Исследование работы биполярного транзистора
Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя. Принципиальная схема усилителя низкой частоты, амплитудная характеристика работы. Расчет и проверка рабочей точки, значения сопротивлений усилителя и разделительных емкостей.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | курсовая работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 20.09.2014 |
Размер файла | 219,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Курсовая работа
Исследование работы биполярного транзистора
Введение
Цель работы: изучение и исследование основных параметров биполярного транзистора, определяющих работу линейного усилителя низкой частоты на основе математических моделей и экспериментальных измерений.
Объект исследования: биполярный транзистор П306А с p-n-p переходом и линейный усилитель низкой частоты на его основе.
Транзистор П306А - полупроводниковый элемент с тремя электродами, который служит для усиления или переключения сигнала.
р-п-р- транзистор и его диодная эквивалентная схема
Транзистор состоит из двух противоположно включенных диодов, которые обладают одним общим п или р- слоем. Электрод, связанный с ним, называется базой В. Два других электрода называются эмиттером Е и коллектором С. Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистора, она дает возможность представить действующие в нем обратные и прямые напряжения. Обычно переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор в обратном. Поэтому источники напряжения должны быть включены, как показано на рисунке:
Полярность включения р-п-р- транзистора
Основная особенность транзистора состоит в том, что коллекторный ток Ic является кратным базовому току Iв. Их отношение B = Ic/ Iв называют коэффициентом усиления по току.
1. Исходные данные
Ec=12B
A=15
Ic=10mA
2. Принципиальная схема усилителя
R1, R2 - делитель напряжения, выбирается исходя из выбора рабочей точки, необходим для создания требуемого напряжения на базе;
RE - резистор, реализующий обратную связь с током;
RC - резистор, используемый для получения выходного напряжения;
RE, RC - связаны зависимостью A=RC/RE;
Се, Са, СЕ - разделительные емкости, ограничивают влияние обратной связи на переменном сигнале
Линейный усилитель - устройство, в котором осуществляется увеличение амплитуды сигнала низкой частоты за счет энергии вспомогательного источника.
Принцип действия:
Пусть приложено такое входное напряжение Uе0,6В, чтобы мог протекать коллекторный ток порядка миллиампер.
Схема с общим эмиттером
Упрощенное изображение
Коэффициент усиления по напряжению:
A = Ua/Ue = -S(Rc rCE)
Входное сопротивление rE = rBE;
Выходное сопротивление ra = Rc rCE.
Если входное напряжение повысить на небольшую величину Uе, то коллекторный ток увеличится. Поскольку выходные характеристики проходят почти горизонтально, можно сделать допущение о том, что ток Ic зависит только от UВЕ , но не зависит от UCЕ . Тогда увеличение Ic составит:
ДIc ? S·ДUbe = S·ДUe
транзистор биполярный усилитель сопротивление
Так как коллекторный ток источника напряжения протекает через сопротивление Rc, то падение напряжения на Rc тоже повышается и выходное напряжение Ua возрастает на величину:
ДUa = - ДIc·Rc ? -S·Rc ·ДUe
Таким образом, схема обеспечивает коэффициент усиления по напряжению:
A = ДUa/ДUe ? -S·Rc
3. Расчет рабочей точки
Транзистор можно рассматривать как линейный усилитель. Это справедливо в рабочей точке Ica, Uca, в окрестности которой осуществляется управление малым сигналом.
Источник имеет внутреннее сопротивление Rg = 100 Ом. Требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя с отрицательной обратной связью А=15, питающее напряжение Ес = 12 В. Для этих условий коэффициент усиления по току транзистора В = 25 и Ic = 10 мА.
Расчет сопротивлений, обеспечивающих положение рабочей точки:
Для обеспечения наибольшей амплитуды переменного сигнала в классе А оптимальным является выбор рабочей точки из условия, что Uc=Ec/2=6 В.
Тогда, зная Ic и падение напряжения на Rc, можем определить значения сопротивлений Rc и RE
Rc=Uc/Ic=6В/10мА=600 Ом
RE=Rc/A=600Ом/15=40 Ом
UE = RE Ic=40ОмЧ10Їі=0,4 В
Для используемых транзисторов типичное значение UBE 0,7 В, отсюда определим
UB = UBE + UE = 1,1 В
Ток делителя IR1R2 вычисляется из условия IR1R2 > 10IB; IB = Ic/min , отсюда
R1+R2 = Ec/IR1R2 ,
тогда
R2=(R1+ R2) UB /Ec
R1 = (R1+ R2)- R2
IB = Ic/min = 10мА/25=0,0004А=0,4 мА
R1+R2 = Ec/IR1R2 = 12В/4мА=3 кОм
R2=(R1+ R2) UB /Ec= 275 Ом
R1 = (R1+ R2)- R2 = 2725 Ом
Значения R по таблице номиналов: R1=2700 Ом и R2=270 Ом
Рассчитаем значения входного re и выходного ra сопротивлений усилителя и разделительных емкостей Сe, CE , Ca:
re = ue/ie = rBE R1R2 = 52 Ом,
гBE = UT/Ic= 2526мВ/10мА = 65 Ом
ra = ua/ia = rCE RC = 22000Ч600/(22000+600) 584 Ом,
rCE = (10-5)В/(5,78-5,55)Ч10Їі А = 22 кОм
Поскольку схема содержит три фильтра верхних частот, то нужно выбрать частоты среза fg этих фильтров в пределах до fмин = 20 Гц. Положим, что эти частоты равны; используя формулу для n фильтров с равными частотами среза, найдем
fg ? fмин/vn = 20Гц/v3 = 11,5 Гц
Сe = 1/[ 2fg (Rg + re )] = 1/2Ч3,14Ч11,5(100+52) = 85 мкФ ? 80 мкФ
СE = S/ 2fg = IC / 2fg UT = 10мА/2Ч3,14Ч11,5Ч26мВ = 5325 мкФ ? 5000 мкФ
Сa = 1/[ 2fg (RL + ra )] = 1/2Ч3,14Ч11,5(10000+584) = 1,3 мкФ ? 1 мкФ
Uc = 6 В Rc = 600 Ом
UE = 0,4 В RE = 40 Ом
UB = 1,1 В R1=2700 Ом
R2=270 Ом
Сe = 80 мкФ
СE = 5000 мкФ
Сa = 1 мкФ
4. Экспериментальная проверка работы усилителя
Амплитудная характеристика в режиме без обратной связи по току имеет нелинейный характер и большую крутизну (крутизна определяет коэффициент усиления), чем в режиме с обратной связью. Характеристика усилителя с обратной связью практически линейна. Обе зависимости сняты при Uвых<5В, это условие определяет линейный режим. Выше 5В - нелинейный.
Причина нелинейности амплитудной зависимости заключается в нелинейности передаточной характеристики. Если амплитуда входного сигнала не достаточно велика, то из-за нелинейности передаточной характеристики возникают искажения.
Малого изменения входного напряжения оказывается достаточно для того, чтобы вызвать относительно большое изменение коллекторного тока. Это видно на передаточной характеристике, изображенной на рисунке, которая представляет собой зависимость Ic от UВЕ ; при этом UCЕ варьируется как параметр. Известно, что передаточная характеристика транзистора, как и диода, имеет вид экспоненциальной функции:
Передаточная характеристика транзистора
Мерой искажений служит коэффициент нелинейных искажений. Он определяет отношение усредненной амплитуды высших гармоник к амплитуде первой гармоники на выходе, если на входе в окрестности рабочей точки приложено синусоидальное управляющее напряжение.
Таким образом, в режиме без обратной связи получили коэффициент нелинейных искажений больше, чем в режиме с обратной связью.
Обратная связь вносит отрицательный эффект в усиление сигнала, т.к. уменьшается коэффициент усиления, вследствие того, что часть выходного сигнала подается обратно на вход для противодействия входному сигналу. Но, с другой стороны, при использовании обратной связи по току уменьшаются нелинейные искажения. Режим без обратной связи, характеризуется большим коэффициентом усиления и достигается использованием разделительной емкости.
По АЧХ усилителя видно, что в режиме без обратной связи коэффициент усиления больше, чем в режиме без обратной связи.
Вывод
В работе был исследован биполярный транзистор П306А и линейный усилитель на его основе. Определены параметры рабочей точки, в которой транзистор можно рассматривать как линейный усилитель и осуществлять управление малым сигналом.
Расчет рабочей точки был проверен экспериментально. Выяснено, что при использовании вместо сопротивления R1=270 Ом по номиналу сопротивления 330 Ом, а вместо R2=2700 - 3000 Ом, напряжение коллектор-земля Uc=5.8 В, при этом расчетное Uc=6B, напряжение база-земля Ub=1B, расчетное - 1,1В, напряжение эмиттер-земля Ue=0,3, расчетное - 0,4В . Таким образом, можно сделать вывод, что расчет был совершен практически правильно.
Значение коэффициента усиления А=15 достигнуто в режиме с обратной связью на частотах порядка 1-20 кГц, а в режиме без обратной связи на частотах 200-300 Гц и 100 кГц, в промежутке между этими частотами коэффициент усиления значительно превышает заданный. В режиме с обратной связью амплитудная характеристика линейна.
При анализе статических характеристик транзистора была найдена допустимая амплитуда входного и выходного напряжений: Uвх = 0,16В и
Uвых = 5,5В, в пределах которой сигнал не искажается. Эти значения подтвердились при снятии амплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя, выходное напряжение ограничено значением 5В, выше которого наступает сильное искажение сигнала. Это объясняется интенсивной рекомбинацией носителей заряда, которая обуславливает область насыщения на статических характеристиках транзистора.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Расчет номинальных значений резисторов однокаскадного усилителя. Построение передаточной характеристики схемы на участке база-коллектор биполярного транзистора. Принципиальная электрическая схема усилителя, схема для нахождения потенциалов на эмиттере.
курсовая работа [975,5 K], добавлен 13.01.2014Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
курсовая работа [381,5 K], добавлен 03.12.2010Составление структурной схемы усилителя низкой частоты радиоприемника и принципиальной схемы выходного каскада. Расчет входного сопротивления плеча. Основные параметры биполярного транзистора. Расчет двухтактного транзисторного каскада мощного усиления.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.12.2012Принципиальная схема предварительного каскада с источником сигнала и последующим каскадом. Выбор типа транзистора, исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя. Расчет параметров малосигнальной модели биполярного транзистора.
контрольная работа [208,8 K], добавлен 21.10.2009Основные особенности групповых усилителей. Принципиальная схема усилителя. Расчет рабочих частот. Выбор и обоснование схемы выходного каскада усилителя (ВКУ). Выбор режима работы транзистора ВКУ. Расчет стабилизации режима работы транзистора ВКУ.
курсовая работа [582,6 K], добавлен 28.01.2015Усилительный каскад с применением транзистора как основа электроники. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.
курсовая работа [497,5 K], добавлен 13.11.2009Исследование структурной схемы импульсного усилителя. Выбор рабочей точки и транзистора. Расчет эквивалентной схемы транзистора, усилительных каскадов, разделительных и блокировочных емкостей. Характеристика особенностей эмиттерной термостабилизации.
курсовая работа [553,4 K], добавлен 23.10.2013Разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Расчет двухкаскадной схемы усилителя низкой частоты с использованием полевого и биполярного транзисторов. Выбор навесных элементов и определение конфигурации пленочных элементов усилителя частоты.
курсовая работа [220,7 K], добавлен 22.03.2014Понятие и назначение усилителя низкой частоты. Разработка и расчет принципиальной схемы. Проектирование усилителя низкой частоты, состоящего из двух каскадов и RC-цепочки связи. Анализ работы схемы при помощи программы Electronics Workbench Version 5.12.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 27.08.2010Описание блок–схемы транзисторного двухкаскадного усилителя мощности низких частот. Вычисление мощности, потребляемой цепью коллектора транзистора от источника питания. Расчёт выходного и предварительного каскадов усилителя, фильтра нижних частот.
контрольная работа [323,8 K], добавлен 18.06.2015Структурная схема усилителя с одноканальной обратной связью. Выбор транзистора, расчет режима работы выходного каскада. Расчёт необходимого значения глубины обратной связи. Определение числа каскадов усилителя, выбор транзисторов предварительных каскадов.
курсовая работа [696,7 K], добавлен 24.09.2015Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа [418,8 K], добавлен 09.08.2010Расчет мощности сигнала на входе усилителя низкой частоты, значения коллекторного тока оконечных транзисторов, емкости разделительного конденсатора, сопротивления резистора, напряжения на входе усилителя. Разработка и анализ принципиальной схемы.
курсовая работа [111,1 K], добавлен 13.02.2015Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Расчет параметров резисторов, исходя из заданного положения рабочей точки в классе А и ее нестабильности при определенном напряжении источника питания схемы и выбранном типе транзистора. Упрощённая схема усилителя для расчёта постоянных составляющих.
курсовая работа [768,5 K], добавлен 16.01.2015Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Требования к сопротивлению усилителя. Определение режима транзистора. Цепи питания и термостабилизация. Параметры эквивалентной схемы. Промежуточный каскад усиления. Параметры усилителя в области малых времен. Расчет запаса устойчивости усилителя.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 09.03.2015Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа [418,7 K], добавлен 10.05.2015