Характеристика и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 21.07.2013 |
| Размер файла | 215,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Федеральное агентство связи
ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
Уральский технический институт связи и информатики (филиал)
Дисциплина - «Электроника»
сток переход передаточный параметр транзистор
Отчёт
по лабораторной работе №3
«ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N-ПЕРЕХОДОМ»
Выполнил: студент гр. АЕ-81
Пролубников Д.Е.
Проверил: Удинцева О. М.
Екатеринбург 2010
1. Цель работы
Исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и определение его основных параметров.
2. Схема проведения измерений
UЗИ.отс=-3,5
3.Таблицы с результатами измерений
Таблица 1.
|
UЗИ В (V1) |
0 |
0.5 |
1 |
1,5 |
2 |
2,5 |
3 |
3,5 |
||
|
UСИ = 25 В. |
IС мА (М2) |
18,54 |
13,64 |
9,49 |
6,08 |
3,43 |
1,53 |
381,9*10-3 |
0 |
|
|
UСИ = 5 В. |
IС мА |
16,62 |
12,23 |
8,5 |
5,45 |
3,07 |
1,37 |
342*10-3 |
0 |
Таблица 2.
|
UСИ В (V2) |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
||
|
UЗИ = 0 В. |
IС мА (M2) |
0 |
7,9 |
13,28 |
16,07 |
16,52 |
16,62 |
17,10 |
17,58 |
18,06 |
18,54 |
|
|
UЗИ.отс/4 |
IС мА |
0 |
5,67 |
8,77 |
9,39 |
9,45 |
9,50 |
9,78 |
10,05 |
10,32 |
10,60 |
|
|
UЗИ.отс/2 |
IС мА |
0 |
3,32 |
4,10 |
4,13 |
4,15 |
4,18 |
4,3 |
4,42 |
4,54 |
4,66 |
|
|
UЗИ.отс/1 |
IС мА |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
|
UЗИ.отс/4. t = 570C |
IС мА |
0 |
5,62 |
8,67 |
9,26 |
9,32 |
9,37 |
9,64 |
9,91 |
10,19 |
10,46 |
4.Графики входных и выходных характеристик
Передаточные характеристики
Стоковые характеристики
5.Расчетная часть
S = ДIС/ДUЗИ [mA/B].
rСИ = ДUСИ /ДIС = [B/mA] [кОм].
rСИ =7,55 [B/mA] [кОм].
М = S·rСИ.
М =40,015
6. Контрольные вопросы
Полевыми транзисторами называют полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции тонкого полупроводникового канала поперечным электрическим полем.
Полевые транзисторы называют также канальными или униполярными, поскольку в них, в отличие от биполярных транзисторов, в образовании электрического тока участвуют носители заряда только одного типа.
В зависимости от типа проводимости канала полевые транзисторы могут быть р-канальными и n-канальными.
В зависимости от конструкции полевые транзисторы могут быть
· с управляющим переходом;
· со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы).
В свою очередь полевые транзисторы с управляющим переходом имеют две разновидности:
· с управляющим p-n-переходом;
· с управляющим переходом Шоттки.
Основными статическими характеристиками полевого транзистора являются выходная, или стоковая, и передаточная, или стокозатворная.
Принцип действия транзистора заключается в том, что при изменении напряжения на затворе изменяется толщина обедненного слоя, а следовательно, изменяется сечение канала, проводимость канала и ток стока, т. е. изменением напряжения на затворе можно управлять током стока.
Рост напряжения сток-исток компенсируется увеличением длины перекрытия канала. Этот эффект называют эффектом модуляции длины канала. Электрод, от которого начинают движение основные носители заряда, называют истоком, а к которому движутся - стоком. Объединенные выводы от р-областей образуют управляющий электрод, называемый затвором. В режиме насыщения низкочастотными малосигнальными параметрами полевого транзистора являются:
· Крутизна
· дифференциальное сопротивление сток-исток
· коэффициент усиления по напряжению
Вывод: На ток стока Iс изменение Ucи от нуля до небольших значений влияет, очень сильно, значение Iс, а при дальнейшем увеличении Ucи характеристики почти не возрастают. Для последующего увеличения Ic необходимо увеличивать Uзи.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом.
курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат [574,2 K], добавлен 07.10.2011Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа [637,3 K], добавлен 13.02.2015Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат [822,3 K], добавлен 21.08.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Общие сведения об усилителях мощности на полевых транзисторах. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office. Модель полевого транзистора с барьером Шотки. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.
курсовая работа [440,5 K], добавлен 24.03.2011Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 18.12.2009Транзистор как электронный полупроводниковый усилительный прибор, предназначенный для усиления сигналов. Знакомство с особенностями и сферами применения полевых и биполярных транзисторов. Общая характеристика схем включения биполярного транзистора.
реферат [1,5 M], добавлен 21.05.2016Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.
курсовая работа [696,8 K], добавлен 25.11.2014
