Технологический процесс изготовления полупроводниковой микросхемы с использованием эпитаксиально-планарной технологии

Размещено на http://www.allbest.ru/

1. Техническая характеристика объекта производства

Технической характеристикой, для которой разрабатывается данный технологический процесс, является полупроводниковая микросхема, изготовленная с применением эпитаксиально-планарных технологий.

Интегральная микросхема (ИМС) - это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразование информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.

По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные ИМС. В данной работе рассматриваются полупроводниковые ИМС, которые представляют собой функционально законченную сборочную единицу, в которой вся активная и пассивная часть, а также межсоединения выполнены единым технологическим циклом и на одном кристалле.

Одной из используемых технологий изготовления полупроводниковых микросхем является эпитаксиально-планарная технология. Обычно эта технология применяется при использовании пластин р-типа с эпитаксиальным слоем n-типа. Материал делится на изолированные островки путем диффузии акцепторной примеси на всю толщину эпитаксиальной пленки. Отличительной способностью этого метода изготовления полупроводниковых микросхем является неоднократная повторяемость одинаковым по сути технологических обработок. На завершающем этапе изготовления микросхем выполняется металлизация (получение омических контактов к активным областям элементов, пленочных межэлементных соединений контактных площадок). Этот базовый процесс освоен почти всеми основными фирмами, изготовляющими интегральные схемы.

Исключительно высокие требования к чистоте исходных материалов и производственных помещений, точности оборудования обусловлены тем, что брак хотя бы одной операции влечет за собой выход из строя всей партии структур - это также является особенностью эпитаксиально-планарной технологии.

Процесс также имеет большое значение с экономической точки зрения при серийном производстве интегральных микросхем. Так как все ИМС на пластине изготавливают в одном технологическом цикле, что позволяет одновременно получать несколько полупроводниковых схем, т.е. интегральную микросхему на одном кристалле (чипе) и много (несколько сотен) интегральных микросхем на одной пластине.

К полупроводниковым пластинам предъявляются требования:

· Плотность дислокации не более 10 см^-2

· Шероховатость поверхности пластины не ниже 14 класса

· Прогиб пластины не более 8 - 10 мкм

· Пластина из монокристаллического кремния должна быть легированная до требуемого значения удельного сопротивления

· Разориентация поверхности относительно заданного кристалла должна быть не хуже ±1є

· Разнотолщинность пластин в приделах партии не должна превышать 1 мкм, отклонения по диаметру ±0,5 мкм

· Пластины должны иметь технологичные элементы (базовый срез и фаску)

· На кремниевой пластине необходимо создать контактные площадки для присоединения проволочных или других выводов, осуществляющих соединения с внешней схемой

· Соединение компонентов должно быть выполнено из низкоомного материала

Металл, используемый для получения межсоединений, должен отвечать требованиям:

· Иметь высокую проводимость с удельным поверхностным сопротивлением R?0,04 Ом

· Обеспечивать нормальное функционирование межсоединений при плотности тока ~2•10⁵ А/см²

· К каждому компоненту необходимо создать омические невыпрямляющие контакты

· Быть технологичным при нанесении, избирательном травлении и термообработке, а также при создании электрических соединений с внешними выводами корпуса

· Не подвергаться коррозии, окислению

· Не образовывать химических соединений с кремнием

· Иметь высокую адгезию в однородных и в смешанных системах (в последнем случае при высоких рабочих температурах)

· Быть прочным, не подверженным механическим повреждениям и разрушению при циклических изменениях температур

2. Анализ технологичности

Основной задачей, решаемой в процессе изготовления полупроводниковой микросхемы, является разработка изделия, полностью отвечающего своему функциональному назначению при минимально необходимом уровне расхода ресурсов.

Технологичной называют конструкцию, которая при минимальной себестоимости наиболее проста в изготовлении. Конструкция является технологичной, если в ней предусмотрено:

· Максимально широкое использование унифицированных узлов, стандартизованных и нормализованных деталей и элементов деталей.

· Возможно меньшее количество деталей оригинальной и сложной конструкции и различных наименований, и большую повторяемость одноименных деталей.

· Создание деталей наиболее рациональной формы, с легко доступными для обработки поверхностями и достаточной жесткостью с целью уменьшения трудоемкости изготовления деталей и изделий из них.

· Рациональным должно быть назначение класса точности размера и шероховатости поверхности.

· Наличие на деталях базирующих поверхностей.

· Наиболее рациональным способом получения заготовок с размерами и формами как можно более близкими к готовым деталям, то есть обеспечивающими наиболее высокий коэффициент использования материала и наименьшую трудоемкость.

· Полное устранение или возможно меньшее применение слесарно-пригоночных работ при сборке путем изготовления взаимозаменяемых деталей.

· Упрощение сборки и возможность выполнения параллельной во времени и пространстве сборки отдельных сборочных единиц изделия.

· Конструкция должна легко собираться и разбираться, а также обеспечивать доступ к любому механизму для регулировки, смазки, ремонта.

Для оценки технологичности конструкции используют ряд показателей, которые можно разбить на две группы:

1. Экономические показатели, характеризующие конструкцию в отношении затрат труда, материала и денежных средств. К ним относятся:

· трудоемкость. Характеризует количество труда, затрачиваемое на одно изделие с учетом его конструкционных особенностей в сферах производства эксплуатации и ремонта;

· материалоемкость. Характеризует количество материальных ресурсов, необходимых для создания применения одного изделия в сферах производства, эксплуатации и ремонта;

· энергоемкость. Характеризует количество топливно-энергетических ресурсов, необходимых на одно изделие в сферах производства, эксплуатации и ремонта;

· технологическая себестоимость. Характеризует в стоимостном выражении, ресурсоемкость изделия в сферах производства, эксплуатации и ремонта.

2. Показатели, характеризующие степень конструктивного совершенства изделия в отношении компоновки, нормализации и т.д.

Основные показатели технологичности определяются при помощи коэффициентов технологичности.

Технологичность, понятие относительное. Степень технологичности нового изделия определяется или сопоставляется с конструкцией уже находящегося в производстве изделия, или сравнивается несколько вариантов нового изделия.

Под оценкой технологичности конструкции изделия подразумевается комплекс взаимосвязанных мероприятий, включающих последовательное выявления технологичности конструкции изделия в целом или отдельных ее свойств, сопоставление выявленных свойств данного изделия со свойствами изделия, принятого в качестве базы для сравнения.

В зависимости от используемых средств оценки различают инженерно-расчетные и инженерно-визуальные методы оценки технологичности конструкции изделия. В зависимости от используемых методов оценки различают количественную и качественную оценку технологичности. Количественная оценка технологичности основана на инженерно-расчетных методах и проводится по конструктивно-технологическим принципам. Эта оценка может производиться по планируемым и непланируемым показателям. Расчетным путем определяются численные значения показателей технологичности. Качественная оценка технологичности основана на инженерно-визуальных методах оценки и проводится по отдельным конструктивным и технологическим принципам для достижения высокого уровня технологичности. Этот метод представляет собой совокупность приемов, по средствам которых разработчик визуально оценивает конструктивные и технологические признаки изделия.

Учитывая все выше сказанное можно сделать вывод: выбранный технологический процесс изготовления полупроводниковых микросхем с применением эпитаксиально-планарных технологий является технологичным решением, поскольку в нем:

· Максимально широкое использование унифицированных узлов, стандартизованных и нормализованных деталей и элементов деталей.

· Рациональное назначение класса точности размера и шероховатости поверхности.

· Наиболее рациональным способом получены заготовки с размерами и формами, обеспечивающими наиболее высокий коэффициент использования материала и наименьшую трудоемкость.

· Упрощение сборки и возможность выполнения параллельной во времени и пространстве сборки отдельных сборочных единиц изделия.

3. Технологический маршрут

полупроводниковый интегральный микросхема планарный

Типовой технологический процесс изготовления полупроводниковых микросхем с использованием эпитаксиально-планарной технологии, состоит в основном из следующих операций:

1. Подготовительная

2. Комплектация

3. Подготовка пластины

4. Окисление пластины из монокристаллического кремния

5. Наращивание эпитаксиального (скрытого) слоя

6. 1-я фотолитография - для создания коллекторной области

7. Диффузия бора для создания коллекторной области

8. Окисление пластины

9. 2-я фотолитография - для получения базовой области

10. Диффузия бора для создания базовой области

11. Нанесение слоя SiO₂

12. 3-я фотолитография - для получение эмиттерной области

13. Диффузия бора для создания эмиттерной области

14. Окисление

15. Металлизация методом вакуумного испарения

16. 4-я фотолитография - для электропроводящей размотки

17. Вжигание контактов (термообработка)

18. Установка кристалла в корпус

19. Монтаж выводов

20. Герметизация корпуса

21. Контроль

4. Детальное описание операций

1. Подготовительная

Она предусматривает подготовку рабочего места, основных и вспомогательных материалов инструмента, технической документации для работы по производству полупроводниковой микросхемы с использованием планарной технологии.

2. Комплектация

В операцию комплектации входит комплектация основных материалов, согласно комплектовочной ведомости, и укладка их в технологическую тару для работы.

3. Подготовка пластины

Обработке подвергается пластина монокристаллического кремния, легированная до требуемого значения удельного сопротивления. Исходная пластина непосредственно перед обработкой полируется до зеркально-гладкой поверхности или подвергается легкому «финишному» травлению для снятия поверхностного нарушенного слоя, образовавшегося в процессе механической полировки. Травление может проводиться в буферном растворе плавиковой кислоты или в потоке хлористого водорода (перед эпитаксиальным вращением).

4. Окисление пластины из монокристаллического кремния

Окисление пластины из монокристалла кремния происходит в сухом кислороде. Слой двуокиси кремния формируется на подложке за счет химического соединения в полупроводнике атомов кремния с кислородом, который попадает к поверхности кремниевой подложки, нагретой в технической печи до высокой температуры (900 - 1200 ⁰С). Окислительной средой служит атмосфера сухого кислород. Химическая реакция соответствует следующему уравнению:

Si (тверд) + O₂ > SiO₂

Процесс окисления происходит на границе Si - SiO₂, поэтому молекулы окислителя диффундируют через все предварительно сформированные слои окисла, лишь затем вступают в реакцию с кремнием на его границе с окислом.

Значительным достижением является добавление в окислительную среду в процессе окисления хлорсодержащих компонентов. Это привело к увеличению напряженности пробоя диэлектриков и повышению скорости окисления кремния. Главная роль хлора в пленках двуокиси кремния (с концентрацией хлора 10¹⁶-10²⁰ см^-3) заключается в превращении случайно проникших в SiO₂ примесных ионов (таких, как натрий и калий) в электрически неактивные. Для получения пленки толщиной в 1 мкм при температуре 1200 ⁰С необходимо 15 часов.

5. Наращивание эпитаксиального (скрытого) слоя

Скрытый слой используется для уменьшения последовательного сопротивления коллектора. Для его создания обычно проводится диффузия мышьяка или сурьмы, поскольку их растворимость в кремнии больше, а коэффициент диффузии меньше, чем у бора и фосфора. Это позволяет получать низкоомные области в кремнии, которые на последующих операциях не изменяют своих размеров в результате диффузии. Для создания скрытого слоя разработан метод селективного эпитаксиального наращивания.

Эпитаксиальный слой n-типа выращивается после удаления с пластины всего слоя окисла. Для легирования эпитаксиальной пленки донорной примесью в качестве диффузанта обычно используется фосфин. Толщина эпитаксиального слоя составляет 12-15мкм. При температуре в эпитаксиальном редакторе порядка 1200⁰С этот слой выращивается за 15-20 мин.

6. 1-я фотолитография - для получение коллекторной области

Фотолитография является основным технологическим процессом в микроэлектронном производстве. Применяются фоторезисты, чувствительные к ультрафиолетовому излучению с длиной волны от 310 до 450 нм.

Фоторезисты - сложные полимерные композиции, в составе которых имеются фоточувствительные и пленкообразующие компоненты, растворители и специальные добавки.

Фотошаблоны являются основными инструментами фотолитографии, с их помощью производится локальное облучение фотослоя в соответствии с топологией микросхемы. Цветной фотошаблон для изготовления структур микросхем - гибкая пленка из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала с нанесенным на ее рабочую поверхность непрозрачным пленочным рисунком, соответствующим топологии одного из слоев структуры микросхемы и многократно повторенным со строго определенным шагом в пределах рабочей области пленки. В качестве основного фотомаскирующего слоя используется оксид железа - Fe₂O₃.

Нанесения слоя фоторезиста на пластину

Нанесение слоя фоторезиста выполняют с применением метода центрифугирования. Для этого пластину с помощью вакуумного присоса закрепляют в центре вращающегося диска и в процессе его вращения на пластину из пипетки наносят несколько капель фоторезиста. Толщина слоя фоторезиста зависит от скорости вращения диска центрифуги и густоты фоторезиста. Обе эти характеристики подбирают эмпирически.

Сушка фоторезиста

Сушка фоторезиста выполняется после нанесения слоя фоторезиста. Во время сушки происходит испарение растворителя и пленкообразование. Для получения высококачественной пленки используют инфракрасную сушку. Фоторезист сушат в два этапа:

· сначала его в течение 15 - 30 мин подсушивают при комнатной температуре (16 ⁰С). Происходит удаление растворителей и укладка макромолекул полимера.

· затем в течение 30 - 60 мин сушат при температуре 100 - 150 ⁰С. Это способствует интенсивному испарению испарителей и переходу макромолекул полимера в устойчивое состояние.

Инфракрасная сушка отличается равномерным удалением растворителя по толщине слоя резиста. Сушка завершает процесс формирования фотослоя.

Экспонирование контактным способом

Получение рисунка базовых областей выполняется методом экспонирования контактным способом. Процесс осуществляется при температуре не выше 25 ⁰С с помощью цветного шаблона в светокопировальных камерах. Под действием света в слое фоторезиста образуется локальные участки с изменившимися свойствами.

Ориентацию осуществляют (на начальных стадиях экспонирования) относительно базового среза, а затем с помощью меток фотошаблона.

Проявление фоторезиста

Процесс проявления полученного изображения для позитивных фоторезистов заключается в удалении ненужных участков пленки фоторезиста. В результате такой обработки на поверхности пластины остается слой фоторезиста, рельеф которого воспроизводит необходимый рисунок. Осуществляется струйным способом. Это групповой способ, который подразумевает, что пластины крепят на центрифуге с помощью вакуумного прижима и из форсунок подают проявитель. После проявления следует операция тщательной промывки подложек в протоке деионизованной воды.

Задубливание слоя фоторезиста (2-я сушка)

Задубливание проводится для удаления проявителя, воды, повышения химической стойкости и адгезии фотомаски к подложке. У позитивных фоторезистов сушка сопровождается разрушением молекул и частичной сшивкой полимерных составляющих. Чтобы не произошло ухудшение качества фотомаски, сушку проводят в 2 этапа с постепенным подъемом температуры до максимальной. Облучение перед второй сушкой большой дозой глубокого ультрафиолета устраняет пластическое течение резиста при термообработке и существенно улучшает качества фотомаски.

Травление слоя SiO₂ в местах свободных от фоторезиста

Процесс травления существует для того, чтобы удалить пленку SiO₂ с поверхности пластины, не защищенной слоем задубленного фоторезиста. Этот процесс необходим для вскрытия окон для доступа к монокристаллу кремния. Травление проводят в растворе на основе плавиковой кислоты. При выборе травителя учитывают, что чистый водный раствор плавиковой кислоты быстро проникает под пленку фоторезиста, вызывая подтравливание окисла и образование клина между пленкой SiO₂ и поверхностью полупроводникового материала. Для уменьшения этого явления в травильный раствор плавиковой кислоты вводят фтористый аммоний. Наиболее часто используют травитель следующего состава: HF:NH₄F:H₂O=1:3:7

· 9 мл HF (48%)

· 30 г NH₄F

· 60 мл H₂O

После травления пластины подвергают тщательной промывке в деионизованной воде, для удаления следов травителя с пластин и кристаллов. Промывку прекращают, когда сопротивление воды на выходе сравняется с сопротивлением на входе промывочной камеры. После промывки пластины или кристаллы с p-n-переходами сушат под инфракрасной лампой при температуре 120 - 150 ⁰С.

Удаление фоторезиста плазмохимическим методом

Плазмохимическое удаление фотомаски - наиболее эффективный и безопасный процесс, одновременно обеспечивает и очистку пластин. Выполняется в вакуумных полуавтоматах «Плазма-600», «Плазма-600Т» в низкотемпературной плазме смеси кислорода с азотом. Азот предохраняет открытые участки кремния от окисления. Во время плазмохимической обработки выделяются при окислительной деструкции фоторезиста газообразные продукты: CO₂; CO, NO₂, H₂O, затем летучие соединения адсорбируются и химически взаимодействуют с диоксидом кремния. Кроме того, на поверхности остаются продукты неполного сгорания фотослоя, металлические загрязнения; возможны радиационные дефекты.

После удаления фоторезиста с поверхности окисного слоя контролируют геометрические размеры полученного в окисном слое рисунка.

7. Диффузия бора для создания коллекторной области

Диффузия используется для введения в полупроводник некоторого заданного количества легирующей примеси. При изготовлении приборов процесс диффузии в открытой трубе, проводимый из жидкого диффузанта (бора), проводят в 2 стадии.

На первом этапе атомы легирующей примеси осаждаются на поверхность пластины, так создается тонкий диффузионный слой. Загонку осуществляют в печах, с двумя температурными зонами при невысоких, по сравнению с диффузией, температурах. После загонки пластины вынимают из печи и с поверхности удаляют слой окисла, а также охлаждения до комнатной температуры необходимо защитить их от повреждений и загрязнений. На второй стадии (разгонке), во время которого легирующие атомы продвигаются в глубь пластины, пластины полупроводника нагревают в однозонной печи в атмосфере, не содержащей атомов диффузанта, так единственным процессом является диффузионное перераспределение примеси. Вторая стадия соответствует диффузии из источника ограниченной мощности. При разработке технологического процесса для получения требуемых глубин залегания переходов и профилей легирующих примесей необходимо учитывать каждый термический процесс.

8. Окисление пластины

Второе окисление пластины из монокристалла кремния происходит в сухом кислороде. На пластину с коллекторной областью наносится пленка SiO₂, для последующего формирования базовой области.

9. 2-я фотолитография - для получения базовой области

Подразумевает, что на пластине формируется рисунок топологического слоя, согласно которому затем будет формироваться базовая область.

10. Диффузия бора для создания базовой области

Процесс диффузии (для внедрения атомов легирующего элемента - бора в кристаллическую решетку полупроводника) в открытой трубе, проводимый из жидкого диффузанта (бора), проводят в 2 стадии (загонку и разгонку), при этом создается базовая область.

11. Нанесение пленки SiO₂

Третье окисление пластины происходит также в сухом кислороде. На пластину с базовой областью наносят пленку SiO₂, для последующего формирования эмиттерной области.

12. 3-я фотолитография - для получения эмиттерной области

Подразумевает, что на пластине формируется рисунок топологического слоя, согласно которому затем будет сформирована эмиттерная область.

13. Диффузия бора для создания эмиттерной области

Внедрения атомов легирующего элемента - бора в кристаллическую решетку полупроводника для создания области эмиттеров и высоколегированной области для создания омических контактов к коллекторным и базовым областям.

14. Окисление

Четвертое окисление пластины в струе сухого кислорода для создания межсоединений.

15. Металлизация

Для нанесения на кремниевую пластину, на которой сформированы структуры, сплошной металлической пленки (для создания качественных омических контактов с элементами микросхемы, а также электропроводящего покрытия) применим метод термического испарения в вакууме. Из резистивных испарителей (на которые укладывают материал для нанесения пленки алюминия) при температуре на пластине 200 - 400 єC и невысоких скоростях осаждения (~10-15 нм/с) возможно нанесение пленки алюминия.

16. 4-я фотолитография - для получения электропроводящей размотки

Последняя фотолитография используется для гравировки тонкопленочных металлических покрытий, служащих омическими контактами, токоведущими дорожками и сопротивлениями.

Фоторезист наносят на металлизированную поверхность пластины и подвергают обычной обработке. Для травления алюминия с негативным фоторезистом используют 5-20%-ные растворы NaOH и KOH. Травление проводят при температуре 50-80⁰С. Скорость травления составляет 20-50 нм/мин.

17. Вжигание контактов (термообработка)

Целью операции вжигания контактов является повышение адгезии пленки за счет взаимодействия алюминия с изолирующим окислом (SiO₂ + Al> Al₂O₃ +Si) и внедрения (диффузии) алюминия в кремний через контактные окна. Контакты вжигают при температуре 550 єC с выдержкой 5 - 10 мин.

18. Установка кристалла в корпус

Рабочей поверхностью вверх подсоединяются структуры полупроводниковой пластины к основаниям металлокерамических корпусов. Применим пайку металлическими низкотемпературными припоями, которые обеспечивают высокие тепло- и электропроводность соединений, механическую прочность. Мягкие припои (эвтектические сплавы - Au 94% и Si 6% температура плавления 370єС) допускают при необходимости демонтаж кристаллов и не ограничивают последующие нагревы. При охлаждении припоя в момент, соответствующий эвтектической температуре, происходит одновременная по всему объему кристаллизация компонентов. Затвердевание сопровождается выделением мелких, хорошо связанных между собой кристаллов, и этим обеспечивается качественный паяный шов.

19. Монтаж выводов

Монтаж выводов осуществляется ультразвуковой сваркой. Благодаря оттеснению оксидных пленок и загрязнений из зоны сварного шва и активации поверхностных атомов продольные ультразвуковые колебания интенсифицируют процесс соединения и существенно повышают его качество и производительность.

Сварка выполняется с помощью нормального давления и продольных колебаний инструмента с частотой ультразвука. Соединяемые поверхности подвергаются жестким сдвигающим усилиям, в результате которых происходит срезание микронеровностей, разрушение оксидных пленок и оттеснение их в зазоры между микровыступами. Нагрев в результате трения, не превышающий 30-50% температуры плавления соединяемых материалов, приводит к пластической деформации и способствует возникновению металлической связи и прочному соединению без структурных изменений материала в зоне сварки.

При ультразвуковой сварке необходимо жесткое крепление деталей, так как передача колебаний в контакте между свариваемыми поверхностями происходит за счет сил трения.

20. Герметизация корпуса

При герметизации металлокерамического корпуса используем пайку металлическим припоем. Припойная рамка, обрамляющая основание корпуса, имеет золотое покрытие. На нее укладывается припойная прокладка, соответствующей формы. Для удаления с припойных прокладок окислов и загрязнений их обрабатывают кипячением в течение 6-8 мин в травителе на основе уксусной кислоты. После отмывки в деионизованной воде прокладки опускают в этиловый спирт. Затем прикладывается крышка, на которую прикладывается небольшое давление (необходимости в больших давлениях сжатия нет и в применении какого-либо инструмента). В процессе кондуктивного нагрева припой расплавляется и заполняет зазор между крышкой и рамкой основания.

Способ кондуктивного нагрева заключается в применении нагревательных плит, на которые устанавливаются предварительно собранные детали корпуса, прижимаемые с небольшим усилием прижимом. Припойные прокладки предварительно флюсуются погружением в раствор канифоли.

21. Контроль

В процессе создания полупроводниковой микросхемы нужно постоянно контролировать каждый процесс, чтобы не допустить возникновение дефектов.

Для определения толщины диэлектрических пленок (SiO₂, Al₂O₃) на отражающих пластинах наблюдают цвет пленки. Если падение луча на поверхности пленки близко к нормальному, и пленки достаточно тонкие (менее 1 мкм), то расстояние между соседними интерференционными максимумами столь велико, что вся пленка окрашивается равномерно в один цвет.

В контроль этапов фотолитографического процесса входит: контроль фоторезистов, качества фотошаблонов, поверхности подложек, фотослоя, фотомаски, контроль полученного рисунка.

Повышения качества фотолитографии можно добиться только при комплексном подходе к этой проблеме. Высокий выход годных изделий повышенной сложности может быть получен при одновременном выполнении ряда условий: применения единой системы очистки и фильтрации фоторезистов, воды, всех газов, воздуха и так далее; периодического контроля, правильной организации очистки фотошаблонов и по мере износа замены их новыми; разработки оптимальных технологических процессов и контроля всех этапов фотолитографии; автоматизирования операций загрузки, транспортировки.

Дефектом диффузионных слоев могут быть дислокации, которые появляется в основном из-за несоответствия размеров атомов примеси и полупроводника. При высоких температурах диффузии на поверхности кремния могут проходить нежелательные процессы образования химических соединений, сплавов и последующее их испарение. Это приводит к неровностям - эрозии, которую исследуют под микроскопом с увеличением 200^х (эрозии соответствует наличие мелких светлых точек на темном фоне). Распределение концентрации примесей по толщине диффузионного слоя определяют методом дифференциальной проводимости. Поверхностное сопротивление определяется четырехзондовым методом (ток через зонды должен превышать значение, при котором происходит самозапирание перехода и ток проходит только по диффузионному слою, не ответвляясь в полупроводниковую пластину).

Эпитаксиально-планарная технология благодаря групповому характеру обработки высокопроизводительна, обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров приборов при сравнительно небольших затратах производства. Эти приборы имеют лучшие характеристики по сравнению с приборами, изготавливаемыми по индивидуальной технологии. В настоящее время эпитаксиально-планарная технология составляет основу технологических маршрутов изготовления микросхем, в том числе больших и сверхбольших.

Размещено на Allbest.ru

...