Характеристики биполярного транзистора
Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 21.07.2013 |
| Размер файла | 317,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Федеральное агентство связи
ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
Уральский технический институт связи и информатики (филиал)
Дисциплина - «Электроника»
Отчёт
по лабораторной работе №2
«Характеристики биполярного транзистора»
эмиттер температура вольт ампер транзистор
Выполнил: студент гр. АЕ-81
Пролубников Д.Е.
Проверил: Удинцева О.М.
Екатеринбург 2010
1. Цель работы
Экспериментальное определение вольт-амперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, определение параметров транзистора.
2. Схема проведения измерений
Рис. 11. Схема проведения измерений
3.Таблицы с результатами измерений
Таблица 1.
|
IБ (мкА) |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
40 |
60 |
80 |
100 |
120 |
|||
|
27 |
UКЭ = 5В |
UБЭ (мВ) |
553,8 |
583,6 |
612,9 |
632,5 |
651,3 |
669,6 |
688,6 |
698,4 |
705,9 |
711,5 |
|
|
UКЭ = 0В |
UБЭ (мВ) |
411,3 |
436,5 |
464,1 |
481,2 |
501,8 |
520,1 |
538,3 |
548,9 |
556,4 |
565,6 |
||
|
57 |
UКЭ = 5В |
UБЭ (мВ) |
507,7 |
538,0 |
568,9 |
589,9 |
610,0 |
629,8 |
649,3 |
660,7 |
668,8 |
676,4 |
Таблица 2.
|
t єС |
UКЭ (В) |
0.2 |
0.5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
||
|
27 |
IБ = 10 мкА |
IК мкА |
1,040 |
1,101 |
1,106 |
1,117 |
1,150 |
1,206 |
1,261 |
1,316 |
|
|
IБ = 30 мкА |
2,779 |
2,934 |
2,949 |
2,979 |
3,067 |
3,215 |
3,362 |
3,510 |
|||
|
IБ = 60 мкА |
4,807 |
5,076 |
5,101 |
5,153 |
5,306 |
5,561 |
5,817 |
6,072 |
|||
|
IБ = 100 мкА |
6,967 |
7,365 |
7,402 |
7,477 |
7,699 |
8,070 |
8,441 |
8,812 |
|||
|
IБ = 120 мкА |
7,904 |
8,363 |
8,405 |
8,489 |
8,742 |
9,163 |
9,584 |
10,01 |
|||
|
57 |
IБ = 60 мкА |
IК мкА |
4,595 |
5,086 |
5,111 |
5,163 |
5,316 |
5,572 |
5,827 |
6,083 |
4.Графики входных и выходных характеристик
Входные характеристики
Выходные характеристики
5.Расчетная часть
h11 = UБЭ/IБ [кОм].
RВХ = UБЭ/IБ.
rK = 1/h22 [кОм] rK =19569 кОм
Ri = UКЭ/IК [кОм]
h21 = IК/IБ [А]
6. Контрольные вопросы
Биполярный транзистор представляет собой систему двух взаимодействующих р-n-переходов.
В биполярном транзисторе физические процессы определяются носителями зарядов обоих знаков - основными и неосновными, что отражено в названии транзистора.
Транзистор, имеющий входную и выходную цепи, можно рассматривать как четырехполюсник. Так как у транзистора всего три вывода, то один из выводов неизбежно должен быть общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзистора:
· с общей базой (ОБ);
· с общим эмиттером (ОЭ);
· с общим коллектором (ОК).
Режимы работы транзистора:
режим насыщения
активный режим
Под входными характеристиками понимают зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, являющимся параметром.
Под выходными характеристиками понимают зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, являющимся параметром.
Характеристики, снятые при разных значениях параметра, образуют семейство характеристик.
Входное сопротивление - h11 = ?UБЭ/?IБ.
Выходное сопротивление - 1/h22 = ?UКЭ/?IК.
Коэффициент передачи по току h21 = ?IR/?IБ, h21 = B.
Коэффициент внутренней обратной связи h12 = ?UБЭ/?UКЭ.
Вывод: На ток базы изменение Uкэ влияет мало. При различных Uкэ выходные характеристики расположены очень близко друг к другу. Выходные характеристики показывают, что при увеличении Uкэ от нуля до небольших значений ток коллектора резко возрастает, а при дальнейшем увеличении Uкэ характеристики почти не возрастают, что говорит о сравнительно малом влиянии Uкэ на ток коллектора.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
курсовая работа [510,2 K], добавлен 01.11.2010Особенности работы биполярного транзистора в режиме общего эмиттера. Измерение зависимостей выходного тока от выходного напряжения при различных фиксированных входных токах. Построение по ним семейства выходных и входных вольтамперных характеристик.
отчет по практике [953,7 K], добавлен 27.06.2015Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа [418,7 K], добавлен 10.05.2015Расчет номинальных значений резисторов однокаскадного усилителя. Построение передаточной характеристики схемы на участке база-коллектор биполярного транзистора. Принципиальная электрическая схема усилителя, схема для нахождения потенциалов на эмиттере.
курсовая работа [975,5 K], добавлен 13.01.2014Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа [4,2 M], добавлен 11.02.2008Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат [350,7 K], добавлен 13.06.2009Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.
контрольная работа [1,4 M], добавлен 05.07.2014Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013
