Розрахунок топології інтегральної мікросхеми

Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки. Вихідні дані для розробки та розрахунків топології інтегральної мікросхеми. Топологія активних елементів. Технологічні процеси виготовлення інтегральних схем. Метод повної діелектричної ізоляції.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид контрольная работа
Язык украинский
Дата добавления 14.05.2014
Размер файла 3,1 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Міністерство освіти і науки України

Запорізький національний технічний університет

Кафедра МІНЕ

Розрахунково-графічна робота

"Розрахунок топології інтегральної мікросхеми"

Виконав студент гр. РТ-310 А.В. Шкапоїд

Прийняв: проф., доктор фіз.-мат. наук В.М. Матюшин

2014

Зміст

  • 1. Принципова схема
  • 1.1 Вихідні дані для розрахунків
  • 2. Топологія активних елементів
  • 3. Розрахунок параметрів схеми
  • 4. Розробка топології схеми
  • 5. Основні технологічні процеси виготовлення інтегральних схем
  • Висновки
  • Список літератури

1. Принципова схема

Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки (ДТЛ) приведена на рисунку 1.1.

Рисунок 1.1 - Схема діодно-транзисторної логіки

1.1 Вихідні дані для розрахунків

Опори резисторів: R1=R2=4kОм; R3=1,5kОм;

Питомий поверхневий опір резистивної плівки: для p області: сs=65 Ом/см; для n+ області: сs=2,5 Ом/см;

Мінімальний технологічний розмір: 5 мкм

2. Топологія активних елементів

Рисунок 2.1 - Структура n-p-nтранзистору у поперечному перерізі.

Рисунок 2.2 - Топологія біполярного транзистора n-p-nтипу

Рисунок 2.3 - Топологія діода n-pтипу

3. Розрахунок параметрів схеми

У схемі присутні 3 резистори. Їх розрахунок виконується за наступною формулою:

, (1)

де n - кількість квадратів на прямій ділянці,

m - кількість "колін".

1) Звідси для R1 та R2:

m = 8, R =сs (n+0.55m)

n+0.55m=

n= () - 0.55m

n=

R = (n + 0,55m) 65 = кОм

2) Розрахунок резисторів R3:

m = 4, n= () - 0.55m

n=

R = (n + 0,55m) 65 = кОм

4. Розробка топології схеми

Схема складається з 5 контактних площадок, 3 резисторів, 1 транзистора, та 4 діодів. Згідно до цього топологічна схема буде мати вигляд зображений на рисунку 4.1.

Рисунок 4.1 - Загальна топологія схеми

5. Основні технологічні процеси виготовлення інтегральних схем

Розглядаємо метод повної діелектричної ізоляції.

Рисунок 5.1 - Si структура з діелектричною ізоляцією

Маршрутна технологія:

Є самим поширеним методом діелектричної ізоляції.

Переваги:

топологія інтегральна мікросхема

можливість забезпечення ізоляції приборів з протилежними типами провідності;

високі пробивні напруги (200В);

підвищення швидкодії в результаті зменшення паразитних ємностей;

малі струми витіку;

більш висока радіаційна стійкість.

Недоліки:

складність технологічного процесу (необхідність прецензійного обладнання для шліфовки пластин, нерівномірне скриття каналів в результаті деформації пластин);

порівняно низька надійність (витравлення каналів);

невисока щільність упаковки.

Висновки

В результаті виконання розрахунково-графічного завдання були розроблені топології елементів у вигляді напівпровідникових структур; були розраховані розміри усіх елементів за даною схемою та розроблена загальна топологія схеми, а також описана загальна технологія виготовлення схеми.

При проектуванні додержувалися основних правил проектування і мінімальних технологічних розмірів елементів і між елементних відстаней.

Список літератури

1. Методические указания к курсовой работе по курсу "Технология полупроводниковых приборов и интегральных схем" для студентов специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" / Сост. Л.П. Корнич, В.М. Матюшин. - Запорожье: ЗМИ, 1986. - 56 с.

2. Пономарев 14.Ф. Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов Э6А. - И.: Радио и связь, 1982.

3. Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология микросхем. - М.: Сов. радио, 1980.

4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980.

5. Конструирование и расчет больших гибридных интегральных схем, микросборок и аппаратуры на их основа /Под ред. В.Ф. Высоцкого. М.: Радио и связь, ГЭВ1

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.

    курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010

  • Розробка конструкції інтегральної мікросхеми і технологічного напрямку її виробництва згідно із заданою принциповою електричною схемою. Вибір матеріалів і компонентів. Розрахунок і обґрунтування конструкцій плівкових елементів та розмірів плати.

    реферат [114,8 K], добавлен 19.10.2010

  • Методи контролю розподілу температурних полів. Методи контролю якості інтегральних мікросхем. Особливості фотоакустичной спектроскопії. Випробування інтегральної мікросхеми К155 ЛА7 на багатократні удари. Вплив на неї зміни температури середовища.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 18.12.2009

  • Опис використаної елементної бази для розробки електронного годинника. Структурна схема та будова годинника. Аналіз і налагодження інтегральної мікросхеми з використанням програми Electronics Workbench. Забезпечення вимірювання та індикації часу.

    курсовая работа [217,2 K], добавлен 23.11.2014

  • Розробка конструкції інтегральної мікросхеми, технологічного напрямку її виробництва згідно із заданою у технічному завданні принциповою електричною схемою. Основні переваги гібридних мікросхем. Вибір матеріалу, розрахунок конструкцій плівкових елементів.

    курсовая работа [182,9 K], добавлен 04.06.2016

  • Теоретичний аналіз існуючих технологій гібридних інтегральних мікросхем, особливості їх конструювання, позначення параметрів, вибір матеріалів, переваги і недоліки, технології виробництва. Розробка комутаційної схеми, розрахунок елементів мікросхеми.

    курсовая работа [1004,7 K], добавлен 18.09.2010

  • Роль прискорених випробувань в визначенні надійності інтегральних схем, головні причини та механізми відмов. Визначення інтенсивності відмов інтегральної системи, ймовірності безвідмовної роботи, середнього і гамма-відсоткового часу напрацювання.

    курсовая работа [442,3 K], добавлен 28.02.2014

  • Розробка топологічних креслень пускового генератора двополярного сигналу в напівпровідниковому та гібридному варіантах з врахування конструктивно-технологічних вимог та обмежень. Побудова комутаційної схеми та розрахунок паразитних зв'язків мікросхеми.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 30.04.2011

  • Вивчення конструкції інтегрального транзистора. Дослідження засобів проектування та технології виготовлення інвертора позитивних імпульсів. Визначення габаритних розмірів мікросхеми. Огляд параметрів інтегральних діодів. Розрахунок дифузійних резисторів.

    курсовая работа [209,3 K], добавлен 07.10.2014

  • Опис актуальності завдання та область використання мікросхеми Arduino UNO. Особливості дослідження, проектування і розробки схем. Тахометр як прилад для вимірювання частоти обертання валів машин і механізмів. Перелік елементів адаптера інтерфейсу RS-232.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 19.07.2014

  • Специфіка розробки структурної, функціональної і принципової схеми автоматичного ПІД-регулятора за допомогою сучасних пакетів (OrCAD9.2). Блоки інтегральної та диференціальної складових і їх розрахунок. Схема суматора складових закону керування.

    курсовая работа [283,8 K], добавлен 26.12.2010

  • Структурна схема підсилювача звукових частот, технічні характеристики та параметри аналогової мікросхеми серії КР119. Розробка електричної принципової схеми двокаскадного підсилювача, розрахунок вихідного каскаду, вибір елементів блоку живлення.

    реферат [1,0 M], добавлен 10.06.2011

  • Проект оптичної транспортної мережі зв’язку Рівненської області з застосуванням обладнання SDH. Характеристика траси, вибір оптимальної топології, архітектури, розрахунок числа каналів. Характеристика мультиплексорного і синхронного цифрового обладнання.

    курсовая работа [3,0 M], добавлен 29.01.2014

  • Розрахунок смуги пропускання приймача та спектральної щільності потужності внутрішніх шумів. Розрахунок чутливості приймача та бази сигналу. Принципова електрична схема підсилювача проміжної частоти радіоприймального пристрою, параметри мікросхеми.

    курсовая работа [476,2 K], добавлен 09.11.2010

  • Структурна схема пристрою ультразвукового вимірювача рівня рідини, принцип роботи. Конструкція і розташування деталей. Залежність частоти настройки від опору резистора. Обґрунтування елементної бази. Інтегральні мікросхеми. Розрахунок надійності роботи.

    курсовая работа [2,1 M], добавлен 05.12.2013

  • Аналіз місця розташування комп’ютерної мережі та потреби в централізованому збереженні даних. Необхідність автоматизації. Вимоги безпеки. Проектування топології локальної мережі. Domain Name Service та Email Service. Адміністративний та інші сервери.

    курсовая работа [33,7 K], добавлен 04.10.2013

  • Принцип роботи діелектричної лінзової антени. Огляд сучасних досягнень в конструюванні лінзових антен. Розрахунок робочої частоти. Визначення розмірів лінзи в градусах. Вибір розмірів хвилеводу та рупора. Залежність ширини променя від довжини хвилі.

    курсовая работа [352,0 K], добавлен 02.11.2014

  • Вибір і розрахунок підсилювача потужності звукової частоти: розробка схеми, параметри мікросхеми. Вибір схеми стабілізованого джерела живлення. Розрахунок компенсаційного стабілізатора, випрямляча, силового трансформатора, радіаторів, друкованої плати.

    курсовая работа [105,9 K], добавлен 29.01.2014

  • Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 05.01.2014

  • Способи проектування мереж абонентського доступу (МАД) на основі технології VDSL. Розрахунок варіантів розміщення ONU. Розрахунок пропускної здатності розглянутої топології VDSL. Аналіз основних характеристик МАД, розробка засобів їхнього підвищення.

    курсовая работа [772,2 K], добавлен 29.08.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.