Разработка интегральной микросхемы

Размещено на http://www.allbest.ru/

					Д.240.02.1.00.011.0000 ПЗ
Изм.	Лист	№ докум.	Подп.	Дата
Разраб.	Тангаева А.В.			Пояснительная записка	Лит.	Лист	Листов
Пров.	Хаптаев А.П.							2	25
Н. контр.					ВСГУТУ гр.2130
Утв.

Содержание

Техническое задание

Введение

1. Разработка структурной схемы

2. Разработка принципиальной схемы

3. Разработка интегральной микросхемы

3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов

3.2 Разработка топологии

3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы

Заключение

Список литературы



Техническое задание

Техническое задание определяется величинами параметров устройства по варианту № 08 исходных данных:

1.Напряжение источника питания U_пт = - 13 В

2.Коэффициент усиления по напряжению К_u = 6

3. Входное сопротивление R_вх = 4 Мом

4. Выходное номинальное напряжение U_ном = 1,2 В

5. Сопротивление нагрузки R_н = 0,5 кОм

6. Нижняя частота полосы пропускания f_н = 20 Гц

7.Верхняя частота полосы пропускания f_в = 15 кГц

8.Коэффициент частотных искажений на f_н, М_н = 2 дБ

9.Коэффициент частотных искажений на f_в, М_в = 1 дБ

10.Тип выхода - симметричный

Цель работы:

1) Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов;

2) Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов;

3) Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств;

4) Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.



Введение

Интегральной микросхемой называется изделие, содержащее в единице объема (1 см³) не менее пяти элементов и выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов. В зависимости от функционального назначения ИМС делят на аналоговые и цифровые. Аналоговые ИМС предназначены для обработки и преобразования сигналов, являющимися непрерывными функциями времени. Цифровые ИМС предназначены для обработки и преобразования сигналов, являющимися дискретными функциями времени.

В зависимости от технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИМС. В полупроводниковой ИМС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки. В пленочной ИМС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. Различают две разновидности пленочных ИМС:

- тонкопленочные, если используются пленки толщиной менее 1 мкм;

- толстопленочные, если используются пленки толщиной более 1 мкм.

В гибридных ИМС кроме элементов содержатся простые и сложные бескорпусные компоненты, расположенные на поверхности диэлектрической подложки. гибридный интегральный микросхема

Разработка интегральных микросхем (ИМС) представляет собой сложный процесс, требующий решения разнообразных научно-технических проблем. Вопросы выбора конкретного технологического ИМС решают с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, а также технико-экономического обоснования целесообразности массового производства. Эти вопросы решают главным образом путем использования двух основных классов микросхем - полупроводниковых и гибридных. Оба эти класса могут иметь различные варианты структур, каждый из которых с точки зрения проектирования и изготовления обладает определенными преимуществами и недостатками.

Процесс изготовления полупроводниковых ИМС представляет собой дальнейшее развитие процессов изготовления дискретных полупроводниковых приборов. Достигнутый уровень производства полупроводниковых ИМС позволяет в свою очередь ограничить пределы миниатюризации, определяемые степенью надежности, допустимой плотностью упаковки и стоимостью изготовления. Полупроводниковая ИМС - это монолитное устройство, в котором все элементы изготовлены на единой полупроводниковой подложке и в едином технологическом цикле. Особенность технологического процесса заключается в том, что одновременно с изготовлением транзисторных структур необходимо получать диоды, резисторы и конденсаторы, параметры которых удовлетворяли бы требованиям, устанавливаемым на этапе схемотехнической отработки.

Гибридные ИМС - пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, контактные площадки внутрисхемные соединения) выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы (диоды, транзисторы и др.) являются навесными. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации гибридных ИМС определяется количеством используемых навесных элементов. Гибридные ИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки практически не оказывает влияние на электрические связи элементов. Для устройств, работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом можно применить толстопленочную технологию, поскольку они не требуют жестких допусков и высокой точности нанесение и обработки пленки. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология. Гибридные ИМС применяются также в случаях, когда требуется полечить конденсаторы большой емкости или резисторы, предназначенные для работы с большими электрическими мощностями.

Основной задачей при проектировании всех ИМС является разработка топологического чертежа, который дает необходимую информацию непосредственно перед технологическими этапами создания микросхемы. При разработке топологии проектируют схему различного расположения пленочных элементов разрабатываемой ИМС, рассчитывают их геометрические размеры, выбирают форму, компонуют пленочные и навесные компоненты и вычеркивают их размещение на подложке в увеличенном масштабе.

Разрабатываемое изделие относится к области технике, получившей широкое распространение в различных областях человеческой деятельности: в промышленности, индустрии развлечений, в науке, в быту и других применениях.

Микроэлектроника позволяет резко повышать надежность электронной аппаратуры, значительно уменьшить габариты, массу, потребляемую энергию и стоимость. Применение интегральных схем и микропроцессоров позволяет уменьшить габариты и массу аппаратуры на два порядка и более.

Разрабатываемая в данном проекте схема производит усиление сигналов низкочастотного диапазона - от 20 Гц до 20 кГц. Такие схемы чаще всего используются в аппаратуре голосовой связи (телефония, радио и др.).



1. Разработка структурной схемы

Среди аналоговых ИМС наибольшее распространение имеют усилители - устройства для повышения мощности сигнала в нагрузке за счет использования энергии источников питания. Интегральные усилители отличаются высокой надежностью, малыми массой и объемом, высокой экономичностью и другими преимуществами. Основными признаками для классификации усилителей является диапазон рабочих частот и главный параметр, характеризующий усилительные свойства устройства: ток, напряжение, мощность.

В зависимости от конкретной области применения усилители подразделяются на измерительные, телевизионные, радиоприемные, телефонные, радиовещательные и др.

Рис. 1. Структурная схема усилителя

ИП - источник питания усилителя,

Вх.ц. - входная цепь усилителя, не пропускающая постоянную составляющую сигнала,

К_u1 - первый каскад, каскад на полевом транзисторе,

К_u2 - второй каскад, согласующий каскад,

Вых.ц. - выходная цепь усилителя, не пропускающая постоянную составляющую нагрузку.



Устройство содержит входное устройство для передачи сигнала от источника ко входу первого каскада. Его применяют, когда непосредственное подключение источника сигнала ко входу усилителя невозможно или нецелесообразно. Обычно входное устройство выполняется в виде трансформатора или RC-цепочки, предотвращающих прохождение постоянной составляющей тока от источника к усилителю или наоборот.

Предварительный усилитель состоит из одного или нескольких каскадов усиления. Он служит для усиления входного сигнала до величины, достаточной для работы усилителя мощности. Наиболее часто в качестве предварительных усилителей используют усилители напряжения на транзисторах.

Усилитель мощности предназначен для отдачи в нагрузку необходимой мощности сигнала. В зависимости от отдаваемой мощности он содержит один или несколько каскадов усиления.

Выходное устройство используется для передачи усиленного сигнала из выходной цепи усилителя мощности в нагрузку. Оно применяется в тех случаях, когда непосредственное подключение нагрузки к усилителю мощности невозможно. Роль выходного устройства могут выполнять разделительный конденсатор или трансформатор, не пропускающий постоянную составляющую тока с выхода усилителя в нагрузку. При использовании трансформатора добиваются согласования выходного сопротивления усилителя с сопротивлением нагрузки с целью достижения максимальных значений КПД и малых нелинейных искажений. В усилителях на основе ИМС избегают применения трансформаторов вследствие их больших габаритов и технологических трудностей изготовления.



2. Разработка принципиальной схемы

Рис. 2. Усилитель с симметричным выходом

Первый каскад выполнен на полевом транзисторе 2П201А-1, второй каскад выполнен на биполярном транзисторе КТ 370-1.



3. Разработка интегральной микросхемы

3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов

1. Выбор VT₂

3.2 Определяем ток нагрузки по формуле:

;

мА

Транзистор выходного каскада выбирается по току покоя, который должен в 25 раз превышать ток нагрузки:

I_к.р.т. = 3,4·3 = 10,2 мА;

С помощью справочника выбираем транзистор КТ370А-1. Выпишем основные данные для этого транзистора:

I_{к max} = 15 мА;

U_кэ_max = 15 В.

2. Выбираем R_э = R_н=R_k (так как схема с разделенной нагрузкой),

R_э = R_н =R_k =500 Ом;

3. Определение коэффициента усиления каскада на VT₂

Коэффициент усиления каскада с разделительной нагрузкой складывается из коэффициента усиления эмиттерного повторителя и коэффициента усиления транзистора включенного по схеме с общим эмиттером:

К_u2= К_uoк+ К_uоэ

Коэффициент усиления эмиттерного повторителя определяется по формуле:

,

где

Из справочника принимаем h_21э=50 Ом;

- входное сопротивление транзистора, принимаем Ом

Коэффициент усиления транзистора включенного по схеме с ОЭ определяется по формуле:

,

где

Ом

К_u2=0,99+0,99=1,98

4. Расчет входного сопротивления эмиттерного повторителя

Входное сопротивление каскада с разделительной нагрузкой определяется по формуле:

R_вх = 300+(1+50)·333,3 =17,2983·10³ Ом

Коэффициент усиления первого (входного) каскада рассчитывается по формуле:

Номинальное значение напряжения на выходе и входе первого каскада:

В

В

Крутизна S определяется по формуле:



Рис. 3 - Семейство ВАХ транзистора 2П201А-1

5. Выбор R_з и R_г

Поскольку во входной цепи полевого транзистора ток отсутствует, то R_з = R_г = R_вх = 4 МОм.

6. Расчет емкостей С_р1, С_р3, С_к

Частотная характеристика усилителя в области нижних частот определяется выбором емкостей разделительных конденсаторов:

;

.

Необходимо перевести из децибел в разы по формуле:

Ф

Ф

Частотная характеристика усилителя в области верхних частот зависит от выбора емкости конденсатора С_к, рассчитываемый в формуле:

,

где дБ=1,12 раз

Ф

7. Расчет амплитудно-частотной характеристики

Расчет АЧХ в области нижних частот производят по формуле:

Подставим значения частот:

0,1ѓ_н; 0,2ѓ_н; 0,5ѓ_н; 0,7ѓ_н; ѓ_н; 1,5ѓ_н; 2ѓ_н. Полученные данные заносим в таблицу 1 и построим график.



Таблица 1

,Гц	2	4	10	14	20	30	40
	0,3	0,6	1	1,15	1,3	1,5	1,6
,раз	0,07	0,13	0,27	0,34	0,39	0,44	0,46

График АЧХ на нижних частотах в приложении 1.

Расчет АЧХ в области верхних частот производят по формуле:

Подставим значения частот:

0,5ѓ_в; ѓ_в; 2ѓ_в; 5ѓ_в; 10ѓ_в.

Таблица 2

,Гц	3000	7500	15000	30000	75000	150000
	3,5	3,9	4,2	4,5	4,9	5,2
,раз	0,99	0,96	0,75	0,70	0,37	0,19

График АЧХ на верхних частотах в приложении 1.

3.2 Разработка топологии

Необходимо определить способ реализации элементов схемы (навесной, интегральный).

На первом этапе заданную электрическую схему необходимо преобразовать таким образом, чтобы все внешние выводы находились на краю длинных сторон и были исключены все пересечения пленочных проводников. Последнее условие выполняют, заменяя взаимные пересечения пленочных проводников пересечением пленки и выводов, навесных бескорпусных транзисторов.

Вторым этапом является расчет размеров пассивных элементов гибридной ИМС.

1. Расчет резисторов

Расчет пленочных резисторов начинается с выбора материала резистивной пленки и проводящей пленки для выводов. Для этого можно воспользоваться таблицей 3.

Таблица 3 - Характеристика материалов пленочных резисторов

Материал резисторов	Удельное сопротивление, Ом/квадрат	Удельная мощность рассеяния Р0, Вт/ см2	Способ нанесения
Нихром МЛТ-3М РС-3001 Кермет	300 500 1000-2000 3000-10000	2 2 2 2	Термическое напыление
Тантал Нитрид тантала	20-100 1000	3 3	Катодное напыление

Каждый резистор должен выдержать мощность:

,

где - удельная мощность рассеяния (значение Р₀ для различных материалов приведены в упомянутой выше таблице);

- площадь резистора, равная .

1.1 . Размер и конфигурацию пленочных резисторов находят по рассчитанным номинальным сопротивлениям резисторов R_i и удельному сопротивлению пленки _s. Количество разнородных материалов для выполнения резисторов должно быть минимальным. Желательно использовать один материал.

Находим коэффициент формы резистора по формуле:

,

Выбранный материал должен удовлетворять условию, чтобы величина К_ф не превышала 50 для резистора с самым большим сопротивлением. Выбираем материал Нихром: = 300 Ом/квадрат P₀ = 2 Вт/см².

R_c = 3360 Ом

b _min =200 мкм = 0,02 см

l =11,2·0,02= 0,224 см =2,24 мм

Значение b находим по формуле:

,

;

Мощность, которую выдержит резистор равна:

P_max =0,00896·2 =0,01792 Вт.

Мощность, которая на нем рассеивается:

т.к. , то форма резистора - прямоугольная.

, следовательно, резистор не перегреется.

1.2 R_з = R_г = R_вх = 4 МОм =4·10⁶ Ом



Резистор займет много места, предпочтительней использовать навесной резистор типа Р1-12 МОм - 6,8 МОм (L = 3,1 мм, B = 1,55 мм).

1.3 R_э = R_н =R_k =500 Ом;

Т.к. , то форма резистора - прямоугольная.

l =1,67·0,02=0,0334·3=0,1002 см = 1,002 мм,

Значение b находим по формуле:

,

;

Мощность, которую выдержит резистор равна:

Мощность, которая на нем рассеивается:

следовательно, резистор не перегреется

2. Расчет конденсаторов

При расчете пленочных конденсаторов сначала выбирают материал диэлектрика (таблица 4) в соответствии с выбранным методом нанесения пленок.

Таблица 4 - Характеристика материалов для диэлектрика пленочных конденсаторов

Материал диэлектрика	Удельная емкость С0, пФ/ мм2	Способ нанесения пленок
Моноокись кремния Моноокись германия	50-100 50-100	Термическое напыление
Двыокись кремния Окись тантала	200 500	Катодное напыление

После выбора материала вычисляют площадь конденсатора:

где - емкость рассчитываемого конденсатора;

и - длина и ширина площадки занимаемой перекрывающимися частями нижней и верхней обкладок конденсатора (если конденсатор имеет прямоугольную форму).

2.1. С_р1 = 1,99·10^-9 Ф

Реализуем интегрально, выберем материал диэлектрика окись тантала С₀=500 пФ/мм²=500·10^-12Ф/мм²

2.2. С_р3 = 31,85 мкФ

Выбираем навесной конденсатор типа К53-260,22 - 100 мкФ

L = 2 мм; В = 3 мм

2.3.С_к =1,59·10^-9 Ф

Реализуем интегрально, выберем материал диэлектрика окись тантала С₀=500 пФ/мм²=500·10^-12Ф/мм²

3. Расчет транзисторов

VT1 - бескорпусной полевой транзистор 2П201А-1

VT2 - бескорпусной биполярный транзистор КТ370А-1

Общая площадь, занимаемая всеми элементами схемы:

S_У = S_тр + S_R + S_c,

где S_тр - площадь, занимаемая транзисторами;

S_R - площадь, занимаемая резисторами;

S_c - площадь, занимаемая конденсаторами.

S_тр = 1,36 мм²;

S_R = 12,19 мм² ;

S_c = 13,16 мм²;

S_У = 26,71 мм².

Учитывая площадь соединений, промежутки между элементами и расстояние от края подложки, следует увеличить суммарную площадь в 3-4 раза.

Затем выбираем подложку, учитывая размеры плат, приведенные в таблице 5.

Таблица 5 - Рекомендуемые размеры плат для гибридных ИМС

Длина, мм	48	30	24	60	30	20	48	30	16	12
Ширина, мм	30	24	20	16	16	16	12	12	10	10

Выбираем подложку с размерами:

Длина - 12 мм, ширина - 10 мм, тогда площадь S = 120 мм².

Размещаем элементы схемы на подложке таким образом, чтобы все внешние выводы находились на краю длинных сторон и были исключены все пересечения пленочных проводников.



3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы

Технологический процесс изготовления гибридных ИМС представляет последовательность из семи этапов.

По аналогии с производством полупроводниковых ИМС производство подложек, деталей и узлов корпуса, а также компонентов гибридных микросхем целесообразно выделять на специализированные предприятия. Процессы формирования пленочных структур характеризуются высокой однородностью и сводятся практически к двум процессам: осаждению пленок в вакууме и фотолитографической обработки.

Структура цеха должна предусматривать принцип предметно-технологической специализации. К производственным участкам цеха по изготовлению гибридных микросхем относятся участки очистки подложек, изготовление фотошаблонов и масок трафаретов; вакуумного напыления; фотолитографии; сборки и монтаж; герметизации; контроля электрических параметров; маркирование, лакирование, упаковки.

I этап - анализ принципиальной электрической схемы и исследование возможностей ее реализации в виде пленочной гибридной микросхемы. На этом этапе определяют типы применяемых элементов, их номинальные параметры, выявляют, какие элементы будут выполнены в пленочном исполнении, а какие в дискретном, а также число и расположение контактных площадок. С этой целью преобразуют принципиальную электрическую схему изделия в коммутационную схему.

II этап - разработка технологической структуры пленочной микросхемы. Топологические чертеж микросхемы - это конструкторский документ, определяющий ориентацию и взаимное расположение всех элементов микросхемы на подложки, а также форму и размеры пассивных элементов. Для составления топологического чертежа необходимо предварительно рассчитать геометрические размеры всех пленочных элементов и на этой основе определить площадь обложки. По вычислительной ориентировочной площади подложки выбирают ее типоразмер из ряда рекомендуемых. Далее решается задача оптимального размещения на подложке всех элементов микросхем.

III этап - изготовление фотошаблонов и масок. На основе топологического чертежа в фотолаборатории изготавливают миниатюрные фотошаблоны, размеры которых соответствуют размеры микросхем. Фотошаблоны выполняют на фотопластинках с размещающей способностью

порядка 400 линий/мм. На их основе изготавливают маски (трафареты), через которые напыляют необходимые материалы. В качестве подложек для масок используют никелированную медную фольгу, фольгу из нержавеющей стали, из бронзы и т.д. Необходимый рисунок маски можно получить прожиганием подложек электронным лучом или травлением. Наибольшее распространение получил второй способ. Чтобы получить рисунки травлением подложки, пользуются способом фотолитографии. В процессе фотолитографии используется светочувствительный полимерный метал - фоторезист. На подложку маски тонким слоем наносится фоторезист. После просушки на него накладывается фотошаблон и ультрафиолетовыми лучами, под действием которых фоторезист полимеризуется, производится экспонирование. После этого подложку протравливают кислотой. Участки, не защищенные полимернзованным фоторезистом, вытравливаются насквозь, образуя необходимый рисунок. Полимеризованный фоторезист смывают органическим растворителем. При изготовлении пленочных микросхем маски могут использоваться многократно.

IV этап - нанесение пленочных пассивных элементов микросхемы.

Существует несколько способов получения тонкопленочных элементов. Наибольшее распространение получили вакуумное напыление и катодное распыление. При вакуумном напылении для получения требуемого рисунка схемы применяют маски. Испарение осуществляется после откачки до вакуума до 10 Па. В этом случае атомы испаренного вещества распространяются прямолинейно и, оседая на подложке, создают слой пленки требуемой толщины. Для получения пленок из тугоплавких материалов применяют катодное распыление. Распыляемый материал служит катодом. На анод подается высокое напряжение (порядка 20кВ). Подложку и маску располагают на небольшом расстоянии от катода (1ч5 см). Из установки откачивают воздух, после чего в нее подают инертный газ, создавая под колпаком давление порядка 0,1ч1 Па. Под действием высокого напряжения в установке возникает ионизация газа. Тяжелые ионы, попадая на катод, разрушают его. Частицы катода разлетаются в разные стороны и оседают на подложке, образуя на ней пленки необходимой толщины и формы.

V этап - установка дискретных элементов. Для соединения навесных активных элементов с пленочным монтажом применяется пайка низкотемпературными припоями, что исключает повреждение приборов и нарушение адгезии металлизированных участков подложки из-за перегрева. Пайка производится миниатюрными механизированными паяльниками с автоматической дозировкой припоя и авторегулированием температуры нагрева зоны соединения. Для соединения выводов бескорпусных полупроводниковых приборов с контактными площадками микросхем разработано большое количество способов сварки и пайки (термокомпрессия, сварка давлением с косвенным импульсным нагревом, ультразвуковая сварка, пайка волной припоя, оптический способ пайки, способ электронно-лучевой сварки и сварки лучом лазера и т.д.). Для крепления к подложке приборов с гибкими и жесткими выводами используются специальные термостойкие клеи на основе компаундов.

VI этап - конструктивное оформление микросхем. Применяются два способа защиты пленочных гибридных микросхем от повреждений: бескорпусная защита (герметизация компаундами) и корпусная защита (герметизация с помощью прочных корпусов различного типа). Корпусную защиту рекомендуется применять при длительной (более десяти суток) эксплуатации микросхем в условиях повышенной влажности. Корпус должен обладать достаточной механической прочностью, малой массой и габаритами, хорошей электрической изоляцией. Кроме того, внутри него следует поддерживать достаточно стабильные температурные условия.



Заключение

Широкое применение гибридно-пленочной технологии, а также гибкость схемотехнической и конструктивной реализации различных электронных устройств обеспечиваются тонкопленочной и толстопленочной разновидностями этого направления.

С помощью гибридно-пленочной технологии удается найти компромиссное решение вопроса об основном противоречии, содержащемся в требованиях к монолитным ИМС - противоречия между степенью интеграции и выходом годных ИМС. Реализуя сложное устройство в виде нескольких кристаллов с экономически целесообразной степенью интеграции, их объединяют в общем корпусе на общей изолирующей подложке, несущей систему пленочных межсоединений. Таким образом, создаются многокристальные гибридные микросхемы или микросборки.

Относительно большие размеры пассивных элементов и наличие пассивной подложки позволяют (в отличие от диффузионных резисторов полупроводниковых ИМС) осуществить их подгонку, например, с помощью лазера. При лазерной подгонке точность сопротивления резисторов может составлять сотые доли процента, что необходимо в ряде устройств измерительной техники.

К недостаткам гибридно-пленочной ИМС по сравнению с монолитными полупроводниковыми ИМС относятся увеличенные габариты, меньшая плотность упаковки, меньшая технологичность производства и более низкая надежность.

В проекте разработана гибридная ИМС размером 12х10 мм., представляет собой двухкаскадный усилитель звуковой частоты с заданными в техническом задании характеристиками. На первом каскаде использован полевой транзистор 2П201А-1, на втором каскаде - биполярный транзистор КТ370А-1.



Список литературы

1. Игнатов А.Н. Методическое указание «Разработка интегрального аналогового устройства», Новосибирск, 1999;

2. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана - Москва: Радио и связь, 1981;

3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под редакцией Н.Н. Горюнова - Москва: Энергия, 1976;

4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники - Москва: Радио и связь, 1983;

5. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей - Москва: Связь, 1976.

Размещено на Allbest.ru

...