Общая классификация методов очистки подложек, их назначение и возможности. Преимущества и недостатки различных методов очистки подложек

Размещено на http://www.allbest.ru

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»

КАФЕДРА № 32: ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ И РОБОТОТЕХНИКЕ

РЕФЕРАТ

Общая классификация методов очистки подложек, их назначение и возможности. Преимущества и недостатки различных методов очистки подложек

по дисциплине: МИКРО И НАНОТЕХНОЛОГИИ

Санкт-Петербург 2014

Введение

Подложка -- термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.

Подложка в фотоматериалах и киноматериалах -- основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.

Подложка в микроэлектронике -- это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с помощью процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д. подложка полупроводниковый загрязнение очистка

При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.

Развитие и производство полупроводниковых изделий и подложек на сегодняшний день

В настоящее время производство полупроводниковых изделий быстро развивается. Характерными тенденциями современного полупроводникового производства являются повышение степени интеграции элементов на кристалле, увеличение диаметра пластин с соответствующим уменьшением топологических норм [1,2]. На рис.2.1 представлена тенденция изменения во времени сложности выпускаемых интегральных схем.

Рис.2.1. Изменение минимального размера элементов и объема динамической памяти (от килобайт до гигабайт) электронных элементов во времени

Понятие классификации и методов отчистки

При производстве микроэлектронных изделий осуществляется прохождение полупроводниковых пластин по технологическому маршруту. С точки зрения механизма процессов все методы очистки можно условно разделить на физические и химические. При физических методах загрязнения удаляются простым растворением, отжигом, обработкой поверхности ускоренными до больших энергий ионами инертных газов. После различных процессов (удаления фоторезиста, травления технологических слоев и других) проводится химическая обработка подложек для очистки поверхности от различных загрязнений и подготовки подложек к последующим технологическим операциям (ионному легированию, нанесению эпитаксиальных слоев, высокотемпературным диффузионным операциям) [3,4]. Химическая обработка проводится также при изготовлении структур без проведения предварительных операций, например, при подготовке подложек к соединению (сращиванию) при изготовлении структур "кремний на изоляторе"

В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую.

Жидкостная очистка выполняется органическими - растворителями; разнообразными составами, содержащими щелочи, кислоты, пероксид, и другие реактивы, водой.

Подобрать жидкое средство, одновременно удаляющее все возможные поверхностные загрязнения, весьма сложно, поэтому жидкостная очистка включает ряд последовательных операций.

Нерастворимые в воде органические жировые загрязнения делают поверхность гидрофобной, т. е. плохо смачиваемой водой и большинством растворов.

Для равномерной очистки поверхность подложек (пластин) необходимо перевести в гидрофильное, т. е. хорошо смачиваемое водой, состояние.

Рисунок 1 Классификация методов очистки и травления пластин и подложек

Сухая очистка применяется на этапе формирования элементов и межэлементных соединений микросхем и, как правило, выполняется непосредственно перед проведением ответственных технологических процессов (напыление пленок, литография) или совмещена, т. е. проводится в одном оборудовании, с последующей обработкой (например, с получением термического оксида, с эпитаксиальным наращиванием полупроводниковых слоев).

Методы сухой очистки исключают необходимость применения дорогостоящих и опасных в работе жидких реактивов, а также проблемы межоперационного хранения пластин и подложек и очистки сточных вод, которые являются немаловажными при использовании жидких средств очистки.

Кроме того, процессы сухой очистки более управляемы и легче поддаются автоматизации.

С точки зрения механизма процессов все методы очистки можно условно разделить на физические и химические (см. рисунок 1). При физических методах загрязнения удаляются простым растворением, отжигом, обработкой поверхности ускоренными до больших энергий ионами инертных газов.

В тех случаях, когда загрязнения нельзя удалить физическими методами, применяют химические методы, при которых загрязнения удаляют: их замещением легко удаляемыми веществами, переводом в легко растворимые комплексные соединения или травлением пластин (подложек). Травление сопровождается удалением поверхностного слоя вместе с имеющимися на поверхности загрязнениями.

На рисунке 1 мы выделили травление, чтобы подчеркнуть, что в технологии микросхем (как будет ясно далее) травление не всегда имеет целью очистку.

Оно применяется для размерной обработки, удаления слоя с нарушенной механическими обработками структурой, локального удаления слоев различных материалов при формировании топологии микросхем, выявления поверхностных дефектов полупроводников и др.

Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий

Химическая и физическая обработка полупроводниковых пластин является очень важной в процессе производства ИС различного назначения. Результаты подготовки подложек оказывают решающее влияние на получение различных структур и микроэлектронных изделий на их основе [6,7]. В зависимости от сложности получаемых изделий операции очистки поверхности подложек занимают до трети общего количества всех технологических этапов изготовления полупроводниковых изделий. Степень очистки оказывает непосредственное влияние на качество продукции, поэтому все больше микроэлектронных компаний прилагает усилия в этом направлении

Важность снижения уровня загрязнений

Микроэлектроника развивается в сторону совершенствования полупроводниковых изделий, технологический маршрута изготовления которых усложняется (табл.2.1).

Таблица 2.1

Характеристики ИС

C уменьшением минимальных размеров элементов B_min и межсоединений в интегральных схемах механические загрязнения (частицы) малых размеров оказывают все большее отрицательное влияние на работу приборов. Так, линейное увеличение плотности дефектов на кремниевой пластине экспоненциально уменьшает выход годных изделий .

Требования к чистоте поверхности зависят от уровня реализуемой технологии и параметров изготавливаемого изделия. К примеру, размер механических загрязнений на пластине должен быть на порядок меньше минимального топологического размера элементов.

По мере снижения размеров загрязнений сложность их удаления с поверхности резко увеличивается, поэтому в мировом производстве микроэлектронных изделий проводится непрерывный поиск оптимальных процессов химической обработки подложек .

Классификация загрязнений

К чистой поверхности кремниевых пластин предъявляются требования по минимальному содержанию различных загрязнений: органических, примесей металлов, механических частиц.

Загрязнения на поверхности пластин кремния могут быть органического и неорганического происхождения и их можно условно разделить по форме на жидкие и твердые пленочные загрязнения, частицы. Частицы и пленочные загрязнения могут состоять из ионов, атомов, молекул и т.д. Органические загрязнения присутствуют в остатках фоторезиста, различного вида жиров, смазки и масел, использующихся в производстве.

Загрязнения могут присутствовать в виде молекул, ионов, атомов, а также образовывать соединения между собой и подложкой. Атомные загрязнения представляют собой металлические пленки или частицы, например, электрохимически осажденные пленки металлов (Au, Ag, Cu и др.); частицы материала (Si, Fe, Ni и др.). Ионные загрязнения представляют собой катионы или анионы из неорганических химических растворов, например, Na⁺, Cl^-, SO₃^2-.

Загрязнения могут быть разделены по типу их физико-химического взаимодействия с поверхностью полупроводника. Физические (или механические) загрязнения (пыль, волокна, абразивные и металлические частицы, органические загрязнения) связаны с поверхностью силами физической адсорбции. Наиболее опасными являются химические загрязнения, так как требуют большей энергии для удаления с поверхности, поскольку связаны с ней силами хемосорбции. В качестве примера химических загрязнений можно назвать окисные и сульфидные пленки, катионы, атомы металлов и др. .

Кроме того, при очистке подложек предъявляются требования к состоянию поверхности, а именно: изменение шероховатости поверхности в процессе химической обработки и наличие естественного слоя SiO₂. Особенно актуальным вопрос шероховатости поверхности становится при изготовлении ИС с B_min < 1 мкм при получении структур КНИ методом соединения двух полупроводниковых подложек.

Источники загрязнений

Источники загрязнений различны. Их можно условно разделить на несколько категорий.

Рабочий персонал. Для вентиляции чистой комнаты используют метод ламинарного потока сверху вниз, который может быстро удалять пыль, источником которой является обслуживающий персонал.

Окружающая среда. Чистота производственного помещения должна соответствовать уровню проводимых работ с пластинами. Уровень загрязнений частицами на поверхности пластин является следствием воздействия окружающей среды, используемой для хранения и транспортировки кассет с пластинами. В настоящее время для производства ИС с B_min = 1 мкм и меньше используют чистые производственные помещения (ЧПП) класса 1 - 10 . Снижения плотности загрязнений можно добиться созданием микрообъема с пластинами, с контролируемой подачей фильтрованного азота без очистки всего производственного помещения [16].

Материалы. С целью поддержания высокой чистоты химических растворов и технологических сред применяют фильтрацию, рецикл. С увеличением степени интеграции схем возрастают требования к химической чистоте материалов, плотности и физическим размерам поверхностных микродефектов.

Физические жидкостные и сухие методы отчистки

Сухие

1) Ионное травление обусловлено удалением поверхностных слоев материалов в результате физического распыления высокоэнергетическими ионами инертных газов. Если обрабатываемый материал помещен на электродах или держателях, соприкасающихся с плазмой разряда, то травление в таких условиях называют ионно-плазменным. Если материал помещен в вакуумную зону обработки, отделенную от области плазмы, то травление в этих условиях называют ионно-лучевым.

2) Термообработка (отжиг) применяется для удаления адсорбированных поверхностью примесей, разложения под действием высоких температур поверхностных загрязнений и испарения летучих соединений. Она осуществляется в вакуумных и термических установках непосредственно перед проведением основных технологических процессов, например перед нанесением тонких пленок, перед нанесением фоторезиста и т. д. Эффективность очистки увеличивается с ростом температуры, которая ограничена температурой плавления очищаемых материалов.

Жидкостные

1) Обезжиривание в органических растворителях. Операция удаления жировых загрязнений, сопровождаемая переводом поверхности из гидрофобного(т. е. плохо смачиваемой водой и большинством растворов) состояния в гидрофильное(т. е. хорошо смачиваемой водой и большинством растворов), называется обезжириванием. Обезжиривание -- первая операция при жидкостной очистке, при которой используют органические растворители. Жиры минерального происхождения(пасты, смазки, минеральные масла)которые не растворяются в воде, удаляют органическими растворителями. Органические растворители очень токсичны.

Применять их можно только при наличии специального оборудования и соблюдения правил техники безопасности. Наиболее широко в настоящее время для обезжиривания поверхности используются негорючие растворители: Трихлорэтилен, тетрахлорэтилен, четыреххлорисый углерод и фреон. В трихлорэтилене можно проводить обезжиривание поверхности большинства металлов: стали, меди, никеля и их сплавов. Не допускается обезжиривание титана и алюминия, так как этот раствор нагревается и происходит разложения с выделением ядовитых загрязнений. Наиболее универсальным являются фторсодержащие углеводороды. Обезжиривание проводится на оборудовании ,исключающем попадание паров в атмосферу. Минусом в этом способе отчистке является не полная очистка, после которой деталь идем на химическое обезжиривание.

2) Отмывка в воде - удаления загрязнения с помощью воды. Является самым неэффективным способом.

Химические жидкостные и сухие методы отчистки

Методы проведения "жидкостной" химической обработки

В зависимости от уровня технологии, требуемого уровня чистоты и состояния поверхности применяются различные методы проведения процесса химической обработки.

1) Погружение в растворы. Для реализации процессов химической обработки в технологии СБИС уровня 0,8 - 1,2 мкм применяется метод погружения структур в ванны с рабочими растворами. Комплект оборудования для операций химической обработки состоит из ванн различного назначения, скомпонованных в единую технологическую линию [9,57]. В технологическую ванну заливается химический раствор, в котором производится обработка, к примеру, смесью H₂SO₄/H₂O₂. Оборудование разделено на несколько комплексов в соответствии с видом "жидкостной" обработки и смежной технологической операции.

У поверхности полупроводниковой кремниевой пластины, обрабатываемой в химическом растворе, всегда находится пленка неподвижного граничного слоя, которая экранирует поверхность от воздействия химического реагента. Толщина этой пленки достигает величины 100 мкм и более в зависимости от топологического рельефа и химических свойств поверхности. Это является причиной сравнительно низкой эффективности обработки [58,59]. Для увеличения эффективности обработки применяют методы физического воздействие на загрязнения, среди которых: обработка кистями с подачей моющего раствора, воздействие высокого давления струи моющего раствора, ультразвуковая, мегазвуковая обработки.

2) Мегазвуковая обработка. Установка мегазвуковой (МЗ) очистки обычно состоит из рабочей ванны и ванны отмывки [60]. Звуковые волны 0,8-1,0 МГц генерируются в рабочей ванне рядом пьезоэлектрических излучателей и имеют мощность порядка 5  10 Вт/см² [12]. Удаление частиц загрязнений с поверхности подложки при мегазвуковой обработке достигается в основном за счет уменьшения толщины граничного акустического слоя до уровня микрометров за счет воздействия микропотоков. Моющая жидкость проникает в область контакта поверхности и загрязнения, силы адгезии ослабевают, и частица переходит в объем раствора [61]. С уменьшением кинематической вязкости очищающего раствора и увеличением частоты и мощности звуковых колебаний толщина граничного слоя уменьшается [62].

3) Ультразвуковая обработка. При использовании ультразвуковых (УЗ) волн с частотами 20-50 кГц устранение загрязнений вызывает кавитационный эффект. При использовании УЗ волн в растворе, омывающем пластину, создаются переменные сжимающие и растягивающие напряжения, под действием которых образуются кавитационные пузырьки. Явление кавитации заключается в "схлопывании" газовых пузырьков, образующихся при сжатии и расширении жидкости [63]. Недостатком метода является вероятность разрушения обрабатываемых подложек.

4) Обработка струей жидкости высокого давления. С помощью струи моющей жидкости, подающейся из сопла (0,1 мм) при высоком давлении (20 - 200 кг/см²), проводится очистка поверхности подложек от загрязнений. Очистка поверхности происходит при воздействии на загрязнения струи с силой, превышающей силы адгезии. Чем больше вязкость жидкости, тем большее действие оказывает струя на частицы загрязнений, но тем больше вероятность повреждения поверхности. При использовании данного метода обработки наибольшие трудности заключаются в возникновении статического электричества на поверхности структур и, как следствие, высокого уровня остаточных загрязнений [64].

5) Аэрозольно-капельное распыление растворов. В случае контакта полупроводниковой пластины с воздухом производственных помещений при транспортировке, различных манипуляциях на поверхности структур осаждается несколько молекулярных слоев жидкости [33]. Осаждение загрязнений между технологическими операциями является существенной проблемой, которая решается проведением всех технологических операций (обработка, промывка, сушка) в закрытой камере [36,65]. Такое условие реализовано в центрифужной обработке подложки аэрозольно-капельным распылением растворов. Химические реагенты, вода в необходимой пропорции и определенной последовательности подаются в виде аэрозоля на вращающиеся структуры. Все процессы обработки, сушки проходят в автоматическом режиме по заданной программе. Так как под действием центробежных сил происходит сброс с пластин продуктов реакции, на поверхности всегда находится пленка свежего раствора. Основными преимуществами данного метода обработки пластин являются повышенная безопасность, производительность, эффективность очистки [66].

6) Кистевая обработка. Используется очистка кистями, при которой Si пластины поочередно проходят процесс удаления загрязнений с лицевой поверхности механическим воздействием кисти с подачей моющего раствора (например, сильно разбавленного водного раствора аммиака) [12,67]. Существуют различные мнения о влиянии конструкции частей агрегата, силы прижима кисти на эффективность отмывки. Возможно применение систем очистки с двухсторонней обработкой пластин щетками [67]. Однако существенный недостаток метода заключается в возможности повреждения поверхности под действием прижима кисти.

Размещено на http://www.allbest.ru

Рис.2.9. Зависимость уровня остаточных загрязнений на поверхности Si пластин диаметром 150 мм от количества циклов обработки различными методами: 1 - погружением в растворы по стандартной методике; 2 - с применением мега-звуковой энергии в растворе NH4OH/H2O2/H2O; 3 - аэрозольно-капельным распылением растворов H2SO4/H2O2; H2O/HF; NH4OH/H2O2/H2O; HCl/H2O2/H2O

Качество очистки поверхности подложек после проведения разных методов химической обработки различно. На рис.2.9 представлен уровень остаточных механических загрязнений размером более 0,3 мкм на поверхности Si пластин диаметром 150 мм после проведения нескольких циклов химической обработки разными методами.

Рассматривались следующие "жидкостные" процессы химической обработки, применяемые в настоящее время на отечественных микроэлектронных предприятиях:

- погружение в растворы - последовательная обработка в смеси H₂ SO₄/H₂O₂ с соотношением компонентов 7:3, при температуре 130 С, в течение 3 мин; затем в NH₄OH/H₂O₂/H₂O (1:1:6,5), 65 С;

- мегазвуковая обработка - использовался раствор NH₄OH/H₂O₂/H₂O (1:1:6,5), 20 С, 10 мин; частота волн 850 кГц, мощность излучателя 250 Вт;

- аэрозольно-капельное распыление растворов H₂SO₄/H₂O₂(4:1), 110 С, 90 с; H₂O/HF (1:100), 20 С, 60 с; NH₄OH/H₂O₂/H₂O (1:2:12), 60 C, 250 с; HCl/H₂O₂/H₂O (1:2:12), 60 C, 160 с.

Исследования остаточных загрязнений Si пластин после различных методов химической обработки показали, что обработка аэрозольно-капельным распылением растворов и обработка с применением мегазвуковой энергии предпочтительнее других методов.

"Сухая" химическая обработка

Другим подходом к процессам травления и очистки поверхности полупроводниковых пластин является применение "сухих" методов обработки. Указанные методы развиваются и находят широкое применение в современном производстве ИС [68, 69]. Имеется тенденция замены в будущем "жидкостной" химической обработки на "сухую" [70]. С повышением степени сложности процессов, применяемых при изготовлении структур, стали применяться новые типы фоторезиста, удаление которых в процессе "жидкостной" обработки постепенно становится неэффективным. С уменьшением B_min ИС до 0,18 мкм связано появление новых технологий травления. На поверхности остаются загрязнения, которые не могут быть удалены при помощи "жидкостных" методов очистки. В табл. 2.5 представлены "сухие" методы химической обработки поверхности.

1) Испарение. Очистка поверхности подложек производится в парах химических реагентов. В этом случае подложка нагревается, происходит химическая реакция на поверхности полупроводниковых пластин (например, комплексообразование металлических примесей), после чего испарением удаляются продукты реакции с поверхности. Основной целью подобной обработки является удаление слоев SiO₂ [14,71].

Удаление металлических загрязнений затруднительно, поэтому необходимо сочетание с другими методами очистки поверхности полупроводниковых пластин, так как возможны вторичные реакции на поверхности подложек, повреждение поверхности.

2) Обработка в плазме. Плазменные методы очистки основаны в основном на операциях снятия фоторезиста, зачистки перед удалением слоя SiO₂ [72]. Однако использование плазмы для очистки поверхности от различных загрязнений, например, с использованием фторидных соединений, требует дополнительного удаления продуктов плазменного процесса [73].

3) Криогенная обработка аэрозолями. Метод применяется для удаления продуктов плазменного травления. Он заключается в бомбардировке поверхности кремниевой структуры замерзшими частицами инертных газов, таких как Ar или CO₂, отрывающими загрязнения с поверхности пластин. Происходит передача импульсов движения частицам загрязнений на поверхности, которые в результате бомбардировки отделяются и переносятся от поверхности структуры потоком газа-носителя. Криогенная обработка наиболее эффективна по удалению полимерной высадки, остающейся после снятия пленки фоторезиста [73-75].

4) Воздействие УФ-излучением. В процессе воздействия УФ-излучения при нагревании происходит быстрое разложение и удаление органического вещества. Далее образовавшийся слой SiO₂ удаляют травлением в водном растворе плавиковой кислоты. На подготовленной таким образом поверхности структуры находится моноатомный слой водорода (H), соединенного свободными связями Si. Поверхность структуры, пассивированная водородом, обладает значительно большей устойчивостью к окислению по сравнению с поверхностью, полученной обычными методами [73]. Отмечаются лучшие характеристики диэлектрических слоев, полученных после проведения УФ-обработки по сравнению с "жидкостной" обработкой [27].

5) Лазерное излучение. В [76] рассмотрен метод очистки в смеси газов при 200 С с использованием лазера 248 нм KrF. В [77] авторами утверждается, что очистка с применением лазера эффективнее "жидкостной" очистки RCA.

Применением того же эксимерного лазера убирают полимерную высадку, образующуюся при плазмохимическом травлении металлических покрытий (к примеру, Al-Cu-TiN).

При обработке погружением в растворы полимерная высадка удаляется специальными реагентами, к примеру, растворами фирмы "ЕКС Technology" [78].

Таким образом, в микроэлектронике осуществлен переход на уровень технологии изготовления полупроводниковых приборов, где применение "жидкостных" методов обработки невозможно. Основным преимуществом "сухих" методов обработки поверхности подложек является снижение количества продуктов химических реакций за счет уменьшения объема потребляемых реагентов, минимизации размеров установок. Однако у "сухих" методов обработки есть существенные недостатки. В [79,80] авторами рассматриваются основные проблемы, возникающие при обработке структур "сухими" методами очистки и удалении фоторезиста.

Наиболее важной является повреждение поверхности подложек в результате обработки, дополнительный заряд на пластинах [81]. Максимальная устойчивость маски фоторезиста к температуре около 150 С, поэтому серьезной проблемой является температурный предел нагревания пластины. "Сухие" методы обработки поверхности подложек не в полной мере удовлетворяют требованиям удаления всех типов загрязнений [2]. Кроме того, при "жидкостной" обработке очищаются обе поверхности полупроводниковых пластин, а при "сухой" в основном уделяется внимание только лицевой стороне подложек.

Заключение

После ознакомления со всеми видами отчистки подложки я хотел бы прийти к выводу, что химическая отчистка подложек намного лучше очищает поверхность подложки, чем физическая очистка.

Литература

Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. Учебник для ВУЗов - М; Радио и связь, 2007 - 464 с: ил.

Технология СБИС. В 2 кн. Пер. с англ./Под ред. С.Зи,- М.: Мир, 2006.-786 с.

Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 2001.-528 с.

Достанко А.П., н.: Выш.шк., 2000.-238 с.

Таруи Я. Основы технологииБаранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС.-М СБИС Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 2000-480 с.

Баранов Ю.Л., Круглов И.И. Автоматизация производства полупроводниковых приборов // Обзоры по ЭТ. (Сер. 2. Полупроводниковые приборы) 1990. Вып. 4(1556).

Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Калугин В.В. Технология КНИ структур // Петербургский журнал электроники. 2000. № 1. С. 8 - 25.

Burkman D. Optimizing the cleaning procedure for silicon wafers prior to high temperature operations // Semiconductor International. 1981. V. 14. № 14. Jul. P. 104 - 116.

. Bansal I., Particle contamination during chemical cleaning and photoresist stripping of silicon wafer // MICRO. 1984. V. 2. №. 8. P. 35 - 40.

Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Залужный А.Г., Калугин В.В., Дьячков С.А., Прокопьев Е.П., Реутов В.Ф., Шарков Б.Ю. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ // Препринт ИТЭФ 27-00. 2000. 51 с.

Tong Q.-Y., Gosel M. Wafer bonding and layer splitting for microsystems // Adv. Mater. V. 11. № 17. 1999. P. 1409 - 1425.

Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Суворов А.Л. и др. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Институт теоретической и экспериментальной физики. 2000. С. 2

Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. М. "Микрон-принт". 1999.

Микитась Н.К., Минкин М.Л., Сухопаров А.И. Организационно-технические аспекты создания призводства СБИС уровня технологии 0,8-1,2 мкм на кремниевых пластинах диаметром 150 мм // Труды Proceeding 2A. Вып. 2. 1997.

Размещено на Allbest.ru