Проявление и окончательная термообработка слоя фоторезисторов

Размещено на http://www.allbest.ru/

Проявление и окончательная термообработка слоя фоторезисторов

Процесс проявления для фоторезистов заключается в удалении (растворении) ненужных участков слоя, в результате на поверхности остается защитный рельеф требуемой конфигурации. В случае негативных фоторезистов процесс проявления заключается в удалении (растворении) несшитых участков слоя (иногда в том же растворителе, который использовался для приготовления резиста). В случае позитивных фоторезистов процесс проявления связан с химической реакцией превращения инденкарбоновых кислот в растворимые соли. Проявление позитивных слоев зависит от ряда факторов [16]:

· тип проявителя (щелочное соединение, добавки и др.);

· время и температура проявления;

· дополнительное механическое удаление растворенных участков.

В качестве проявителя чаще всего используют сильно разбавленные водные растворы едкого натра или тринатрийфосфата. Наиболее оптимальным является проявление в 2% растворе тринатрийфосфата с глицерином при движении проявителя относительно слоя, поскольку в этом случае колебания во времени проявления сказывается меньше, а качество проявленного рельефа выше. Для негативных фоторезистов перепроявление не является критичным при условии, что слой полностью сшит при экспонировании. Если слой недостаточно сшит, то при проявлении наблюдается его набухание, и после сушки слой морщится и теряет свои защитные свойства. В качестве проявителя слоев на основе ПВЦ, каучуков с бисазидами применяются трихлорэтилен, толуол, хлорбензол и другие проявители (см. табл. 5.7.1.-5.7.3). Наряду с окунанием в раствор проявителя, используют проявление в парах растворителей, а также пульверизацию

Экспонирование

Чувствительность фоторезиста ОМу 1 в ультрафиолетовой области максимальна на длине волны 350...380 нм. Вообще, фоторезист чувствителен в области 300.450 нм, поэтому в рабочем помещении требуется неактинич-ное желтое освещение.

Чтобы обеспечить оптимальное разрешение и хорошее качество канала фоторезиста, необходимо иметь:

-- фотошаблон хорошего качества;

-- хороший контакт фотошаблона с фоторезистом в вакуумной раме;

-- подходящий источник света;

-- энергия экспонирования должна быть оптимальной для данного оборудования и типа фоторезиста.

Оптимальные условия экспонирования

Определение оптимального времени экспонирования следует производить с помощью ступенчатого клина Што-уффера. Существует линейная зависимость между проявлением ступеней клина Штоуффера и экспонированием (см. рис. 2), также нужно учитывать то, что не все радиометры считывают одинаковые показания энергии экспонирования. После проявления рекомендуется 7--8 ступень по 21 ступенчатому клину Штоуффера, покрытая фоторезистом, допускается частичное разрушение фоторезиста на ступени, но его остаток должен быть более 50%.

Тип фоторезиста и особенности процесса экспонирования влияют на выбор оптимальной энергии экспонирования. Для фоторезиста Огс 1у 1 она может варьироваться в пределах 8.60 мДж/см 2. Далее приводятся некоторые основные показатели, обеспечивающие оптимальный выбор и влияющие на процесс экспонирования фоторезиста.

Увеличение энергии экспонирования вызывает:

-- увеличение полимеризации, что увеличивает устойчивость к дальнейшей химической обработке;

-- увеличение диапазона времени проявления;

-- уменьшение протравов при травлении и коротких замыканий при металлизации.

Негативные моменты экспонирования с более высокой энергией:

-- уменьшается разрешающая способность фоторезиста;

-- увеличивается вероятность дефектов экспонирования (эффект расплывчатости, вуаль);

-- труднее полностью удалить фоторезист.

Время межоперационного хранения

Проявление можно выполнить сразу же после экспонирования, в противном случае допускается хранение заготовок в темном месте в течение нескольких дней.

Освещение

Чтобы получить требуемую энергию для засветки фоторезиста, интенсивность освещения должна быть выше 5 мВт/см 2.

Обычно, новая УФ-лампа дает интенсивность освещения около 18 мВт/см 2.

Постоянная ширина проводника

Фоторезист, обладающий более высоким разрешением, характеризуется меньшим увеличением ширины проводника при воздействии на него избыточной энергии экспонирования.

Чистые комнаты

Чтобы увеличить процент выхода годных плат с высоким разрешением, ламинатор должен быть установлен в "чистой" комнате. Процессы нанесения фоторезиста и экспонирования являются наиболее чувствительными к загрязнению. Посторонние частицы между фоторезистом и медью (при нанесении фоторезиста) понижают адгезию и препятствуют экспонированию фоторезиста. Обе эти проблемы могут вызвать разрывы при травлении и короткие замыкания при металлизации.

Частицы размером 15 мкм и более могут вызвать дефекты, так как они слишком велики, оседают на поверхности и поэтому не удаляются при помощи системы циркуляции воздуха в чистых комнатах. Чтобы удалить эти частицы, требуется эффективная очистка фотошаблонов и рам экспонирования.

Перед ламинированием и экспонированием рекомендуется для очистки использовать липкие ролики.

Плохой контакт при экспонировании

Воздушный зазор между фотошаблоном и заготовкой приводит к некачественному экспонированию, что вызывает дефекты на последующих операциях техпроцесса (короткие замыкания при травлении и разрывы при металлизации). фоторезист инденкарбоновый ультрафиолетовый

Вакуумная рама

Вакуумные рамы необходимы для самого плотного соединения фотошаблона с поверхностью фоторезиста. Появление маленьких неподвижных интерференционных колец (кольца Ньютона) - единственное доказательство хорошего контакта между заготовкой, фотошаблоном и поверхностью вакуумной рамы. Рамы экспонирования стекло - стекло имеют более высокое разрешение и совмещение. Важно оптимизировать размер рамы и ее рабочую толщину исходя из размера заготовки. Если размеры рамок фиксированы, можно использовать маски-вкладыши для варьирования типоразмеров плат. Обычно толщина маски-вкладыша должна быть немного больше толщины заготовки, покрытой фоторезистом.

Проявление

Условия проявления зависят от состава фоторезиста, точные рекомендации обычно даются в спецификации.

Для фоторезиста Огс 1у 1 общие условия проявления таковы:

-- давление проявителя - 1,5.2,0 бар;

-- температура проявителя - 25.32°С;

-- концентрация карбоната натрия - 0,7.1,0%;

-- концентрация карбоната калия - 0,8.1,1%;

-- брэйк-пойнт - 50.60%;

-- давление распыления при промывке - 1,2.2,0 бар;

-- температура промывки - 15.25°С;

-- длина камеры промывки больше половины длины камеры проявления.

Брэйк-пойнт

Скорость проявления должна соответствовать конкретному типу фоторезиста. Брэйк-пойнт есть процентное отношение активной длины камеры, на которой удалился фоторезист, к общей длине камеры проявления.

Расчет брейк-пойнта выполняется следующим образом:

Р х 100%/Дп,

где Р - расстояние от входа в проявочную камеру до брейк-пойнта; Дп - используемая длина проявочной камеры.

Брэйк-пойнт устанавливают на неэкспонированных заготовках такого же размера, что и рабочие заготовки (по ходу конвейера). Чтобы изменить брэйк-пойнт, нужно рассчитать скорость, требуемую для установления данного брэйк-пойнта, используя уравнение:

Скорость = брэйк-пойнттреб х х скорость [при брэйк-пойнтизм] / брэйк-пойнтизм.

Теперь необходимо настроить расчетную скорость конвейера и провести тест. Процедуру повторяют до тех пор, пока брэйк-пойнт не будет правильно установлен.

Время и условия проявления

Время проявления, необходимое для установления нужного брэйк-пой-нта, зависит от состава проявляющего раствора. Время проявления уменьшается с увеличением концентрации карбоната натрия, однако при высокой концентрации время может снова увеличиться. Для плат с тонкими проводниками рекомендуется более низкая концентрация. Время проявления уменьшается и при повышении рабочей температуры раствора, но более высокая температура не всегда обеспечивает лучшие результаты.

Для каждой комбинации типа фоторезиста и вида оборудования время проявления следует определить индивидуально. Оно зависит от типа и количества форсунок, давления распыления, расстояния между форсунками и заготовками, размера заготовок.

Насыщенность раствора фоторезистом

В процессе работы насыщенность раствора проявления фоторезистом увеличивается, соответственно, увеличивается и брэйк-пойнт, поэтому скорость конвейера приходится уменьшать.

Рабочий раствор карбоната следует заменить, когда время проявления увеличится на 50% по отношению к свежему раствору. В одном литре раствора можно обработать 0,2 м 2 фоторезиста толщиной 40 мкм или 0,15 м 2 фоторезиста толщиной 50 мкм.

При такой концентрации нет заметного влияния на боковые стенки канала фоторезиста, на воспроизведение шаблона, разрешение проводника и зазора между ними.

Раствор следует заменить, если:

-- величина рН < 10,2;

-- число обработанных заготовок превышает расчетное;

-- скорость проявителя слишком низка.

Насыщенность фоторезистом: система слива и пополнения

В системе слива и пополнения насыщенность фоторезистом поддерживается постоянной за счет пополнения свежим проявителем.

Момент добавления свежего раствора отслеживается путем контроля:

-- величины рН (норма рН = 10,6);

-- числа обработанных заготовок (в зависимости от размера заготовок и процентного соотношения площади проявленного фоторезиста).

В Европе общепринят автоматический подсчет числа обработанных заготовок. На каждые 0,2 м ² проявленного фоторезиста добавляют 1 л свежего раствора карбоната. Периодичность добавки зависит от скорости конвейера.

Концентрацию рабочего раствора можно проверить титрованием или по удельной проводимости.

Промывка и сушка

Промывка является очень важной частью процесса проявления. Чтобы очистить поверхность платы от посторонних веществ, заготовку нужно хорошо промыть при температуре 15.25°С. Результатом плохой промывки могут стать рваные края медных проводников, грубое, ступенчатое покрытие, плохая адгезия (при последующем гальваническом меднении).

Настоятельно рекомендуется использовать жесткую воду с 150...300 ррт или 3--6 мг-экв./л карбоната кальция. Давление воды в форсунках должно быть 1,5.2,0 бар. Не рекомендуется промывка в мягкой или деионизованной воде, так как в такой воде процесс проявления имеет тенденцию к продолжению, и результатом такой промывки будет плохое качество боковых стенок проводников. Если нет воды нужной жесткости, ее можно сделать жесткой искусственно путем добавления небольшого количества раствора сульфата магния.

Заготовку после промывки следует высушить. Оставшаяся на фоторезисте и затем испарившаяся вода ухудшит качество линий (проводников), так как остатки проявителя будут действовать на боковые стенки фоторезиста. Результатом этого оказывается неравномерное покрытие и обрывы проводников. Области на поверхности платы, которые не были высушены сразу же после проявления, могут окислиться.

Техническое обслуживание камеры проявления

Камеру проявления следует чистить не реже одного раза в неделю, чтобы удалить остатки фоторезиста, накипь карбоната кальция и пено-гаситель. Остатки фоторезиста лучше удалять 3...5% раствором соды или раствором гидроксида калия, однако накипь, вызванную использованием очень жесткой воды, нужно удалять разбавленными растворами серной кислоты.

Совмещение и экспонирование

Под совмещением перед экспонированием понимается точная ориентация фотошаблона относительно пластины, при которой элементы очередного топологического слоя (на фотошаблоне) занимают положение относительно элементов предыдущего слоя (в пластине), предписанное разработчиком топологии. Например, фотошаблон, несущий рисунок эмиттерных областей должен быть точно ориентирован относительно пластины, в которой уже сформированы базовые области.

Рис. 2. Совмещение фотошаблона с пластиной: а - общая схема совмещения: 1 - групповой фотошаблон; 2 - модули для грубого совмещения; 3 - базовый срез на пластине для предварительной ориентации; 4 - групповая пластина; 5 - знак совмещения в модуле пластины; 6 - знак совмещения в модуле шаблона; б- схема для расчета номинального зазора между знаками совмещения.

1. Предварительная ориентация по базовому срезу, обеспечивающую на границах модулей групповой пластины наивыгоднейшую кристаллографическую плоскость с точки зрения качества разделения пластины на отдельные кристаллы.

2. Предварительное грубое совмещение по границам крайних модулей, имеющее целью исключить разворот пластины и фотошаблона относительно вертикальной оси Z.

3. Точное совмещение, исключающее смещение рисунков фотошаблона и пластины по осям X и Y.

Для точного совмещения используют специальные знаки совмещения с контролируемым зазором, которые входят в состав топологических рисунков соответствующих слоёв. Совмещение считается выполненным, если при введении одного знака внутрь другого по всему контуру просматривается зазор.

Номинальным зазором называется равномерный по всему контуру зазор, который образуется при номинальных (проектируемых) размерах знаков и их точном совмещения (центрировании).

(2)

где dmin=200/Г - предельное разрешение системы "глаз - микроскоп" (200 мкм - линейное разрешение нормального глаза; Г - кратность увеличения микроскопа); Dи- абсолютная предельная погрешность фиксации изображения на установке совмещения и экспонирования; Dш и Dп- абсолютная предельная погрешность размера знака соответственно на шаблоне и пластине (Dш < Dп);

Таким образом, в зависимости от фактических значений случайных погрешностей, реальный зазор может колебаться в пределах от dmax до dmin, а абсолютная предельная погрешность совмещения Dс для контролируемого модуля групповой пластины:

(3)

Для совокупности модулей в партии групповых пластин:

(4)

где Dt - абсолютная предельная погрешность шага расположения модулей на групповом фотошаблоне;--Dдоб- дополнительное расширение зазора, которое может предусматриваться для снижения зрительного напряжения оператора.

Погрешность совмещения учитывается при расчёте размеров областей каждого слоя. Обычно фотошаблон очередного слоя совмещается с предыдущим слоем, уже сформированном на пластине. В частности, слой контактных окон совмещается с эмиттерным слоем, а слой металлизации - со слоем контактных окон. Поскольку контактные окна и металлические контакты формируются одновременно для всех областей структуры, погрешность совмещения накапливается. Поэтому совершенствование процессов литографии (уменьшение Dш и Dп) и применяемого оборудования (Dи и Dt) является важной и постоянной задачей.

После выполнения совмещения микроскоп отводится, а на его место подводится осветитель, жёстко связанный с микроскопом на каретке (или поворотной турели). Оператор включает осветитель одновременно с реле времени, которое контролирует время экспонирования.

Проявление

Проявление скрытого изображения для негативных фоторезистов заключается в обработке фотослоя органическим растворителем. При этом участки, не подвергшиеся облучению, растворяются, а облучённые участки, где при поглощении ультрафиолетового излучения происходит разрыв межатомных связей и перестройка структуры (фотополимеризация), сохраняются.

В позитивных фоторезистах на участках, подвергшихся облучению, происходит разрушение структуры (деструкция) с образованием кислоты. Для перевода её в растворимые слои применяют раствор неорганического соединения со щелочными свойствами (KOH, NaOH и др).

После отмывки от следов проявителя и сушки полученную фотомаску подвергают тепловому задубливанию (120ч180°С в зависимости от марки фоторезиста), в результате чего окончательно формируются её защитные свойства. От характера изменения температуры во время сушки зависит точность передачи размеров изображений. Резкий нагрев вызывает оплывание краев, поэтому для точной передачи малых (1 - 2 мкм) размеров следует применять плавное или ступенчатое повышение температуры. Примерный режим сушки позитивного резиста ФП-383: 10 - 15 минут при комнатной температуре, 20 - 25 минут в термостате при 120 °С, затем переключение термостата и нагревание до 150 - 160 °С.

Оптические явления в системе фотошаблон-фоторезист-подложка

Облучение пленок фоторезистов через фотошаблон вызывает появление в них скрытых изображений, выражающееся в локальном изменении их физико-химических параметров и, в первую очередь, растворимости. Возникновение скрытого изображения и последующее его превращение в видимое зависит от оптимально выбранного соотношения режимов экспонирования и проявления, при котором формируется наиболее точное изображение и достигается максимальная разрешающая способность. Это соотношение в свою очередь зависит при прочих равных условиях от свойств фоторезиста, а именно, его светочувствительности, области актиничного поглощения, кинетики протекания фотохимических процессов. Кроме того, следует учитывать физико-химические свойства покрытия: адгезию, однородность, наличие внутренних напряжений, отношение к проявителю и т. д.

Зарождение скрытого изображения в слое фоторезиста в процессе экспонирования в системе источник света - фотошаблон - фоторезист - подложка и последующая реализация этого изображения при проявлении, а также предельные возможности контактной фотолитографии во многом зависят от оптических эффектов в системе. Среди оптических явлений, влияющих на процесс экспонирования, в первую очередь следует отметить дифракционные явления, эффекты отражения, интерференцию. Именно эти эффекты будут определять предельную возможность контактной фотолитографии по разрешающей способности и те побочные явления, которые приводят к деформации изображения или появлению технологического брака, снижающего выход фотолитографического процесса. В этом плане представляет интерес проследить кинетику зарождения изображения в пленке фоторезиста с последующей его реализацией при проявлении, оценить удельное влияние каждого явления для воспроизведения элементов различных геометрических размеров и сформулировать основные требования высокоточного воспроизведения геометрических размеров элементов.

Современная технология изготовления интегральных схем выдвигает требования воспроизведения размеров элементов менее 1 мкм на рабочем поле диаметром 150-300 мм. Реализация предельных параметров оптико-механического оборудования в фотолитографии в значительной степени зависит от конструктивных параметров системы фотошаблон - подложка, которые в свою очередь зависят от плоскостности фотошаблона и подложки и метода контактирования.

Воспроизводимо получать элементы субмикронных размеров не удается в основном из-за дифракционных явлений, степень проявления которых зависит от плоскостности рабочих сторон контактирующих поверхностей, т. е. воздушного зазора в системе фотошаблон - подложка. Отмечается, что для получения субмикрон-ных размеров элементов необходима плоскостность поверхности фотошаблона не менее 0,5 мкм на рабочем поле.



Рис. 6.5. Возникновение "стоячей волны" при полном отражении от подложки:

1 - падающая волна, 2 - первичная волна, 3 - волна, отраженная от подложки, 4 - вторичная волна

Актиничный световой поток, прошедший через фотошаблон и пленку фоторезиста, может трансформироваться различным образом. Часть его поглощается фоторезистом. Однако другая его часть доходит до поверхности подложки и может быть отражена ею. Отраженный световой поток, возвращаясь в пленку фоторезиста, интерферирует с проходящим светом, вызывая появление дополнительных оптических эффектов, и реагирует с молекулами фоторезиста, вызывая дополнительное его экспонирование в местах, защищенных темными участками фотошаблона. Одним из таких оптических эффектов является появление "стоячих волн" (рис. 6.5).

Развитие техники фотошаблонов привело к появлению цветных фотошаблонов, одним из основных достоинств которых является значительно меньший коэффициент отражения маскирующего покрытия (от 50-60 % для хромированных до 5-15 % для цветных покрытий). Меньшее значение коэффициента отражения поверхности цветного покрытия по сравнению с хромированным увеличивает устойчивость процессов экспонирования и проявления, а также повышает точность воспроизведения геометрии элементов фотошаблонов.

Процессы проявления фоторезистов

Окончательное формирование в пленке фоторезиста изображения элементов схем происходит при обработке соответствующими растворами экспонированных покрытий и соответствующем удалении облученных (для позитивных составов) или необлученных (для негативных) участков. В проявлении негативных и позитивных фоторезистов имеются достаточно четкие различия, которые обусловлены химической природой полимерных материалов, входящих в состав фоторезистов, и типом протекающих фотохимических реакций. Для всех негативных фоторезистов характерно протекание процессов фотохимического сшивания и применения в процессах проявления органических растворителей. Процесс проявления негативных составов является типичным физико-химическим процессом растворения полимеров.

Для существующих позитивных фоторезистов процесс проявления более сложен и основан на химическом взаимодействии продуктов фотолиза о-нафтохинондиазидов и фенольных смол со щелочными составами и последующем физико-химическом удалении продуктов реакции.

Проявление негативных фоторезистов. Одновременно с проявлением и последующей промывкой и сушкой негативных фоторезистов происходят следующие процессы:

· диффузия молекул проявителя в облученную и необлученную части пленки фоторезиста;

· набухание облученных и необлученных участков пленки;

· растворение необлученных участков пленки и переход молекул полимера в объем растворителя;

· формирование конфигурации элементов;

· очистка необлученных участков поверхности от остатков фоторезиста;

· испарение растворителя из объема облученных участков пленки фоторезиста и возвращение ее к первоначальным геометрическим размерам.

Облученные участки пленки фоторезиста (в зависимости от дозы облучения) могут содержать в своем составе сшитые макроструктуры, отдельные полимерные молекулы и разветвленные системы. Проявитель для негативных фоторезистов должен обладать, с одной стороны, хорошей растворяющей способностью по отношению к исходному полимеру, а с другой - минимальным воздействием на облученные участки пленки. Проявитель должен вызывать минимальное набухание облученных участков и, следовательно, минимальное искажение геометрических размеров. Набухание облученных участков зависит в основном от количества сформировавшихся поперечных связей и свойств сшитого полимера. При недостаточной экспозиции облученные участки будут либо полностью растворяться, либо набухать до такой степени, что пленка может оторваться от поверхности подложки, либо настолько увеличиваться в объеме, что соседние элементы схемы соединяются между собой. Поэтому для негативных фоторезистов правильность выбора экспозиции определяется не только по получению определенной геометрии элементов, но и по набуханию облученных участков фоторезиста.

Для негативных фоторезистов, экспонированных в оптимальных режимах, перепроявление неопасно, поэтому процессы проявления этих составов достаточно просто автоматизируются. Проявление фоторезистов может проходить либо в статических условиях, либо методом распыления жидкости. При определенных минимальных размерах элементов изображения и расстояний между ними проявление сильно затрудняется вследствие невозможности удаления неэкспонированного полимера из промежутков между элементами.

Проявление позитивных фоторезистов. Как уже отмечалось, проявление облученных участков позитивных фоторезистов на основе о-нафтохинондиазидов по своей природе имеет химический характер:

Образующаяся соль инденкарбоновой кислоты растворима в воде и при проявлении переходит в раствор. Кроме того, в пленке фоторезиста содержатся фенольные смолы, которые также растворимы в водно-щелочных растворах. Особенностью проявления позитивных фоторезистов является практически полное отсутствие набухания необлученных участков, поэтому разрешающая способность позитивных фоторезистов в меньшей степени зависит от толщины покрытия.

Еще одна особенность проявления позитивных фоторезистов - их чувствительность к перепроявлению, т. е. к чрезмерно длительному пребыванию пленки фоторезиста в проявителе. Чем выше скорость растворения облученных участков пленки V0 и одновременно ниже скорость растворения необлученных участков Vн, тем избирательнее работает проявитель. Введение в проявитель поверхностно-активных веществ уменьшает его поверхностное натяжение, увеличивает смачиваемость фоторезиста и способствует более эффективному удалению облученных участков и уменьшению клина проявления.

Стабильность геометрических размеров элементов при перепроявлении зависит от целого ряда факторов, основными из которых являются: а) химическое строение фоторезиста; б) концентрация и температура проявителя; в) качество пленки фоторезиста и ее адгезия к поверхности подложки, и следовательно, режимы формирования и сушки пленки фоторезиста; г) время экспонирования; д) индукционный период и скорость растворения необлученных участков пленки.

Места попадания дифрагированного света в область геометрической тени можно рассматривать как участки с увеличенной скоростью растворения необлученной пленки. Стабильная и воспроизводимая реализация скрытого изображения элементов, сформированных при экспонировании, возможна лишь при оптимизации всех режимов пленкообразования фоторезиста и использовании пленок фоторезистов, обладающих максимальной селективностью при воздействии проявителя на облученные и необлученные участки.

Основные требования к фоторезистам

Проблема создания фоторезистов включает в себя, кроме разработки методов повышения светочувствительности полимеров, подбор и синтез пленкообразующих полимерных и светочувствительных компонентов, разработку композиций и выявление оптимальных условий их применения. Специфика практического использования фоторезистов определяет перечень предъявляемых к ним требований, которым они должны отвечать:

· высокая интегральная светочувствительность и необходимая спектральная чувствительность;

· высокая разрешающая способность;

· однородность по всей поверхности, беспористость и стабильность во времени слоя фоторезиста с высокой адгезией к материалу подложки;

· получение резко дифференцированной границы между участками, защищенными и не защищенными фоторезистом;

· устойчивость к химическому воздействию;

· отсутствие загрязнений продуктами фотохимических превращений фоторезиста;

· доступность материалов, относительная простота, надежность и безопасность применения;

· наличие специфических проявителей и травителей.

Значение спектральной чувствительности фоторезистов позволяет обоснованно выбрать источники излучения, рационально подобрать условия неактиничного освещения помещения для фотолитографических работ. В настоящее время в производстве полупроводниковых приборов широко применяются как позитивные, так и негативные фоторезисты. Позитивные фоторезисты обладают высокой разрешающей способностью и позволяют получить четкие границы изображения. Негативные используются преимущественно в процессах, связанных с глубоким травлением металлов, гальваническими процессами. Весьма ценным свойством их является отсутствие ионов щелочных металлов при проявлении, что особенно важно в полупроводниковой технике. При совместном применении негативных и позитивных фоторезистов облегчается совмещение и контроль поля, исключаются промежуточные операции при совмещении.

Размещено на Allbest.ru

...