Методика расчета несимметричного мультивибратора
Определение основных параметров несимметричного мультивибратора. Вычисление максимально допустимого напряжения между коллектором и базой транзистора, его выбор по коэффициенту усиления. Расчет мощности резисторов и номинальной емкости конденсаторов.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 08.02.2013 |
| Размер файла | 100,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Методика расчета несимметричного мультивибратора
мультивибратор коллектор транзистор конденсатор
Для расчета НМВ необходимо знать:
Uвых - амплитуда выходных импульсов;
fМВ - частота колебаний;
ТМВ =1/fМВ - период следования импульсов;
И = ТМВ/Q - длительность импульса;
Q = ТМВ/И - скважность;
Ф (Ф) - длительность фронта (среза) импульса.
а. Напряжение источника питания должно с некоторым запасом превосходить амплитуду импульсов на выходе генератора
Еп =(1,11,2) Uвых, но меньше UКЭ. мах.
Полярность источника питания влияет только на тип транзистора.
б. Транзисторы в схеме выбираются из следующих соображений:
1. При запирании транзистора на его базу передается положительный перепад напряжения и потенциал коллектора при этом стремится к Еп.
Поэтому максимально допустимое напряжение между коллектором и базой транзистора должно быть
UКБ. мак 2Еп. (1)
2. По коэффициенту усиления транзистор выбирается из следующих условий
(2)
3. Верхнюю граничную частоту транзистора из условия
(3)
По рассчитанным значениям выбираем транзисторы.
в. Расчет элементов схемы.
1. Принимаем RК1= RК2 = RК, тогда имеем
(4)
2. Принимаем RБ1= RБ2 = RБ, тогда имеем
(5)
Рассчитанные номинальные сопротивления резисторов округляем до ряда Е6, Е12 или Е24.
Ряды «Е» для определения номинальных сопротивлений и емкостей при допуске 20, 10, 5%
|
E24 |
E24 |
|||||
|
E12 |
E12 |
|||||
|
E6 |
E6 |
|||||
|
1,0 |
1,1 |
3,3 |
3,6 |
|||
|
1,2 |
1,3 |
3,9 |
4,3 |
|||
|
1,5 |
1,6 |
4,7 |
5,1 |
|||
|
1,8 |
2,0 |
5,6 |
6,2 |
|||
|
2,2 |
2,4 |
6,8 |
7,5 |
|||
|
2,7 |
3,0 |
6,2 |
9,1 |
Мощность резисторов рассчитываем для максимально нагруженного резистора RК, используя выражение
(6)
Полученный результат округляем в большую сторону для ряда: 0,125; 0,25; 0,5; 1,0 Вт.
Мощность резисторов RБ выбираем аналогичную.
3. Рассчитываем конденсаторы.
(7)
(8)
Рассчитанные номинальные емкости конденсаторов округляем до ряда Е6, Е12 или Е24.
г. Проверяем длительность фронта и среза.
(9)
С = 2,3RКС2. (10)
Если расчетные данные не удовлетворяют условию задачи, то производят уточняющий расчет.
Ниже приведены значения элементов схемы МВ на БТ КТ315А с параметрами: f=50 кГц, q =4, Uвых =10 В.
Параметры элементов схемы:
RК=1,5 кОм, RБ=30 кОм, С1=190 пФ, С2=760 пФ,
Параметры транзистора КТ315 (n-p-n) :
UКЭ. мах = 25 В; h21Э =4050; IК. нас = 20 мА; fВ =250 МГц.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Расчет элементов схемы несимметричного мультивибратора на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и каналом p-типа. Исследование типичных форм прямоугольных колебаний. Построение временных диаграмм мультивибратора на биполярных транзисторах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 21.09.2016Основные параметры и характеристики, выбор режима работы транзистора. Расчет малосигнальных параметров. Определение основных параметров схемы замещения. Расчет основных параметров каскада. Оценка нелинейных искажений. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [964,4 K], добавлен 01.10.2014Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Функциональная схема синтезатора частот. Электрический расчёт автогенератора. Выбор транзистора. Определение амплитуды напряжения на нагрузке коллекторной цепи. Расчет насыщенного симметричного триггера, построенного по типовой схеме мультивибратора.
контрольная работа [409,2 K], добавлен 12.10.2013Направление зарядного тока конденсатора. Разработка электрической схемы автоколебательного мультивибратора. Схема регулировки скважности. Расчёт основных параметров функционирования схемы мультивибратора. Выбор элементной базы и составление спецификации.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 28.01.2015Расчет Y-параметров транзистора. Определение допустимого и фактического коэффициента шума приемника. Вычисление избирательности по побочным каналам. Выбор и обоснование средств обеспечения усиления сигнала. Проектирование приемника на микросхеме.
курсовая работа [51,5 K], добавлен 01.05.2011Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 16.02.2010Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.
курсовая работа [681,4 K], добавлен 19.09.2012Общие принципы проектирования усилителей на биполярных транзисторах. Расчет разделительных конденсаторов и емкости шунтирующего конденсатора в цепи эмиттера. связи между отдельными усилительными каскадами. Оценка предельных параметров и выбор транзистора.
курсовая работа [307,3 K], добавлен 16.05.2016Применение конденсаторов переменной емкости для изменения резонансной частоты контура. Обзор конструкций и выбор направления проектирования конденсатора. Расчет электрических и конструктивных параметров, вычисление температурного коэффициента емкости.
курсовая работа [340,5 K], добавлен 14.03.2010Функциональные возможности переменных конденсаторов как элементов колебательных контуров. Обзор конструкций и выбор направления проектирования конденсатора. Расчет электрических и конструктивных параметров, вычисление температурного коэффициента емкости.
курсовая работа [1008,2 K], добавлен 14.03.2010Особенности проектирования и расчета интегрального МОП-транзистора. Структура и граничная частота n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения. Определение геометрических размеров канала. Характеристика параметров областей истока и стока.
курсовая работа [206,7 K], добавлен 16.02.2016Выбор структурной схемы приемника. Расчет допустимого и реального коэффициентов шума аппарата; определение параметров цепей фильтрации преселектора и требуемого коэффициента усиления радиотракта. Проведение расчета параметров преобразователей радиочастот.
курсовая работа [196,6 K], добавлен 18.12.2011Определение интермодуляционных параметров нелинейности усилителя на основе аппроксимации его коэффициента усиления в функции от напряжения смещения на управляющем электроде транзистора. Определения параметров нелинейности и выбор оптимального режима.
курсовая работа [350,4 K], добавлен 02.01.2011Выбор и обоснование элементной базы, унифицированных узлов, установочных изделий и материалов конструкций. Выбор конденсаторов и резисторов. Расчет конструктивно-технологических параметров печатной платы. Обеспечение электромагнитной совместимости.
дипломная работа [2,7 M], добавлен 17.10.2013Порядок определения выходных параметров каскада. Расчет значения постоянной составляющей тока коллектора и амплитуды выходного напряжения. Определение величины емкости разделительного конденсатора и коэффициента усиления по мощности усилительного каскада.
курсовая работа [850,8 K], добавлен 15.05.2013Определение основных характеристик усилительных каскадов в биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией. Режим покоя между коллектором и эмиттером. Определение коэффициентов усиления по напряжению. Режим покоя каскада.
лабораторная работа [47,7 K], добавлен 18.06.2015Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.
курсовая работа [911,3 K], добавлен 10.02.2016Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры.
контрольная работа [694,5 K], добавлен 22.03.2015
