Исследование полевого транзистора с изолированным затвором
Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 20.09.2014 |
| Размер файла | 411,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Лабораторная работа
Исследование полевого транзистора с изолированным затвором
Цель работы: ознакомление с устройством и назначением полевых транзисторов с изолированным затвором, экспериментальное исследование их характеристик и параметров в статическом и динамическом режимах работы.
Типы и параметры объектов исследования:
Полевой транзистор с изолированным затвором КП301
* Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
* Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
* Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора -- напряжение между затвором и истоком: 2,7... 5,4 В;
* Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
* Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
* Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА;
* Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА;
* S - Крутизна характеристики: 1... 2,6 мА/В;
* С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ;
* С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
* С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ;
* Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 9,5 дБ на частоте 100 МГц
транзистор полевой затвор ток
Рис.1 Схема для проведения исследований полевого транзистора с изолированным затвором
Результаты измерений
Таблица 1 «Статические выходные ВАХ при U=-8В»
|
Ic,mA |
0 |
-0,5 |
-2 |
-3 |
-4 |
-5 |
-5,8 |
-6,3 |
-6,7 |
-7 |
|
|
Ucи, B |
0 |
-0,2 |
-1 |
-1,5 |
-2 |
-3 |
-4 |
-5 |
-6 |
-8 |
Таблица 2 «Статические выходные ВАХ при U=-6В»
|
Ic,mA |
0 |
-1 |
-1,5 |
-2 |
-2,8 |
-3 |
-3,2 |
-3,4 |
-3,5 |
|
|
Ucи, B |
0 |
-0,5 |
-1 |
-1,5 |
-3 |
-4 |
-5 |
-7 |
-10 |
Таблица 3 «Статические выходные ВАХ при U=-4В»
|
Ic,mA |
0 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,6 |
-0,65 |
-0,7 |
-0,75 |
-0,8 |
-0,85 |
-0,9 |
-0,95 |
|
|
Ucи,B |
0 |
-0,2 |
-0,4 |
-0,8 |
-1 |
-2 |
-3 |
-4 |
-5 |
-7 |
-9 |
-10 |
Рис. 2. Статические выходные ВАХ
Таблица 4 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке при Uз=-8В
|
Ic,mA |
-4,6 |
-4,2 |
-3,6 |
-3,4 |
-0,8 |
|
|
Uпи,В |
-4 |
-6 |
-8 |
-10 |
-12 |
Таблица 5 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке при Uз=-6В
|
Ic,mA |
-1,8 |
-1,4 |
-1,2 |
-3,4 |
-0,8 |
|
|
Uпи,В |
-4 |
-6 |
-8 |
-10 |
-12 |
Рис. 3 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке
Таблица 6 Передаточная характеристика
|
Ic,mA |
-8 |
-6 |
-4 |
|
|
Uзи,В |
-5,4 |
-2 |
-0,2 |
Рис. 4 Передаточная характеристика
Таблица 7 Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке
|
Uпи,В |
0 |
4 |
6 |
7 |
11 |
15 |
|
|
U,В |
-4 |
-5,2 |
-5,7 |
-5,8 |
-6 |
-6,3 |
Рис. 5 Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом.
курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
контрольная работа [1,8 M], добавлен 07.05.2013Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат [574,2 K], добавлен 07.10.2011Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013Уравнения ВАХ нелинейного элемента, полевого транзистора. Спектр выходного тока вплоть до десятой гармоники. Временные диаграммы входного напряжения, тока. Индуктивность и полоса пропускания контура. Амплитудный детектор вещательного приёмника.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 30.11.2007Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.
курсовая работа [696,8 K], добавлен 25.11.2014Принцип работы полевого транзистора. Методы обеспечения большого коэффициента передачи тока. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Структура и эквивалентная электрическая схема элемента инжекционно-полевой логики с диодами Шотки.
реферат [1,4 M], добавлен 12.06.2009Стабилизированные источники тока. Выходные характеристики полевого транзистора. Базовая схема токового зеркала. Поиск биологически активных точек в электропунктурной диагностике. Генераторы сигнал-стимулов. Схема мультивибратора на базе триггера Шмидта.
реферат [449,1 K], добавлен 11.12.2010История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат [106,1 K], добавлен 15.11.2009
