Исследование полевого транзистора с управляющим p–n-переходом
Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 20.09.2014 |
| Размер файла | 187,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Лабораторная работа
Исследование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Цель работы: исследование характеристик кремниевого полевого транзистора с p-n-переходом и определение его физико-топологических параметров.
Типы и параметры объектов исследования:
Таблица 1
|
Максимальное напряжение сток-исток |
10V |
|
|
Максимальное напряжение затвор-исток |
10V |
|
|
Ток утечки затвора |
0,02µA |
|
|
Начальный ток стока |
1,0..5,5mA |
|
|
Напряжение отсечки |
1..4V |
|
|
Крутизна характеристики |
1..3,3mA/V |
|
|
Максимальная мощность |
38mW |
|
|
Входная ёмкость |
< 20pF |
|
|
Проходная ёмкость |
< 8pF |
|
|
Коэффициент шума |
< 3dB |
|
|
Максимальная рабочая частота |
3MHz |
|
|
Максимальная температура |
+85°С |
Рис.1 Схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Результаты измерений
Таблица 2 Статические выходные вольт-амперных характеристики (U=0В)
|
Ic, mA |
0 |
-1 |
-2 |
-3 |
-3,5 |
-4 |
-4,4 |
|
|
Uси, В |
0 |
-0,5 |
-1 |
-1,8 |
-2,5 |
-3 |
-5 |
Таблица 3 Статические выходные вольт-амперных характеристики (U=1В)
|
Ic, mA |
0 |
-0,5 |
-1,2 |
-1,4 |
-1,6 |
-1,8 |
-1,9 |
-1,95 |
|
|
Uси, В |
0 |
-0,5 |
-1 |
-1,5 |
-2 |
-3 |
-5 |
-6 |
Таблица 4 Статические выходные вольт-амперных характеристики (U=2В)
|
Ic, mA |
0 |
-0,16 |
-0,28 |
-0,32 |
-0,36 |
-0,39 |
-0,4 |
|
|
Uси, В |
0 |
-0,5 |
-1 |
-2 |
-3 |
-5 |
-7 |
Рис.2 Статические выходные вольт-амперные характеристики
Таблица 5 Передаточные характеристики (Uси = -5В)
|
I, mA |
4,2 |
3 |
1,8 |
1 |
0,4 |
0 |
|
|
U,B |
0 |
0,5 |
1 |
1,5 |
2 |
2,5 |
Таблица 6 Передаточные характеристики (Uси = -2В)
|
I, mA |
3,4 |
2,4 |
1,6 |
0,8 |
0,2 |
0 |
|
|
U,B |
0 |
0,5 |
1 |
1,5 |
2 |
2,5 |
Рис.3 Передаточные характеристики
Расчеты физико-топологических параметров транзистора
Определение и
Получаем систему уравнений:
Получаем: и
Определение L:
Определение :
Определение :
Определение :
транзистор полевой крутизна проводимость
Вывод
В ходе работы были получены вольтамперные характеристики полевого транзистора. С помощью этих характеристик были получены такие важные величины как крутизна и проводимость канала. Они, в свою очередь, связаны с физико-топологическими параметрами транзисторной структуры, что дало возможность их численного определения.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат [574,2 K], добавлен 07.10.2011История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом.
курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.
курсовая работа [696,8 K], добавлен 25.11.2014Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат [106,1 K], добавлен 15.11.2009Особенности проектирования и расчета интегрального МОП-транзистора. Структура и граничная частота n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения. Определение геометрических размеров канала. Характеристика параметров областей истока и стока.
курсовая работа [206,7 K], добавлен 16.02.2016Принцип работы полевого транзистора. Методы обеспечения большого коэффициента передачи тока. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Структура и эквивалентная электрическая схема элемента инжекционно-полевой логики с диодами Шотки.
реферат [1,4 M], добавлен 12.06.2009Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Общие сведения об усилителях мощности на полевых транзисторах. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office. Модель полевого транзистора с барьером Шотки. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.
курсовая работа [440,5 K], добавлен 24.03.2011
