Формування діелектричних шарів при виробництві напівпровідникових ІМС

Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Радіоелектроніка
Вид курсовая работа
Язык украинский
Прислал(а) pet.mamontov
Дата добавления 07.12.2012
Размер файла 362,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Класифікація кремнієвих датчиків тиску, конструкція та принцип їх роботи, пристій для калібрування. Переваги датчиків на основі тонких плівок перед ємнісними. Використання технології інтегральних мікросхем, сфера їх застосування. Електронний барометр.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012

  • Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007

  • Оптичні властивості тонких плівок нітриду титану. Електрофізичні та сорбційні характеристики прополісу. Дослідження закономірностей розсіювання тонкими плівками TiN і прополісу світлових потоків при різних формах поляризації падаючого випромінювання.

    магистерская работа [1,6 M], добавлен 29.09.2015

  • Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.

    дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012

  • Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 05.01.2014

  • Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.

    отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014

  • Фізичні основи будови та принцип дії напівпровідникових приладів. Класифікація та характеристики підсилювальних каскадів. Структурна схема та параметри операційних підсилювачів. Класифікація генеруючих пристроїв. Функціональні вузли цифрової електроніки.

    курсовая работа [845,3 K], добавлен 14.04.2010

  • Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.

    презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013

  • Аналіз найактуальніших методів виготовлення датчиків магнітного поля на основі тонких плівок, їх переваг і недоліків. Характеристика фізичних принципів і ефектів на яких працюють чутливі елементи та ролі у цьому матеріалу з якого вони виготовляються.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012

  • Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі

    контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011

  • Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014

  • Основні напрямки використання і впровадження CDMA як наземних фіксованих бездротових телефонних мереж, стільникових мобільних систем зв'язку. Основні параметри та значення даного стандарту. Формування складного сигналу. Структура стільникового зв’язку.

    курсовая работа [794,1 K], добавлен 30.07.2015

  • Захист інтегральних напівпровідникових та гібридних мікросхем, основні види та призначення процесу герметизації. Суть корпусної та безкорпусної герметизації, особливості та характеристика методів її виконання, їх порівняльний аналіз, переваги і недоліки.

    курсовая работа [5,5 M], добавлен 09.04.2010

  • Історія створення і розвитку Ethernet, стандартизація технології Ethernet комітетом IEEE 802. Методи випадкового доступу, поняття колізії. Архітектура канального та фізичного рівнів стандартів Ethernet. Кадри підрівня LLC, MAC-адреса та Ethernet-кадри.

    презентация [1,9 M], добавлен 18.10.2013

  • Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.

    лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011

  • Електродинамічні характеристики імпедансних поверхонь. Математична модель задачі аналізу. Методи чисельного розв`язання інтегральних рівнянь Фредгольма другого роду. Характеристика впливу приймальної антени на розв'язуючі властивості імпедансної смуги.

    дипломная работа [505,1 K], добавлен 12.11.2012

  • Оптичне волокно як середовище передачі даних. Конструкція оптичного волокна. Джерела сировини, особливості використання світловодів. Геометричні, оптичні параметри оптичних волокон. Технологічний процес виготовлення світловодів на основі кварцового скла.

    реферат [125,8 K], добавлен 07.04.2013

  • Вимоги до технології 4G. Місце LTE у світі. Зростання абонентських пристроїв з підтримкою LTE. Отримання ліцензій про користуванням радіочастотним ресурсом України для впровадження технології 3G IMT-2000 (UMTS). Мінімальна швидкість передачі даних.

    презентация [1,0 M], добавлен 06.11.2016

  • Історія впровадження в Україні технології цифрового підпису та початку ери електронного документообігу, захищеного електронним цифровим підписом. Суб'єкти правових відносин у сфері цих послуг. Питання сумісності. Використання цифрових підписів в InfoPath.

    презентация [254,6 K], добавлен 19.08.2013

  • Формування і передача по цифровій лінії зв’язку інформаційних сигналів. Використання радіолокаційних станцій. Середньоквадратична похибка стабілізації положення антенного блоку. Випромінювання магнітного та електричного поля. Параметри системи сканування.

    курсовая работа [477,5 K], добавлен 12.06.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.