Дослідження активних елементів метал-діелектрик-напівпровідник інтегральних схем
Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 18.04.2014 |
| Размер файла | 94,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ
Харківський Національний Технічний Університет Радіолектроніки
Кафедра МЕПП
ЗВІТ
з лабораторної роботи на тему:
“Дослідження активних елементів МДН ІС”
з курсу: “Основи мікроелектроніки”
Харків 2003
Мета роботи: Ознайомитися з різновидами топології МДН транзисторів в цифрових та аналогових ІС. Провисти практичне дослідження основних параметрів МДН транзисторів та транзисторних ключів.
Опис лабораторної установки:
В лабораторну установку входять:
* комплекти зі зразками гібридних ІС зі вскритими кришками кор-пусів для вивчення топології та лабораторний макет з комплектом ІС для вимірювання електричних параметрів елементів мікросхем;
* мікроскоп МБС-9 з вимірювальним окуляром для візуального вив-чення топології ІС та оцінки геометричних розмірів досліджуваних еле-ментів;
* осцилограф та генератор типу С1-112
* мультиметр типу ВР-11А;
* планшети зі схемами електричними принциповими і фотографіями топології ІС.
За допомогою вказаних приладів та обладнання проводимо вимірю-вання і дослідження електричних параметрів елементів гібридно-плівкових ІС.
Виконання роботи
1 Вимірюємо геометричні розміри областей витоку, стоку та затвору МДН транзистора. Та замальовуємо фрагменти топології ІС.
транзистор інтегральний схема цифровий
Размещено на http://www.allbest.ru/
Sнагруз=2352мкм2
Sраб=1960мкм2
Размещено на http://www.allbest.ru/
2 Досліджуємо параметри активного транизистора МДН ключа.
Порогову напругу можна визначити, вимірявши залишкову напругу Uзал на стоці.
Uзат=15В UCU=0.08 В Ic=13.7мА
Uзат=7В UCU=0.2 В
3 Досліджуємо параметри пасивного транизистора МДН ключа.
Uзат=15В UCU=0.7 В Ic=10мА
Uзат=7В UCU=1.25 В
Размещено на http://www.allbest.ru/
4 Досліджуємо параметри пасивного транизистора КМДН ключа.
Uзат=9.8В UCU=0.15 В Ic=0.9мА Uзат=5В UCU=0.33 В
5 Досліджуємо швидкодію МДН та КМДН транзистора
Uзат=7В UCU=0.98 В Ic=10мА
Uзат=3В UCU=0.94 В
Висновок: ознайомилися з різновидами топології МДН транзисторів в цифрових та аналогових ІС. Провили практичне дослідження основних параметрів МДН транзисторів та транзисторних ключів.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Розгляд будови та принципу роботи ключів на прикладі біполярного транзистора із спільним емітером. Вивчення особливостей МДН-транзисторів із резистивним, динамічним та комплементарним навантаженням. Аналіз режимів автоколивального мультивібратора.
реферат [509,5 K], добавлен 30.01.2010Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
лабораторная работа [263,7 K], добавлен 22.06.2011Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010Теоретичний аналіз існуючих технологій гібридних інтегральних мікросхем, особливості їх конструювання, позначення параметрів, вибір матеріалів, переваги і недоліки, технології виробництва. Розробка комутаційної схеми, розрахунок елементів мікросхеми.
курсовая работа [1004,7 K], добавлен 18.09.2010Дослідження основних способів подання логічної функції: аналітичний і табличний. Мінімізація логічних функцій та карта Карно. Синтез комбінаційного пристрою на базисі Шеффера та Пірса. Побудова принципової схеми, виконаної на інтегральних мікросхемах.
курсовая работа [891,4 K], добавлен 06.08.2013Історія та походження назви золота, його хімічні властивості. Поширення в природі золота, його одержання, переваги, використання в промисловості. Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 30.01.2014Вивчення конструкції інтегрального транзистора. Дослідження засобів проектування та технології виготовлення інвертора позитивних імпульсів. Визначення габаритних розмірів мікросхеми. Огляд параметрів інтегральних діодів. Розрахунок дифузійних резисторів.
курсовая работа [209,3 K], добавлен 07.10.2014Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.
курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013Огляд елементної бази, що застосовується для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою. Аналіз систем автоматизованого проектування логічних керуючих автоматів на основі ПЛІС, їх різновиди і відмінні особливості, тенденції розвитку.
курсовая работа [478,2 K], добавлен 25.09.2010Роль прискорених випробувань в визначенні надійності інтегральних схем, головні причини та механізми відмов. Визначення інтенсивності відмов інтегральної системи, ймовірності безвідмовної роботи, середнього і гамма-відсоткового часу напрацювання.
курсовая работа [442,3 K], добавлен 28.02.2014Методи розробки структурної схеми пристрою. Вибір схеми підсилювача потужності та типу транзисторів. Розрахунок співвідношення сигнал-шум та частотних спотворень каскадів. Розробка блоку живлення та структурної схеми пристрою на інтегральних мікросхемах.
курсовая работа [603,3 K], добавлен 14.10.2010Дослідження основних структур тригерних пристроїв (RS, D, Т, JК - типів) в логічному базисі І-НЕ з потенційним представленням інформації. Будова та види тригерів, їх синтез на основі логічних ІMС. Характеристичні рівняння, що описують їх функціонування.
реферат [1,3 M], добавлен 14.03.2011Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.
презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Принцип дії інвертора. Перетворювачі на основі автогенератора Ройєра. Застосування дроселів насичення для забезпечення перемикання транзисторів при зменшенні струму бази. Самозахист від короткого замикання внаслідок розмикання декількох транзисторів.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013Конденсатори як незамінний елемент будь-яких електронних схем, від простих до самих складних. Вимоги до матеріалу з точки зору радіоелектроніки. Конденсатори з неорганічним, органічним та оксидним діелектриком. Види діелектриків, вихідні показники.
курсовая работа [250,0 K], добавлен 24.10.2012Загальні відомості, параметри та розрахунок підсилювача, призначення елементів і принцип роботи підсилювального каскаду. Розрахунок режиму роботи транзисторів, вибір пасивних елементів та номінальних значень пасивних і частотозадаючих елементів схеми.
курсовая работа [990,6 K], добавлен 16.11.2010Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014
