Базовые понятия цифровой электроники

Размещено на http://www.allbest.ru/

1. Базовые понятия цифровой электроники

цифровой электроника биполярный транзистор

В лекции рассказывается о базовых терминах цифровой электроники, о цифровых сигналах, об уровнях представления цифровых устройств, об их электрических и временных параметрах. Лекция включает понятия о полевых и биполярных транзисторах, схемы включения биполярного транзистора

Аналог или цифра

Сигнал - это любая физическая величина (например, температура, давление воздуха, интенсивность света, сила тока и т.д.), изменяющаяся со временем. Именно благодаря этому изменению сигнал может нести в себе какую-то информацию.

Электрический сигнал - это электрическая величина (например, напряжение, ток, мощность), изменяющаяся со временем. Вся электроника в основном работает с электрическими сигналами, хотя сейчас все больше используются световые сигналы, которые представляют собой изменяющуюся во времени интенсивность света.

Аналоговый сигнал - это сигнал, который может принимать любые значения в определенных пределах (например, напряжение может плавно изменяться в пределах от нуля до десяти вольт). Устройства, работающие только с аналоговыми сигналами, называются аналоговыми устройствами. Название "аналоговый" подразумевает, что сигнал изменяется аналогично физической величине, то есть непрерывно.

Цифровой сигнал - это сигнал, который может принимать только два (иногда - три) значения, причем разрешены некоторые отклонения от этих значений (рис. 1.1). Например, напряжение может принимать два значения: от 0 до 0,5 В (уровень нуля) или от 2,5 до 5 В (уровень единицы). Устройства, работающие исключительно с цифровыми сигналами, называются цифровыми устройствами.



Рис. 1.1 Электрические сигналы: аналоговый (слева) и цифровой (справа)

Можно сказать, что в природе практически все сигналы - аналоговые, то есть они изменяются непрерывно в каких-то пределах. Именно поэтому первые электронные устройства были аналоговыми. Они преобразовывали физические величины в пропорциональные им напряжение или ток, производили над ними какие-то операции и затем выполняли обратные преобразования в физические величины. Например, голос человека (колебания воздуха) с помощью микрофона преобразуется в электрические колебания, затем эти электрические сигналы усиливаются электронным усилителем и с помощью акустической системы снова преобразуются в колебания воздуха - в более сильный звук.

Однако аналоговые сигналы и работающая с ними аналоговая электроника имеют большие недостатки, связанные именно с природой аналоговых сигналов. Дело в том, что аналоговые сигналы чувствительны к действию всевозможных паразитных сигналов - шумов, наводок, помех. Шум - это внутренние хаотические слабые сигналы любого электронного устройства (микрофона, транзистора, резистора и т.д.). Наводки и помехи - это сигналы, приходящие на электронную систему извне и искажающие полезный сигнал (например, электромагнитные излучения от радиопередатчиков или от трансформаторов)

Все операции, производимые электронными устройствами над сигналами, можно условно разделить на три большие группы:

· обработка (или преобразование);

· передача;

· хранение.

Во всех этих трех случаях полезные сигналы искажаются паразитными - шумами, помехами, наводками. Кроме того, при обработке сигналов (например, при усилении, фильтрации) еще и искажается их форма - из-за несовершенства, неидеальности электронных устройств. А при передаче на большие расстояния и при хранении сигналы к тому же ослабляются.

В случае аналоговых сигналов все это существенно ухудшает полезный сигнал, так как все его значения разрешены (рис. 1.2). Поэтому каждое преобразование, каждое промежуточное хранение, каждая передача по кабелю или эфиру ухудшает аналоговый сигнал, иногда вплоть до его полного уничтожения. Надо еще учесть, что все шумы, помехи и наводки принципиально не поддаются точному расчету, поэтому точно описать поведение любых аналоговых устройств абсолютно невозможно. К тому же со временем параметры всех аналоговых устройств изменяются из-за старения элементов, поэтому характеристики этих устройств не остаются постоянными.

Рис. 1.2 Искажение шумами и наводками аналогового (слева) и цифрового (справа) сигналов



В отличие от аналоговых, цифровые сигналы, имеющие всего два разрешенных значения, защищены от действия шумов, наводок и помех гораздо лучше. Небольшие отклонения от разрешенных значений никак не искажают цифровой сигнал, так как всегда существуют зоны допустимых отклонений (рис. 1.2). Именно поэтому цифровые сигналы допускают гораздо более сложную и многоступенчатую обработку, гораздо более длительное хранение без потерь и гораздо более качественную передачу, чем аналоговые. К тому же поведение цифровых устройств всегда можно абсолютно точно рассчитать и предсказать. Цифровые устройства гораздо меньше подвержены старению, так как небольшое изменение их параметров никак не отражается на их функционировании. Кроме того, цифровые устройства проще проектировать и отлаживать. Понятно, что все эти преимущества обеспечивают бурное развитие цифровой электроники.

Однако у цифровых сигналов есть и крупный недостаток. Дело в том, что на каждом из своих разрешенных уровней цифровой сигнал должен оставаться хотя бы в течение какого-то минимального временного интервала, иначе его невозможно будет распознать. А аналоговый сигнал может принимать любое свое значение бесконечно малое время. Можно сказать и иначе: аналоговый сигнал определен в непрерывном времени (то есть в любой момент времени), а цифровой - в дискретном (то есть только в выделенные моменты времени). Поэтому максимально достижимое быстродействие аналоговых устройств всегда принципиально больше, чем цифровых. Аналоговые устройства могут работать с более быстро меняющимися сигналами, чем цифровые. Скорость обработки и передачи информации аналоговым устройством всегда может быть выше, чем скорость обработки и передачи цифровым устройством.

Кроме того, цифровой сигнал передает информацию только двумя уровнями и изменением одного своего уровня на другой, а аналоговый - еще и каждым текущим значением своего уровня, то есть он более емкий с точки зрения передачи информации. Поэтому для передачи того объема информации, который содержится в одном аналоговом сигнале, чаще всего приходится использовать несколько цифровых (чаще всего от 4 до 16).

К тому же, как уже отмечалось, в природе все сигналы - аналоговые, то есть для преобразования их в цифровые и обратного преобразования требуется применение специальной аппаратуры (аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей). Так что ничто не дается даром, и плата за преимущества цифровых устройств может порой оказаться неприемлемо большой.

Электронные компоненты

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы основаны на управлении током в выходной цепи с помощью электрического поля, создаваемого входным напряжением. Различают полевые транзисторы с управляющим р-п--переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором. Последние получитли преимущественное распространение и называются МОП- (металл-окисел-полупроводник) или МДП-транзисторами (металл-диэлектрик-полупроводник). Современные интегральные микросхемы строятся на МОП-транзисторах.

Каналом называется та часть структуры полевого транзистора, через которую протекает управляемый ток. Электрод, из которого в канал входят носители заряда, называют истоком; электрод, через который из канала уходят носители заряда, -- стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, -- затвором.

Полевой транзистор с управляющим р-п- переходом -- это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала закрытым р-п -- переходом. Если затвор есть р-область, а канал n-область, то при подключении к затвору отрицательного, а к стоку положительного напряжения переход закрыт, а в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. Движение носителей заряда происходит не через переход, а вдоль электронно-дырочного перехода.

Рис. 1.3 Структура МОП-транзистора с индуцированным n-каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором -- это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором формируется в полупроводниковой P-подложке, в которой созданы n-области истока и стока. Между ними над подложкой размещается металлический затвор, отделяемый от подложки слоем диэлектрика SiO2 (рис. 1).

Существуют МДП-транзисторы с индуцированным и со встроенным каналами.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом последний появляется только при подаче на затвор положительного напряжения, превышающего некоторое пороговое напряжение Uпор.

Образуется электрическое поле, отталкивающее дырки из прилегающей к затвору области подложки, что приводит к образованию n-канала (в случае n-подложки подается отрицательное напряжение и образуется р-канал). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения.

В МДП--транзисторах со встроенным каналом проводящий канал создается при изготовлении транзистора. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор -- исток транзистора с р -- каналом или отрицательном напряжении транзистора с n -каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки Uотс. МДП--транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.

Вольт-амперные характеристики МОП-транзистора с встроенным каналом представлены на рис. 2.

Усилительные свойства полевого транзистора характеризуются крутизной S переходной вольт-амперной характеристики, определяемой как отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

Рис. 1.4 Вольт-амперные характеристики МОП-транзистора с встроенным n-каналом

Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток -- подложка всегда был закрыт. При этом р-п переход канал--подложка может быть использован как затвор полевого транзистора с управляющим р-п переходом.

В 2008 г. появились сообщения о новом не полупроводниковом транзисторе. Это графеновый транзистор. Графен, являясь формой графита, состоит из одного слоя атомов углерода, выстроенных в виде гексагональной решетки, аналогичной мелкой проволочной сетке атомарного масштаба. Ключевое преимущество графена -- в очень высокой скорости распространения электронов в этом материале, что является необходимым условием создания быстродействующих высокопроизводительных транзисторов. Исследователи обнаружили зависимость увеличения рабочей частоты транзистора от уменьшения его размеров. Пока рекордной для графенового транзистора является тактовая частота 26 ГГц, при этом длина затвора транзистора составляет 150 нм. Улучшение диэлектрических свойств затвора и уменьшение его длины до 50 нм позволят достичь терагерцовых рабочих частот.

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор -- полупроводниковый прибор с расположенными на близком расстоянии друг от друга параллельными p-n--переходами. Структура интегрального биполярного n-p-n транзистора представлена на рис. 1, там же показано условное изображение транзистора на электрических схемах.

Рис. 1.5 Структура интегрального биполярного n-p-n транзистора

Транзистор состоит из эмиттерной, базовой и коллекторной областей. Толщина базовой области транзистора должна быть заметно меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, тогда большая часть неосновных (для базы) носителей, инжектированных эмиттером, не успеет рекомбинировать при диффузионном перемещении к коллектору.

В p-n переходе имеется область пространственного заряда, причем электрические поля в эмиттерном и коллекторном переходах направлены так, что для p-n-p транзистора базовая область создает энергетический барьер для дырок, стремящихся перейти из эмиттера в базу, для n-p-n транзистора базовая область создает аналогичный барьер для электронов эмиттерной области. При отсутствии внешнего смещения на переходах потоки носителей заряда через переходы скомпенсированы и токи через электроды транзистора отсутствуют.

В активной области работы транзистора эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном. В этой области транзистор работает в режиме усиления входного сигнала. Приложенное к эмиттерному переходу смещение уменьшает потенциальный барьер и из эмиттера в базу инжектируются дырки (в p-n-p транзисторе) или электроны (в n-p-n транзисторе). Инжектированные носители проходят через слой базы и достигают коллектора. Между базой и коллектором для неосновных носителей барьера нет, поэтому дошедшие до коллектора носители заряда выбрасываются в коллекторную область и создают коллекторный ток. Поскольку большинство неосновных носителей не успевает рекомбинировать, основная часть инжектированных эмиттером носителей достигает коллектора. В то же время мощность, затраченная во входной эмиттерной цепи на создание тока, меньше мощности, которая выделяется в выходной коллекторной цепи, что обусловливает усиление мощности.

Поскольку коллектор смещен в обратном направлении высота энергетического барьера для основных носителей в базе и коллекторе велика и их инжекция через коллекторный переход отсутствует. Через коллекторный переход могут проходить только потоки неосновных носителей заряда, перемещению которых не препятствует поле области пространственного заряда.

Усиление транзистора оценивают коэффициентом б, связывающим ток эмиттера Iэ и ток коллектора Iк:

Iк = б Iэ

Коэффициент б называют коэффициентом усиления тока в схеме с общей базой. Численное значение коэффициента б близко к единице (0.9 -- 0.999). Чаще пользуются коэффициентом усиления тока в схеме с общим эмиттером

B = б / (1 б)

Кроме активной области работы возможны:

· режим насыщения (оба перехода открыты), который используется в переключательных схемах вычислительной техники и цифровой автоматики,

· закрытая область (оба перехода заперты),

· инверсная активная область (коллекторный переход открыт, эмиттерный заперт, в которую транзистор может попадать во время переходных процессов.

При моделировании электронных схем на биполярных транзисторах преимущественно используются модель Эберса-Молла и модель Гуммеля-Пуна.

Схемы включения биполярного транзистора

Различают схемы включения биполярного транзистора с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).

На рис. 1 показаны схемы включения транзистора (E - напряжение питания, Rн - сопротивление нагрузки).



Рис. 1.6 Схемы включения транзистора

Логические элементы на биполярных транзисторах

На рис. 1 представлена конструкция интегрального n-p-n транзистора.

Рис. 1.7 Интегральный транзистор

Принципиальная схема типового элемента 2И-НЕ диодно-транзисторной логики (ДТЛ) приведена на рис. 2. Если хотя бы на одном из входов (число которых может быть более двух) появляется уровень 0 (низкое напряжение), то соответствующий входной диод открывается и сигнал низкого напряжения практически закрывает транзистор Т1. При этом Т3 будет закрыт, а Т2 открыт и на выходе установится уровень 1 (высокий уровень). Для получения на выходе уровня 0 нужно, чтобы все входные диоды были закрыты, т.е. на входах должны быть уровни 1.



Рис. 1.8 Принципиальная схема ДТЛ

Принципиальная схема типового элемента 2И-НЕ транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) приведена на рис. 3. В отличие от схемы ДТЛ роль входных диодов выполняют эмиттерные переходы многоэмиттерного транзистора Т1.

Рис. 1.9 Принципиальная схема ТТЛ

Принципиальная схема типового элемента 2ИЛИ-НЕ эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) приведена на рис. 4. При подаче хотя бы на один из входов (число которых может быть более двух) уровня 1 (высокий уровень напряжения) соответствующий трназистор открывается, а Т3 закрывается. Эмиттерный повторитель на транзисторе Т6 повторяет на выходе 1 установившийся низкий уровень напряжения с коллектора открывшегося входного транзистора. На выходе 2 появляется инвертированный выходной сигнал.



Рис. 1.10 Принципиальная схема ЭСЛ

Логические элементы на комплементарных МОП транзисторах (КМДП)

Схемы на комплементарных транзисторах строятся на основе МОП транзисторов с n- и p-каналами. В состоянии логической единицы верхний транзистор открыт, а нижний закрыт, на выходе -- высокий потенциал. В состоянии логического нуля наоборот -- открыт нижний транзистор, а закрыт верхний, на выходе потенциал, близкий к нулю В статическом состоянии ток в ключе отсутствует. Потребление тока происходит только во время переходных процессов. Этим током производится перезаряд паразитной ёмкости нагрузки. Простейший логический элемент -- это инвертор (рис. 1).

Рис. 1.11 Принципиальная схема инвертора



На рис. 2 показана конструкция (профиль) инвертора на КМДП-транзисторах.

Рис. 1.12 Конструкция инвертора на КМДП-транзисторах

Схема логического элемента 2И-НЕ на КМДП транзисторах приведена на рис. 3.

Рис. 1.13 Принципиальная схема элемента 2И-НЕ

В схеме рис. 3 на выходе будет низкий потенциал, если на оба входа поданы сигналы единицы (высокий уровень), так как оба p-МДП транзистора будут закрыты.

Логический элемент 2ИЛИ-НЕ (рис. 4), выполненный на КМДП транзисторах, представляет собой параллельное соединение ключей. Если же хотя бы на одном из входов будет присутствовать уровень логической единицы, то верхнее плечо будет закрыто и на выходе установится низкий потенциал.



Рис. 1.14 Принципиальная схема элемента 2ИЛИ-НЕ

Уровни представления цифровых устройств

Все цифровые устройства строятся из логических микросхем, каждая из которых (рис. 1.3) обязательно имеет следующие выводы (или, как их еще называют в просторечии, "ножки"):

· выводы питания: общий (или "земля") и напряжения питания (в большинстве случаев -- +5В или +3,3В), которые на схемах обычно не показываются;

· выводы для входных сигналов (или ""входы"), на которые поступают внешние цифровые сигналы;

· выводы для выходных сигналов (или "выходы"), на которые выдаются цифровые сигналы из самой микросхемы.

Каждая микросхема преобразует тем или иным способом последовательность входных сигналов в последовательность выходных сигналов. Способ преобразования чаще всего описывается или в виде таблицы (так называемой таблицы истинности), или в виде временных диаграмм, то есть графиков зависимости от времени всех сигналов.



Рис. 1.15 Цифровая микросхема

Все цифровые микросхемы работают с логическими сигналами, имеющими два разрешенных уровня напряжения. Один из этих уровней называется уровнем логической единицы (или единичным уровнем), а другой -- уровнем логического нуля (или нулевым уровнем). Чаще всего логическому нулю соответствует низкий уровень напряжения, а логической единице -- высокий уровень. В этом случае говорят, что принята "положительная логика". Однако при передаче сигналов на большие расстояния и в системных шинах микропроцессорных систем порой используют и обратное представление, когда логическому нулю соответствует высокий уровень напряжения, а логической единице -- низкий уровень. В этом случае говорят об "отрицательной логике". Иногда логический нуль кодируется положительным уровнем напряжения (тока), а логическая единица -- отрицательным уровнем напряжения (тока), или наоборот. Есть и более сложные методы кодирования логических нулей и единиц. Но мы в основном будем говорить о положительной логике.

Для описания работы цифровых устройств используют самые различные модели, отличающиеся друг от друга сложностью, точностью, большим или меньшим учетом тонких физических эффектов. В основном эти модели используются при компьютерных расчетах цифровых схем. В настоящее время существуют компьютерные программы, которые не только рассчитывают готовые схемы, но способны и проектировать новые схемы по формализованным описаниям функций, которые данное устройство должно выполнять. Это довольно удобно, но ни одна программа никогда не может сравниться с человеком. По-настоящему эффективные, минимизированные по аппаратуре, наконец, красивые схемы может разрабатывать только человек, который всегда подходит к проектированию творчески и использует оригинальные идеи.

Разработчик цифровой аппаратуры тоже использует своеобразные модели или, как еще можно сказать, различные уровни представления цифровых схем. Но, в отличие от компьютера, человек может гибко выбирать нужную модель -- ему надо только взглянуть на схему, чтобы понять, где достаточно простейшей модели, а где требуется более сложная. То есть человек никогда не будет делать лишней, избыточной работы и, следовательно, не будет вносить дополнительных ошибок, свойственных любой, даже самой сложной, модели. Правда, простота цифровых устройств по сравнению с аналоговыми обычно не провоцирует на чересчур серьезные ошибки.

В подавляющем большинстве случаев для разработчика цифровых схем достаточно трех моделей, трех уровней представления о работе цифровых устройств:

1. Логическая модель.

2. Модель с временными задержками.

3. Модель с учетом электрических эффектов (или электрическая модель).

Опыт показывает, что первой, простейшей модели достаточно примерно в 20% всех случаев. Она применима для всех цифровых схем, работающих с низкой скоростью, в которых быстродействие не принципиально. Привлечение второй модели, учитывающей задержки срабатывания логических элементов, позволяет охватить около 80% всех возможных схем. Ее применение необходимо для всех быстродействующих устройств и для случая одновременного изменения нескольких входных сигналов. Наконец, добавление третьей модели, учитывающей входные и выходные токи, входные и выходные сопротивления и емкости элементов, дает возможность проектирования практически 100% цифровых схем. В первую очередь, эту третью модель надо применять при объединении нескольких входов и выходов, при передаче сигналов на большие расстояния и при нетрадиционном включении логических элементов. Для иллюстрации работы перечисленных моделей рассмотрим работу самого простейшего логического элемента - инвертора. Инвертор изменяет (инвертирует) логический уровень входного сигнала на противоположный уровень выходного сигнала или, как еще говорят, изменяет полярность логического сигнала. Его таблица истинности (табл. 1.1) элементарно проста, так как возможно только две ситуации: нуль на входе или единица на входе. На рис. 1.4 показано, как будет выглядеть выходной сигнал инвертора при использовании трех его моделей (трех уровней его представления). Такие графики логических сигналов называются временными диаграммами, они позволяют лучше понять работу цифровых схем. Из рисунка видно, что в первой, логической модели считается, что элемент срабатывает мгновенно, любое изменение уровня входного сигнала сразу же, без всякой задержки приводит к изменению уровня выходного сигнала. Во второй модели выходной сигнал изменяется с некоторой задержкой относительно входного. Наконец, в третьей модели выходной сигнал не только задерживается по сравнению с входным, но и его изменение происходит не мгновенно - процесс смены уровней сигнала (или, как говорят, фронт сигнала) имеет конечную длительность. Кроме того, третья модель учитывает изменение уровней логических сигналов.

Таблица 1.1 Таблица истинности инвертора

Вход	Выход
0	1
1	0



Рис. 1.16 Три уровня представления цифровых устройств

На практике разработчик, как правило, в начале проектирования пользуется исключительно первой моделью, а затем для некоторых узлов применяет вторую или (реже) еще и третью модель. При этом первая модель не требует вообще никаких цифровых расчетов, для нее достаточно только знание таблиц истинности или алгоритмов функционирования микросхем. Вторая модель предполагает расчет (по сути, суммирование) временных задержек элементов на пути прохождения сигналов (рис. 1.5). В результате этого расчета может выясниться, что требуется внесение изменений в схему.

Рис. 1.17 Суммирование задержек элементов

Рис. 1.18 Суммирование входных токов элементов



Расчеты по третьей модели могут быть различными, в том числе и довольно сложными, но в большинстве случаев они все-таки сводятся всего лишь к суммированию входных и выходных токов логических элементов (рис. 1.6). В результате этих расчетов может выясниться, что требуется применение микросхем с более мощными выходами или включение дополнительных элементов.

То есть проектирование цифровых устройств принципиально отличается от проектирования аналоговых устройств, при котором сложные расчеты абсолютно неизбежны. Разработчик цифровых устройств имеет дело только с логикой, с логическими сигналами и с алгоритмами работы цифровых микросхем. А что происходит внутри этих микросхем, для него практически не имеет значения.

Справочные данные на цифровые микросхемы обычно содержат большой набор параметров, каждый из которых можно отнести к одному из трех перечисленных уровней представления, к одной из трех моделей.

Например, таблица истинности микросхемы (для простых микросхем) или описание алгоритма ее работы (для более сложных микросхем) относится к первому, логическому уровню. Поэтому знать их наизусть каждому разработчику необходимо в любом случае.

Величины задержек логических сигналов между входами и выходами относятся ко второму уровню представления. Типичные величины задержек составляют от единиц наносекунд (1 нс = 10-9 с) до десятков наносекунд. Величины задержек для разных микросхем могут быть различными, поэтому в справочниках всегда указывается максимальное значение. Необходимо также помнить, что задержка при переходе выходного сигнала из единицы в нуль (tPHL), как правило, отличается от задержки при переходе выходного сигнала из нуля в единицу (tPLH). Например, для одной и той же микросхемы tPLH<11 нс, а tPHL<8 нс. Здесь английская буква P означает Propagation (распространение), L означает Low (низкий уровень сигнала, нуль), а H -- High (высокий уровень сигнала, единица). Количество величин задержек, определяемых справочником для микросхемы, может изменяться от двух до нескольких десятков.

Уровни входных и выходных токов, а также уровни входных и выходных напряжений относятся к третьему уровню представления.

Входной ток микросхемы при приходе на вход логического нуля (IIL), как правило, отличается от входного тока при приходе на вход логической единицы (IIH). Например, IIL = - 0,1 мА, а IIH = 20 мкА (считается, что положительный ток втекает во вход микросхемы, а отрицательный -- вытекает из него). Точно так же выходной ток микросхемы при выдаче логического нуля (IOL) может отличаться (и обычно отличается) от выходного тока при выдаче логической единицы (IOH). Например, для одной и той же микросхемы IOH<- 0,4 мА,а IOL <8 мА (считается, что положительный ток втекает в выход микросхемы, а отрицательный -- вытекает из него). Надо также учитывать, что разные входы и выходы одной и той же микросхемы могут иметь различные входные и выходные токи.

Для выходных напряжений логического нуля (UOL) и единицы (UOH) в справочниках обычно задаются предельно допустимые значения при данной величине выходного тока. В этом случае, чем больше выходной ток, тем меньше напряжение логической единицы и тем больше напряжение логического нуля. Например, UOH > 2,5 В (при IOH<-0,4 мА),а UOL<0,5 В (при IOL < 8 мА).

Задаются в справочниках также и допустимые уровни входных напряжений, которые микросхема еще воспринимает как правильные логические уровни нуля и единицы. Например, UIH > 2,0 В, UIL < 0,8 В. Как правило, входные напряжения логических сигналов не должны выходить за пределы напряжения питания.

В обозначениях напряжений и токов буква I означает Input (вход), буква O означает Output (выход), L -- Low (нуль), а H -- High (единица).

К третьему уровню представления относятся также величины внутренней емкости входов микросхемы (обычно от единиц до десятков пикофарад) и допустимая величина емкости, к которой может подключаться выход микросхемы, то есть емкость нагрузки CL (порядка 100 пФ). Отметим, что 1 пФ = 10-12 Ф. На этом же уровне представления задаются максимально допустимые величины длительности положительного фронта (tLH) и отрицательного фронта (tHL) входного сигнала, например, tHL < 1,0 мкс, tLH < 1,0 мкс. То есть при большей длительности перехода входного сигнала из единицы в нуль и из нуля в единицу микросхема может работать неустойчиво, неправильно, нестандартно.

К третьему уровню представления можно отнести также такие параметры, как допустимое напряжение питания микросхемы (UCC) и максимальный ток, потребляемый микросхемой (ICC). Например, может быть задано 4,5 В<UCC<5,5 В; ICC<100 мА.

При этом потребляемый ток ICC зависит от уровней выходных токов микросхемы IOH и IOL. Эти параметры надо учитывать при выборе источника питания для проектируемого устройства, а также в процессе изготовления печатных плат -- при выборе ширины токоведущих дорожек.

Наконец, к третьему же уровню относится ряд параметров, которые часто упоминаются в литературе, но не всегда приводятся в справочных таблицах:

· Порог срабатывания -- уровень входного напряжения, выше которого сигнал воспринимается как единица, а ниже -- как нуль. Для наиболее распространенных ТТЛ микросхем он примерно равен 1,3...1,4 В.

· Помехозащищенность -- характеризует величину входного сигнала помехи, накладывающегося на входной сигнал, который еще не может изменить состояние выходных сигналов. Помехозащищенность определяется разницей между напряжением UIH и порогом срабатывания (это помехозащищенность единичного уровня), а также разницей между порогом срабатывания и UIL (это помехозащищенность нулевого уровня).

· Коэффициент разветвления -- число входов, которое может быть подключено к данному выходу без нарушения работы. Определяется отношением выходного тока к входному. Стандартная величина коэффициента разветвления при использовании микросхем одного типа (одной серии) равна 10.

· Нагрузочная способность -- параметр выхода, характеризующий величину выходного тока, которую может выдать в нагрузку данный выход без нарушения работы. Чаще всего нагрузочная способность прямо связана с коэффициентом разветвления.

Таким образом, большинство справочных параметров микросхемы относятся к третьему уровню представления (к модели с учетом электрических эффектов), поэтому в большинстве случаев (до 80%) знать их точные значения наизусть не обязательно. Достаточно помнить примерные типовые значения параметров для данной серии микросхем.

Входы и выходы цифровых микросхем

Характеристики и параметры входов и выходов цифровых микросхем определяются прежде всего технологией и схемотехникой их внутреннего строения. Но для разработчика цифровых устройств любая микросхема представляет собой всего лишь "черный ящик", внутренности которого знать не обязательно. Ему важно только четко представлять себе, как поведет себя та или иная микросхема в данном конкретном включении, будет ли она правильно выполнять требуемую от нее функцию.

Наибольшее распространение получили две технологии цифровых микросхем:

· ТТЛ (TTL) и ТТЛШ (TTLS) -- биполярная транзисторно-транзисторная логика и ТТЛ с диодами Шоттки;

· КМОП (CMOS) -- комплементарные транзисторы со структурой "металл-окисел-полупроводник".



Рис. 1.17 Входной и выходной каскады микросхем ТТЛШ

Рис. 1.18 Входной и выходной каскады микросхем КМОП

Различаются они типами используемых транзисторов и схемотехническими решениями внутренних каскадов микросхем. Отметим также, что микросхемы КМОП потребляют значительно меньший ток от источника питания, чем такие же микросхемы ТТЛ (или ТТЛШ) -- правда, только в статическом режиме или на небольших рабочих частотах. На рис. 1.7 и 1.8 показаны примеры схем входных и выходных каскадов микросхем, выполненных по этим технологиям. Понятно, что точный учет всех эффектов в этих схемах, включающих в себя множество транзисторов, диодов и резисторов, крайне сложен, но обычно он просто не нужен разработчику цифровых схем.

Рассмотрим сначала входы микросхем.

На первом уровне представления (логическая модель) и на втором уровне представления (модель с временными задержками) о входах микросхем вообще ничего знать не нужно. Вход рассматривается как бесконечно большое сопротивление, никак не влияющее на подключенные к нему выходы. Правда, количество входов, подключенных к одному выходу, влияет на задержку распространения сигнала, но, как правило, незначительно, поэтому это влияние учитывается редко.

Даже на третьем уровне представления (электрическая модель) в большинстве случаев не нужно знать о внутреннем строении микросхемы, о схемотехнике входов. Достаточно считать, что при подаче на вход сигнала логического нуля из этого входа вытекает ток, не превышающий IIL, а при подаче сигнала логической единицы в этот вход втекает ток, не превышающий IIH. А для правильной логики работы микросхемы достаточно, чтобы уровень напряжения входного сигнала логического нуля был меньше UIL, а уровень напряжения входного сигнала логической единицы был больше UIH.

Особым случаем является ситуация, когда какой-нибудь вход не подключен ни к одному из выходов -- ни к общему проводу, ни к шине питания (так называемый висящий вход). Иногда возможности микросхемы используются не полностью и на некоторые входы не подается сигналов. Однако при этом микросхема может не работать или работать нестабильно, так как ее правильное включение подразумевает наличие на всех входах логических уровней, пусть даже и неизменных. Поэтому рекомендуется подключать неиспользуемые входы к напряжению питания микросхемы UCC или к общему проводу (к земле) в зависимости от того, какой логический уровень необходим на этом входе. Но для некоторых серий микросхем, выполненных по технологии ТТЛ (например, К155 или КР531), неиспользуемые входы надо подключать к напряжению питания не напрямую, а только через резистор величиной около 1 кОм (достаточно одного резистора на 20 входов).

На неподключенных входах микросхем ТТЛ формируется напряжение около 1,5-1,6 В, которое иногда называют висячим потенциалом. Обычно этот уровень воспринимается микросхемой как сигнал логической единицы, но рассчитывать на это не стоит. Потенциал, образующийся на неподключенных входах микросхем КМОП, может восприниматься микросхемой и как логический нуль, и как логическая единица. В любом случае все входы надо куда-то подключать. Неподключенными допускается оставлять только те входы (ТТЛ, а не КМОП), состояние которых в данном включении микросхемы не имеет значения.

Выходы микросхем принципиально отличаются от входов тем, что учет их особенностей необходим даже на первом и втором уровнях представления.

Существуют три разновидности выходных каскадов, существенно различающиеся как по своим характеристикам, так и по областям применения:

· стандартный выход или выход с двумя состояниями (обозначается 2С, 2S или, реже, ТТЛ, TTL);

· выход с открытым коллектором (обозначается ОК, OC);

· выход с тремя состояниями или (что то же самое) с возможностью отключения (обозначается 3С, 3S).

Стандартный выход 2С имеет всего два состояния: логический нуль и логическая единица, причем оба они активны, то есть выходные токи в обоих этих состояниях (IOL и IOH) могут достигать заметных величин. На первом и втором уровнях представления такой выход можно считать состоящим из двух выключателей, которые замыкаются по очереди (рис. 1.9), причем замкнутому верхнему выключателю соответствует логическая единица на выходе, а замкнутому нижнему -- логический нуль.



Рис. 1.19 Три типа выходов цифровых микросхем

Выход с открытым коллектором ОК тоже имеет два возможных состояния, но только одно из них (состояние логического нуля) активно, то есть обеспечивает большой втекающий ток IOL. Второе состояние сводится, по сути, к тому, что выход полностью отключается от присоединенных к нему входов. Это состояние может использоваться в качестве логической единицы, но для этого между выходом ОК и напряжением питания необходимо подключить нагрузочный резистор R (так называемый pull-up) величиной порядка сотен Ом. На первом и втором уровнях представления такой выход можно считать состоящим из одного выключателя (рис. 1.9), замкнутому состоянию которого соответствует сигнал логического нуля, а разомкнутому -- отключенное, пассивное состояние. Правда, от величины резистора R зависит время переключения выхода из нуля в единицу, что влияет на задержку tLH, но при обычно используемых номиналах резисторов это не слишком важно.

Наконец, выход с тремя состояниями 3С очень похож на стандартный выход, но к двум состояниям добавляется еще и третье -- пассивное, в котором выход можно считать отключенным от последующей схемы. На первом и втором уровнях представления такой выход можно считать состоящим из двух переключателей (рис. 1.9), которые могут замыкаться по очереди, давая логический нуль и логическую единицу, но могут и размыкаться одновременно. Это третье состояние называется также высокоимпедансным или Z-состоянием. Для перевода выхода в третье Z-состояние используется специальный управляющий вход, обозначаемый OE (Output Enable -- разрешение выхода) или EZ (Enable Z-state).

Почему же помимо стандартного выхода (2С) были предложены еще два типа выходов (ОК и 3С)? Дело в том, что выходы, имеющие помимо активных еще и пассивное состояние, очень удобны для объединения их между собой. Например, если на один и тот же вход надо по очереди подавать сигналы с двух выходов (рис. 1.10), то выходы 2С для этого не подходят, а вот выходы ОК и 3С -- подходят.

При объединении двух или более выходов 2С вполне возможна ситуация, при которой один выход стремится выдать сигнал логической единицы, а другой -- сигнал логического нуля. Легко заметить, что в этом случае через верхний замкнутый ключ выхода, выдающего единицу, и через нижний замкнутый ключ выхода, выдающего нуль, пойдет недопустимо большой ток короткого замыкания Iкз. Это аварийная ситуация, при которой уровень получаемого выходного логического сигнала точно не определен -- он может восприниматься последующим входом и как нуль, и как единица. Конфликтующие выходы могут даже выйти из строя, нарушив работу микросхем и схемы в целом.

Зато в случае объединения двух выходов ОК такого конфликта в принципе произойти не может. Даже если ключ одного выхода замкнут, а другого -- разомкнут, аварийной ситуации не произойдет, так как недопустимо большого тока не будет, а на объединенном выходе будет сигнал логического нуля. А при объединении двух выходов 3С аварийная ситуация хоть и возможна (если оба выхода одновременно находятся в активном состоянии), но ее легко можно предотвратить, если организовать схему так, что в активном состоянии всегда будет находиться только один из объединенных выходов 3С.



Рис. 1.20 Объединение выходов цифровых микросхем

Объединение выходов цифровых микросхем совершенно необходимо также при шинной (или, как еще говорят, магистральной) организации связей между цифровыми устройствами. Шинная организация связей применяется, например, в компьютерах и в других микропроцессорных системах. Суть ее сводится к следующему.

При классической организации связей (рис. 1.11) все сигналы между устройствами передаются по своим отдельным линиям (проводам). Каждое устройство передает свои сигналы всем другим независимо от других устройств. В этом случае обычно получается очень много линий связи, к тому же правила обмена сигналами по этим линиям (или протоколы обмена) чрезвычайно разнообразны.

Рис. 1.21 Классическая организация связей



Рис. 1.22 Шинная организация связей

При шинной же организации связей (рис. 1.12) все сигналы между устройствами передаются по одним и тем же линиям (проводам), но в разные моменты времени (это называется временным мультиплексированием). В результате количество линий связи резко сокращается, а правила обмена сигналами существенно упрощаются. Группа линий (сигналов), используемая несколькими устройствами, как раз и называется шиной. Понятно, что объединение выходов в этом случае совершенно необходимо -- ведь каждое устройство должно иметь возможность выдавать свой сигнал на общую линию. К недостаткам шинной организации относится прежде всего невысокая (по сравнению с классической структурой связей) скорость обмена сигналами. При простых структурах связи она может быть избыточна.

Но вернемся к типам выходов цифровых микросхем.

На третьем уровне представления (электрическая модель) необходимо уже учитывать, что выходные ключи (рис. 1.9) представляют собой не простые тумблеры (как на первых двух уровнях представления), а транзисторные ключи со своими специфическими параметрами. Однако в большинстве случаев достаточно знать, какой ток может выдать данный выход при логическом нуле (IOL) и при логической единице (IOH). Величины этих токов не должны превышать суммы токов всех входов, подключенных к данному выходу (соответственно IIL и IIH). Количеством входов, которое можно подключить к одному выходу, определяется коэффициент разветвления или нагрузочную способность микросхемы. Существуют микросхемы с обычной нагрузочной способностью и с повышенной нагрузочной способностью (больше обычной в два раза и более). Выходы 3С, как правило, имеют повышенную нагрузочную способность (то есть обеспечивают большие выходные токи). Выходы 2С и ОК могут быть как с обычной, так и с повышенной нагрузочной способностью.

Также на третьем уровне представления (электрическая модель) необходимо учитывать выдаваемые выходом микросхемы величины выходных напряжений UOL и UOH. Выходы ОК могут быть рассчитаны как на обычное выходное напряжение логической единицы (UOH = UCC = 5 В), так и на повышенное напряжение логической единицы (до 30 В). В последнем случае внешний резистор этого выхода (см. рис. 1.9) подключается к источнику повышенного напряжения.

Только в сложных случаях, например, при переводе логического элемента в линейный режим за счет обратных связей, нужен учет других параметров входных и выходных каскадов. Но в этих редких случаях гораздо проще и надежнее не считать ничего самому, а воспользоваться стандартными схемами включения микросхем или подобрать режимы работы и номиналы внешних элементов (резисторов, конденсаторов) непосредственно на макете проектируемого устройства. В отличие от расчетов, такой подход даст полную гарантию работоспособности выбранного решения.

Размещено на Allbest.ru

...