Технология и конструирование интегральных микросхем

Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид отчет по практике
Язык русский
Дата добавления 08.08.2013
Размер файла 30,2 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Введение

Практика технологическая является неотъемлемой частью учебного процесса. При прохождении технологической практики на предприятии, будущий специалист может получить полное наглядное представление о материальной части выбранной профессиональной специализации. Учащийся получает профессиональные навыки работы, которые несомненно ему пригодятся.

В период практики, работая на штатных рабочих местах, учащиеся участвуют в выпуске товарной продукции, технология изготовления которой отвечает требованиям программы практики и могут повысить квалификационный разряд по профессии рабочего.

На период практики назначаются руководители от учебного заведения и предприятия. В условиях предприятий руководство учащимися - практикантами подразделяется на общее и непосредственное. Общее руководство практикой осуществляется ведущими специалистами или их заместителями. По решению администрации предприятия часть функций по общему руководству практикой могут осуществлять работники отдела подготовки кадров или технического обучения. Непосредственное руководство технологической практикой в цехах возлагается на штатных высококвалифицированных инженерно - технических работников, имеющих опыт работы по обучению молодежи.

Основной цель технологической практики является привитие учащимся профессиональных навыков работы по их специальности. Также практиканты должны овладеть навыками работы в трудовом коллективе. Также в ходе практики назначается заработная плата исходя из разряда, и почасовой тарифной ставки.

1. Сведения о продукции, выпускаемой предприятием

В 2008 году исполнилось 40 лет со дня основания филиала. За этот период филиал «Завод Транзистор» прошел путь становления, развития и превращения в современное предприятие по производству изделий электронной техники.

Начав производственную деятельность с выпуска германиевых транзисторов, филиал в настоящее время производит несколько сотен типов номиналов полупроводниковых приборов и интегральных схем. Более 90% своей продукции завод поставляет на экспорт в страны дальнего зарубежья (Китай, Тайвань, Южную Корею и др.) и Российскую Федерацию.

Экономическая ситуация начала 90 годов, обусловленная снижением спроса на изделия специального назначения, потребовала от коллектива быстрого решения непростой задачи обновления номенклатуры выпускаемой продукции, разработки тактики выживания и стратегии дальнейшего развития филиала. В основу планов была положена идея разработки и освоения широкой номенклатуры современных высококачественных, конкурентоспособных изделий микроэлектроники, имеющих устойчивый спрос на рынках промышленно развитых стран. Для решения поставленной задачи на предприятии была проведена структурная реорганизация. Созданы подразделения разработки полупроводниковых приборов, маркетинга и внешнеторговых связей, проведено дооснащение современным технологическим оборудованием.

На предприятии внедрена организационная система, которая уже на стадии НИОКР позволяет задействовать производственные подразделения, службы серийного конструкторского и технологического сопровождения. Это дало возможность сократить сроки от начала разработки до производства изделий с полутора лет до полугода. Благодаря такой организации, за последние годы коллективу Филиала удалось на 90% обновить номенклатуру изделий, поставляемых на экспорт.

В настоящее время предприятие обладает основными базовыми технологиями:

- технология с 1,5 мкм проектными нормами изготовления вертикальных мощных моп-транзисторов с Uси = 60-800 В;

- эпитаксиально-планарная технология изготовления кремниевых полупроводниковых приборов, в том числе мощных высоковольтных транзисторов с Uкб ? 1500 В;

- КМОП-технология изготовления БИС, СБИС с 1,5 мкм проектными нормами и двухуровневой разводкой;

- биполярная эпитаксиальная технология изготовления интегральных схем с 1,5 мкм проектными нормами и двухуровневой разводкой;

- технология изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором;

- диодов шоттки с Uмах до 200 В.

Филиал является одним из ведущих производителей дискретных полупроводниковых приборов на территории СНГ. Филиал «Завод Транзистор» имеет замкнутый технологический цикл производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (начиная с резки кремниевых слитков диаметром три, четыре дюйма и заканчивая сборкой, измерением и испытаниями приборов).

Кристальное производство работает на установках контактной фотопечати для изделий с проектными нормами больше 3 мкм и установках проекционной печати с проектными нормами 1,5-2,0 мкм. Система поддержания параметров технологического микроклимата позволяет обеспечить в общих производственных помещениях класс чистоты 10000 - 1000, на рабочих местах 100-10.

Сборочное производство оснащено автоматизированными технологическими установками и обладает технологией сборки в более чем в 20 типах корпусов: от мини-корпуса КТ-46А (SOT-23) до 64-выводных корпусов для герметизации СБИС.

Производственные мощности:

- производство кристаллов 460000 пластин в год;

- производство эпитаксиальных структур 310000 пластин в год;

- производство пластин диаметром 100, 76, 60 - 630000 пластин в год;

- сборка в корпуса 85000000 штук в год;

В состав филиала входят собственное заготовительное производство; энергетические подразделения по подготовке энергоносителей и технологических сред; современное инструментальное хозяйство, обеспечивающее проектирование и изготовление требуемых пресс-форм и штампов.

Товарная номенклатура филиала «Завод Транзистор» в настоящее время насчитывает более чем 500 типономиналов разнообразных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

2. Общая схема ТП (технология процесса) изготовления изделия (одного из видов выпускаемой продукции) HV10

В таблице 2.1 представлена последовательность технологических операций изготовления изделия HV10.

Таблица 2.1 - Схема изготовления изделия HV10

Наименование операции

Технологические требования

Формирование

Х/о

Х/о

Окисл. п/знак

Контр. Толщ. Окисла

Нанесение Ф/р

Ф/л «Знак»

Проявление Ф/р

Контроль копии

ПХТ SiO2

Контроль ПХТ

Снятие Ф/р

Контр. Качества

Снятие SiO2

Х/о

Окисл. п/Si3N4

Контр. толщ. ок.

Х/о

Х/о

Нанесение Si3N4

Контр. Толщины

Кисти

Контроль Si3N4

Нанесение Ф/р

Внимание! Не запечатывать область маркировки

Ф/л «P карман»

Проявление Ф/р

Контроль копии

ПХТ Si3N4

Контроль ПХТ

ИЛ «бор»

Снятие Ф/р

Контроль Ф/л

Х/о

Отжиг

Окисл. маскир.

Контр. толщ. ок.

Освежение

Снятие Si3N4

Контр. толщ. ок.

Х/о

Ил «фосфор»

ПХ - обработка

Х/о

Разг. Кармана

Контроль парам.

Снятие SiO2

Х/о

Контр. толщ. ок.

Х/о

Х/о

Нанесение Si3N4

Нанесение Ф/р

Ф/л «разделение»

Проявление Ф/р

Контроль копии

ПХТ Si3N4

Контроль ПХТ

Снятие Ф/р

Х/о

Контроль Ф/л

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «N»

Проявление Ф/р

Контроль копии

Ил «фосфор»

ПХ - обработка

Снятие Ф/р

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «P карман»

Проявление Ф/р

Контроль копии

ИЛ «бор»

Снятие Ф/р

Освежение

Х/о

Отжиг

Окисление

Контр. толщ. ок.

Освежение

Снятие Si3N4

Снятие SiO2

Контр. толщ. ок.

ИЛ «бор»

ПХ - обработка

Х/о

Нанесение Ф/р

Проявление Ф/р

Контроль копии

ИЛ «бор»

Х/о

Окисление под затвор

Отжиг

Нанесение ПКК - 1

Нанесение Ф/р

ПХТ ПКК

Травление SiO2

Снятие Ф/р

Х/о

Диффузия фосфора

Контроль парам.

Снятие ФСС

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «затвор»

Проявление Ф/р

Контроль копии

Контроль ПХТ

Снятие Ф/р

Х/о

Контроль Ф/л

Х/о

Окисление ПКК - 1

Контр. Толщины

Нанесение ПКК - 2

Контр. Толщины

Ф/л «Резистор»

Проявление Ф/р

Контроль копии

Снятие Ф/р

Х/о

Контроль Ф/л

Контр. толщ. ок.

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «N+ стоки»

Проявление Ф/р

Контроль копии

УФ - дубление

Ил «фосфор»

ПХУФ

Снятие Ф/р

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «P+ стоки»

Проявление Ф/р

Контроль копии

ИЛ «бор»

ПХУФ

Снятие Ф/р

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «Лег резист»

Проявление Ф/р

Контроль копии

ИЛ «бор»

ПХУФ

Снятие Ф/р

Х/о

Отжиг

Контроль параметров

Нанесение БФСС

Контр. Толщ

Х/о

Нанесение Ф/р

Дубление Ф/р

Травление БФСС

Снятие Ф/р

Х/о

УФ - обработка

Проявление Ф/р

Контроль копии

ПХ - зачистка

УФ - дубление

Контроль копии

ПХТ БФСС

ПХ окисл.

Контроль ПХТ

ПХ обработка

Снятие Ф/р

Контроль Ф/л

Х/о

Нанесение Ф/р

Ф/л «Подл. N - конт.»

Проявление Ф/р

Контроль копии

УФ - дубление

Ил «фосфор»

ПХУФ

Снятие Ф/р

Х/о

Оплавление БФСС

Контр. Толщ. Окисла

Освежение

Напыл. Al+1% Si

Обработка в ГМДС

Нанесение Ф/р

Ф/л «Металл

» Отмывка края

Проявление Ф/р

Контроль копии

УФ - дубление

Контроль копии

Х/о

ПХ обработка

Снятие Ф/р

ПХТ

Контроль Ф/л

Х/о

Вжигание Al

ВАХ

Х/о

Нанес НТФСС+НТО

Контр. Толщ

Кисти

УФ - обработка

Обработка в ГМДС

Нанесение Ф/р

Ф/л «Пассивация»

Проявление Ф/р

Контроль копии

УФ - дубление

ПХ - зачистка

Хим.трав. НТФСС

ПХУФ

Контроль Ф/л

Х/о

Вжигание Al

Контроль

ВАХ

Контрол в/в

КЭФ - 4,5<100>

Каро, ПАР

Кисти

1000С, пир, 0,27+ -0,03 мкм

X = 7,2 Y = 7,2

d = 0,27 мкм

Каро, ПАР

HF 1.3, d = 0,27 мкм до Si

Каро, ПАР

Подставить С16, балласт

850C, пир, 425+ -25А

На С16

ПАР

Кисти

d = 0,12+ -0,01 мкм

На С16

ПАР - 12

HV10.01

КP = 4,0+ - 0,2

D 2 из 16

d = 0,12 мкм на SiO2 425A

Е = 100, D = 2,0

ПодставитьС1 (КЭФ - 4,5)

Каро, ПАР

Каро, ПАР

1050С, N2, 15 мин.

1000С, пир, 0,27+ -0,03 мкм

На С1

HF 1.3 15 сек.

d = 0,12 мкм

На С1

Каро, ПАР

E = 75, D = 0,5

Подставить С11 (КДБ - 12)

3 мин.

Каро, ПАР

1200С, 9 час. N2 + 2,5% O2

d(SiO2), Rs, Xj на С1, С11

С1

Rs = 2000+ -200 Ом/кВ

Xj = 7,0+ -1,7 мкм

С11

Rs = 1500+ -150 Ом/кВ

Xj = 5,0+ -1,0 мкм

Изъять С1, С11

HF1.3, d = 0,35 мкм до Si

Каро, ПАР

Подставить С16

На С16

ПАР

Кисти

HV10.02

d = 0,12 мкм на SiO2 425A

Каро

Каро, ПАР

Каро, ПАР

HV10.04

КP = 2,9+ - 0,2

D 2 из 16

E =60, D = 0,8

3 мин.

Каро

Каро, ПАР

HV10.04

КP = 2,8+ - 0,2

D 2 из 16

Е = 20, D = 10

Каро

HF 1.3 10 сек.

Каро, ПАР

Подставить К1

1050С, N2, 15 мин. + К1 + 1000С, О2, 30 мин.

1000С, пир, 0,8+ -0,08 мкм

На К1

HF 1.3 10 сек.

d = 0,12 мкм

d = 425А

На К1

Е = 30, D = 0,082

3 мин.

Каро, ПАР

КP = 4,0+ - 0,2

D 2 из 16

Е = 30, D = 0,065

Каро, ПАР

850С, пир, 300+ -15А

850С, N2, 60 мин.

D = 0,45+ -0,04 мкм

d = 0,45 мкм

Каро

Каро, ПАР

850С

HF 1.3 30 сек.

Каро, ПАР

HV10.05

Каро

Каро, ПАР

Каро, ПАР

1000С, сух., 300+ -15А

d = 0,35 мкм + -0,03 мкм

HV10.06

Каро

Каро, ПАР

Каро, ПАР

HV 10.07

E =60, D = 500

Каро

Каро, ПАР

HV.08

Е = 30, D = 300

Каро

Каро, ПАР

HV10.09

E = 40, D = 54

Каро

Каро, ПАР

850С, сух О2, 30 мин.

Rs

d = 0,72+ -0,07 мкм

Каро

Каро

Каро

d = 0,7 мкм

1 мин.

Каро

HV 10.07

E =60, D = 500

850С, сух О2, 30 мин.

HV10.11

H2O

450C, N2, 15 мин.

ПАР 12

HV10.12

430С, H2, 30 мин.

3. Структурная схема управления участком

Начальник модуля руководит модулем в целом. У начальника модуля в подчинении находятся: ведущий технолог, начальник участка диффузии, начальник участка фотолитографии.

Ведущий технолог занимается внедрением и новых технологических процессов, их совершенствованием и как следствие реализацию их на готовом изделии. Также ведущий технолог отвечает за качество изделий в целом, так как процессы проходят по его технологическим картам.

Начальник участка диффузии отвечает за надлежащую работу участка в целом.

Начальник участка фотолитографии отвечает за надлежащую работу своего участка в целом.

Главный механик отвечает за исправность оборудования, которое функционирует на его участке.

4. Роль и назначение технологической операции

Диффузия - это движение частиц среды, приводящая к переносу вещества и выравниванию концентрации или к равномерному распределению концентраций частиц данного сорта в среде. Проводится с целью внедрения примеси в глубь поверхности подложки.

С помощью процесса диффузии осуществляют изменение свойств, а именно, электропроводности, диффузионной длины и времени жизни не основных носителей заряда в локальных областях полупроводникового материала.

Для формирования локальных областей в полупроводнике, как правило, используют двухстадийные диффузионные процессы. Первую стадию, соответствующую диффузии из неограниченного источника называют загонкой. Вторую стадию, соответствующую диффузии из ограниченного источника, созданного на первой стадии называют разгонкой.

Процессы диффузии осуществляются при повышенных температурах. В этом случае сопутствующим процессом является процесс окисления полупроводника. В частности, на поверхности кремния образуется пленка диоксида кремния (SiO2). Диоксид кремния обладает высокими маскирующими свойствами.

5. Теоретические основы метода выполнения технологической операции диффузии

Факторы, влияющие на производительность и качество операции диффузии

Диффузионные процессы должны проводится в герметичном чистом пространстве с минимальной запыленностью. Основная ответственность за надлежащее выполнение технологической операции лежит на операторе диффузионных процессов. Ведь именно оператор принимает пластины для проведения операции. Важно правильно разместить рабочие пластины на кассете в строгом соответствии с технологией. После загрузки кассеты важно правильно установить параметры процесса на специальном программаторе установки «СДОМ - 3/100». После чего производится загрузка. Также необходима проверка питателя с диффузантом. Оператор должен четко следить за загрузкой и выгрузкой кассет с пластинами.

Основными факторами, влияющими на производительность и качество операции диффузии, являются:

- запыленность;

- выполнение требований ЭВГ;

- проведение операции в строгом соответствии с технологией;

- проверка качества работы оборудования перед выполнением операции.

Параметры процесса

Основные параметры процесса:

- cкорость загрузки - выгрузки, количество подаваемого диффузанта, температура процесса, время процесса;

- загрузка - выгрузка должны проводится в мягком режиме (время загрузки - 20 минут). Так как в случае несоблюдения нужной скорости высока вероятность термобоя рабочих пластин, что приведет к неисправимому браку;

- от количества подаваемого диффузанта зависит концентрация примеси на поверхности пластин;

- от температуры процесса зависит качество и внешний вид образовавшегося на поверхности пластин окисла, а также глубина залегания примеси;

- от времени протекания процесса зависит глубина загонки примеси и толщина выросшего окисла.

6. Техника проведения технологической операции диффузии

Назначение, устройство и технические характеристики оборудования и оснастки

Основные составные части установки «СДОМ 3/100»:

- кварцевая труба;

- кварцевая лодочка;

- панель управления;

- механизм загрузки - выгрузки;

- кварцевый зонд;

- питатель с диффузантом;

- магистраль подачи газов;

- панель ручного управления;

- блок управления БПРТ.

Диффузионная электропечь «СДОМ - 3/100» представляет собой трубчатую электропечь сопротивления с тремя самостоятельно управляемыми секциями нагревателя и прецизионной системой автоматического управления температурным полем.

Термическую обработку полупроводниковых пластин при технологических процессах диффузии и окисления проводят в диффузионной электропечи следующим образом. В зону с высокой равномерностью распределения температуры, образованной трубчатым кварцевым реактором, расположенным в нагревательной камере электропечи, вводят группу обрабатываемых пластин на специальной кварцевой подставке - лодочке. После прогрева пластин и лодочки, в реактор подают регулируемый поток парогазовой смеси, каждый вместе с газом - носителем, перемещаясь вдоль реактора, последовательно омывает поверхность обрабатываемых пластин.

В зависимости от состава подаваемого газа на поверхности пластин протекают необходимые физика - химические процессы - окисление, диффузия и т.п.

После заданного времени термообработки, подачу парогазовой смеси прекращают, а лодочку с пластинами извлекают из реактора.

Основные технические характеристики установки «СДОМ - 3/100»:

- габаритные размеры масса электропечи не более: длинна 2135 мм, ширина 710 мм, высота 2103 мм, масса 2245 кг;

- максимальная электрическая мощность, потребляемая электропечью в период разогрева трех реакторов не более 100 кВА;

- максимальная электрическая мощность в установившемся режиме при максимальных температурах в трех реакторах не более 35 квт;

- количество реакторов - три штуки;

- время разогрева электропечи из холодного состояния до максимальной

рабочей температуры с учетом установления теплового режима не более 2 часов;

- время загрузки - выгрузки 2 часа;

- время нагрева до максимальной температуры 1 час 40 минут.

Подготовка и проведение операции

Перед началом процесса диффузии проводится поднятие уровня температуры в рабочих камерах до нужного уровня, что занимает времени до четырех часов. После того как температуру в камерах довели до нужного уровня, проводится их продувка кислородом (для выведения из кварцевой трубы инородных частиц и газов). За этим следует постановка контрольного процесса, по которому контролируют качество работы установки. Когда камеры приведены в рабочую готовность, можно ставить рабочий процесс. Оператор загружает рабочие пластины с помощь вакуумного пинцета в кварцевую кассету, которая стоит на кварцевой лодочке. По завершению загрузки выставляется нужная программа, лодочка заезжает в кварцевую трубу и проводится процесс.

Партии, которые приходят на операцию диффузии, проходят входной контроль (на контрольном пункте). Контролируются внешний вид пластин, их дефектность и степень очистки. После этого партию передают оператору который устанавливает параметры процесса, загружает партии и передает их на последующие операции.

Основные и вспомогательные материалы, их назначение и правила хранения

Основные и вспомогательные материалы, их назначение и правила хранения:

- микроскоп - используется для контроля дефектов на поверхности пластин, хранится в производственном помещении;

- тара - используется для межоперационного хранения пластин, хранится в специальном контейнере;

- пластина кремния - используется как основа будущего изделия, хранится в специальной таре;

- пластина контрольная - используется для проведения контрольных процессов, хранится в специальной таре;

- пластина балластная - используется для проведения рабочих процессов, хранится в специальной таре;

- воздух сжатый осушенный - используется для продувки рабочих камер, а также для работы вакуумного пинцета, хранится в специальных емкостях под давлением;

- кислород - используется для проведения процесса диффузии, поступает по специальным магистралям;

- азот - используется для проведения процесса диффузии, поступает по специальным магистралям;

- аргон - используется для проведения процесса диффузии, поступает по специальным магистралям;

- фосфор - используется для проведения процесса диффузии, хранится в специальном питателе;

- спирт этиловый ректификованый используется для протирки и обезжиривания различных поверхностей, хранится в емкостях из стекла;

- перчатки резиновые - используются для защиты рук работника от ядовитых соединений, хранятся в специально отведенном шкафу;

- перчатки трикотажные - используются при загрузке пластин, для защиты их от жировых загрязнений, хранятся в специально отведенном шкафу;

- одежда технологическая - используется для удовлетворения требований электронной гигиены, хранится в личном шкафчике работника;

- ткань хлопчатобумажная - используется для влажной уборки технологических помещений, хранится в специально отведенном шкафу.

Все вспомогательные материалы без исключения должны хранится в специально отведенных для этого местах. В хранении вспомогательных материалов важную роль имеет выполнение требований электронной гигиены. Так как эти материалы в любом случае будут иметь контакты с рабочими пластинами и другими изделиями требующими высоких показателей качества.

Дефекты, возникающие на операции, анализ их возникновения, методы устранения

Дефекты, возникающие на операции:

- бой пластин. Неаккуратная работа оператора;

- термобой пластин. Неправильно установлены режимы загрузки выгрузки пластин. Нужно переставить режимы процесса в соответствии с технологическими требованиями;

- сыпь в сфокусированном свете. Температура ниже нормы. Установить требуемую технологией температуру;

- неравномерный цвет по пластине. Неправильный температурный режим. Установка нужного режима;

- капли. Загрязнения привносимые оператором или оборудованием. Почистить установку, ограничить контакт оператора с пластиной до минимума.

Технический контроль (назначение приборов, инструментов, используемых при проведении операции)

Для проведения технического контроля используются следующие приборы и инструменты:

- счетчик аэрозольных частиц - используется для контроля влажности воздуха;

- психрометр используется для контроля запыленности воздуха;

- Вакуумный пинцет - используется для загрузки - выгрузки пластин;

- питатель - используется для подачи диффузанта;

- часы любого типа - используются для контроля над процессом;

- кассета - используется для хранения пластин;

- экран - используется отображения информации;

- подставка - используется для плотной фиксации вакуумного пинцета;

- крюк - используется для загрузки лодочки с пластинами;

- шар шлиф - используется для измерения глубины окисла;

- ЛЭФ - 3 м - используется для измерения толщины окисла;

- вольтметр В7 - 40/5 - используется для измерения сопротивления.

Порядок приема и сдачи изделий с операции на операцию

При сдачи (приеме) партии изделий на последующие технологические операции, оператор который, непосредственно проводил какую либо технологическую операцию должен: убедится в качестве выполненной им работы, затем собрать изделия в специальную тару и пересчитать их. После того как оператор убедился в соответствии основных качественных и количественных показателей, он ставит личную подпись в графе своей операции и лично относит партию на следующую операцию (в соответствии с требованием сопроводительного листа). Партию ставят на стол входного контроля, делают ее проверку и передают на следующую операцию, где партию принимает следующий оператор. Он сверяет количество и качество изделий, и только после этого ставит процесс.

(электронная гигиена) в зоне выполнения операции

Все работники модуля ходят в специальной технологической одежде (которую одевают перед началом смены). В рабочей зоне функционирует специальная вентиляция, которая выполняет двойную функцию. Она охлаждает пластины, после того как они выехали из термодиффузионной печи, и в тоже время потоки охлажденного воздуха стабилизируют внутренний микроклимат, также снижают общую запыленность помещения.

На модуле каждый день проводится контроль на запыленность воздуха, норма которого составляет 3,5 частицы в одном литре воздуха (класс чистоты 100) [2].

Требования к межоперационному хранению пластин

Пластины между операциями хранятся в специальной таре, которая прошла положенную химическую обработку. Тара с пластинами хранятся в специально отведенных боксах, в чистых помещениях с жесткими требованиями электронной гигиены. Установленными требованиями хранить пластины положено: 1 ч после химической обработки и 2 ч после процесса диффузии.

Партии пластин между операциями обязательно должны хранится с соответствующими сопроводительными листами, и по заданному технологией времени. Время межоперационного хранения определяет главный технолог.

Литература

диффузия магнитный напыление микросхема

1 Якубовский, С.В. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы/ С.В. Якубовский. - М.: Радио и связь, 1990. - 235 с.

2 Пасынков, В.В Полупроводниковые приборы/ В.В. Пасынков. - М.: Высшая школа, 1981. - 236 с.

3 Козырь, И.Я. Технология п/п приборов и изделия микроэлектроники/ И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. - М.: Высшая школа, 1990. - 215 с.

4 Парфёнов, О.Д. Технология микросхем/ О.Д. Парфёнов. - М.: Высшая школа, 1990. - 344 с.

5 Берусин, А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем/ А.С. Берусин, О.Р. Молчалин. - М. Высшая школа, 1990. - 276 с.

6 Малышева, И.А. Технология производства МЭУ / И.А. Малышева. - М.: Высшая школа, 1992. - 209 с.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010

  • Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.

    курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008

  • Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 18.04.2016

  • Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

    реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009

  • Расчет и проектирование резистивных элементов. Конструирование пленочных конденсаторов. Описание строения и функционального назначения индуктивных элементов. Характеристика навесных компонент ГИС. Методы термического испарения и катодного напыления.

    методичка [1,4 M], добавлен 28.12.2011

  • Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009

  • Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.

    курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010

  • Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.

    контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013

  • Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.

    курсовая работа [307,1 K], добавлен 16.07.2009

  • История возникновения и развития ОАО "НИТЕЛ", его организационная структура и характеристика деятельности. Описание принципов создания пленочных интегральных микросхем. Особенности формирования диэлектрических слоев. Технология напыления тонких пленок.

    отчет по практике [560,9 K], добавлен 29.11.2010

  • Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.

    курсовая работа [260,5 K], добавлен 03.02.2010

  • Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013

  • Краткие технические сведения об изделии КР1095 ПП1, назначение вводов и выводов, процесс изготовления. Роль соединительной металлизации в производстве интегральных систем и механизмы отказов в результате электромиграции. Разработка магнетронных систем.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 25.05.2009

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

  • Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.

    контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013

  • Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.

    дипломная работа [4,7 M], добавлен 20.06.2012

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010

  • Применение селективных систем преселектора с целью подавления помех по дополнительным каналам приема. Расчет одноконтурной входной цепи. Выбор интегральных микросхем. Требования, предъявляемые к схеме питания приемного устройства, его структурная схема.

    реферат [3,5 M], добавлен 02.03.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.