Определение параметров биполярного транзистора по статическим характеристикам
Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.01.2015 |
| Размер файла | 582,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Федеральное агентство по образованию
Московский государственный технический университет
«МАМИ»
Курсовая работа
по дисциплине «Электроника»
на тему «Определение параметров биполярного транзистора по статическим характеристикам»
1. Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», в выработке навыков расчета параметров биполярного транзистора по статическим характеристикам, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой.
2. Задание на курсовую работу
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора (ГТ 305) (согласно варианту) выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения графоаналитическим методом определить малосигнальные параметры (h-параметры) транзистора.
транзистор гибридный эмиттер
3. Содержание курсовой работы
3.1 Паспортные данные
Транзистор ГТ305.
Германиевый усилительный высокочастотный маломощный сплавно-диффузионный p-n-p транзистор, предназначенный для усиления высокой частоты.
Таблица 1
|
Электрические параметры (Токр=+20°С) |
||
|
Граничное напряжение при IЭ=10mA |
< 12 В |
|
|
Обратный коллекторный ток |
6 мкА |
|
|
Коэффициент усиления по току в схеме ОЭ |
40…120 |
|
|
Коэффициент усиления по току в инверсном включении |
26…34 |
|
|
Крутизна характеристики в инверсном включении |
< 45 мА/В |
|
|
Напряжение насыщения база-эмиттер в режиме насыщения |
> 0,7 В |
|
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
> 0,5 В |
|
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер в инверсном включении |
< 0,4 В |
|
|
Емкость коллектора |
< 7 пФ |
|
|
Предельные эксплуатационные данные |
||
|
Напряжение коллектор-база и коллектор-эммитер в режиме переключения |
15 В |
|
|
Напряжение эммитер-база в режиме переключения |
1,5 В |
|
|
Ток коллектора в режиме переключения |
40 мА |
|
|
Рассеиваемая мощность без дополнительного теплоотвода |
75 мВт |
|
|
Температура окружающей среды |
-45…+60°С |
|
|
Термоциклирование в диапазоне температур |
-45…+60°С |
|
|
Температура перехода |
-45…+80°С |
3.2 Определение h - параметров биполярного транзистора
В настоящее время основными считаются смешанные (или гибридные) параметры, обозначаемые буквой h или H. Название «смешанные» дано потому, что среди них имеются две относительные величины, одно сопротивление и одна проводимость. Именно h-параметры приводятся во всех справочниках. Параметры системы h удобно измерять. Это весьма важно, так как публикуемые в справочниках параметры являются средними, полученными в результате измерений параметров нескольких транзисторов данного типа. Два из h-параметров определяются при коротком замыкании для переменного тока на выходе, т. е. при отсутствии нагрузки в выходной цепи. В этом случае на выход транзистора подается только постоянное напряжение (u2=const) от источника Е2. Остальные два параметра определяются при разомкнутой для переменного тока входной цепи, т. е. когда во входной цепи имеется только постоянный ток (i1=const), создаваемый источником питания. Условия и2=const и i1=const нетрудно осуществить на практике при измерении h-параметров.
3.3 Н-параметры транзистора по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером
Входные вольтамперные характеристики в схеме с общим эмиттером
Рис. 1
- входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.
Выходные вольтамперные характеристики в схеме с общим эмиттером
Рис. 2
- коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
- выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи);
Для повышения точности расчетов приращения IК, IБ, UБЭ, UКЭ берем симметрично относительно рабочей точки транзистора в режиме покоя;
Если известны h-параметры для одной схемы включения, h-параметры для другой схемы включения (с ОБ) определяются с помощью формул пересчета.
Таким образом, зная входные и выходные вольтамперные характеристики биполярного транзистора, и применяя графоаналитический метод, можно определить малосигнальные параметры (h-параметры) транзистора.
Список литературы
1 Электроника: Методические указания к выполнению курсовой работы/ В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2002. 37 с
2 Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, изд. фирма "Куб-ка", 1994. 384 с.
3. Немцов М.В. Электротехника и электроника. М. Издательство МЭИ 2003 г;
4. Катаранов Б.А., «Электротехника и электроника» Часть 2. «Электроника». МОРФ, 2008 г;
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 21.11.2014Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
курсовая работа [510,2 K], добавлен 01.11.2010Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015Особенности работы биполярного транзистора в режиме общего эмиттера. Измерение зависимостей выходного тока от выходного напряжения при различных фиксированных входных токах. Построение по ним семейства выходных и входных вольтамперных характеристик.
отчет по практике [953,7 K], добавлен 27.06.2015Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.
контрольная работа [1,4 M], добавлен 05.07.2014Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа [418,7 K], добавлен 10.05.2015Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Определение параметров транзистора по его статическим характеристикам. Построение комбинационной логической схемы на электромагнитных реле. Разработка электрических схем параллельного и последовательного суммирующих счётчиков. Состояние триггеров.
курсовая работа [290,5 K], добавлен 13.01.2016Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.
курсовая работа [911,3 K], добавлен 10.02.2016
