Інтегральнi формувачі потужних наносекундних iмпульсiв i радiоелектроннi пристрої на їх основі

- використання опорних точок (виводів мiкросмужкових лiнiй i контактних площинок) мiкроплат для розташування окремих КТР в базовому.

Вирiшенi наступні основні задачі: розроблена методика автоматизованого проектування КД ГIМ на основі бiблiотек типових конструкторсько-технологiчних рішень; розроблені методика, математичні моделі, алгоритми i програми автоматизованого розташування розмiрiв на кресленнях конструкцій ГIМ МЕА.

Методика розробки КД ГIМ містить такі основні етапи:

- вибір базового i окремих КТР, які необхiднi для реалiзацiї потрібної конструкції;

- інтерактивне розташування окремих КТР в базовому з використанням координат опорних точок мiкроплат;

- автоматичне визначення вiдповiдних графічних i текстових фрагментів i їх об'єднання в складі потрібних конструкторських документів.

З метою забезпечення високої якості креслень i їх вiдповiдностi вимогам ЄСКД вибрані i формалiзованi критерії i обмеження, призначені для використання в алгоритмах розташування розмiрiв на кресленнях. При цьому i-тий лiнiйний розмір подавався як сукупнiсть розмірної ri i виносних vi лiнiй. Основний топологічний критерій передбачає мiнiмiзацiю числа перетинів розмірних та виносних лiнiй i взаємних перетинів виносних лiнiй вiдповiдно (g - число перетинів).

, .

Топологічний критерій, який забороняє перетин розмірних лiнiй лiнiями контурів зображення i виносними лiнiями інших розмiрiв:

, .

Метричний критерій, який пропонує мiнiмiзацiю сумарної довжини виносних лiнiй:

.

Таким чином для рішення задачі автоматизованого розташування розмiрiв на кресленні рекомендується використовувати розроблені математичні моделі розмірних мереж: топологічну модель розмірних лiнiй для мiнiмiзацiї числа перетинів розмірних i виносних лiнiй; топологічну модель виносних лiнiй для мiнiмiзацiї числа взаємних перетинів виносних лiнiй; метричну модель виносних лiнiй для мiнiмiзацiї сумарної довжини виносних лiнiй.

Виходячи із вибраних критеріїв та обмежень i враховуючи особливості алгоритмічного розміщення розмiрiв на кресленнях, розроблена наступна структура розмірних сіток, що вимагає скорочення затрат машинного часу на аналіз можливих перетинів:

- розмірна сітка S, в яку входять всі розміри, які необхідно розмістити на даному зображенні креслення, подаються як сукупність горизонтальних (Sx) та вертикальних (Sy) розмiрiв;

- кожна пiдсiтка розмiрiв (Sx та Sy) поділяються на дві непересiчнi підмножини розмiрiв, названі реалiзацiями пiдмереж, сумарне число перетинів розмірних i виносних лiнiй в яких повинно бути мiнiмальним:

,

,

,

.

- в околі зображень креслення виділяються 4 прямокутні зони (2 для горизонтальних розмiрiв i 2 для вертикальних), в кожній із яких необхідно розташувати одну реалiзацiю пiдмережi розмiрiв, мiнiмiзуючи при цьому топологічний або метричний критерій.

Задачу розташування розмiрiв пропонується вирішувати у три етапи:

1) розподіл розмiрiв, які входять в склад кожної із пiдмереж, на дві підмножини (реалiзацiї пiдмережi) з мiнiмiзацiєю основного топологічного критерію - числа перетинів розмірних i виносних лiнiй;

2) призначення розмiрiв, які входять в склад реалiзацiї пiдмереж, в зони зображення з можливістю альтернативної мiнiмiзацiї як топологічного (число перетинів виносних лiнiй), так i метричного (сумарна довжина виносних лiнiй) критеріїв;

3) розташування розмiрiв в зонах зображення креслення.

На першому етапі побудови розмірної мережі рекомендується застосування відомих алгоритмів компоновки РЕА, наприклад, послідовного i такого, який використовує сімейство внутрішньо стійких підмножин.

На другому етапі проектування розмірної мережі рекомендується використовувати розроблені алгоритми розташування розмiрiв, які забезпечують альтернативно мiнiмiзацiю топологічного (число перетинів виносних лiнiй) або метричного (сумарну довжину виносних лiнiй) критеріїв.

Достовiрнiсть i ефективність основних положень i результатів виконаної роботи пiдтвердженi в процесі промислової експлуатації ПМК автоматизованого проектування i розташування лiнiйних розмiрiв на кресленнях конструкцій ГIМ МЕА "РАПИРА-4МС".

Обсяг і терміни розробки КД скоротилися в 2,7...3,1 рази. Основні результати роботи по рекомендації експертно-технiчних нарад представників провідних підприємств галузі впроваджені в галузеві стандарти ОСТ4ГО.010.224 i ОСТ4ГО.073.208.

інтегральний наносекундний транзисторний товстоплівковий

Висновки

1. Розроблено фізико-технічні, схемотехнічні та конструктивно-технологічні основи, які дозволили вперше на практиці вирішити проблему створення спеціальних напiвпровiдникових IС формувачів потужних наносекундних iмпульсiв трапецiiдальної форми з довільно регульованим нахилом вершини iмпульса (Рiмп = 10...30 Вт; tфр,tсп, Ј 10 нс; діапазон регулювання iмпульса ± 50%). На їх основі вирішено проблему розробки, по перспективній комбiнованiй гiбриднiй i iнтегральнiй технолoгiї, малогабаритних ГIМ імпульсних модуляторів пiдвищенної потужності (отримання iмпульсiв струму з амплітудами 1...15 А) для модуляції радiоiмпульсних сигналів генераторів ММДХ спецiалiзованих РЕС рiзноманiтного транспортного бортового базування, що працюють в жорстких умовах експлуатації, а також можуть широко застосовуватися в лазерний i медичній технiцi, пристроях магнiтоелектронiки i інших галузях.

2. Визначенo вимоги до елементної бази напiвпровiдникових IС формувачів потужних наносекундних iмпульсiв. На основі комплексного вирішення проблем отримання доповнювальних по типу провiдностi транзисторних структур i забезпечення їх швидкодії обгрунтованo необхiднiсть відмови вiд широко використовуваного методу введення в структуру додаткових центрів рекомбiнацiї неосновних носіїв. Розроблено і виготовлено основні елементи IС: iмпульснi iнтегральнi n-p-n транзистори, МДН транзистори з індукованим p-каналом, діоди з бар'єром Шотткi, які характеризуються робочою напругою не менше 50 В, струмом - до 1 А, часом перехідних процесів - не більше 10 нс.

3. Досліджено фiзичнi механізми функціонування i розроблені нові структури потужних імпульсних інтегральних біполярних транзисторів (А.с.1748581).

3.1 Запропоновано математичну модель, що адекватно описує режим переходу в область омічного квазiнасичення в колекторі потужних iнтегральних біполярних транзисторів, особливістю яких є нерiвномiрнiсть розподіленого опору області колектора, i яка суттєво визначає їх високочастотні i iмпульснi характеристики. Розроблена модель являє собою транзисторну структуру в тривимірному просторі з врахуванням ефектів витиснення струму до периферії емiтерiв, перерозподілу емiтерного струму на зустрiчно-штирьових областях транзистора, нерiвномiрного розподілу струму в області колектора.

3.2 Розроблено алгоритм i програму для розрахунку залежності спаду напруги на колекторі i периметра емітера інтегрального біполярного транзистора. Отримана залежність спаду напруги на опорі колектора потужного імпульсного інтегрального біполярного транзистора вiд величини робочого струму, параметрів структури i топології транзистора, забезпечила можливість визначення ВАХ транзистора при переході до режиму омічного квазiнасичення. Виявлено нелiнiйнiсть спаду напруги на опорі не модульованого тіла колектора інтегрального транзистора, яка викликана перерозподілом густини струму у зустрiчно-штирьовій структурі.

3.3 Вперше отримано ряд аналітичних залежностей, які покладені в основу розробки методики, програми розрахунків i оптимiзацiї топології потужних імпульсних iнтегральних біполярних транзисторів, що працюють в активному режимі i дозволяють вирішити проблему визначення конструкції i геометричних розмiрiв структури транзисторів, які характеризуються мiнiмальними значеннями бар'єрних ємностей i залишкової напруги на опорi колектора. При цьому спостерігається добра кореляція розрахункових значень з експериментальними даними.

3.4 Розроблено i досліджено методи фiксацiї режиму роботи потужних iнтегральних біполярних транзисторів. Запропоновано нові конструктивні рішення для транзистора з емiтерним переходом, який зашунтований сформованою в епiтаксiальному шарі колектора областю з протилежним до епiтаксiального шару типом провiдностi i інтегрального польового n-канального транзистора з управляючим p-n переходом (А.с.1452409). Встановлено, що в бiльшостi випадків визначальним фактором у виборі методу є можливість його реалiзацiї в складі IС, вiдтворювальнiсть параметрів схеми, її технологiчнiсть.

3.5 За результатами досліджень розроблено програмно-методичний комплекс (ПМК) автоматизації розрахунку, оптимiзацiї i проектування конструкції біполярного транзистора інтегральної схеми з застосуванням мови програмування "Turbo-Pascal" i ПМК машинного проектування топології "Graph Lays Editor" на персональних комп'ютерах типу IBM PC/AT.

4. Створено інтегральну імпульсну комплементарну пару потужних транзисторів. Вперше показано, що в складі напiвпровiдникових IС горизонтальний МДН транзистор з індукованим p-каналом є найоптимальнішим, як елемент, який доповнює по типу провiдностi потужнi iмпульснi n-p-n транзистори. Розроблена нова конструкція високовольтного горизонтального МДН транзистора, в якому підвищено напругу пробою стоку за рахунок введення в область каналу роздільної області, протилежного до підкладки типу провiдностi (А.с.1660535), що дозволило створити потужні швидкодіючі неiнвертовані пiдсилювачi.

5. Досліджено фiзичнi механізми функціонування i створені потужні інтегральні імпульсні діоди. Показано, що застосування дiодiв з бар'єром Шотткi в складі потужних напiвпровiдникових IС обмежене ефектом перерозподілу густини струму, i як наслідок цього, зменшенням активної площі бар'єрного контакту, пониженням швидкодії.

5.1 Розроблено математичну модель потужного інтегрального діоду з бар'єром Шотткi, яка враховує ефекти пов'язані з iнжекцiєю неосновних носіїв заряду i описує режим переходу до високого рівня iнжекцiї. Отримано аналітичну залежність, яка визначає максимальну густину струму i закон розподілу густини струму в структурі при високому рiвнi iнжекцiї i нагромадженню неосновних носіїв заряду. В дiапазонi Jm@(1...10) J0 розрахункова залежність розподілу густини струму добре підтверджується результатами експериментальних досліджень.

5.2 На основі вперше отриманих аналітичних виразів, розроблено методику, програми розрахунків i оптимiзацiї площі випрямляльного контакту метал-напiвпровiдник потужних iнтегральних дiодiв Шотткi, що працюють в режимі великих шпаруватостей коротких iмпульсiв при незначному тепловидiленнi. Наведено залежності, які визначають оптимальні розміри структури iнтегральних дiодiв Шотткi різних конструкцій. Оптимiзацiя дозволяє провести вибір конструкції i визначити геометричні розміри структури дiодiв, що характеризуються при заданій величині робочого струму мiнiмальними значеннями ємнісної складової перехідного процесу перемикання.

6. Вперше запропоновано метод роздільного формування фронту i спаду iмпульса, що забезпечує можливість створення потужного неiнвертованого пiдсилювача-обмежувача, який є основним вузлом розробленої напiвпровiдникової IС-формувача i який забезпечує високу швидкодію, стабiльнiсть, а також можливість роботи на навантаження з нагромадженням заряду.

7. Вперше вирішено проблему твердотiльної iнтеграцiї гiбридно-iнтегральних модулів (ГIМ) імпульсних модуляторів для генераторів РЕС ММДХ. Розроблені конструкції і промислова технологія виготовлення кристалів ІС-формувача і ГІМ на їх основі (А.с.318664, А.с.320493) дозволили значно покращити їх технiчнi характеристики, підвищити надiйнiсть i технологiчнiсть, зменшити габаритно-ваговi показники ГIМ в 3...5 разів, розширити область застосування і забезпечити експлуатацію в умовах підвищеної дії кліматичних і механічних чинників. А в складi кристалу розробленої IС-управлiння ГIМ створено інтегральне багатофункціональне джерело опорної напруги, що дозволило розширити унiверсальнiсть iнтегральних вторинних джерел живлення.

8. На основі теоретичних та експериментальних досліджень вперше обґрунтовано застосовування товстоплiвкових резисторів, які виготовлені із срiбло-паладiєвих (серія 4000), рутенiєвих (серія 4400) i боридних (серія 0800) паст, що широко застосовуються і серійно виготовляються, в ГIМ імпульсних модуляторів підвищеної потужності ударостійких РЕС.

8.1 Розроблено методику визначення коефіцієнта тензочутливості матеріалу резисторів і наведено розрахунок оптимальної конструкції ударостійкого резистора. Вперше досліджено вплив конструктивно-технологічних факторів (матеріалу резистивних паст, питомого поверхневого опору, коефіцієнта форми і площі резистора, напрямку деформаційної дії, матеріалу підкладки, наявності підгонки) на ударну стійкість товсто плівкових резисторів. Виявлено високу ударну стійкість досліджених товсто плівкових резисторів, окрім високоомних срібло-паладієвих. Встановлено, що опір резисторів на основі срібло-паладієвих паст номіналом вище 20 кОм/кв. збільшується в дослідженому діапазоні ударних дій, при цьому чим вищий номінал пасти, тим більша зміна опору резистора, тому вказані пасти не рекомендуються для застосування в ударостійкій апаратурі.

8.2 Вперше досліджено вплив газового середовища, що заповнює корпус ГIМ, на структуру i фазовий склад товстоплiвкових резисторів на основі Ag-Pd. Встановлено причину низької стабільності резисторів (зменшення номіналів до 90%) в середовищі аргону, в якому виявлено вільний водень, який відновлює PdО до Pd, що приводить до зменшення номiналiв резисторів і високу стабiльнiсть (в середньому - до 2%) в атмосфері осушеного повітря. Осушене повітря рекомендується для заповнення корпусів ГIМ в процесі виробництва.

8.3 Досліджено характер зміни номiналiв резисторів i визначено залежність DR/R=f(Т) при 2-о i 3-и кратних повторних впалюваннях для всіх типів резистивних паст на основі рутенію. Характер залежності має яскраво виражену від'ємну область зміни. Застосування повторного впалювання при необхiднiй температурі дозволяє коректувати питомий поверхневий опір резистивної плівки "в мінус" на 50...80% i "в плюс" на 5...30%. Отримані результати використані в процесі виробництва товстоплiвкових мiкроплат для групової підгонки в сторону зменшення номiналiв рутенієвих резисторів. Встановлено, що зміна номіналів рутенієвих резисторів, які пройшли повторне впалювання складає не більше 0,6% пiсля дії дестабiлiзуючих факторів - п'ятикратне термоциклювання при температурах вiд мiнус 60°С до +85°С i зберігання при температурі +70°С.

8.4 Розроблено технологічний процес виготовлення товстоплiвкових резисторів на основі боридних паст на діелектричних шарах із пасти 3014. Встановлено, що для забезпечення знаходження резисторiв в експлуатаційному допуску ±10% достатнім є виробничий допуск ±8%. Це дозволило збільшити ступінь iнтеграцiї ГIМ, зменшити їх габарити i вагу.

9. Для серійного багато номенклатурного виробництва мікро плат ГІМ розроблені і рекомендовані:

- електрохімічний метод і пристрій для підгонки резисторів на основі срібло-паладієвих паст в сторону зменшення їх номіналів, що дозволило збільшити вихід придатних на 20...30%;

- метод повторного впалювання рутенієвих резисторів для коректування їх номіналів в сторону зменшення, що дозволило збільшити вихід придатних на 10...20%;

- лазерний метод підгонки резисторів на основі срібло-паладієвих, рутенієвих і боридних паст в сторону збільшення номіналів. Запропоновано нову методику юстування вимірювальних зондів i лазерного променя автоматизованої установки типу "Гибрид-009", що підвищило продуктивність праці в 2,7 рази.

10. Для підвищення виходу придатних, продуктивності i точності виготовлення, стабільності параметрів гібридних iнтегральних радіоелектронних пристроїв та забезпечення їх працездатності в жорстких умовах експлуатації запропоновано новий спосіб вибіркового вимірювання опору мiкроконтактного з'єднання монтажного дроту i плівкової контактної площинки, що підвищує якість i надiйнiсть мiкроконтактiв ГIМ (А.с.1492309). Розроблено нові матеріали (А.с.302312, А.с.1145827), способи виготовлення структур, елементів мікросхем (А.с.1545842, А.с.287444) i мiкрозборок (А.с.289850).

11. Для підвищення надійності вирішена задача збільшення мiцностi конструкції ГIМ для умов високих динамічних дій i циклічних змін температури. Встановлено, що найсуттєвіше впливає на мiцнiсть з'єднання корпус-кришка ГIМ товщина шару припою в зазорі між з'єднуваними деталями. Коефiцiєнт запасу мiцностi паяного шва зростає в першому наближенні пропорційно квадрату товщини шару припою. Дано рекомендації по вибору коефiцiєнта мiцностi (не менше 10), матеріалу кришки корпусу ГIМ та ін. А для підвищення ступені електромагнітної сумiсностi ГIМ запропоновано нову конструкцію фільтра кола живлення i управління.

12. З метою удосконалення методів комплексної автоматизації розробки i випуску конструкторської документації (КД) МЕА, запропоновано новий принцип конструювання i розроблено методику автоматизованого проектування КД механічних деталей i вузлів конструкцій ГIМ, які складають основу складних сучасних транспортних РЕС спецiального призначення, на базі бiблiотек типових конструкторсько-технологiчних рішень (КТР). В основу даної методики закладено принцип роботи конструктора з типовими КТР, вибір яких складає суть процесу конструювання.

13. Розроблені методика автоматизованого проектування КД ГIМ на основі бiблiотек типових КТР, математичні моделі розмірних сіток, методика i алгоритми розташування розмiрiв на кресленнях КД реалiзованi в програмно-методичному комплексі (ПМК) наскрізного автоматизованого проектування гiбридно-iнтегральних НВЧ модулів "РАПИРА-4МС", який дозволяє скоротити обсяг КД i терміни її розробки в 2,7...3,1 рази. ПМК знаходиться в промисловий експлуатації у Львівському НДРТI i на інших підприємствах галузі. Результати впроваджено в галузевих стандартах ОСТ 4ГО.010.224 і ОСТ 4ГО.073.208.

Література

1. Готра З.Ю., Мушкарден Э.М., Смеркло Л.М. Технологические основы гибридных интегральных схем. - Львов:Изд.при ЛГУ. Вища школа. -1977. -168с.

2. Готра З.Ю., Григорьев В.В., Смеркло Л.М., Эйдельнант В.М. Сквозное автоматизированное проектирование микроэлектронной аппаратуры. - М.: Радио и связь. - 1989. - 280с.

3. Готра З.Ю., Лукоянов С.А., Смеркло Л.М. Лазерно-стимулированное травление в технологии ИС // Зарубежная электронная техника. -М.:ЦНИИ"Электроника". - 1986. -Вып.6. - 55с.

4. Голяка Р.Л., Смеркло Л.М. Исследование режима перехода к омическому квазинасыщению в коллекторе мощного интегрального биполярного транзистора // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер.Общие вопросы радиоэлектроники. - М.:НИИЭИР. -1991. - Вып.22. - с. 42-46.

5. Смеркло Л.М. Розробка метаматичної моделi потужного iнтегрального бiполярного транзистора, що описує режим переходу в область квазiнасичення // Вiсник Прикарп. унiв. Сер. природн.-математ. науки. -Iвано-Франкiвськ: "Плай". - 1996. - Вип.2. - с. 52-159.

6. Голяка Р.Л., Смеркло Л.М. Оптимизация топологии мощного интегрального импульсного транзистора // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.:НИИЭИР. - 1991. - Вып.22. - с. 47-51.

7. Смеркло Л.М. Моделювання та оптимiзацiя структури потужного iнтегрального iмпульсного транзистора // Журнал фiзичних дослiджень. - Львiв:ЛДУ. - 1998. -т.2. - № 4. - с. 586-592.

8. Смеркло Л.М. Методи фiксацii режиму роботи потужних iнтегральних бiполярних транзисторiв // Вiсник Державного унiверситету "Львiвська полiтехнiка". Сер. Теорiя i проектування напiвпровідникових та радiоелектронних пристроїв. - Львiв:ДУ "ЛП". - 1998. - №343. - с. 183-189.

9. Невзоров В.В., Смеркло Л.М. Мощные полевые транзисторы // Радио-промышленность. - М.:НИИЭИР. - 1992. -Вып.1. - с. 41-42.

10. Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Смеркло Л.М. Исследование распределения плотности тока в интегральной диодной структуре с барьером Шоттки при высоком уровне инжекции // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. - М.:ЦНИИ "Электроника". - 1990. - Вып.6. - с. 40-42.

11. Голяка Р.Л., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Оптимизация площади выпрямляющего контакта металл-полупроводник мощных интегральных диодов Шоттки // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. - М.:ЦНИИ "Электроника". - 1990. - Вып.6. - с. 42-45.

12. Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Добрянский Н.С., Смеркло Л.М. Интегральный усилитель-ограничитель наносекундных импульсов // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. - М.:ЦНИИ "Электроника". - 1991. - Вып. 3. -с. 40-42.

13. Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Смеркло Л.М., Добрянский Н.С. Интегральный формирователь мощных наносекундных импульсов // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.:НИИЭИР. - 1990. - Вып. 14. -с. 56-59.

14. Голяка Р.Л., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Многофункциональный интегральный источник опорного напряжения // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.:НИИЭИР. - 1990. - Вып. 14. -с. 69-72

15. Голяка Р.Л., Добрянский Н.С., Смеркло Л.М., Имшенецкий В.В., Феськив И.М. Интегральный формирователь мощных наносекундних импульсов // Информационный листок о научн.-техн. достижении. -Львов: МТЦНТИ. - 1990. - № 90-73. - 4с.

16. Смеркло Л.М., Полушина С.Г., Астафьев В.Н. Опыт проектирования многоканальной РЛС методами комплексной миниатюризации // Специальная радиоэлектроника. - М.:НИИЭИР. - 1985. - Вып.1. - с. 67-69.

17. Готра З.Ю., Смеркло Л.М., Сенишин Я.М., Бойко И.И., Полушина С.Г. Теплопроводные подложки для мощных ГИС // Зарубежная электронная техника. - М.:ЦНИИ "Электроника". - 1990. - Вып.12. - с. 3-23.

18. Смеркло Л.М. Микроминиатюризация импульсных модуляторов для генераторов РЭС миллиметрового диапазона волн // Радиотехника. -Харьков: ХТУРЭ. - 1997. - №103. - с. 93-99.

19. Смеркло Л.М., Владимирова Т.П. Гiбридно-iнтегральнi джерела потужних наносекундних iмпульсiв для технiки мiлiметрового дiапазону хвиль // Вiсник Прик. унiвер. Сер. природн.-математ. науки. - Iвано-Франкiвськ: Плай. - 1995. - Вип.1. - с. 132-139.

20. Смеркло Л.М. Импульсные модуляторы для генераторов диапазона КВЧ // Радиоэлектроника. Известия высших учебных заведений. - Киев: НТУУ "КПИ". - 1998. - том 41. - №4. - с. 20-27.

21. Готра З.Ю., Смеркло Л.М., Баранова Н.В., Сенишин Я.М., Волохин С.А. Фазовый состав и стабильность толстопленочных резисторов на основе системы серебро-палладий // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.: НИИЭИР. - 1991. - Вып. 20. - с. 36-41.

22. Смеркло Л.М., Дячок Д.Т. Подготовка процесса лазерной подгонки толстопленочных резисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - Одесса: АО "Нептун". - 1997. - № 4. - с. 53-54.

23. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Опыт конструирования и изготовления многоуровневых коммутационных плат // Специальная радиоэлектроника. - М.: НИИЭИР. - 1986. - Вып. 5. - с. 35-37.

24. Смеркло Л.М., Левина И.Н. Соединение стержня гермоперехода с микрополосковой линией // Специальная радиоэлектроника. - М.: НИИЭИР. - 1989. - Вып. 1. - с. 52-53.

25. Федоров А.В., Смеркло Л.М., Наволокин С.Н. Левицкий Д.И. Герметизация корпусов микросхем лазерной сваркой // Обмен опытом в радиопромышленности. - М.: НИИЭИР. - 1980. - Вып. 2. - с. 13-14.

26. Смеркло Л.М., Падалка Г.И., Фатуев П.К. Увеличение механической прочности паяного соединения корпус-крышка микросборки // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.: НИИЭИР. - 1986. - Вып. 15. - с. 136-139.

27. Смеркло Л.М., Николаев В.В., Падалка Г.И. Конструкция фильтра цепей питания и управления для СВЧ-микросборок // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1986. -Вып. 15. - с. 174-176.

28. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Выбор базового элемента в информационных моделях конструкций микроэлектронной аппаратуры // Вопросы специальной радиэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1981. - Вып. 20. - с. 138-141.

29. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Формализация требований к алгоритмическому размещению размеров на чертежах узлов и деталей РЭА // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общетехническая. - М.: НИИЭИР. - 1983. - Вып. 14. - с. 67-71.

30. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Алгоритмизация размещения размеров на чертежах узлов и деталей РЭА //Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.: НИИЭИР. - 1985. - Вып. 2. - с. 101-110.

31. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Особенности автоматизированного нанесения размеров на сборочных чертежах интегральных модулей СВЧ // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1984. - Вып. 9. - с. 136-140.

32. Григорьев В.В., Ласаев А.Ф., Смеркло Л.М. Особенности применения кодировщика графической информации при автоматизированном проектировании микросборок // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1984. - Вып. 9. - с. 134-136.

33. Гольев В.Т., Григорьев В.В., Смеркло Л.М. Опыт проектирования фотошаблонов полупроводниковых микросборок с помощью ППП РАПИРА-4ИС и ПРАМ5.3/ПФШ // Специальная радиоэлектроника. - М.: НИИЭИР. - 1985. - Вып. 11-12. - с. 41-42.

34. Смеркло Л.М. Удосконалення методiв комплексної автоматизацiї розробки конструкторської документацiї мiкроелектронної апаратури // Вiсник Державного унiверситету "Львiвська полiтехнiка". Сер. Комп'ютернi системи проектування. Теорiя i практика. Львiв: ДУ"ЛП". - 1998. - № 327. - с. 93-99.

35. А.с. 1748581 СССР, МКИ Н01L27/04. Интегральный биполярный транзистор / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, Л.М. Смеркло (СССР). - №4750951; Заявл. 23.10.89; Зарегистр. 15.03.92. - 6с. - ДСП.

36. А.с. 1452409 СССР, МКИ Н01L29/80. Интегральный полевой транзистор / Р.Л. Голяка, Л.М. Смеркло (СССР). - №4213723; Заявл. 23.03.87; Зарегистр. 15.09.88. - 4с. - ДСП.

37. А.с. 1660535 СССР, МКИ Н01L29/78. Полевой транзистор с изолированным затвором / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, Л.М. Смеркло (СССР). - №4752091; Заявл. 23.10.89; Зарегистр. 01.03.91. - 5с. - ДСП.

38. А.с. 1545842 СССР, МКИ Н01L21/18. Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми слоями / З.Ю. Готра, Л.М. Смеркло, В.В. Осадчук, Л.Ю. Свиридова, Г.В. Глушак (СССР). - №4459811; Заявл. 14.06.88; Зарегистр. 22.10.89. - 9с. - ДСП.

39. А.с. 318664 СССР, МКИ Н01L27/08. Мощный МДП транзистор / Л.М. Смеркло, В.В. Невзоров (СССР). - № 4523291; Заявл. 27.11.89; Зарегистр. 03.09.90. - 5с. - Опубл. не подлежит.

40. А.с. 320493 СССР, МКИ Н01L29/94. Мощный МДП транзистор. / Л.М. Смеркло, В.В. Невзоров (СССР). - №4517829; Заявл. 13.07.89; Зарегистр. 01.11.90. - 4с. - Опубл. не подлежит.

41. А.с. 302312 СССР, МКИ Н01L21/302. Газовая смесь для плазмо-химического травления / Л.М. Смеркло, В.В. Власова, В.Б. Вовк (СССР). -№4503268; Заявл. 05.12.88; Зарегистр. 02.10.89. - 3с. - Опубл. не подлежит.

42. А.с. 1145827 СССР, МКИ Н01G4/10. Сплав для изготовления тонкопленочных диэлектрических слоев конденсаторов / А.С. Грищук, Л.М. Смеркло, Б.А. Фабрикант (СССР). - №3519504; Заявл. 03.12.82; Зарегистр. 15.11.84. - 4с. - ДСП

43. А.с. 287444 СССР, МКИ Н01L27/08. Способ изготовления гибридных интегральных схем / Н.В. Баранова, Л.Л. Мельник, Л.М. Смеркло, Я.М. Сенишин, Л.А. Прокопенко (СССР). - №3193680; Заявл. 09.03.88; Зарегистр. 02.01.89. - 6с. - Опубл. не подлежит.

44. А.с. 289850 СССР, МКИ Н04Q1/07. Способ формирования проводниковых элементов коммутационных плат / Д.Т. Дячок, Л.М. Смеркло, Е.С. Довгуник, И.Ю. Прокопишин, В.В. Каляпин, Ю.В. Коханов (СССР). - №3196100; Заявл. 06.04.88; Зарегистр. 01.03.89. - 5с. - Опубл. не подлежит.

45. А.с. 1492309 СССР, МКИ G01R27/00. Способ определения сопротивления контактного соединения проволоки и пленочного проводника / Д.Т. Дячок, В.А. Павлиш, Л.М. Смеркло, Я.М. Сенишин (СССР). - №4296087; Заявл. 11.08.87; Опубл. 08.03.89, Бюл. №25. - 6с.

46. Заявка № 94042646, Україна, МКИ Н01L27/08, Н01L29/94. Польовий МОН-транзистор / Л.М. Смеркло, В.В. Невзоров (Україна). -Заявл. 15.04.94. Опубл. в бюл. "Промислова власнiсть". - К, 1995. - №4. - с. 2.123.

47. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Дослiдження впливу конструктивно-технологiчних факторiв на ударну стiйкiсть товстоплiвкових резисторiв: Деп. в ДНТБ України. - 1994. - № 1680. - Ук.94. - 7с.

48. Смеркло Л.М., Невзоров В.В., Кучмiй Г.Л. Конструктивно-технологiчнi особливостi потужних ДМОН транзисторiв // Зб.матерiалiв Мiжнародної наук.-техн.конференцiї "Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ, застосування засобiв зв'язку". - Львiв. - ДУ "ЛП". - 1996. - Ч. 1. - с. 93-94

49. Смеркло Л.М. Iнтегральнi формувачi iмпульсiв для НВЧ пристроїв мiлiметрового дiапазону хвиль // Зб. доповiдей Мiжнародної наук.-техн. конференцiї "Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ". - Львiв. ДУ "ЛП". - 1994. - с. 29-30.

50. Смеркло Л.М., Голяка Р.Л. Математична модель потужного iнтегрального дiода з бар'єром Шотткi // Зб.тезiв доповiдей Мiжнародної наук.-техн. конференцiї "Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки". Львiв. ДУ "ЛП". - 1995. - с. 99.

51. Smerklo L.M. Semiconductor pulse modulators for EHF-band technique // Abstract booklet. Second International School-conference "Physical problems in material science of semiconductors". Chernivtsi: State University. - 1997. - p. 339-340.

52. Смеркло Л.М. Гiбридно-iнтегральнi iмпульснi модулятори для генераторiв РЕС мiлiметрового дiапазону хвиль // Зб. матерiалiв Мiжнародної наук.-техн. конференцiї "Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ, застосування засобiв зв'язку". Львiв. ДУ "ЛП". - 1996. - Ч. 1 - с. 95-96.

53. Папенко Л.А., Смеркло Л.М., Сенишин Я.М., Волохин С.А. Исследование влияния газовой среды, заполняющей корпус модуля на надежность толстопленочных резисторов // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Тезисы докладов Межотраслевой научн.-техн. конференции "Проектирование и изготовление МЭА, проблемы и перспективы". М.:ЦНИИ "Электроника". - 1983. - Вып.2(190). - ч. 2. - с. 43-44.

54. Gotra Z., Wygoda L., Grigoriev V., Smerklo L. Automatization of design of control program in resistor laser trimming process // Proceedings of the 20-th conference of the International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter. - Wroclaw: 1997. - p. 149-152.

55. Волохин С.А., Папенко Л.А., Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Исследование возможностей различных методов подгонки пленочных резисторов // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Тезизы докладов Межотраслевой научн.-техн. конференции "Технология изготовления МЭА".М.:ЦНИИ "Электроника". - 1981. - Вып.1(162). - с. 50.

56. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Електрохімічний метод підгонки плівкових резисторів // Зб. доповідей Міжнародної наук.-техн. конференції "Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ". - Львiв. ДУ "ЛП". - 1994. - с. 24-26.

57. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Вибiр конструкцiї ударостiйких плiвкових резисторiв // Зб. доповiдей Мiжнародної наук.-техн. конференції "Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ". - Львiв. ДУ "ЛП". - 1994. - с. 26-28.

58. Смеркло Л.М. Импульсные модуляторы для генераторов КВЧ-диапазона // Сб. реф. 6-ой Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", г. Севастополь. СГТУ. - 1996. - с. 25-26.

59. Смеркло Л.М. Автоматизоване проектування конструкторської документацiї i фотошаблонiв гiбридних iнтегральних модулiв // Зб. тезiв доповідей IV Мiжнародної наук.-техн. конференції "Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки". Львiв. ДУ "ЛП". - 1997. - ч. 2. - с. 166-167.

60. Смеркло Л.М. Интегральные формирователи мощных наносекундных импульсов и РЭУ на их основе // Сб. тез. докладов III Международной научн.-техн. конференции "Микроэлектроника и информатика". Москва-Зеленоград. - 1997. - с. 78-79.

Размещено на Allbest.ru