Обеспечение и стабилизация режима работы усилительного элемента по постоянному току
Исследование активного и ключевого режимов работы усилительного элемента. Цепи подачи смещения. Использование способа автоматического смещения в каскадах на электронных лампах и полевых транзисторах. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 07.01.2015 |
Размер файла | 165,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
1. Обеспечение и стабилизация режима работы усилительного элемента по постоянному току
1.1 Режим работы усилительного элемента
Различают активный и ключевой режимы работы усилительного элемента (УЭ). Активный режим используется в АЭУ и соответствует определенному постоянному напряжению или току на управляющем электроде. Это постоянное напряжение называется смещением.
Режим работы УЭ при отсутствии сигнала на его входе называют режимом по постоянному току. В некоторых учебниках этот режим называют статическим или режимом покоя. В этом случае в цепях УЭ протекают только постоянные составляющие токов, определяемые рабочей точкой или точкой покоя. Рабочая точка соответствует заданному смещению.
При наличии Uвх входного сигнала в цепях УЭ появляются переменные составляющие токов и напряжений, что соответствует режиму по переменному току. Последний различается на режим слабого сигнала (предварительные каскады), когда входной сигнал мал, и режим сильного сигнала (выходной каскад), когда на входе большая амплитуда усиливаемого сигнала.
Режим сильного сигнала в свою очередь подразделяется на режимы А, В, АВ и С.
В режиме А рабочая точка выбирается на середине линейного участка проходной характеристики. При этом ток выходной цепи протекает без отсечки (рис 1., а). Ток покоя I0 превышает амплитуду выходного тока Iтвых.
Рис 1. Работа усилительного элемента: а - в режиме А; б - в режиме В
Преимуществом режима А является малый коэффициент нелинейных искажений, так как рабочая область характеристики располагается на линейном участке. Недостатком режима А является большой ток , т. е. большое потребление энергии от источника питания, что определяет незначительный коэффициент полезного действия.
з=Pвых/P0 ,
где P0=EI0 - потребляемая мощность
В режиме В рабочая точка выбирается на изгибе проходной характеристики. Ток в выходной цепи существует в течение половины периода, т.е. в режиме В имеет место отсечка выходного тока (рис 1., б).
При идеальном режиме В угол отсечки 90. Ток покоя близок к нулю. Однако в действительности из-за нелинейной характеристики транзистора Iо оказывается равным 8-10% Imax. Угол отсечки несколько превышает 90°. Преимуществом режима В является высокий кпд, недостатком - большой коэффициент нелинейных искажений. Режим В применяется в усилителях мощности по двухтактной или симметричной схеме.
Режим С характеризуется углом отсечки меньше 90° , еще большим кпд. Он используется в радиопередающих устройствах.
Ключевым режимом или режимом Д называют такой режим работы усилительного элемента, при котором он во время работы находится только в двух состояниях: в полностью закрытом, когда ток в его выходной цепи отсутствует, или полностью открытом, когда падение напряжения между выходными электродами близко к нулю. В режиме Д можно получить высокий КПД. Ключевой режим применяется в импульсных и цифровых устройствах.
1.2 Цепи подачи смещения
Подача смещения может быть реализована с помощью дополнительного источника питания Eсм. Этот способ практически не используется, так как применение двух источников питания нерационально.
В каскадах на электронных лампах и полевых транзисторах используется способ автоматического смещения. Элементами автоматического смещения в этих схемах являются Rк и Rи. По переменной составляющей эти резисторы зашунтированы Ск и Си. Следовательно, на этих резисторах происходит падение напряжения
Uсм=Iа0Rн=IcoRн.
Падение напряжения на R1 отсутствует, так как ток, протекающий по этой цепи равен нулю.
Рассмотрим способы подачи смещения в каскадах на биполярных транзисторах. Для установления необходимого рабочего режима на базу р-n-р транзистора относительно эмиттера нужно подать небольшое отрицательное смещение (0,05-0,5 В). Это смещение желательно получить от источника Eк, чтобы исключить второй источник питания.
Первый способ подачи смещения фиксированным током базы при помощи гасящего сопротивления R1 показан на рис 2,а. R1 и образуют делитель напряжения, причем R1>>rэб. Следовательно, ток смещения в цепи базы определяется только номиналом R1
Iб0=Ек/R1
Этот постоянный ток является смещением. Если смещение необходимо выразить напряжением, то оно определяется как падение напряжения Uсм=Iбоrэб.
Рис 2. Схемы подачи смещения: а - фиксированным током; б - фиксированным напряжением.
Схема проста (мало элементов), однако имеет следующий недостаток: при смене транзистора требуется индивидуальный подбор R1. Кроме того, изменение обратного тока сильно влияет на режим работы.
Смещение фиксированным напряжением достигается с помощью делителя R1R2. Для того, чтобы было постоянным и определялось только падением напряжения на R2, делитель R1R2 должен быть низкоомным, т.е. R2<<rэб.
В этом случае изменение при замене транзисторов почти не влияет на общее сопротивление , так как параллельное соединение определяется наименьшим сопротивлением R2. Следовательно, напряжение смещения определяется , где ток делителя Iд =Е/(R1 + R2).
Сопротивления R1 и R2 в такой схеме можно рассчитать по следующим формулам:
Этот способ не экономичен, однако находит широкое применение, так как остается постоянным при замене транзистора и изменении температуры.
1.3 Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов
Как известно, все параметры биполярного транзистора имеют сильную температурную зависимости. Если не предусмотреть специальные схемы стабилизации, то рабочая точка в зависимости от температуры будет передвигаться, что может привести к выходу ее за пределы рабочей области характеристики. Так, например, обратный ток коллектора в сильной степени зависит от окружающей температуры:
,
где А - коэффициент, зависящий от технологии производства транзистора.
При увеличении температуры на 10С увеличивается в два раза. Такое явление вызывает изменение коллекторного тока и режима работы. Изменение также может быть вызвано изменением коэффициента усиления и изменением питающих напряжений во времени. Широкое применение находят коллекторная и эмиттерная схемы стабилизации режимов работы транзисторов. Надо отметить, что все схемы стабилизации реализованы с использованием отрицательной обратной связи по постоянному току. В схеме коллекторной стабилизации ток смещения зависит от потенциала коллектора Uк0, который определяется Uк0=Е-IкRн. Если увеличится , то уменьшается ток смешения Iб0=(Е-IкRн)/R1, что приводит к снижению . Процесс автоматического управления при уменьшении тока коллектора происходит обратным образом. Принцип действия коллекторной стабилизации основан на применении отрицательной обратной связи по напряжению.
Коллекторная стабилизация в случае подачи смещения с помощью делителя объясняется следующим образом:
Iд= (Е-IкRн)/(R1 + R2); Uсм= Iд R2
Рис 3. Схемы коллекторной стабилизации рабочей точки.
При повышении температуры увеличивается ток коллектора, следовательно, возрастает падение напряжения на сопротивлении нагрузки, вследствие чего уменьшается потенциал коллектора. Это приводит к уменьшению напряжения смещения, следовательно, к уменьшению тока коллектора. Более высокую стабильность рабочей точки обеспечивает наиболее распространенная схема эмиттерной стабилизации.
Напряжение смещения в этой схеме равняется . Принцип действия эмиттерной стабилизации состоит в следующем. Допустим, за счет повышения температуры в схеме возрастают токи и . При этом растет падение напряжения на , что уменьшает напряжение смещения. Снижение напряжения смещения, в свою очередь, ведет к уменьшению токов и . Чтобы исключить обратную связь по переменной составляющей, необходимо зашунтировать большой емкостью .
Рис 4. Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки
Стабильность рабочей точки повышается при использовании схемы комбинированной стабилизации (рис 5), в которой объединены оба рассмотренных способа. Коллекторная стабилизация рабочей точки в этой схеме обеспечивается за счет включения в цепь коллектора элементов развязывающего фильтра. При увеличении температуры увеличивается Iк и падение напряжения IкRф. Вследствие чего уменьшается потенциал точки 1, что приводит к уменьшению напряжения смещения. Следовательно, уменьшается ток коллектора, т.е. происходит стабилизация режима работы транзистора.
Рис 5. Схема комбинированной стабилизации рабочей точки.
усилительный смещение транзистор биполярный
Когда требуется уменьшить нестабильность тока покоя, вызываемую лишь изменением температуры, используются схемы температурной стабилизации (рис 6).
Рис. 6. Схемы температурной стабилизации: а - с помощью терморезистора; б - с помощью диода.
В принципиальной схеме усилителя с температурной стабилизацией, приведенной на рис. 6.а, в нижнем плече делителя устанавливается терморезистор с отрицательным температурным коэффициентом. При повышении температуры его сопротивление падает, следовательно, уменьшается напряжение смещения, что вызывает уменьшение токов коллектора и эмиттера.
Температурная стабилизация может быть осуществлена с помощью полупроводниковых диодов (рис. 6.б). С повышением температуры возрастает обратный ток диода, следовательно, возрастает напряжение на сопротивлении и уменьшается напряжение смещения, компенсируя возрастания обратного тока транзистора.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Классификация ЛЭ двухступенчатой логики на биполярных транзисторах. Транзисторно-транзисторные ИМС (TTL). Базовая схема элемента T-TTL, его модификации. Характеристика ЛЭ на полевых МДП-транзисторах. Сравнение ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах.
реферат [1,8 M], добавлен 12.06.2009Выбор параметров усилительного каскада. Построение статистических характеристик транзистора, нагрузочной прямой для режима постоянного тока в цепи коллектора. Выбор положения начальной рабочей точки Р для режима постоянного тока в цепи коллектора.
курсовая работа [433,7 K], добавлен 23.11.2010Характеристики используемого транзистора. Схема цепи питания, стабилизации режима работы, нагрузочной прямой. Определение величин эквивалентной схемы, граничной и предельных частот, сопротивления нагрузки , динамических параметров усилительного каскада.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 09.06.2010Изучение принципа работы, основных переключательных характеристик и методов определения функциональных параметров элемента памяти. Устройство элемента памяти, построенного на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемого в интегральных схемах.
лабораторная работа [65,6 K], добавлен 08.11.2011Разработка и обоснование функциональной схемы устройства. Определение предварительного усилителя, цепи смещения и термостабильности. Исследование стабильности выходного каскада и самовозбуждения транзисторов. Расчет оконечного и предварительного каскада.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 13.10.2021Функциональная схема усилительного устройства автоматического компенсатора, его внутреннее устройство, принцип работы и взаимосвязь элементов. Выбор стандартных электромеханических и электронных элементов: двигателя, датчика. Моделирование компенсатора.
курсовая работа [745,1 K], добавлен 30.03.2015Принцип действия, назначение и режимы работы биполярных транзисторов. Режим покоя в каскаде с общим эмиттером. Выбор типа усилительного каскада по показателям мощности, рассеиваемой на коллекторе. Расчет сопротивления резистора базового делителя.
курсовая работа [918,0 K], добавлен 02.07.2014Что такое электронный усилитель. Резистивный каскад на биполярном транзисторе, его простейшая схема. Графическое пояснение процесса усиления сигнала схемой с общим эмиттером. Схема, проектирование резистивного каскада с фиксированным напряжением смещения.
курсовая работа [337,9 K], добавлен 22.12.2009Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 16.02.2010Анализ и расчет схемы, состоящей из идеального источника напряжения треугольной формы с заданными параметрами, резистора и стабилитрона. Построение временных диаграмм сигналов. Определение режима покоя и расчет цепи смещения для усилительного каскада.
контрольная работа [309,9 K], добавлен 26.01.2013Данные источников входных сигналов, основные требования к качеству работы электронного усилительного устройства системы автоматического управления. Выбор транзисторов оконечного каскада усиления. Расчет площади теплоотвода и сопротивлений резисторов.
курсовая работа [371,1 K], добавлен 23.12.2011Расчет элементов схемы по постоянному току. Определение координат рабочей точки транзистора на выходных характеристиках. Графоаналитическтй расчет параметров усилителя, каскада по переменному сигналу. Нахождение постоянного тока и мощности в режиме покоя.
курсовая работа [5,3 M], добавлен 14.03.2014Параметры элементов усилителя на биполярном транзисторе. Принципиальная схема усилительного каскада. Величина сопротивления в цепи термостабилизации. Элементы делителя напряжения в цепи. Входное сопротивление переменному току транзистора в точке покоя.
контрольная работа [6,0 M], добавлен 02.08.2009Расчёт выходного каскада радиопередатчика на биполярных транзисторах на заданную мощность; выбор схем, транзисторов, элементов колебательных систем, способа модуляции. Расчёт автогенератора, элементов эмиттерной коррекции; выбор варикапа и его режима.
курсовая работа [206,4 K], добавлен 11.06.2012Расчет усилительного каскада, включенного по схеме с ОЭ. Компоненты схемы, ее расчет по постоянному току. Анализ схемы усилительного каскада с общим эмиттером, реализованной на биполярном транзисторе, ее моделирование с помощью MathCad15.0 и Micro-Cap9.0.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 23.03.2012Использование биполярных транзисторов в импульсных источниках электропитания. Линейная область работы транзистора. Коммутационные процессы в транзисторе, определяющие динамические потери при его переключении. Метод симметрирования токов транзисторов.
контрольная работа [219,1 K], добавлен 30.08.2010Динамический режим работы усилителя. Расчет аналоговых электронных устройств. Импульсные и широкополосные усилители. Схемы на биполярных и полевых транзисторах. Правила построения моделей электронных схем. Настройка аналоговых радиотехнических устройств.
презентация [1,6 M], добавлен 12.11.2014Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа [4,4 M], добавлен 19.02.2012Расчет элементов схемы несимметричного мультивибратора на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и каналом p-типа. Исследование типичных форм прямоугольных колебаний. Построение временных диаграмм мультивибратора на биполярных транзисторах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 21.09.2016Расчет параметров элементов цепей смещения путем решения системы, составленной по правилам Кирхгофа. Анализ стабильности режима схемы по постоянному току при воздействии температуры. Зависимость изменения тока коллектора при изменении напряжения питания.
лекция [497,8 K], добавлен 16.03.2011