Модуляторы оптического излучения
Модуляторы лазерного излучения, их классификация. Физические эффекты, положенные в основу принципа действия. Устройство электрооптического модулятора, недостатки. Магнитооптические модуляторы. Пути совершенствования модуляторов, магнитные нанокомпозиты.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лекция |
Язык | русский |
Дата добавления | 17.08.2014 |
Размер файла | 100,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Лекция 5. Модуляторы
Модуляторы. Классификация. Физические эффекты, положенные в основу принципа действия. Материалы. Конструкции.
5.1 Модуляторы. Классификация. Физика работы
электрооптический модулятор лазер магнитооптический
Модуляция излучения является непременным условием эффективного использования лазеров и других генераторов света в оптоэлектронике. Лишь с помощью модуляции возможен высокоскоростной ввод полезной информации в световой луч.
Как следует из уравнения световой волны (1.1), модулироваться могут амплитуда, частота, фаза и направление вектора поляризации. Однако, поскольку все известные фотоприемники реагируют только на изменение амплитуды колебаний (через интенсивность), то, в конечном счете, все виды модуляции должны быть переведены в амплитудную модуляцию.
Применительно к лазерам выделяют внутреннюю и внешнюю модуляцию. Внутренняя модуляция осуществляется в самом излучателе за счет изменения режима возбуждения (полупроводниковые лазеры) или изменение добротности резонатора (газовые лазеры). Следует отметить, что при этом, как правило, возникают нежелательные побочные эффекты, приводящие к ухудшению когерентности излучения. Даже в полупроводниковых лазерах, у которых внутреннее управление интенсивностью света наиболее просто и эффективно, модуляция в гигагерцевом диапазоне вызывает трудности: возрастает порог генерации, ухудшается модовый состав излучения и т. п.
Внешняя модуляция лазерного излучения может осуществляться с помощью специальных устройств -- модуляторов, в которых осуществляется управление теми или иными параметрами светового колебания. Для прогресса оптоэлектроники необходимы высокоэффективные быстродействующие модуляторы.
О важности развития этих приборов свидетельствует тот факт, что при разработке и производстве лазеров значительный объем затрат (до 25%) приходится на создание так называемого сопутствующего оборудования -- модуляторов и высоковольтных источников питания.
Модуляторы совместно с дефлекторами (приборами, служащими для изменения пространственного положения лазерного луча) и управляемыми транспарантами (приборами, обеспечивающими пространственную модуляцию света) образуют группу устройств управления световым лучом. При этом достижения физики и технологии модуляторов создают ту основу, на которой развиваются и остальные приборы этой группы.
Эффект Поккельса, или линейный электрооптический эффект, представляет собой физическую основу большинства современных модуляторов света. Этот эффект имеет место во многих анизотропных кристаллах, для которых также характерно явление двойного лучепреломления, т. е. расщепление проходящего света на два луча (называемых обыкновенным и необыкновенным), распространяющихся с разными скоростями и различно поляризованных.
В таких кристаллах могут быть выделены три взаимно перпендикулярных направления (х, у, г), показатели преломления света вдоль которых, вообще говоря, различны (nx, nу и nz соответственно). В ряде кристаллов, называемых одноосными, направления Ох и Оу оказываются равнозначными; в этом случае по=п,х или nу и ne=nz представляют собой показатели преломления для обыкновенной и необыкновенной световых волн. При n0?ny?nx кристаллы называют двуосными.
При распространении луча вдоль оси Оz (ось оптической симметрии) в одноосном кристалле скорость света не зависит от характера поляризации. Если же к кристаллу прикладывается электрическое поле, то значения nх и nу начинают различаться, кристалл становится двуосным и скорости распространения световых волн, поляризованных в направлениях Ох и Оу, оказываются различными.
Феноменологически можно считать, что показатель преломления для обыкновенной волны в направлении Оz изменяется линейно с напряженностью электрического поля
nо(Е)=nо+rП*Е,(5.1)
где rП -- коэффициент пропорциональности. Это изменение показателя преломления, пропорциональное напряженности электрического поля, и составляет суть эффекта Поккельса. В практически интересном случае, когда излучение распространяется под углом 45° по направлению к кристаллографической оси Оz, выполняется соотношение
rП=1/2((n03)*r63),
где r63 -- электрооптический коэффициент, см/В (использование сложного индекса означает, что r63 представляет собой компонент соответствующего тензора). Важная особенность эффекта Поккельса--его практическая безынерционность (вплоть до 10-13 с), свойственная полевым эффектам вообще.
По мере проникновения луча света в глубь кристалла изменяется разность фаз между колебаниями с различной поляризацией; соответственно этому характер поляризации на выходе оказывается иным, чем на входе. В зависимости от длины путей в кристалле и приобретенной разности фаз между этими лучами ?ц0e , характер поляризации на выходе кристалла будет изменяться так, как это показано в табл. 1.6.
В соответствии с взаимной ориентацией направлений распространения светового луча Оz и напряженности электрического поля Е выделяют продольный (Оz||Е) и поперечный (Оz+Е) эффекты Поккельса.
Классическим электрооптическим материалом являются кристаллы КDР (дигидрофосфата калия КН2РО4), прозрачные в области спектра л=0,35 ... 1.34 мкм и имеющие rвз=10-11 м/В. Из той же группы веществ получили распространение кристаллы ADP(NH4H2PO4), АDА(NН4Н2Аs04), СDА(СsН2Аs04) и их дейтерированые модификации (например, КD2Р04 обозначается DКDР). Очень перспективны также ниобат лития (LiNbО3) и танталат лития (LiТаО3) , имеющие более широкую область прозрачности (л=0.4 ... 4 мкм).
Определенный практический интерес представляет и квадратичный электрооптический эффект (эффект Кер-ра), наблюдаемый в центросимметричных веществах (жидкости, газы, аморфные тела) и описываемый соотношением
-- постоянная Керра.
Здесь выделяются кристаллы группы перовскитов: танталат ниобат калия КТN (КТа0,65Nb0.35O3 ), титанат бария (ВаТiOз), а также некоторые жидкости: нитробензол, сероуглерод и др.
5.2 Устройство электрооптического модулятора
Устройство электрооптического модулятора основано на том, что, изменяя напряжение, прикладываемое к кристаллу, можно осуществить фазовую модуляцию линейно-поляризованного света или модуляцию направления вектора поляризации света, а помещая на выходе анализатор--преобразовать фазовую модуляцию в амплитудную.
Типичный модуляционный элемент (рис. 1.17) состоит из двух кристаллов одинаковых размеров, ориентированных так, что их кристаллографические оси взаимно ортогональны (два кристалла используются для компенсации температурных колебаний окружающей среды).
Интенсивность света на выходе такого элемента без учета поглощения в кристалле определяется соотношением
где и0 -- интенсивность входного луча, а U0,5л - полуволновое напряжение, равное такому напряжению управления, при котором достигается полное изменение светопропускания модулятора (при этом два луча света с взаимноортогональной поляризацией сдвигаются относительно друг друга на половину длины волны, т. е. ?ц =р). Полуволновое напряжение, представляющее важнейшую характеристику модулятора, для устройства, представленного на рис. 1.17, равно
(1.16)
При использовании продольного эффекта Поккельса U0.5л возрастает в l/d раз по сравнению с (1.16), однако величина управляющей мощности при этом не уменьшается. Значение параметра U0.5л для различных модуляторов лежит в пределах от сотен вольт до единиц киловольт. Высокое управляющее напряжение является одним из наиболее существенных недостатков электрооптических модуляторов. Граничные частоты этих приборов, определяемые величиной собственной емкости, обычно составляют сотни мегагерц, но могут лежать и в гигагерцовом диапазоне. Из других параметров важными являются прозрачность (составляющая 50...90%) и величина остаточного потока (3 ... 7%), проходящего через полностью затемненный модулятор. Комбинированным параметром, характеризующим величину, обратную добротности модулятора, является отношение управляющей мощности к полосе частот; у электрооптических приборов эта величина близка к 10-1 мВт/МГц.
5.3 Магнитооптические модуляторы
Для изготовления модуляторов света могут использоваться и магнитооптические вещества, такие, например, как феррит-гранаты, прозрачные вплоть до 1,5 ... ... 2 мкм. Принцип их действия основан на эффекте Фарадея: при прохождении света через среду, помещенную в магнитное поле, наблюдается поворот плоскости поляризации луча. Быстродействие магнитооптических модуляторов значительно уступает электрооптическим (типично fпред~104 Гц), однако добротность их примерно на порядок выше.
Основные пути совершенствования модуляторов: уменьшение управляющих напряжения и мощности, увеличение граничной частоты, повышение добротности -- связаны с поисками новых, более совершенных материалов и с переходом на тонкопленочную технологию. (см. гл. 6)
Магнитные нанокомпозиты, в которых ферромагнитные гранулы с размером близким к однодоменному хаотически расположены в диэлектрической матрице, представляют собой класс наноструктурных магнитных материалов с необычными и перспективными для практических приложений свойствами. Наличие в таких системах гигантского и туннельного магнитосопротивления, гигантского аномального эффекта Холла, большой магнитооптической активности, аномального оптического поглощения и др. представляет как фундаментальный, так и практический интерес. Недавно в этих системах обнаружен и новый магнитооптический эффект - магниторефрактивный эффект (МРЭ), который состоит в значительном изменении оптических параметров нанокомпозитов с туннельным магнитосопротивлением при их намагничивании. Наряду с трехмерными нанокомпозитами металл-диэлектрик, большой интерес представляют трехмерные системы ферромагнитный металл - немагнитный полупроводник и ферромагнитный металл - антиферромагнетик, а также квазидвумерные гибридные мультислои, в которых ультратонкие слои нанокомпозитов разделены диэлектрическими прослойками.(10)
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Квадратурные и аналоговые квадратурные модуляторы и демодуляторы. Цифровые модуляторы с интерполятором и ЦАП, с АЦП и дециматором. Модемные протоколы, в которых используется алгоритм КАМ - его энергетический спектр сигнала и помехоустойчивость.
реферат [780,5 K], добавлен 25.12.2008Назначение и виды модемов – устройств для передачи данных. Специфика формирования сигналов в источнике бесперебойного питания. Модуляторы с непосредственным и с косвенным воздействием на частоту генератора. Многократная относительная фазовая модуляция.
контрольная работа [120,2 K], добавлен 01.11.2011Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат [30,6 K], добавлен 14.02.2016Методы расчета усилительных каскадов на основе транзисторов. Проектирование усилителя модулятора лазерного излучения. Приобретение конкретных навыков в расчете усилительных каскадов на примере решения конкретной задачи. Расчет широкополосного усилителя.
курсовая работа [461,3 K], добавлен 23.06.2008Экспериментальное исследование основных параметров и характеристик схем модуляторов многоканальных систем передач. Преобразователи частоты. Простейший, двойной балансный, простой активный, активный балансный и активный двойной балансный модуляторы.
лабораторная работа [8,5 M], добавлен 02.07.2008Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа [551,5 K], добавлен 19.05.2011Структура и компоненты волоконно-оптической системы связи. Светоизлучающие и лазерные диоды. Модуляторы, физические принципы работы и элементы передающих оптоэлектронных модулей. Оптический гетеродинный прием, технические характеристики фотоприемников.
контрольная работа [3,6 M], добавлен 24.08.2015Источники излучения и промежуточная среда. Физическая природа излучения источника, собственное и отраженное излучение. Функции оптической системы. Приемники излучения (определение и классификация). Усилитель и другие элементы электронного тракта.
реферат [662,9 K], добавлен 10.12.2008Распространение оптических сигналов. Когерентность светового луча. Анализ источников некогерентного излучения. Энергия лазерного излучения. Тепловые и фотоэлектрические приемники излучения. Волоконно-оптическая сеть. Развитие оптических коммуникаций.
презентация [1,6 M], добавлен 20.10.2014Принцип действия фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Фильтры на поверхностных акустических волнах имеют принципиальные преимущества перед другими фильтрами, основанными на эффекте преобразования электрических колебаний в акустические.
реферат [225,4 K], добавлен 06.01.2009Передающие оптоэлектронные модули, их применение. Построение зависимости выходной мощности источника оптического излучения от величины электрического тока. Определение зависимости чувствительности фотодетектора от длины волны оптического излучения.
контрольная работа [231,3 K], добавлен 05.05.2014Оптические кабели и разъемы, их конструкции и параметры. Основные разновидности волоконно-оптических кабелей. Классификация приемников оптического излучения. Основные параметры и характеристики полупроводниковых источников оптического излучения.
курс лекций [6,8 M], добавлен 13.12.2009Обоснование структурной схемы: синтезатор, фазовый модуляторы, широкополосный усилитель. Расчет оконечного каскада, выходной колебательной системы, перенастраиваемого генератора. Амплитуда модулирующих колебаний. Выбор источника вторичного электропитания.
курсовая работа [368,1 K], добавлен 27.05.2013Обзор оптических свойств преобразователей оптического излучения при разных температурах. Изучение возможностей прибора для нагревания кристаллов, собранного на базе ПИД-регулятора ОВЕН ТРМ101. Настройка прибора, разработка инструкции по пользованию им.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 30.06.2014Радиотехнический сигнал: понятие и принципы реализации, классификация и разновидности, сферы практического применения. Представление сигнала и спектр. Виды модуляции радиотехнического сигнала и его основные параметры, анализ. Частотные модуляторы.
контрольная работа [710,3 K], добавлен 15.05.2012Основы построения оптических систем передачи. Источники оптического излучения. Модуляция излучения источников электромагнитных волн оптического диапазона. Фотоприемные устройства оптических систем передачи. Линейные тракты оптических систем передачи.
контрольная работа [3,7 M], добавлен 13.08.2010Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.
реферат [1,3 M], добавлен 09.03.2007Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа [1,8 M], добавлен 24.08.2015Структурная схема усилителя. Распределение линейных искажений в области ВЧ. Расчёт выходного каскада. Расчёт полосы пропускания. Расчёт цепей термостабилизации. Расчёт входного каскада по постоянному току. Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей.
курсовая работа [413,2 K], добавлен 01.03.2002Генераторы импульсных признаков (модуляторы). Задающий каскад двухчастотного генератора из системы ДЦ "Нева". Переключение генератора с одной частоты на другую. Шифраторы импульсных признаков и шифраторы комбинаций. Дешифраторы импульсных признаков.
реферат [2,8 M], добавлен 28.03.2009