Цифровые микросхемы и транзисторы
Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 22.01.2015 |
| Размер файла | 877,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Содержание
1. Параметры цифровой интегральной микросхемы К561ЛА7
2. Параметры маломощного кремниевого транзистора КТ315
3. Маломощный кремниевый транзистор КТ3102
4. Цифровая микросхема К561ТМ2
5. Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ815
6. Список использованных источников
К561ЛА7
Цифровая интегральная микросхема КМОП логики, производства советских времен. Широко применялась в бытовой аппаратуре. Часто использовалась радиолюбителями при создании различных устройств на основе цифровых микросхем.
Содержит 4 логических элемента 2И-НЕ.
Нумерация ног начинается от ключа на корпусе против часовой стрелки.
Распиновка К561ЛА7
Цоколевка К561ЛА7
Корпус К561ЛА7
Маркировка К561ЛА7
Аналоги К561ЛА7 - CD4011A, CD4011, HEF4011BP, HCF4011BE, 564ЛА7, К176ЛА7, 164ЛА7
Параметры К561ЛА7:
|
Наименование параметра |
Обозначение |
Значение |
|
|
Напряжение питания |
Uпит |
3...18В |
|
|
Максимальное напряжение лог. "0" |
Uolmax |
<2.9В |
|
|
минимальное напряжение лог "1" |
UoHmin |
>7.2В |
|
|
Ток потребления при лог. "0" и Uпит=18В |
Iil |
15mA |
|
|
Ток потребления при лог. "1" и Uпит=18В |
Ihl |
30mA |
|
|
Выходной ток |
Iol,Ioh |
42mA |
|
|
Время задержки распространения сигнала |
tplh,tphl |
80нС |
|
|
Диапазон рабочих температур |
tраб |
-45...+85С |
Таблица истинности К561ЛА7:
|
Вход А |
Вход В |
Выход Q |
|
|
0 |
0 |
1 |
|
|
0 |
1 |
1 |
|
|
1 |
0 |
1 |
|
|
1 |
1 |
0 |
КТ315
Маломощный кремниевый транзистор n-p-n структуры, производства советских времен. Широко применялся в бытовой аппаратуре.
Структура Цоколевка КТ315 Корпус КТ315 Маркировка КТ315
Транзистор КТ315 является комплементарной парой транзистору КТ361.
Аналоги КТ315 - BC847B, 2SC634, 2SC641, BFP722, BC546, 2SC380, 2SC388, КТ3102.
Характеристики КТ315:
|
КТ315А |
КТ315Б |
КТ315В |
КТ315Г |
КТ315Д |
КТ315Е |
КТ315Ж |
КТ315И |
||
|
Ток коллектора макс. (Ikmax), mA |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
100 |
50 |
50 |
|
|
Напряжение коллектор-эмиттер макс.(Ukemax), В |
25 |
20 |
40 |
35 |
40 |
35 |
15 |
60 |
|
|
Напряжение эмиттер-база макс. (Uebmax), В |
6 |
6 |
6 |
6 |
6 |
6 |
6 |
6 |
|
|
Мощность коллектора макс. (Pkmax), мВ |
150 |
150 |
150 |
150 |
150 |
150 |
100 |
100 |
|
|
Температура макс. (Tmax), С |
120 |
120 |
120 |
120 |
120 |
120 |
120 |
120 |
|
|
Коэффициент усиления (h21) |
20-90 |
50-350 |
20-90 |
50-350 |
20-90 |
50-350 |
30-350 |
30 |
|
|
Граничная частота (fuh), Мгц |
250 |
250 |
250 |
250 |
250 |
250 |
150 |
250 |
|
|
Напряжение насыщения (Uкэнас), В |
0,4 |
0,4 |
0,4 |
0,4 |
1 |
1 |
0,5 |
0,5 |
|
|
Емкость коллектора (Ск), пФ |
7 |
7 |
7 |
7 |
7 |
7 |
10 |
7 |
КТ3102
Маломощный кремниевый транзистор n-p-n структуры, разработка советских времен. Часто применяется в низкочастотных узлах бытовой аппаратуры с низким уровнем шумов и высоким коэффициентом усиления. Выпускался в двух разных корпусах, пластмассовом и металлическом. Маркировка существует также двух видов, цифробуквенная и цветовая
Структура Цоколевка КТ3102 Маркировка КТ3102
Пластиковый корпус КТ3102 Металлический корпус КТ3102
Цветовая маркировка транзисторов КТ3102
Боковая точка всегда темно-зеленая и обозначает принадлежность транзистора к серии КТ3102. Точка сверху определяет букву в маркировке транзистора.
|
Цвет точки сбоку |
Цвет точки сверху |
Маркировка транзистора |
|
|
Теммно-зеленый |
Бордовый |
КТ3102А |
|
|
Теммно-зеленый |
Желтый |
КТ3102Б |
|
|
Теммно-зеленый |
Темно-зеленый |
КТ3102В |
|
|
Теммно-зеленый |
Голубой |
КТ3102Г |
|
|
Теммно-зеленый |
Синий |
КТ3102Д |
|
|
Теммно-зеленый |
Белый |
КТ3102Е |
|
|
Теммно-зеленый |
Темно-коричневый |
КТ3102Ж |
|
|
Теммно-зеленый |
Серебристый |
КТ3102И |
|
|
Теммно-зеленый |
Оранжевый |
КТ3102К |
|
|
Теммно-зеленый |
Светло-табачный |
КТ3102Л(И) |
|
|
Теммно-зеленый |
Серый |
КТ3102М(К) |
Транзистор КТ3102 является комплементарной парой транзистору КТ3107.
Аналоги КТ3102 - 2SA2785, BC174, BC182
Характеристики КТ3102:
|
Iкmax,mA |
Pкmax,Вт |
Uкбо,В |
Uкэо,В |
h21э |
Iкбо,мкА |
fгр,МГц |
Кш,Дб |
||
|
КТ3102А |
100(200) |
0,25 |
50 |
50 |
100-200 |
<=0,05 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102АМ |
100(200) |
0.25 |
50 |
50 |
100-200 |
<=0.05 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102Б |
100(200) |
0.25 |
50 |
50 |
200-500 |
<=0.05 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102БМ |
100(200) |
0.25 |
50 |
50 |
200-500 |
<=0.05 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102В |
100(200) |
0.25 |
30 |
30 |
200-500 |
<=0.015 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102ВМ |
100(200) |
0.25 |
30 |
30 |
200-500 |
<=0.015 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102Г |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
400-1000 |
<=0.015 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102ГМ |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
400-1000 |
<=0.015 |
>=150 |
<=10 |
|
|
КТ3102Д |
100(200) |
0.25 |
30 |
30 |
200-500 |
<=0.015 |
>=150 |
<=4 |
|
|
КТ3102ДМ |
100(200) |
0.25 |
30 |
30 |
200-500 |
<=0.015 |
>=150 |
<=4 |
|
|
КТ3102Е |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
400-1000 |
<=0.015 |
>=150 |
<=4 |
|
|
КТ3102ЕМ |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
400-1000 |
<=0.015 |
>=150 |
<=4 |
|
|
КТ3102Ж |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
100-250 |
<=0,05 |
>=150 |
- |
|
|
КТ3102ЖМ |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
100-250 |
<=0,05 |
>=150 |
- |
|
|
КТ3102И |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
200-500 |
<=0,05 |
>=150 |
- |
|
|
КТ3102ИМ |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
200-500 |
<=0,05 |
>=150 |
- |
|
|
КТ3102К |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
200-500 |
<=0.015 |
>=150 |
- |
|
|
КТ3102КМ |
100(200) |
0.25 |
20 |
20 |
200-500 |
<=0.015 |
>=150 |
- |
|
Iкmax |
- Максимальный ток коллектора |
|
|
Pкmax |
- Максимальная мощность коллектора без радиатора |
|
|
Uкбо |
- Максимальное напряжение коллектор-база |
|
|
Uкэо |
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |
|
|
h21э |
- Коэффициент усиления в схемах с общим эмиттером |
|
|
Iкбо |
- Обратный ток коллектора |
|
|
fгр |
- Максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером |
|
|
Кш |
- Коэффициент шума транзистора |
К561ТМ2
Цифровая микросхема КМОП, которая производилась еще в советские времена в корпусе DI
P-14. Часто использовалась в бытовой аппаратуре в автоматике включения-выключения различных устройств.
Состоит из двух D-триггеров. Его работа от обычного RS-триггера отличается тем, что имеется еще 2 дополнительных входа D и С. Вход С является тактовым (синхронизирующим), а вход D информационным. При этом входа S и R имеют приоритет. При принудительной установке триггера по входам SR, сигналы, присутствующие на D и C не влияют на его состояние.
По входам D и C триггер работает следующим образом: при появлении лог.1 на входе С, на прямом выходе Q появляется уровень сигнала соответствующий сигналу присутствующему на входе D, т.е. происходит перенос состояния со входа D на выход Q. После исчезания лог. 1 на входе С триггер останется в этом же состоянии независимо от того что присутствует на входе D. Но если на D изменить предшествующее состояние на противоположное и при удержании этого уровня на вход С снова подать синхроимпульс, то состояние триггера изменится уже в соответствии с состоянием сигнала на входе D в данный момент, т.е. произойдет переключение выхода.
Такой триггер используется для сохранения в памяти двоичного сигнала, или еще по-другому он называется триггер задержки (памяти).
Нумерация выводов начинается от ключа на корпусе против часовой стрелки. По уровню сигналов на входах и выходах совместима с импортными микросхемами серии 40хх.
Аналоги К561ТМ2 - CD4013, HEF4013.
Распиновка К561ТМ2 Цоколевка К561ТМ2 Корпус К561ТМ2
Маркировка К561ТМ2
Таблица истинности К561ТМ2
|
Входы |
Выходы |
|||||
|
C |
D |
R |
S |
|||
|
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
||
|
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
||
|
X |
0 |
0 |
||||
|
X |
X |
1 |
0 |
0 |
1 |
|
|
X |
X |
0 |
1 |
1 |
0 |
|
|
X |
Z |
1 |
1 |
Z |
Z |
Параметры К561ТМ2
|
Наименование параметра |
Значение |
|
|
Напряжение питания (Uпит) |
3-15В (макс.18В) |
|
|
Выходное напряжение при лог.0 |
<0.05В |
|
|
Выходное напряжение при лог.1 |
Uпит.-0.05В |
|
|
Ток потребления (Iпот), при Uпит.=15В |
<=20мкА |
|
|
Потребляемая мощность (Pd) |
300мВт |
|
|
Время задержки распространения сигнала: при Uпит=5В при Uпит=10В |
<420нС <150нС |
|
|
Выходная емкость при Uпит=10В |
<=10пФ |
|
|
Диапазон рабочих температур |
-10+70С |
КТ815
Среднемощный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры. Широко применяется в виде ключа и в линейных схемах. Часто в усилителях звуковой частоты, в импульсных схемах, преобразователях и генераторах.
Структура Цоколевка КТ815 Корпус КТ815
Маркировка КТ815 (кодированая) Маркировка КТ815 (некодированая)
цифровой интегральный микросхема транзистор
Выпускаются в двух корпусах из пластмассы, КТ-27 (ТО-126) и КТ-89 (DPAK).
Маркировка КТ815 бывает кодированая, четыре знака в одну строку и некодированая в две строки. В кодированной первая буква означает принадлежность к серии 815, вторая буква группу (характеристики), а две последующие месяц и год когда он был выпущен. В некодированной маркировке в верхней строке указывается дата выпуска а во второй сама маркировка. У транзисторов в корпусе КТ-89 (DPAK) после буквы означающей группу присутствует цифра 9, пример - КТ815А9.
Кроме того существует цветовая маркировка КТ815. Торец транзистора (сверху) окрашен в серый или сиренево - фиолетовый цвет обозначающий принадлежность к серии 815. Группа в этом случае никак не обозначаются.
Транзистор КТ815 является комплементарной парой транзистору КТ814.
Аналоги КТ815 - BD135, BD137, BD139, TIP29C, TIP61C
Основные электрические параметры КТ815 при Т окр. среды = 25 °С
|
КТ815А |
КТ815Б |
КТ815В |
КТ815Г |
||
|
Граничное напряжение к-э (Uкэо гp.), В |
30 |
45 |
65 |
85 |
|
|
Обратный ток коллектора (Iкбо), мкА |
50 |
50 |
50 |
50 |
|
|
Обратный ток кол.-эмиттер (Iкэr), мкА |
100 |
100 |
100 |
100 |
|
|
Коэффициент передачи тока, h21э |
275 |
275 |
275 |
275 |
|
|
Напряжение насыщения к-э (Uкэ нас), В |
0,5 |
0,6 |
0,6 |
0,6 |
Характеристики КТ815:
|
КТ815А |
КТ815Б |
КТ815В |
КТ815Г |
||
|
Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max), В |
40 |
50 |
70 |
100 |
|
|
Напряжение эмиттер-база (Uэб max), В |
5 |
5 |
5 |
5 |
|
|
Постоянный ток коллектора (Iк max), А |
1,5 |
1,5 |
1,5 |
1,5 |
|
|
Импульсный ток коллектора (Iки max), А |
3 |
3 |
3 |
3 |
|
|
Максимально допустимый ток базы (Iб max), А |
0,5 |
0,5 |
0,5 |
0,5 |
|
|
Рассеиваемая мощность коллектора (Pк max), Вт |
10 |
10 |
10 |
10 |
|
|
Температура перехода (Tпер), град. цельсия |
150 |
150 |
150 |
150 |
Список использованных источников
1. Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
2. Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. - Москва: Издательство МЭИ, 1991г. 240 с., ил.
3. Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
4. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.
презентация [6,0 M], добавлен 24.04.2016Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 13.11.2012Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.
курсовая работа [257,7 K], добавлен 21.09.2010Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат [822,3 K], добавлен 21.08.2015Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.
реферат [447,3 K], добавлен 22.02.2009Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.
лабораторная работа [86,6 K], добавлен 12.01.2010Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция [529,8 K], добавлен 19.11.2008Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат [420,4 K], добавлен 10.12.2009История открытия, классификация транзисторов по структуре (биполярные, полевые, однопереходные и криогенные), мощности, исполнению, материалу (пластик, полимеры). Особенности металлических и полимерных транзисторов и их сравнительная характеристика.
презентация [592,4 K], добавлен 06.03.2015Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
статья [298,1 K], добавлен 08.05.2014Структура и действие многоэмиттерных транзисторов (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ) как функциональные полупроводниковые приборы, представляющие собой совокупность нескольких тринисторов. Применение в интегральных схемах. Изготовление МЭТ и МКТ.
контрольная работа [236,4 K], добавлен 21.02.2016Транзистор как прибор, предназначенный для преобразования различных электрических сигналов. Устройство и принцип действия транзисторов. Схема включения, система обозначения силовых транзисторов, кодовая маркировка, тип корпуса, пример параметров.
реферат [283,7 K], добавлен 19.02.2010Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.
реферат [116,3 K], добавлен 05.08.2009Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.
реферат [522,2 K], добавлен 28.12.2013Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа [4,4 M], добавлен 19.02.2012Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013
