Технологический процесс изготовления n-p-n транзистора типа КТ-872

Травление двуокиси кремния.

Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду А.

А

130

Химическая обработка

Б

Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП

О

Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деионизированной воде.

А

135

Напыление алюминия

Б

Установка “Магна 2М”

О

Электрическая разводка создается напылением алюминия.

Проводится за счет приложения магнитного поля, с помощью Установки “Магна 2М”. Толщина слоя алюминия 1,2±0,1 мкм.

А

140

Шестая фотолитография

Б

Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”

О

Фотолитография по пленке алюминия для создания рисунка разводки и контактных площадок.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90?С.

2-й этап: 60 минут при температуре 150?С

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси органических кислот.

Травление алюминия.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду Б.

А

145

Пассивация

Б

Вертикальный реактор с инфракрасным нагревателем установки осаждения УО-15.

О

Осаждение низкотемпературной пленки двуокиси кремния на всю поверхность полупроводниковой пластины. Операция проводится в среде азота при температуре 475?С для растворения тонкой пленки двуокиси кремния.

А

150

Седьмая фотолитография

Б

Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”

О

Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90?С.

2-й этап: 60 минут при температуре 150?С

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси органических кислот.

Травление пленки двуокиси кремния.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду А.

А

155

Контроль электрических параметров микросхемы.

Б

Установки: система измерительная Н2001 (“Интеграл”); зонд измерительный ОМ6010;

О

Настроить зонд по расположению контактных площадок на кристалле.

Провести контроль токов I5=15 мА, I13 =10 мА и напряжений U5=4±0,5 B, U13=15±0,5 B на 5й и 13й контактных площадках соответственно.

В случае если параметры кристалла не соответствуют нормам, он закапывается специальными магнитными чернилами.

А

160

Скрайбирование

Б

Установка скрайбирования «ЭМ-210», микроскоп «ММУ-3», полуавтомат «ПЛП-3».

О

Для разделения пластин на кристалы используется лазерное скрайбирование, для данного метода необходим твердотельный лазер (оптический квантовый генератор ОКГ) активный элемент которого, выполнен из алюминиевого граната с примесью неодима (АИГ:Nd), а длина волны составляет 1,06 мкм.

На пластины наносят на центрифуге защитное покрытие для предохранения структур от повреждения.

Пластины закрепляют вакуумным прижимом на столе установке

Проводят скрайбирование, Скорость скрайбирования в

пределах от 100 до 200 мм /сек. Скрайбирование целесообразно производить на установке ЭМ-210, позволяющей скрайбировать пластины диаметром 100 мм и толщиной 460 мкм за 3 прохода при скорости скрайбирования 120 мм/сек и глубине 100 мкм /проход

Контроль качества скрайбирования производится при помощи микроскопа ММУ-3.

Осуществляют разламывание пластин на кристаллы, на полуавтомате ПЛП-3. При этом необходимо соблюдать следующие режимы: сила нажатия на пластины должна быть в пределах от 100 до 1500 Н, а скорость движения ленты с пластиной порядка 40 мм/сек.

А

165

Контроль

Б

Микроскоп «ММУ-3»

О

Контроль кристаллов производится при помощи микроскопа ММУ-3.

Кристаллы, закапанные магнитными чернилами удалить.

А

170

Сборка

Б

Установка термокомпрессионной сварки «ЭМ-439М»

О

Кристалл крепить к ситалловой подложке клеем ВК-32-200.

Положку с кристаллом крепить к выводной рамке клеем ВК-32-200.

Разваривать выводы кристалла с помощью алюминиевой проволоки к выводной рамке методом термокомпресии.

А

175

Маркировка

Б

Маркировочный стол

О

Маркировать серийный номер микросхемы краской

5. Групповая технология и планирование производственных процессов изготовления транзистора марки КТ-872

Подавляющее число логических ИС выпускаются в виде полупроводниковых, в то время как линейные ИС в основном изготавливаются по гибридной технологии.

Основные принципы технологии микроэлектроники - групповой метод и планарная технология - были известны еще до изготовления ИС. Эти методы были освоены в дискретной транзисторной технике в конце 50-х годов. При изготовлении транзисторов, например, осуществлялась их технологическая интеграция (по времени), обусловленная групповым методом изготовления. Групповой метод состоит в том, что на одной или чаще многих полупроводниковых пластинах одновременно формируют определенное число ЭРЭ (резистор, транзистор, диод). Сущность планарной технологии заключается в том, что одновременно формируемые элементы расположены или на поверхности подложки (ГИС) или в приповерхностном слое полупроводниковых пластины (plane плоскость). Затем подложки или пластины разрезают (скрайбируют) на кристалл или платы. Каждый кристалл при этом будет содержать определенный ЭРЭ (R, D, T и т.д. - рисунок 3). Если же на исходной пластине вместо отдельных ЭРЭ формируют такими же методами комплекс ЭРЭ функционального узла (R + D + T), то после соответствующего разделения пластины на кристаллы получаются уже кристаллы ИС, выполняющих определенную функцию (рисунок 4). Термин кристалл официально принят для готовых полупроводниковых приборов и ИС без внешних выводов и корпуса. Однако этот принцип несколько неудачен, т.к. он совпадает с общим физическим понятием кристалла. В зарубежной литературе используется специальный термин "чип" - (chip).

Таким образом, интегральной микросхемой (ИС) называют изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала, и имеющую высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, рассматриваемое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации как единое целое. ИС - содержит элементы и компоненты. Элементом ИС называется часть схемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, резистора). Эта часть выполняется неразделимо от кристалла или ее подложки. Элемент не может быть отделен от ИС как самостоятельное изделие, поэтому его нельзя испытать и эксплуатировать. Компонентом ИС также называется её часть, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента. Однако эта часть перед компонентом является самостоятельным изделием. Компонент в принципе может быть отделен от изготовленной ИС. Подложка ИС - диэлектрическое основание для пленочных или гибридных ИС. Плата ИМС - часть подложки пленочной или гибридной ИС. Пластина - монокристаллическая полупроводниковая подложка, вырезанная из слитка полупроводникового материала и предназначенная для изготовления полупроводниковой ИС. Кристалл ИМС - часть полупроводниковой пластины, в объёме и на поверхности которого сформированы элементы единичной ИС.

Рисунок 3. Групповой метод изготовления дискретных элементов (транзисторов)



Рисунок 4. Групповой метод изготовления ИС

Технология изготовления кремниевых пластин для БИС и СИС.

Кремний, как основной материал полупроводниковых БИС и СИС. Технологический маршрут получения пластин. Методы ориентации монокристаллов. Методы резки слитков на пластины. Абразивные материалы для механической обработки. Технологические особенности изготовления пластин для СБИС. Автоматизация обработки пластин. Технохимические методы удаления материалов с поверхности пластин. Основным полупроводниковым материалом для электронной промышленности является Si, встречающийся в природе в виде кремнозема или силикатов. ИМЭ на основе Si составляет 98% всех производимых в мире полупроводниковых приборов. Кремний по степени распространения в природе находится на втором месте, уступая только кислороду. Он составляет 25% по весу всей земной коры. Доминирующее использование Si в полупроводниковой электронике связано не только с его широким распространением в природе, но и его свойствами. Так ширина запрещенной зоны Si составляет 1,12 эВ, а для Ge 0,66 эВ, что сказывается на стабильности характеристик приборов (для Ge приборов выше токи утечки). Рабочий диапазон Si приборов доходит до 150oС, а Ge - до 100oС.

Собственный Si имеет высокое удельное сопротивление ~230000 Омхсм, а Ge только 47 Омхсм, что затрудняет изготовление на основе Ge приборов с высокими пробивными напряжениями. Кроме того стоимость кремния высокого уровня чистоты в 10 раз ниже стоимости Ge. Однако же основные достоинства Si по сравнению с Ge и GaAs связаны с его высокой технологичностью: на Si легко получать защитные окисные пленки (окислы Ge растворяются в воде, а на GaAs очень сложно вырастить окисные пленки, т.к. элементы Ge и As окисляются с различной скоростью); Si легко легировать и т.д. Основной объем монокристаллического Si (80 - 90%), потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского. Фактически весь Si, используемый для производства ИС, производится этим методом. Сырьем для получения монокристаллического Si является электронный Si, представляющий собой поликристаллический материал высокого уровня чистоты. Основные примеси в электронном Si это В, С2 и О2. Концентрация легирующих элементов в чистом Si не должна превышать 10-7 ат.%, а углерода - 2х10-4 ат.%. Методом Чохральского получают монокристаллы диаметром до 250 мм и длиной до 3 м. Монокристаллы, полученные данным методом, содержат примеси и дефекты. Кислород - случайная примесь в Si, образующаяся в результате растворения материала тигля (Si3N4, SiO2 и др.). Диапазон концентраций О2 в слитке 5.1017 - 1018 см-3. Наличие О2 в слитке приводит к формированию доноров и образованию дефектов за счет собственной преципитации О2. Наличие доноров изменяет удельное сопротивление кристаллов за счет легирования. Донорные комплексы нестабильны при Т > 500оС, поэтому для их растворения используется отжиг слитков при температурах 600 - 700оС. Преципитат представляет собой фазу SiO2. С формированием преципитатов связано образование в слитке ряда дефектов, включая дефекты упаковки. Эти дефекты захватывают примеси быстро диффундирующих металлов, приводя к увеличению токов утечки р-n-переходов. Способность дефектов захватывать нежелательные примеси (эффект геттерирования) может быть использован для улучшения свойств подложек (электрофизических). Углерод - другой вид случайной примеси. Он является в Si примесью замещения. Его концентрация 1016 - 5.1017 см-3 . При таких концентрациях он не выделяется в преципитаты, подобно О2, и не становится электрически активным. Однако С оказывает влияние на преципитацию О2 и способствует дефектообразованию. Конструктивным фундаментом любой ИС является подложка. В зависимости от конструктивно-технологического варианта ИС (п/п, ГИС) различают два вида подложек: активные (полупроводниковые: Si, Ge, GaAs, GaP) и пассивные (диэлектрические: стекло, ситалл). Полупроводниковые подложки называются пластинами.

Технологический процесс получения Si-пластин включает в себя ряд укрупненных процессов (операций):

1. Выращивание монокристалла.

2. Получение заданного диаметра монокристалла обдиркой.

3. Получение ориентированного базового среза.

4. Снятие механических напряжений травлением монокристалла.

5. Кристаллографическая резка кристалла на пластины.

6. Получение пластин заданной толщины односторонней или двусторонней шлифовкой, формирование плоскопараллельной поверхности и уменьшение дефектного слоя.

7. Получение округленных кромок пластин (фаска).

8. Удаление нарушений поверхности пластин травлением.

9. Создание геттеродефектов упаковки путем формирования нарушенного слоя с обратной стороны пластины.

10. Получение поверхности пластин 14 класса чистоты полировкой.

11. Очистка поверхности пластин от загрязнений "мокрыми" и "сухими" процессами.

12. Контроль геометрических, электрических, кристаллографических параметров и качества поверхности.

В интервале между основными операциями механической обработки осуществляется ряд операций контроля и оценки качества обработки. Готовая подложка должна удовлетворять целому ряду требований к геометрическим размерам, которые определяются условиями технологии производства полупроводниковых приборов. Монокристаллы выращенные методом Чохральского или зонной плавки, имеют стандартную ориентацию [111] и [100] с отклонением до 2' и по спецзаказам - [110] и [011] . На монокристалле определяют плоскость базового и дополнительного срезов. Базовый и дополнительный срезы получают методом шлифовки монокристаллического слитка вдоль образующей. Самый большой базовый срез называют основным. Его обычно располагают определенным образом относительно некоторого кристаллографического направления.

Основной базовый срез служит для: 1) ориентации пластины одинаковым образом в технологических установках с автоматизированным ориентированием; 2) ориентации ИС относительно кристаллографических направлений строго определенным образом.

Малые базовые срезы называются дополнительными и предназначены для распознавания ориентации и типа проводимости подложек. Они обеспечивают быструю сортировку и идентификацию пластин при их случайном перемешивании. При получении базовых срезов и при дальнейшей механической обработке слитка (резке и т.д.) учитывают его ориентацию. Для большинства изделий микроэлектроники точность ориентации пластины относительно требуемого кристаллографического направления имеет определяющее значение для всех последующих технологических операций. Монокристаллы ряда полупроводников выращивают обычно по направлению [111]. Однако в процессе роста кристаллов возможны отклонения их ориентации от заданного направления так, что геометрическая ось цилиндрического слитка окажется отличающейся от кристаллографической оси [111]. Цель операции ориентации - нахождение несоответствия между геометрической осью слитка и заданным кристаллографическим направлением.

Существует два основных способа определения заданного кристаллографического направления:

1. Рентгенографический способ.

Основан на том, что интенсивность рассеивания рентгеновских лучей зависит от плотности упаковки атомов в облучаемой плоскости. Для наиболее плотно упакованной плоскости [111] наблюдается и наибольшая интенсивность рассеивания. В тоже время для каждого вещества характеристическое рентгеновское излучение отражается от соответствующей кристаллографической плоскости под строго определенным углом.

Таблица 5.1. Углы отражения от различных плоскостей для Ge и Si

Материал	Углы рассеивания для плоскостей
	[111]	[110]	[100]
Ge	17о 14'	28о 56'	43о 10'
Si	17о 56'	30о 12'	45о 23'

Явление дифракции рентгеновских лучей наблюдается при условии выполнении закона Вульфа-Брэгга, (17) d - межплоскостное расстояние; Q - угол между падающим лучом и кристаллографической плоскостью; n - период отражения (n = 1); L - длина волны рентгеновского излучения. Этот способ обеспечивает точность 3-5о при времени 15 - 30 мин.

2. Оптический метод

Основан на различии формы и характера симметрии фигур травления, образующихся в местах выхода на поверхность дислокаций. Эти фигуры появляются при обработке поверхности селективными травлениями. На плоскости [111] ямки травления имеют вид тетрагональных пирамид с треугольным основанием; на [110] - вид пирамид с ромбическим основанием и т.д. Отражаясь от граней ямок травления, световой пучок воспроизводит на экране соответствующие характерные теневые фигуры. При отклонении от заданного кристаллографического направления симметрия теневых фигур нарушается. Фигуры смещаются на некоторый угол и их очертания искажаются. Точность ориентации составляет 3 - 15'. При резке Si-слитков на пластины в качестве режущего инструмента применяют металлические диски с внутренней алмазной режущей кромкой (рисунок 5). Инструмент представляет собой диск (металлический) с центральным отверстием, на кромку которого нанесена алмазная крошка. Толщина диска 0.1 - 0.15 мм, а диаметр отверстия зависит от диаметра разрезаемого слитка. Принцип резания заключается в следующем: режущий диск растягивается и закрепляется в специальном барабане на головке шпинделя. Слиток разрезается кромкой с алмазной крошкой при вращении шпинделя (Vвр = 3000 - 5000 об/мин). Скорость движения слитка ~40-50 мм/мин. После отрезания очередной пластины с помощью системы автоматики происходит возврат слитка в исходное положение, а также перемещения его на заданный шаг. Аналогично происходит резанье слитка с использованием дисков с наружной режущей кромкой (рисунок 6). Насыщение кромки алмазом производят методом шаржирования (горячая запрессовка в металл) или гальваническим способом. Ширина алмазной кромки ~1,5 - 2,0 мм. Недостаток метода - большая толщина механически нарушенного слоя, сложность установки инструмента и наладки оборудования.

Кроме этих методов используют:

1. Резанье слитков стальными полотнами с абразивной суспензией.

В настоящее время используется редко. Суть метода: стальные полотна из сталей марок У8А, У10А устанавливают в кассетах в количестве до 100 шт. в каждой и разделяют прокладками, толщина которых определяется толщиной пластины. В зону резания непрерывно подается абразивная суспензия. Скорость движения кассеты 600 двойных ходов в минуту. Скорость резания ниже, чем алмазосодержащими дисками 10-15 мм/ч. Преимущество метода - малая ширина реза (~2 ширины полотна) и меньшая толщина механически нарушенного слоя (7).

2. Резанье слитков проволокой - метод аналогичен.

Различие состоит только в геометрии носителя образива. Проволоку изготавливают из W или сплава МВ-50 (50% W + 50% Ме), диаметр проволоки 0,1-0,15 мм. Преимущество метода - еще меньший размер реза. Недостаток - невозможность резания на большую глубину из-за увода проволоки и нарушения геометрии пластин (рисунок 8). Абразивные материалы отличаются между собой размером (крупностью зерен), имеют номера 200, 160, 125, 100, ..., 3, М40, М7, М5, М3 и делятся на 4 группы :

1. Шлифзерно - 200-16; 2. Шлифпорошки - 12-3; 3. Микропорошки - М63-М14; 4. Тонкие микропорошки - М10-М3 (3 мкм).

К основным абразивным материалам относятся:

1. Электрокорунд - кристаллическая окись Al - Al2O3, получаемая в результате плавки глинозема. Твердость по шкале Мооса равна 9.

2. Карбид кремния (SiC)- химическое соединение Si с С , получаемое нагреванием смеси кварцевого песка с коксом в электропечах при Т>2000о С. Твердость по шкале Мооса равна 9.2. Это хороший абразивный материал с высокими режущими свойствами. Чем меньше размеры его зерен, тем больше их плотность.

3. Карбид бора (ВС) - тугоплавкое соединение В с С. По твердости карбид бора превосходит все абразивные материалы, уступая лишь алмазу. Однако по сравнению с другими абразивными материалами он хрупок.

Рисунок 1.4 - Резка слитков дисками с внешней режущей кромкой



Рисунок 1.3 - Резка слитков дисками с внутренней режущей кромкой

Рисунок 1.5 - Резка слитков стальными полотнами

Рисунок 1.6 - Резка слитков стальными полотнами

Шлифование - это обработка пластин на твердых шлифовальных дисках, выполненных из чугуна, стекла или латуни, абразивными порошками с размером зерна 28-3 мкм или алмазными шлифовальными кругами зернистостью 120-5 мкм. Шлифование позволяет получить 9-12 класс чистоты.

Шлифование полупроводниковых пластин классифицируют:

- по состоянию используемого абразива - свободным и связанным абразивом; - по характеру обработки - односторонние и двусторонние; - по качеству обработанной поверхности - предварительное и окончательное; - по способу базирования пластин - с креплением пластины на оправку (наклейка, вакуумный режим) и со свободным положением пластин в кассетах и сепараторах. Наиболее распространенным видом шлифования является одностороннее шлифование свободным абразивом с наклейкой пластин на оправу. При шлифовании формируется нарушенный слой. Шлифование можно вести сухим абразивом, но, как правило, используют абразивные суспензии, роль жидкости (чаще всего воды) в которых сводится к распределению зерен по поверхности шлифовальника и удалению разрушенных частиц полупроводника. При обработке связанным абразивом зерна закреплены в материале шлифовального круга.

Полирование пластин производят на мягких подложках из фетра велюра, батиста, пропитанных абразивными пастами на жировой основе с крупностью зерна 3-0.25 мкм. Класс чистоты при этом 14 и выше. При полировании полупроводниковых пластин используют алмазные порошки и пасты. Пасты на основе кубического нитрида бора (эльбора), оксида алюминия, оксидов церия, хрома, кремния. После шлифовки и полировки пластин возможно возникновение различных дефектов. Отклонение от параллельности (непараллельность) плоскостей (а) h; отклонение от плоскости (неплоскостность) (б) и (в); прогиб пластины - f (г). Контроль дефектов формы пластин проводят на промежуточных операциях и после окончательной обработки. Во избежание повреждений поверхности контроль производят бесконтактными оптическими или фотоэлектрическими методами. Толщина механически нарушенного слоя определяется рентгенографическим или электронографическим способом. Поверхности 8 - 14 класса чистоты контролируют с помощью профилографов - профилометров, принцип действий которых основан на контактном слежении алмазной иглой за профилем поверхности с последующим преобразованием ее перемещений в электрические сигналы. Поверхности 13 - 14 класса чистоты контролируют интерференционным способом с помощью микроскопов Линника, например МИИ-4. После финишной обработки поверхность должна иметь не хуже 14, неплоскостность не выше 4 мкм/см, отклонение от номинала по толщине 10 и по диаметру 5мм. В настоящее время используются подложки из Si, GaAs и сапфира, но доминирует Si. Монокристаллы Si получают методом Чохральского (до 300 мм в диаметре) и методом зонной плавки (~120 мм). Стандартная ориентация [111] и [100] с отклонением до 2'.

Основные этапы изготовление пластин:

1. Калибровка монокристалла Si заключается в его шлифовке для формирования цилиндрической поверхности заданного диаметра с допусками 0.2-0.5 мм и создание плоских срезов - базового и дополнительного. Базовый срез необходим для идентификации ориентации подложек; дополнительный срез меньшей ширины - типа проводимости.

2. Резка на пластины осуществляется ленточными или дисковыми пилами, свободным или связанным абразивом.

3. Формирование фаски. Фаска формируется на периферийной части пластины после резки или шлифовки. В поперечном сечении фаска имеет форму овала. Фаску формируют шлифовкой, полировкой или травлением. Для формирования фаски используют только автоматизированные системы. Наличие фаски предотвращает образование линии скольжения, царапание фотошаблонов, износ автоматизированного оборудования, трудности установки пластин в кварцевые и другие лодочки, скопление фоторезисторов по краю подложки, скол края и износ алмазного инструмента при скрайбировании. Существенное увеличение прочности края пластин с фаской демонстрирует такой пример: после тысячи операций загрузки и выгрузки в кварцевую лодочку 95% пластин с фаской не имеют сколов, в то время как пластины без фаски практически все непригодны.

4. Шлифовка и полировка. Шлифуются пластины свободным либо связанным абразивом, полируются же только свободным абразивом, чаще суспензией. Обычно выход годных от резки монокристаллов до полировки пластин ~90 %. Остальные пластины забраковываются или обрабатываются повторно.

5. Травление пластин обычно осуществляется между операциями резки, шлифовки и полировки. Наибольшую производительность этой операции обеспечивают групповая технология в кассетах или специальных корзинах.

6. Полировка обычно имеет две стадии - предварительную и финишную. Предварительная полировка удаляет нарушенный слой до глубины ~25 мкм в течении менее 20 мин. Финишные - снимают малое количество материала до полного удаления нарушенного слоя.

7. Введение геттера в подложку осуществляется для устранения быстро диффундирующих примесей и кластеров точечных дефектов из приповерхностной рабочей зоны подложки. Геттер может быть расположен с рабочей, нерабочей стороны подложки и внутри ее. Соответственно он называется внешним и внутренним. Последнее время отдается введению внешнего геттера путем внесения нарушений шлифования, лазерным лучом, а также внутреннему оксидному геттеру.

8. Очистка поверхности пластин. Это обычно очистки кистями, промывка, центробежная сушка и обдувка азотом.

9. Упаковка и хранение пластин. Для предохранения пластин от влияния внешней среды используется герметичная упаковка типа "FLIP-TRAN". Кассету герметично упаковывают в металлическую банку, заполненную чистым азотом при повышенном давлении. Если пластины сразу же идут в дальнейшую работу, то их не герметизируют.

В настоящее время существует 4 уровня автоматизации технологического процесса изготовления и обработки пластин: - перенос пластин; - обработка (оператор загружает кассеты и устанавливает параметр ТП); - контроль и выбор режимов операций (оператор загружает кассеты, управляет работой, включая выбор режима работы ЭВМ); - полный цикл, включая перенос кассет и отдельных пластин, а также выбор режима и последовательности операций. Важной частью автоматизации является исключение операции ручного манипулирования, т.к. масса пластин велика (25 пластин Si диаметром 150 мм в кассете весят ~2 кг). При ручном манипулировании точность установки пластин в лодочку или другую оснастку снижается, при этом на оснастке или пластине появляются сколы. Исключение этого повышает выход годных на 2%. В ряде фирм реализуется два варианта автоматизации и транспортировки пластин и подложек от одного рабочего места к другому:

1. Транспортер с дорожками, по которому перемещаются пластины (в кассетах или без них) в потоке фильтруемого воздуха.

2. Использование робота для подъема передачи и опускания пластин на рабочих участках.

Последняя схема наиболее предпочтительна, т.к. позволяет разместить оборудование в нужном месте. Обе системы используют ЭВМ для контроля и записи перемещения пластин.

Основными целями технохимических процессов являются: - получение чистой поверхности пластин (подложек); - удаление с поверхности подложек механически нарушенного слоя; - снятия с полупроводниковой пластины слоя исходного материала определенной толщины; - локальное удаление исходного материала с поверхности подложек; - создание определенных электрофизических свойств подложки; - выявление структурных дефектов кристаллической решетки подложки; - получение мезаструктур и профилированных поверхностей; - осаждение гальванических покрытий. Чистая поверхность необходима для качественного проведения процессов диффузии, эпитаксии, окисления и др. Поэтому основной целью технохимических процессов является удаление с поверхности исходных подложек различного рода загрязнений. Получение технологически чистой. поверхности достаточно сложный процесс, который достигается проведением комплекса различных процессов: промывка в Н2О, УЗК-промывка в растворителях и т.д. Технологически чистой считается поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующих воспроизводимому получению требуемых значений и стабильности параметров ИС. Для нежестких требований к ИС эта величина концентрации составляет 105-80 - 105-70 г/см2. Удаление нарушенного слоя, образовавшегося в результате шлифовки и полировки, необходимо для получения атомарно-совершенной структуры поверхностного слоя. Именно в этом слое затем формируются активные элементы ИС и других изделий. Удаление механически нарушенного слоя можно осуществить химическим и газовым травлением, а также ионно-плазменной и плазмохимической обработкой. Удаление с поверхности пластин слоя определенной толщины проводят для получения нужных толщин подложек. Требуемая толщина подложек определяется конкретным типом ИМЭ.

Наиболее часто для цели удаления используют химическое травление полупроводниковых материалов в различных травителях. Локальное удаление полупроводниковых материалов проводят для создания рельефа, который дает возможность решать конкретные вопросы конструирования и технологии. Локальное удаление обычно осуществляют электрохимической обработкой в электролите либо химическим травлением через защитную маску.

Технохимические процессы дают возможность регулировать и изменять электрофизические свойства поверхности полупроводниковой подложки такие как: поверхностную проводимость и скорость поверхностной рекомбинации. Наиболее эффективны при этом процессы химического травления, плазменной и плазмохимической обработки. Технохимические процессы позволяют выявлять структурные дефекты полупроводниковых материалов на различных этапах обработки. К таким дефектам относятся: дислокации, дефекты упаковки, двойники и др. Их выявление проводят селективным химическим или ионным травлением. Получение мезаструктур ("меза" - mesa - плато) - широко распространенный технологический прием при получении большого класса дискретных полупроводниковых приборов. Это касается mesa приборов с повышенным быстродействием т.к. площадь p-n-перехода, а значит и Cp-n снижается. Форма и геометрические размеры мезаструктур определяются локальной маской, а глубина типом, составом и режимом процесса травления.

Осаждение гальванических покрытий из металлов и сплавов позволяет создавать на поверхности полупроводниковой пластины токопроводящие дорожки, невыпрямленные контакты и пассивные элементы.

Заключение

В данном курсовом проекте разработана технологический процесс изготовления n-p-n транзистора типа КТ-872.

Согласно техническому заданию в курсовом проекте освещены общие сведения о математических моделях электронной компонентной базы РЭА, приведены расчеты модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла, дана физико-топологическая модель разрабатываемого транзистора.

Большое внимание в курсовом проекте уделено технологическому процессу изготовления транзистора КТ-872: разработана маршрутная карта технологического процесса изготовления; дана техническая характеристика оборудования применяемого в этом технологическом процессе; временной интервал каждого технологического процесса.

В конце курсового проекта даны рекомендации по оптимизации технологического процесса с использованием новой технической базы, дающей резкий технико-экономический эффект от ее использования.

Курсовой проект выполнен в соответствии с требованиями ГОСТов, ЕСКД, и технического задания, содержит 103 листа, графическая часть выполнена в формате А4 - 1 лист, А2 - 2 листа и соответствуют требованиям ЕСКД и ЕСТД.

Список использованной литературы

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. Шк., 1979. - 367 с.

2. Семенов Ю.Г. Технология кремниевых приборов и изделий микроэлектроники. Контроль качества. М.: Высшая школа, 1990.-111с.

3. Бартенев В. Российская микроэлекторника: пути выхода из кризиса//Современная электроника. Москва. 2007, № 1 с.8-11.

4. Оборудование полупроводникового производства / П.Н. Масленников, К.А. Лаврентьев, Гиннес А.Д. /Под ред. Масленникова П.Н. -М.: Радио и связь, 1981. -336 с.

5. Сироткин В.С., Пресс Ф.К. Управление технологическими процессами производства кремниевых приборов. -М.: Энергия, 1979. -183 с.

6. Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А. Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых кремниевых приборов. - М.: Энергоатомиздат, 1988. -280 с. Технология организация производства и оборудование/Обзоры по электронной технике. Серия 7. 1985. -Вып.№16 (1144). М.: ЦНИИ «Электроника». - С.120.

7. Мартынов В.В. Чистые комнаты для производства СБИС //Зарубежная электронная техника. - 1986. № 12, с. 3 - 27.

8. Материалы конференции «Чистота и микроклимат - 88». Май 1988 г. МИЭТ // Электронная промышленность. - 1988. № 10.

9. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа». 1980. 81-96с.

10. Технология производства кремниевых приборов и интегральных микросхем./Под редакцией А.И. Курносов, В.В. Юдин - М.: «Высшая школа», 1986, -С.107.

11. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок./ Под редакцией Л.А. Коледов. -М.: «Радио и связь», 1989, -С400.

12. Обработка кремниевых материалов/Под редакцией В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов.-М.:,-С183.

13. Burkman D., Optimizing the Cleaning Procedure for Silicon Wafers Prior to High Temperature Operations, Semicond. Int., 4, 103 (1981).

14. Kern W., Puotinen D.A., Cleaning Solution Based on Hydrogen Peroksid for Use in Silicon Semiconducter Technology, RGA Rev., 31, 187 (1970)

15. Law M.E., Dutton R.W. Verification on Analitic Point Defect Models Using SUPREM-IV// IEEE Trans. Comp. 1988. -V.7. -№ 2. -P.181-190.

Размещено на Allbest.ru

...