Исследование характеристик стабилитрона
Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового маломощного стабилитрона. Определение параметров лавинного тока для типового кремниевого прибора. Влияние дифференциального сопротивления на величину выходного напряжения схемы стабилизатора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.12.2014 |
| Размер файла | 454,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://allbest.ru
Министерство образования и науки Российской Федерации
Национальный минерально-сырьевой университет «Горный»
Кафедра общей и технической физики
ОТЧЕТ
По лабораторной работе №2
Исследование характеристик стабилитрона
Выполнил: студент гр.ПМК-13
Тихонов К.А.
Проверил: доцент/Борисов С.В..
Санкт-Петербург
2014
1. Цель работы
Исследование ВАХ полупроводникового стабилитрона.
2. Теоретические сведения
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, p-n-переход которого работает в режиме лавинного пробоя. Такой режим возникает при смещении p-n-перехода в обратном направлении.
В режиме лавинного пробоя в широком диапазоне изменения тока через диод падение напряжения на нем остается практически неизменным. На рис. 1.2 (а, б) показано схематическое изображение стабилитронов, а на рис. 1.2в приведена типовая ВАХ.
Рис. 1.2. Схематическое изображение стабилитронов
(а - односторонний, б - двухсторонний) и их В АХ (в):UCТ- напряжение стабилизации
Лавинный ток для типового маломощного кремниевого стабилитрона составляет примерно 10 мА, поэтому для ограничения тока через стабилитрон последовательно с ним включают ограничительное сопротивление RБ(рис. 1.3.а).
Если лавинный ток таков, что мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает предельно допустимого значения, то в таком режиме прибор может работать неограниченно долго.
Для большинства стабилитронов предельно допустимая рассеиваемая мощность составляет от 100 мВт до 8 Вт.
3. Схема установки
Рис. 1.3. Схема включения стабилитрона (а) и стабистора (б):
RБ- балластный резистор, UBX- входное напряжение,
RH- сопротивление нагрузки
4. Полученные данные и измерения
Задание 1. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона
Для исследования ВАХ стабилитрона используется электрическая схема, изображенная на рис. 1.14.
1.Напряжение стабилизации стабилитрона при I=-5мА
Uвх=-8,47 В Uв=-6,96 В
Iст=-5 мА
2. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона
1) Uвх=-7,54 В; Uв=-6,94 В
Iст=-2 мА
2) Uвх=-9,4 В
Uв=-7 В; Iст=-8 мА
Ом
3. ВАХ стабилитрона при изменении напряжения входного сигнала от -10 до -4 В
Задание 2. Исследование работы параметрического стабилизатора напряжения
1. Нахождение тока I, протекающего через балластный резистор, и величину выходного напряжения U
1) Uвх=-8 В
Uв=-6.54 В
Iст=-3.54 мА
2)Uвх=-9 В
Uв=-6.97 В
Iст=-6.75 мА
2. Нахождение коэффициента стабилизации
, где
3. ВАХ стабилитрона
полупроводниковый стабилитрон напряжение
Вывод
В результате работы мы ознакомились с методом измерения ВАХ стабилитрона, провели измерения, нашли дифференциальное сопротивление, коэффициенты стабилизации и сравнили их, из чего следует, что они равны.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013Стабилитрон - диод для стабилизации напряжения. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона. Использование программы Electronics Workbench. Схемы прямого и обратного включения стабилитрона, понятие его рабочих участков.
лабораторная работа [52,9 K], добавлен 12.01.2010Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Параметрические стабилизаторы напряжения. Соотношения токов и напряжений. Относительное приращение напряжения на выходе стабилизатора. Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
лабораторная работа [123,2 K], добавлен 03.03.2009Классификация и параметры стабилизаторов напряжения тока. Характеристики стабилитрона и нагрузочного сопротивления. Компенсационный транзистор постоянного напряжения с непрерывным регулированием. Различные параметры мощности импульсного стабилитрона.
реферат [492,5 K], добавлен 18.07.2013Принцип действия, структура и методы расчета параметрического стабилизатора напряжения на основе кремниевого стабилитрона графоаналитическим способом. Определение h-параметров двух биполярных транзисторов, включенных по схеме с общей базой и эмиттером.
курсовая работа [4,6 M], добавлен 30.06.2014Величина минимального напряжения на входе стабилизатора. Выбор кремниевого стабилитрона с номинальным напряжением стабилизации. Резисторы и конденсаторы, расчет величины сопротивления. Расчётный коэффициент стабилизации и коэффициент полезного действия.
курсовая работа [113,3 K], добавлен 05.12.2012Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.
лабораторная работа [115,4 K], добавлен 18.06.2015Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа [29,7 K], добавлен 13.03.2013Расчет контактной разности потенциалов для р-n перехода. Вычисление сопротивления полупроводникового диода постоянному току. Балластное сопротивление и изменение напряжения источника питания. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
практическая работа [25,9 K], добавлен 07.03.2013Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010Принципы действия приборов для измерения электрического тока, напряжения и сопротивления; расчет параметров многопредельного амперметра магнитоэлектрической системы и четырехплечего уравновешенного моста постоянного тока; метрологические характеристики.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 18.06.2012Анализ измерительных устройств для измерения электрического тока, напряжения и сопротивления. Расчёт параметров четырехплечего уравновешенного моста постоянного тока. Оценивание характеристик погрешности и вычисление неопределенности измерений.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 19.06.2012Расчет схем, параметров транзистора, выпрямителя, тока и напряжения на диоде. Выявление особенностей работы диода и стабилитрона. Определение переходного процесса в цепи с нелинейным элементом и построение графиков. Нахождение положения рабочей точки.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 26.01.2015Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа [202,7 K], добавлен 02.12.2010Расчет маломощного выпрямителя с ёмкостной нагрузкой. Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, определение его входных и выходных характеристик. Синтез цифровой комбинационной схемы. Расчёт параметрического стабилизатора напряжения.
контрольная работа [659,9 K], добавлен 18.01.2012Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013Анализ и расчет схемы, состоящей из идеального источника напряжения треугольной формы с заданными параметрами, резистора и стабилитрона. Построение временных диаграмм сигналов. Определение режима покоя и расчет цепи смещения для усилительного каскада.
контрольная работа [309,9 K], добавлен 26.01.2013Ионный газоразрядный электровакуумный прибор, предназначенный для стабилизации напряжения. Принцип действия стабилитрона тлеющего разряда. Основные физические закономерности. Область стабилизации напряжения. Работа параметрического стабилизатора.
контрольная работа [89,3 K], добавлен 28.10.2011Методы определения параметров операционных усилителей, входных токов, напряжения смещения, дифференциального входного и выходного сопротивлений, скорости нарастания выходного напряжения, коэффициентов усиления инвертирующего и неинвертирующего усилителей.
контрольная работа [151,0 K], добавлен 02.12.2010
