблизи границы отрицательный потенциал. В результате диффузии основных носителей заряда между электронной и дырочной областями полупроводника вблизи границы их раздела возникает область объёмного заряда из двух разноимённых заряженных слоев (рис. 3.1). Таким образом, диффундировавшие заряды создают в р-п переходе собственное электрическое поле, направленное из п области в р область. Возникшее диффузионное поле является запирающим -- оно препятствует дальнейшей диффузии зарядов и является тормозящим для основных носителей зарядов, поэтому его иначе называют потенциальным барьером.
Рис. 3.1 а - схема образования объёмного заряда; б - энергетическая зона проводимостей
Пропускное состояние р-п перехода (прямое включение р-п перехода)
Прямым является такое включение р-п перехода, при котором плюс внешнего источника питания прикладывается к р области, а минус к n области (рис. 3.2); p-n переход находится в пропускном или открытом состоянии. Электрическое поле, создаваемое внешним источником, имеет направление, противоположное собственному электрическому полю. В результате уменьшается потенциальный барьер перехода на величину внешнего напряжения. В этом режиме часть основных носителей заряда с наибольшим значением энергии будет преодолевать понизившийся потенциальный барьер и проходить через р-п переход. В переходе нарушается равновесное состояние и появляется диффузия основных носителей.
Рис.3.2. Прямое включение р-п перехода:
а - схема прямого включения р-п перехода; б - характеристика р-п перехода при прямом включении; Ес - напряжённость собственного электрического поля; Е - напряжённость внешнего электрического поля; UКП - напряжённость р-п перехода.
Дырки и электроны будут перемещаться навстречу друг другу. Образуется ток диффузии:
I=Iэ+Iд. (3.1)
где I - ток диффузии;
Iэ - электронная часть тока;
Iд - дырочная часть тока.
Направление тока через р-п переход соответствует движению положительных зарядов - дырок, а во внешней цепи - от плюса к минусу источника питания.
Область полупроводника, в которую происходит инжекция неосновных носителей, называется базой полупроводникового прибора, а область, из которой осуществляется инжекция, - эмиттером.
Запирающее состояние р-п перехода (обратное включение р-п перехода)
Запирающее состояние перехода получается в том случае, когда к р области подключён минус источника питания, а к п области -- плюс (рис. 3.3). В этом случае потенциальный барьер увеличивается на величину внешнего напряжения. Увеличивается и напряжённость собственного электрического поля, так как поле внешнего источника совпадает с собственным полем. Высота потенциального барьера возрастает, вследствие чего плотность потока основных носителей через переход уменьшится.
Рис. 3.3. Обратное включение р-п перехода:
а - схема обратного включения р-п перехода; б - характеристика р-п перехода при обратном включении; Ес - напряжённость собственного электрического поля; Е - напряжённость внешнего электрического поля;
UКП - напряжённость р-п перехода.
Для неосновных носителей, т.е. для дырок в п области и для электронов в р области, потенциальный барьер в переходе вообще отсутствует. Неосновные носители заряда будут втягиваться электрическим полем источника в р-п переход и проходить через переход в смежную область (будет происходить экстракция носителей зарядов). Потенциальный барьер могут преодолеть лишь некоторые основные носители с большой энергией, и диффузионный ток практически отсутствует. Ток через переход имеет обратное направление -- от электронной области к дырочной, а во внешней цепи, как всегда, от плюса источника питания к минусу. Обратный ток создаётся за счёт движения (дрейфа) неосновных носителей, для которых данное поле ускоряющее. Это ток дрейфовый, величина его мала из-за малой концентрации неосновных носителей заряда в прилегающих к р-п переходу областях. Сопротивление и ширина запирающего слоя значительно возрастают, так как в р-п переходе практически отсутствуют основные носители зарядов.
Виды пробоев электронно-дырочного перехода
Пробой электронно-дырочного перехода -- это явление резкого увеличения обратного тока при достижении обратным напряжением критического значения, переход теряет свойство односторонней проводимости. В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают три вида пробоя р-п перехода.
Лавинный пробой. При некотором обратном напряжении, близком к критическому, неосновные носители зарядов ускоряются полем перехода и приобретают энергию, достаточную для возбуждения и ударной ионизации в переходе атомов слаболегированного полупроводника. Процесс ионизации нейтральных атомов сопровождается разрывом валентных связей и образованием новых свободных пар электрон-дырка. В результате ударной ионизации этот процесс может многократно повториться под действием новых свободных носителей заряда. В результате образование новых пар приобретает лавинный характер, перерастая в пробой р-п перехода. Лавинный пробой характеризуется быстрым ростом обратного тока (рис. 3.4, кривая 7) при практически неизменном обратном напряжении.
Зеннеровский пробой -- вызывается чрезмерным возрастанием напряжённости электрического поля в переходе. Обратный ток возрастает, поскольку электрическое поле большой напряжённости вырывает электроны из ковалентных связей, а это приводит к увеличению концентрации носителей зарядов в переходе.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Зеннеровский и лавинный пробои электрические. Они не разрушают электронно-дырочный переход, при уменьшении напряжённости поля в переходе эти пробои прекращаются.
Тепловой пробой р-п перехода. При электрическом пробое происходит увеличение тока. Если этот ток не ограничить, то под действием выделившегося тепла начнёт разрушаться р-п переход, т.е. наступит тепловой пробой. Этот процесс необратимый. Один из важнейших параметров полупроводниковых приборов с р-п переходами -- допустимое обратное напряжение, при котором сохраняется свойство односторонней проводимости. Превышение величины обратного напряжения может привести к необратимому тепловому пробою р-п перехода и, следовательно, к выходу из строя полупроводникового прибора. Пробивное напряжение при тепловом механизме пробоя уменьшается с ростом температуры окружающей среды и ухудшением условий теплоотвода. Чем меньше обратный ток в переходе, тем выше пробивное напряжение. Например, кремниевые переходы имеют очень малые тепловые токи. Поэтому тепловой пробой у них менее вероятен.
Ёмкость р-п перехода
По обе стороны границы электронно-дырочного перехода действуют различные по знаку объёмные электрические заряды. Значение объёмных зарядов в самом переходе и за его пределами зависит от полярности и значения внешнего напряжения, приложенного к переходу. В связи с этим в электронно-дырочном переходе различают ёмкости двух видов. Одна из них Сп называется барьерной ёмкостью, так как зависит от величины потенциального барьера, приложенного к р-п переходу. Барьерная ёмкость может быть определена как ёмкость плоского конденсатора, в котором диэлектриком служит запирающий слой, а обкладками токопроводящие слои р и п областей перехода. С увеличением обратного напряжения расширяется запирающий слой и ёмкость уменьшается (см. рис. 2.5). Для уменьшения ёмкости следует уменьшить площадь р-п перехода.
Помимо барьерной ёмкости в переходе имеется диффузионная ёмкость Сд, обусловленая явлением диффузии, т.е. накоплением неосновных носителей в р и n областях, что равноценно наличию ёмкости в р-п переходе. Диффузионная ёмкость зависит от значения прямого тока в переходе, времени жизни неосновных носителей. С увеличением прямого напряжения увеличивается прямой ток в переходе, следовательно, и избыточная концентрация неосновных носителей зарядов. Чем больше время жизни неосновных носителей, тем дольше существует избыточный заряд и больше диффузионная ёмкость.
Размещено на http://www.allbest.ru/
При прямом смещении перехода преобладающее значение имеет диффузионная ёмкость перехода, а при обратных -- барьерная. На низких частотах диффузионная ёмкость может достигать тысяч пикофарад и превышать барьерную, а на высоких -- оказаться ниже барьерной из-за инерционности процесса накопления зарядов в областях.
Обе ёмкости -- барьерная и диффузионная -- параллельно включённые запирающему сопротивлению перехода.
Эквивалентная схема р-п перехода приведена на рис. 3.6, где К -- сопротивление материала полупроводника, а RП -- сопротивление слоя р-п перехода.
Рис. 3.6. Эквивалентная схема р-п перехода
3.4 Биполярные транзисторы, принцип работы, эффект усиления
Устройство и принцип действия
Полупроводниковый триод иначе называется «транзистор», что в точном переводе двух английских слов «transfer resistor» означает «регулируемое сопротивление». В электронной аппаратуре применяют биполярные и полевые транзисторы.
Биполярный транзистор -- это полупроводниковый прибор, имеющий два взаимодействующих между собой р-п перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной -- сплавление, диффузия, эпитаксия, что в значительной мере определяет характеристики прибора. Основной элемент транзистора -- монокристалл германия или кремния, в котором созданы три слоя различной проводимости. Причём крайние слои имеют одинаковую проводимость, а разделяющий их средний слой -- противоположную. Для понимания работы транзистора необходимо иметь в виду следующее: область базы очень тонкая, расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами небольшое (составляет не более 10 мкм). Для его преодоления требуется небольшая энергия носителей заряда; концентрация атомов примеси в области базы во много раз меньше, чем в эмиттере.
Таким образом, транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами. Один из крайних слоев называется эмиттером, а другой -- коллектором. Средний слой -- база; р-п переход между эмиттером и базой, называемый эмиттерным, работает на прямом токе; р-п переход между коллектором и базой называется коллекторным, он работает на обратном токе. Можно сказать, транзистор состоит как бы из двух диодов, средний электрод которых общий. Буквы у выводов транзистора обозначают: Э -- эмиттер, Б -- база, К -- коллектор.
Транзистор, у которого эмиттер и коллектор имеют дырочную проводимость, а база электронную проводимость, называют транзистор типа (структуры) р-п-р. Транзистор, у которого эмиттер и коллектор имеют электронную проводимость, а база дырочную проводимость, называют транзистор типа (структуры) п-р-п.
Устройство германиевого плоскостного транзистора, изготовленного сплавным способом: на пластину германия с электронной проводимостью, которая является базой, наплавляют с двух сторон кусочки акцепторного вещества, обычно индия. Вблизи границ сплавления в пластинке германия образуется два слоя с проводимостью р, представляющий собой эмиттер и коллектор транзистора. На границе полупроводников с разной проводимостью появляются р-п переходы. Пластинку помещают в кристаллодержатель, который припаивают ко дну герметизированного корпуса. Внутренние выводы эмиттера и коллектора соединяют с наружными выводами, проходящими в корпус через изолятор, вывод базы крепится непосредственно ко дну корпуса.
Транзистор типа п-р-п имеет аналогичное устройство -- на пластинку германия с р проводимостью с двух сторон наплавляется донорное вещество (обычно сурьма). В результате образуется два слоя: эмиттер и коллектор с проводимостью п.
В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, различают следующие режимы его работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.
В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный -- в обратном.
В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, в режиме отсечки -- в обратном. В инверсном режиме коллекторный переход смещён в прямом направлении, а эмиттерный -- в обратном. Кроме рассмотренных режимов возможен ещё один режим, который является не рабочим, а аварийным -- это режим пробоя.
Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимости от приложенных к его переходам напряжений. Принцип работы биполярного транзистора рассмотрим на примере транзистора типа п-р-п. Если к эмиттерному переходу приложить прямое (Uэ)> а к коллекторному -- обратное (Uэ) напряжение, то через эмиттерный переход П1 в область базы будут инжектировать электроны, образуя эмиттерный ток транзистора Iэ (рис. 3.7). Поток электронов, обеспечивающий ток эмиттера через переход П1 показан на рис. 3.7 широкой заштрихованной стрелкой.
Рис. 3.7. Схема распределения тока в транзисторе:
IЭ - ток эмиттера; IК - ток коллектора; IБ - ток базы;
Часть инжектированных в область базы электронов рекомбинируют с основными для этой зоны носителями заряда -- дырками, образуя ток базы I'Б. Другая часть инжектированных электронов за счёт собственного поля коллекторного перехода проникает через коллекторный р-п переход П2 в зону коллектора, образуя коллекторный ток I'к. Уменьшение потока электронов через коллекторный переход (следовательно, и коллекторного тока) по сравнению с потоком дырок через эмиттерный переход можно учесть следующим соотношением:
I'K = б Iэ, (3.2)
где а = 0,95--0,99 -- коэффициент передачи тока эмиттера.
Через запертый коллекторный переход будет создаваться обратный ток IКБ0, образованный потоком из п в р область неосновных для коллекторной области носителей заряда -- дырок, который совместно с током Iк образует основной ток транзистора
Iк = I'к +IКБ0 (3.3)
и ток в базовом выводе
IБ = I'Б +IКБ0 (3.4)
Зона эмиттера имеет наибольшее из всех зон количество легирующих примесей, поэтому концентрация носителей зарядов в зоне эмиттера наибольшая. Ток эмиттера в транзисторе наибольший. Поэтому для токов транзистора существует такое соотношение:
IЭ = IК + IБ. (3.5)
Принцип действия транзистора типа п-р-п тот же, что и транзистора типа р-п-р, только основными носителями заряда в эмиттере и коллекторе являются не электроны, а дырки.
Один из наиболее распространённых на практике вариантов структуры биполярного транзистора приведён на рис. 3.8. Как видно из рисунка, каждый из переходов имеет донную и боковую части. Рабочая (активная) область транзистора расположена под донной частью эмиттерного перехода (на рис. 3.8 эта область не заштрихована). Остальные (заштрихованные) области структуры пассивные. Их наличие неизбежно и является особенностями технологического процесса изготовления структуры биполярного транзистора в полупроводниковой пластине. На рис. 3.9 приведены условные обозначения переходов и транзисторов.
Рис. 3.8. Структура биполярного транзистора
Рис. 3.9. Условные обозначения переходов и транзисторов
Схемы включения транзисторов
Биполярный транзистор как усилительное устройство может быть представлен в виде четырёхполюсника. В зависимости от того, какой из трёх выводов транзистора общий для входа и выхода четырёхполюсника, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ); общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК). Схема включения транзистора с ОЭ используется наиболее часто.
Полярность подключаемого внешнего источника зависит от типа транзистора (для р-п-р -- рис. 3.10, а, для п-р-п -- рис. 3.10, б).
Рис. 3.10. Полярность подключаемого внешнего источника:
а - для транзистора типа р-п-р; б - типа п-р-п
В случае включения транзистора в схему с ОЭ входным током является ток базы, а выходным -- ток коллектора. В схеме с ОБ выходной ток (как и в схеме с ОЭ) ток коллектора, а входной -- ток эмиттера.
Напряжения на выводах транзистора принято обозначать относительно общего электрода. Так, (UКЭ означает напряжение на коллекторе относительно эмиттера в схеме с общим эмиттером.
В схемах электронных устройств обычно различают две основные цепи: входную (управляющую) и выходную (управляемую). Поскольку транзистор -- трёхэлектродный прибор, один из его электродов общий для этих двух цепей.
Статические характеристики транзистора
Режим транзистора определяется токами и напряжениями в его входных и выходных цепях. Статические характеристики отражают зависимость между токами и напряжениями во входных и выходных цепях. Различают входные IВХ= ц(UВХ) при UВЫХ = const и выходные
IВЫХ = ц (UВЫХ) при IВХ =const характеристики, а также прямой передачи IВЫХ = ц (IВХ) при UВЫХ = const и обратной связи по напряжению
UВХ = ц (UВЫХ) при IВХ =const
При расчёте транзисторных цепей достаточно иметь семейства
входных и выходных характеристик. Характеристики прямой передачи и обратной связи можно построить по семействам входных и выходных характеристик. Рассмотрим характеристики транзисторов в наиболее распространённых схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
Транзистор в схеме с общей базой
Схема для снятия статических характеристик с ОБ представлена на рис. 3.11. Милливольтметр V1 в цепи эмиттера в схеме выбирается с высоким сопротивлением. Полярность источников питания на электродах устанавливается в соответствии со структурой транзистора.
Входные характеристики транзистора р-п-р в схеме с ОБ выражают зависимостьIэ = ц (UЭБ) при UКБ = const (рис. 3.12, а). Для снятия входных характеристик (рис. 3.12) устанавливают потенциометром RK (рис. 3.11) соответствующее значение UK.
Рис. 3.11. Схема для снятия статистических характеристик транзистора включенного с ОБ
Рис. 3.12. Харастеристика транзистора включённог с ОБ: а - входные; б - выходные
Изменяя потенциометром RЭ напряжение UЭ, находят соответствующие им значения тока IЭ. Из рис. 3.12, а видно, что входные характеристики транзистора типа р-п-р похожи на характеристики полупроводникового диода, включённого в прямом направлении. Это хорошо иллюстрируется характеристикой при UK = 0, когда у транзистора работает только один р-п переход, к которому приложено напряжение UЭ. Сначала характеристика изменяется по экспоненциальному закону, затем становится линейной. Такой ход характеристики объясняется тем, что при малых значениях напряжения UЭ не происходит достаточного снижения потенциального барьера р-п перехода. Снижение потенциального барьера происходит с увеличением UЭ как прямого напряжения, приложенного к р-п переходу, и осуществляется полностью на прямолинейном участке характеристики. При этом ток IЭ ограничивается сопротивлениями эмиттера и базы, и силы его зависят от концентрации основных носителей заряда в области эмиттера и базы и мало зависят от напряжения на коллекторе. Подтверждение этому характеристика при UK = -10В. С увеличением отрицательного напряжения UK расширяется коллекторный переход и соответственно уменьшается ширина базы, вследствие чего сокращается время прохождения дырок эмиттера через базу в область коллектора. Возрастает ток коллектора, но одновременно уменьшается ток базы (ввиду сокращения ширины базы), что ведёт к незначительным изменениям тока IЭ и сдвигу характеристики влево.
Выходные характеристики транзистора р-п-р в схеме с ОБ представляют собой зависимость IК = ц (UКБ) при IЭ = const (рис. 3.12, б). Сила коллекторного тока зависит от того, какое количество дырок, поступивших из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода. При IЭ = 0 выходная характеристика аналогична характеристике диода для режима обратного напряжения. Сила коллекторного тока IК при IЭ = 0 зависит от концентрации неосновных носителей тока в базе (дырок) и в коллекторе (электронов) и при нормальных условиях составляет несколько миллиампер. Как видно из характеристик, ток IК достигает насыщения при небольших значениях UК, т.е. сила тока IК зависит в основном от количества основных носителей заряда (образующих ток IЭ), поступивших из эмиттера в базу, и в меньшей степени -- от ускоряющего поля, созданного напряжением коллектора UК.
Транзистор в схеме с общим эмиттером
Для снятия характеристик транзистора используют схему, приведённую на рис. 3.13. Напряжения на эмиттерно-базовую и эмиттерно-кол-лекторную цепи подаются через потенциометры RБ и rk.
Рис.3.13. Схема для снятия статистических характеристик транзистора включенного с ОЭ
Входные характеристики показывают зависимость тока базы от напряжения на базе при неизменном напряжении на коллекторе, т.е. IБ = ц (UБ) при UКЭ = const (рис.3.14, а). По семейству входных характеристик, снятых при различных неизменных значенияхUК, видно влияние напряжения на коллекторе на протекание тока в цепи базы. При увеличении UК ширина коллекторного перехода становится больше и соответственно уменьшается толщина зоны базы. Увеличение отрицательного напряжения на коллекторе в схеме с ОЭ оказывает обратное воздействие на входные характеристики по сравнению со схемой с ОБ; характеристики располагаются правее и ниже. При малых токах базы зависимости IБ = ц (UБ) приближаются к экспоненциальным кривым, а при больших токах имеют линейные участки (по тем же процессам, что и в схеме с ОБ).
Рис.3.14. Харастеристика транзистора включённог с ОЭ: а - входные; б - выходные
Выходные характеристики показывают зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при неизменном значении тока базы, т.е. IК = ц (UКБ) при IЭ = const (рис. 3.14, б). В схеме с ОЭ на базу подаётся небольшой отрицательный потенциал, поэтому ток в цепи коллектора может появиться лишь тогда, когда потенциал коллектора будет ниже потенциала базы. Ток коллектора сначала нарастает быстро, а затем на его изменение влияние отрицательного потенциала на коллекторе сказывается меньше.
Параметры транзисторов
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
Система h параметров. Свойства транзисторов оцениваются по их параметрам. При определении этих параметров транзистор рассматривают как активный четырёхполюсник (рис.3.15), т.е. такой четырёхполюсник, у которого мощность электрических колебаний на его выходе превышает мощность колебаний на входе и имеется внутренний источник электрической энергии. Положительное направление переменных напряжений и токов на входе U1 и I1 и на выходе U2 и I2, показанные стрелками, приняты условно. В активном четырёхполюснике зависимости между переменными составляющими напряжений и токов в цепях выражают тремя системами параметров: z, у и h. Наибольшее практическое применение получила система h параметров, которую называют смешанной из-за наличия в ней размерных и безразмерных величин. Параметры этой системы в отличие от системы z и у нетрудно измерить для реального режима работы транзистора.
В системе h параметров в качестве независимых переменных приняты ток I1 и напряжение U2. Тогда для U1 и I2 получим зависимости:
U1=f(I1,U2) и I2=f(I1,U2). (3.6)
Зависимости (3.6) для сигналов малых амплитуд позволяют записать связь между напряжениями и токами на входе и выходе следующими выражениями:
ДU1=h11 ДI1+h12 ДU2, (3.7)
ДI2=h11 Д I1+h12 ДU2. (3.8)
Дня определения h параметров создают режим холостого хода на входе (ДI1 = 0) и режим короткого замыкания на выходе (ДU2 = 0) по переменной составляющей (рис. 3.16). Условия ДI1= 0 и ДU2 = 0 означают, что при определении соответствующего h - параметра входной ток I1 или выходное напряжение U2 неизменны, т.е. I1= const или U2 = const.
Параметр h11 представляет собой входное сопротивление транзистора и измеряется при коротко замкнутом выходе по переменному напряжению. Так как в этом режиме U2 = 0, то из (3.7) следует, что
h11 =(ДU1/ДI1) при ДU2=0 (3.9)
Параметр h12 -- коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая часть напряжения с выхода транзистора поступает на его выход, т.е. характеризует глубину обратной связи. Он определяется при разомкнутой входной цепи (рис. 3.16, б), т.е. ДI1 = 0, тогда из (3.7) получим
h12 = (ДU1/ДU2) при ДI1=0 (3.10)
Параметр h21 -- коэффициент усиления по току -- отношение тока на выходе к входному току. Он определяется при короткозамкнутом выходе (рис. 3.16, в). Из (3.8) при ДU2 = О следует, что
h21 = (ДI2/ДI1) при ДU2=0. (3.11)
Для схемы с ОБ h21= соответствует б. Для схемы с ОЭ h21 = в. Коэффициент усиления по току для схемы с ОЭ может быть выражен через б:
в= ДIK/ДIБ = б (1-б). (3.12)
Параметр h22 -- выходная проводимость -- определяется как отношение выходного тока к выходному напряжение при разомкнутых входных (рис. 3.16, г) по переменному току. При ДI1= 0 из (20) получаем
h22= (ДI2/ДU2) при ДI1=0 (3.13)
Параметр h22 (выходная проводимость) определяют по приращениям тока и напряжения коллектора при I1 = IБЭ=const. Для этого на характеристике при IБЭ (см. рис. 3.16, б) берут точки С и D и строят характеристический треугольник СDЕ, из которого находят ДI2=ДI'K и ДU2=Д U'K:
(3.14)
Влияние температуры на характеристики и параметры транзисторов. Повышение температуры транзистора вызывает отрыв электронов от атомов кристалла и переход их в зону проводимости. Вследствие этого в каждом полупроводниковом материале с п и р проводимостью транзистора увеличивается количество и подвижность неосновных носителей тока. Количество основных носителей зависит от концентрации примеси, а изменение температуры влияет на их подвижность.
При повышении температуры большее число основных носителей поступает в зону проводимости и увеличивается прямой ток через эмиттерный переход, что приводит к сдвигу входных характеристик относительно характеристик нормального температурного (20°С) режима. Особенно заметен рост обратного тока коллектора I*Ко (см. рис. 3.7), создаваемого неосновными носителями тока, число которых с повышением температуры увеличивается. Таким образом, коллекторный ток IК при повышении температуры увеличивается как за счет обратного тока коллектора I*Ко, так и тока IЭ, поступающего через эмиттерный переход. Увеличение тока Iк приводит к смещению выходных характеристик в область больших значений тока. При этом смещения выходных характеристик в схеме с ОЭ больше, чем в схеме с ОБ.
Изменение собственной проводимости при повышении температуры изменяет характеристики и рабочие параметры транзистора. Во избежание этого в транзисторные схемы вводят соответствующие компенсирующие элементы.
Теплостойкость транзистора характеризуется максимальной рассеиваемой мощностью РКmax, представляющей собой предельно допустимое значение мощности, рассеиваемой на коллекторе, при которой его температура не превосходит допустимых пределов. Эта мощность определяется на коллекторе, поскольку сопротивление коллекторного перехода значительно больше сопротивления эмиттерного перехода. Величина РКmax зависит от максимально допустимой температуры коллекторного перехода tКmax температуры окружающей среды tокр и общего теплового сопротивления Rt между коллекторным переходом и окружающей средой:
(3.20)
Для повышения мощности рассеивания необходимо:
ь выполнять коллекторный переход из материала с высокой допустимой температурой (например, кремний с tKmax=150ч170°C)
ь уменьшать Rt за счет применения материалов с высокой теплопроводностью для изготовления корпуса;
ь применять радиаторы для увеличения поверхности охлаждения.
Значение PKmax дается в справочниках и наносится гиперболической кривой на семейство статических выходных характеристик транзистора.
Таблица 3.1
Основные показатели биполярного транзистора для различных схем его включения
|
Вид схемы |
Токи |
Напряжения |
Основные параметры |
Примечание |
||||
|
IВХ |
IВЫХ |
UВХ |
UВЫХ |
k1 |
kU |
|||
|
С общей базой (ОБ) |
IЭ |
IК |
UЭБ |
UН |
б |
k1<1 kU>1 |
||
|
С общим эмиттером (ОЭ) |
IБ |
IК |
UЭБ |
UН |
в |
k1<1 kU>1 |
||
|
С общим коллектором (ОК) |
IБ |
IЭ |
UКБ |
UН |
в+1 |
k1<1 kU>1 |
Выводы к главе 3
В целях разработки электронной оболочки курса «Электроника» в данной главе были рассмотрены следующие три пункта:
1. Роль электроники в устройствах автоматики, телемеханики, связи в ж\д транспорте. Оснавные этапы развития электроники.
2. Р-n переход полупроводниковыx диодов, характеристики и пробой р-n перехода Биполярные транзисторы, принцип работы, эффект усиления
Каждый пункт представляет собой электронный текстовый и иллюстрационный материал с пояснениями и формулами. Данные материалы предназначены для студентов ВУЗов изучающих курс «электроника» и могут быть использованы как опорный, так и вспомогательный учебный материал.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Основной задачей электронной оболочки является, дистанционное бучения (ДО). ДО это актуальная тема сегодняшнего дня.
Теоретические исследования выполненного в настоящей магистерской диссертации дают основание сформулировать следующие основные выводы:
Дистанционный метод обучения - более прогрессивная организация заочного обучения, опирающееся на специализированную информационно - образовательную среду.
Характерными чертами ДО являются гибкость, модульность, экономичность, возможность использования самых разнообразных носителей учебной информации: печатных материалов, телевизионных передач, аудио и видео носителей, компьютерных материалов.
Одним из важнейших требований, для проектирования электронной
оболочки для системы ДО, создания Web-курсов, является дружественность интерфейса.
Электронная оболочка, построена на гипермедийных документах с использованием языков HTML, Java Script, VBScript и редактора TrontPage 2000.
Для нормального ее функционирования использовано Internet Explorer 5.0.
В качестве интерфейса пользователя применялся система документов и форм HTML, организованная на основе фреймовой (Frame 1,2,3,4) структуры.
Электронная оболочка была разработана с использованием серверных инструментов FrontPage, этот редактор создан для функционирования клиентсерверной системы.
Структура пользовательский оболочки описана в руководстве программиста.
Литература
Каримов. И. А. «Наша главная задача-дальнейшее развитие страны и повышение благосостояние народа» Ташкент- «Узбекистан»-2010, с. 40-42.
Абдурахманов Р.П., Хамдамов У.Р. Современные технологии ДО. - сборник международной-научно-практической конференции «Техника и технология ДО» Ташкент, ТЭИС, 2002, с. 115-117.
Валиев Ш.З. Дистанционное обучение. УФА, УТИСД999, с.20.
В.Л. Уськов «Дистанционное инженерное образование на базе Интернет» М., Машиностроение, 2000, с.75-80.
Гулямов С.С. ДО и качество образования. //Правда востока Т.:2002, №3.
Гузеев В.В. Планирование результатов образование и образовательная технология. М.: Народное образование, 2001, с. 120-130.
Дистанционные обучения. Учебное пособие для пед. ВУЗов, -М.: центр Владос, 1998, с.60-68
Егорушкина К.А. ИТ в ДО. - Сборник международной - научно- технической конференции «Техника и технология ДО» Ташкент, ТЭИС) 02, с.71-73.
Ибраимов P.P., Караченчев В.Л. Технологии INTERNET при создании электронных курсов по специальности Телекоммуникация для системы ДО.-5орник международной-научно-практической конференции «Техника и технология ДО» Ташкент, ТЭИС, 2002, с. 189-191.
Ирубаев К.К., Шарипбаев А.А. О технологии создания систем ДО. Новые ИТ в образовании и науке. - Сборник международной конференции Алматы, 2003, с. 105-108.
К.И. Фокова. Компьютерные технологии и методы дистанционного обучения в учебном процессе. Хабаровск. ДВГУПС, 1999, с. 125-140.
Касымов С.С., Абдуазимов О.А., Махмудов Э.Б. Методы и устройства управления доступом к общему ресурсу потоковых видеосистем. - Сборник международной-научно-практической конференции «Техника и технология ДО» Ташкент, ТЭИС, 2002, с. 102-104.
Матросов А.В., Сергеев А.О., Чаунин М.П. HTML 4.0. СПб.: БХВ- Петербург, 2001, с.220-240.
Махмудов Э.Б. Разработка, исследования и внедрение методов и устройств, повышающих эффективность многофункциональных видеоин-формационных систем, представляющие различные виды услуг. -Сб.научных трудов международной конференции. 1999, с.93-99.
Муминова Л.Р. ДО в образовании возможности и перспективы. - Сборник международной - научно- практической конференции «Техника и технология ДО» Ташкент, ТЭИС, 2002, с.32-34.
Наймушин А.И. Введение в дистанционное образование. УФА, УТИС, 2000, с.50-60.
Омаров А.Н. Региональные центры ДО и их роль в обеспечение новых ИТ. - Новые ИТ в образовании и науке. Сборник международной конференции Алматы, 2003, с. 127-129.
...Подобные документы
Общая характеристика языка разметки гипертекста Hypertext Markup Language. Структура HTML-документа. Обзор основных возможностей HTML. Элементы современного дизайна Web-страниц. Анализ практического применения HTML (на примере обучающих программ).
курсовая работа [47,9 K], добавлен 24.11.2012Основы языка программирования Web-страниц – HTML. Виды информации, которую может содержать Web-страница: текст, графика, звук, анимация и видео. Инструментарий для создания Web-страниц. Основные HTML-редакторы, которые используются для Web-дизайна.
реферат [374,0 K], добавлен 19.01.2011Основные теги и атрибуты языка HTML. Создание web-сайта, который должен представлять собой несколько связанных между собой страниц. Рассмотрение различных значений атрибутов и тегов на страницах и в других документах. Экранные формы разработанных страниц.
лабораторная работа [1,2 M], добавлен 16.04.2014Создание индивидуального сайта с использованием языка гипертекстовой разметки HTML и языка скриптов JavaScript. Программные средства, используемые при выполнении работы. Основные средства для создания сайта. Разработка CSS-файла (таблица стилей).
лабораторная работа [31,0 K], добавлен 28.10.2010История возникновения интернета. Первый интернет-браузер, способный отображать не только текст, но графику, разработанный группой студентов из штата Иллинойс. Тим Бернерс-Ли - разработчик языка гипертекстовой разметки HTML (HyperText Markup Language).
презентация [423,5 K], добавлен 14.11.2013Определение понятия гипертекста. Основные части документа SGML. История создания стандартного языка разметки документов HTML. Отличия синтаксиса XHTML от HTML. RSS - семейство XML-форматов для описания лент новостей. Применение языка разметки KML.
презентация [4,3 M], добавлен 15.02.2014Обоснование выбора языка программирования для создания интернет магазина. Построение виртуальных страниц. Определение затрат на создание Web-сайта. Расчет трудоемкости создания программного продукта. Использование HTML как языка разметки гипертекста.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 28.05.2016Базовый синтаксис языка сценариев JavaScript. Создание страниц, включающих в себя программы, которые взаимодействуют с пользователем, управляют браузером и динамически создают HTML-содержимое. Работа с объектами, которые инкапсулируют данные и поведение.
лабораторная работа [58,6 K], добавлен 25.05.2016Изучение методики и технологий создания гипертекстовых справочных систем - электронных справочников, в которых хорошо реализована система навигации и поиска. Способы создания Web-страниц и применение языка HTML. Технология создания динамических страниц.
презентация [144,4 K], добавлен 01.01.2011Особенности создания сайта "Ремонт и эксплуатация автомобилей ВАЗ" содержащего необходимую информацию поэтапной разборки запчастей, а также устранение неисправностей, написанного с использованием языка гипертекстовой разметки HTML и языка JavaScript.
дипломная работа [10,5 M], добавлен 04.06.2019Изучение возможности создания интерактивных WEB - страниц для получения информации в сети Интернет с использованием форм, заполняемых пользователем. Тег, контейнер, атрибут, их понятие и сущность. Структура любого HTML- документа и использование ссылок.
контрольная работа [28,1 K], добавлен 05.03.2009Изучение создания скриптов на JavaScript. Разработка программы выдачи простого предупреждения по событию Click при выборе гипертекстовой ссылки. Применение контейнера SCRIPT для размещение JavaScript-кода. Получение типа программы просмотра HTML-страниц.
контрольная работа [21,1 K], добавлен 15.02.2010Использование языка гипертекстовой разметки HTML. Преимущества интернет-хостинга Yutex.ru. Структура базы данных информационной системы "Электронная газета". Структура сайта, описание разделов и страниц. Интерфейс и сценарии администраторского блока.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 07.07.2015Значение атрибута TITLE тега HTML-документа. Возможности HTML для разработчиков Web-страниц. Параметры тега
, регулирующие отступы вокруг изображения. Оформление комментариев в CSS. Теги логического форматирования текста (phrase elements).
тест [19,9 K], добавлен 11.10.2012Суть и составные части Web технологии, ее базовые элементы. Стандартный язык, предназначенный для создания гипертекстовых документов: HyperText Markup Language (HTML). HTML-тэги, определяющие, как будет отображаться WEB-броузером тело документа в целом.
реферат [19,4 K], добавлен 01.04.2010Личная подборка Internet-ресурсов учебного назначения. Язык гипертекстовой разметки страниц HTML. Текстовое оформление страниц. Вставка изображений. Нумерованные, маркированные списки. Оформление таблиц. Создание фреймов. Границы и рамки. Стили CSS.
лабораторная работа [177,3 K], добавлен 23.06.2013Практическая значимость создания сайта. Язык программирования JavaScript. Основные области использования языка JavaScript при создании интерактивных HTML-страниц. Язык программирования PHP. Программная основа сайта. Создание оформления дизайна сайта.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 05.03.2013Ознакомление с основами расширяемого языка разметки Extensible Markup Language. Изучение основных правил создания XML-документа. Рассмотрение набора элементов языка, секций CDATA, директив анализатора, комментариев, спецсимволов, текстовых данных.
презентация [400,9 K], добавлен 21.12.2014Создание интерактивных веб-страниц. Что такое JavaScript. Полная интеграция с браузером. Мощные средства для создания сетевых соединений. Подключение и выполнение JavaScript. Загрузка данных без перезагрузки страницы. Объекты для работы с мультимедиа.
лекция [16,2 K], добавлен 05.02.2012Концептуальное проектирование сайта по онлайн-продаже кофе, его древовидная логическая структура страниц. Описание языка гипертекстовой разметки сайта HTML, особенности отображения HTML-тегов в браузерах. Создание формы заказа для онлайн-торговли.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 16.04.2017
