Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов

Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Физические основы электроники
Вид методичка
Язык русский
Прислал(а) Dafna
Дата добавления 29.11.2012
Размер файла 350,3 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.

    курсовая работа [915,0 K], добавлен 14.01.2017

  • Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.

    курсовая работа [752,0 K], добавлен 31.05.2014

  • Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.

    курсовая работа [612,5 K], добавлен 12.12.2011

  • Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.

    контрольная работа [4,4 M], добавлен 19.02.2012

  • Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 28.01.2015

  • Метрологические характеристики, контролируемые при поверке электронно-счетных частотомеров. Средства, методы и схемы поверки. Определение относительной погрешности по частоте опорного кварцевого генератора. Поверка электронно-лучевых осциллографов.

    реферат [154,6 K], добавлен 09.02.2009

  • Основные контролируемые параметры электронно-оптических преобразователей (ЭОП). Интегральная чувствительность (чувствительность с фильтром) фотокатода, коэффициент преобразования, предел разрешения, рабочее разрешение, электронно-оптическое увеличение.

    реферат [427,5 K], добавлен 26.11.2008

  • Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.

    реферат [211,5 K], добавлен 29.06.2015

  • Общая характеристика, основные параметры и схематическое изображение электронно-лучевых трубок. Осциллографические электронные трубки. Передающие телевизионные трубки с накоплением зарядов: иконоскоп, супериконоскоп, ортикон, суперортикон, видикон.

    реферат [802,0 K], добавлен 29.05.2010

  • Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.

    курсовая работа [839,1 K], добавлен 30.10.2011

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.

    контрольная работа [637,3 K], добавлен 13.02.2015

  • Анализ электрических характеристик интегральных схем и модели их элементов. Моделирование диодов на основе р-п-перехода в программе PSPICE: эмиссия, температурный потенциал, напряжение пробоя, диффузионная емкость, вольтфарадная характеристика.

    реферат [432,2 K], добавлен 13.06.2009

  • Составление измерительных схем для снятия характеристик опто-электронных приборов, содержащих p-n-переходы; регистрация напряжений и токов. Значения параметров цепи, получение ВАХ p-n-перехода, определение параметров перехода, моделирование работы схемы.

    лабораторная работа [459,4 K], добавлен 23.12.2011

  • Высокочастотные амперметры, виды разверток и синхронизация в универсальном электронно-лучевом осциллографе. Электронно-счетный частотомер при измерении частоты СВЧ сигналов. Аналоговые измерители спектральной плотности мощности случайного сигнала.

    контрольная работа [1,2 M], добавлен 27.01.2010

  • Принцип действия мониторов на основе электронно-лучевой трубки (ЭЛТ). Управление цифровыми мониторами с помощью двоичных сигналов. Монохромные, цветные (RGB) и аналоговые цифровые мониторы. Общая характеристика и описание монитора VIEWS0NIC-17GA/GL.

    курсовая работа [3,7 M], добавлен 04.09.2010

  • Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.

    лекция [196,9 K], добавлен 15.03.2009

  • Форма поля в магнитных линзах. Магнитная отклоняющая система. Недостатки электростатической и магнитной систем отклонения. Технология изготовления колбы и экрана, его люминофорное покрытие. Заключительные операции изготовления электронно-лучевых трубок.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 20.05.2014

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012

  • Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Одним из оптоэлектронных приборов является оптрон, принцип действия которого состоит в преобразовании электрического сигнала в оптический.

    реферат [83,5 K], добавлен 07.01.2009

  • Разработка структурной схемы электронно-лучевого осциллографа. Методика расчета базовых усилительных каскадов и расчет элементов принципиальной электрической схемы. Выбор тактового генератора - кварцевого автогенератора с буферным выходным элементом.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 12.03.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.