Проектирование и расчет усилителя звуковой частоты

Размещено на http://www.allbest.ru

Размещено на http://www.allbest.ru

Введение

Любая радиотехническая система, работающая со звуком, содержит в своем составе усилитель звуковой частоты. Именно он в большей степени определяет качество звука. УЗЧ является одним из основных блоков аудио-видео аппаратуры. От него зависят характеристики всего устройства. На примере УЗЧ была получена практика расчета блоков аналоговых электронных устройств. Важнейшей характеристикой усилителя является его номинальная мощность. Это та наибольшая мощность электрического сигнала на выходе усилителя, при которой нелинейные искажения в нем еще не превышают объявленного для него уровня. Усилитель может вносить и частотные искажения, в разной степени усиливать сигналы разных частот. Второй наиболее важной характеристикой является уровень его собственных шумов. Основные причины возникновения этих помех - собственные шумы первого усилительного каскада, которые потом усиливаются, а также нестабильность источника питания.

Основные требования к УЗЧ - обеспечение равномерного усиления в диапазоне звуковых частот, при малых нелинейных и частотных искажениях, а также возможность регулировки тембра и малая себестоимость.

1. Эскизное проектирование усилителя

Оконечный каскад. Так как указанная в ТЗ нагрузка низкоомная (Rн=4 Ом), то в качестве оконечного каскада используем эмиттерный повторитель. Так же, исходя из того, что выходная мощность в нагрузке высокая (Pн=5 Вт >> 500 мВт), то целесообразнее применить двухтактный эмиттерный повторитель, работающий в режиме АВ. Промежуточный режим АВ позволит уменьшить нелинейные искажения типа «ступенька».

Предоконечный каскад (КПУ). В качестве предоконечного каскада используем каскад на ОУ. Чтобы снизить уровень нелинейных искажений и уровень постоянного напряжения на нагрузке, охватим оконечный и предоконечный каскады глубокой отрицательной обратной связью (в схеме эмиттерного повторителя действует 100% отрицательная обратная связь по напряжению).

Источник питания. Так как мы решили использовать в качестве оконечного каскада двухтактный эмиттеорный повторитель, а в качестве промежуточных - каскады на ОУ, то целесообразно использовать безтрансформаторную схему (для уменьшения габаритов и стоимости) и двухполярный источник питания.

Регулятор тембра. Глубина регулировки тембра 12 дБ, поэтому используем пассивную мостовую схему регулятора тембра.

Регулятор громкости. После входного каскада поставим регулятор громкости, что бы не перегружать остальные каскады.

Промежуточные каскады. В промежуточных каскадах будем использовать такой же ОУ, что и в предоконечном каскаде. Число каскадов определим исходя из необходимого коэффициента усиления.

Входной каскад. Входной каскад вместе с внутренним сопротивлением источника сильно влияет на коэффициент передачи входной цепи усилителя, а так же сильно влияет на его шумовые свойства. По ТЗ источник сигнала высокоомный (Rи=7 кОм), то в качестве входного каскада используем эмиттерный повторитель.

ООС. Охватим оконечный, предоконечный каскады глубокой отрицательной обратной связью. Это позволит снизить нелинейные искажения и обеспечит требуемый коэффициент усиления.

Рисунок 1. Структурная схема усилителя звуковой частоты

Распределим искажения, вносимые каскадами:

Нижние частоты. Искажения на НЧ частотного диапазона усилителя определяют постоянные времени на НЧ каждого каскада (разделительные цепочки, RC-цепи в эмиттерах транзисторов). Так как в схеме мы используем двухтактный эмиттерный повторитель с двухполярным источником питания, то в данном случае осуществима гальваническая связь и искажения на НЧ равны нулю. То есть все искажение ориентировочно разделим между входным,предоконечным и промежуточными каскадами. Очевидно, что с предоконечного каскада будет подаваться самая большая мощность. Это означает что между оконечным и предоконечным каскадами будет стоять конденсатор с самой большой ёмкостью. Из вышеизложенного распределим искажения следующим образом. На конденсатор в предоконечном каскаде 1 дБ, а на все остальные по 0,5 дБ.

Верхние частоты. Входной и выходной каскады построены по схеме повторителей, поэтому можно считать, что они практически не вносят искажений на ВЧ. Наибольшие искажения на «верхах» будут создавать каскады и цепи с большой постоянной времени фв. Так как в качестве трёх промежуточных каскадов используются каскады на ОУ, то именно они будут вносить искажения. Наибольшие искажения будут на предоконечном каскаде, так как здесь для получения по возможности большего напряжения сигнала требуется увеличивать сопротивление его нагрузки. На предоконечный каскад распределяют до половины от всех искажений, заданных в ТЗ на усилитель. Поэтому распределим искажения на три ОУ, используемых в схеме, как 0,7 для промежуточных и 1,6 для предоконечного.

Амплитуды выходного напряжения и тока.

Исходя из выходной мощности и сопротивления в нагрузке, найдем амплитуды выходного напряжения и тока:

здесь - сопротивление нагрузки, - мощность в нагрузке.

Определим усиление промежуточных каскадов:

,

- ЭДС источника сигнала; - коэффициент передачи входного каскада; - коэффициент передачи выходного каскада; - амплитуда выходного напряжения.

Выберем . С учетом этого:

,

где =7.48 В, =10 мВ.

Если в качестве промежуточных каскадов будем использовать каскады на ОУ, для предварительного расчёта коэффициент усиления одного каскада примем равным 20, так как этот уровень даст возможность включения ООС для понижения искажений. С учётом обеспечения устойчивости коэффициент усиления одного каскада выбираем из диапазона 5…20. Пусть эта величина равна 15, тогда число промежуточных каскадов равно:

Пусть коэффициент передачи предоконечного каскада будет равен , коэффициенты передачи каждого КПУ . С учётом коэффициента передачи регулятора тембра, который определим как , коэффициент передачи промежуточных каскадов будет равен:

(достаточное усиление)

Чтобы избежать больших частотных искажений, используем ОУ с большой частотой единичного усиления и соответствующую глубину обратной связи.

Каскады предварительного усиления поставим до и после регулятора тембра.

2. Расчёт усилителя

2.1 Расчёт оконечного каскада

Рисунок 2. Схема оконечного каскада

Исходя из частотных свойств усилителя, и требуемого выходного тока (1,87 А) в качестве оконечных транзисторов VT1 и VT3 выберем низкочастотные мощные транзисторы КТ817А и КТ816А (комплиментарная пара).

Таблица 2. Основные параметры транзисторов КТ817А и КТ816А

Параметр	Значение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Ik=5A	0,33 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Ik=5А	?20
Граничная частота коэффициента передачи тока не менее	3 МГц
Обратный ток коллектора, не более при Тк=233298К, при Тк=373К	100 мкА 3 мА
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер	40В
Постоянный ток коллектора	3А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (Тк=213298К) с теплоотводом (Тк=213298К)	1 Вт 25Вт
Тепловое сопротивление с теплоотводом	10С/Вт
Емкость коллекторного перехода, не более	115 пФ

VT1 и VT2 включены по схеме с ОК, следовательно их коэффициент передачи меньше 1[1]. Возьмём их приблизительно 0.9.

- амплитуда сигнала на базе VT1 и VT3

Найдём значение тока базы:

Входное сопротивление VT1:

Сопротивление резистора R выберем в 3…5 раз больше, чем входное сопротивление VT1(Служат для уменьшения обратного тока мощного транзистора через базу маломощного транзистора и обеспечения режима АВ транзисторов).

(ГОСТ 430 Ом)

Ток через резистор R:



В таком случае транзистор должен обеспечить следующий сигнальный ток:

С учётом тока коллектора и частотных свойств транзистора по справочнику выберем в качестве VT2 и VT4 транзисторы КТ503А и КТ502А (комплиментарная пара).

Напряжение источника питания должно быть таким, чтобы обеспечивалось необходимое напряжение сигнала в нагрузке. Примем, что и остаточное напряжение VT2 - 1,5…2 В, получим:

Выберем напряжение питания с некоторым запасом .

Т.о. с учётом допустимого напряжения коллектор-эмиттера остановимся на транзисторах:

VT1 и VT3 КТ817А и КТ816А

VT2 и VT4 КТ503А и КТ502А

Таблица 3. Основные параметры КТ503А

Параметр	Значение
Постоянное напряжение коллектор-база	40В
Постоянный ток коллектора	150мА
Обратный ток коллектора, не более	1мкА
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Ik=5А	40120
Граничная частота коэффициента передачи тока не менее	5 МГц
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при T=233298K	0,35Вт
Емкость коллекторного перехода, не более	20 пФ

Расчёт проведём для одного плеча схемы за полупериод сигнала (т.к. второе плечо работает во второй полупериод сигнала) графоаналитическим способом (т.к. транзистор работает в режиме большого сигнала).

Построим динамическую выходную характеристику. Для этого на семействе выходных характеристик транзистора КТ817А проводим нагрузочную прямую с координатами:

(;)

(;)

Рисунок 3. Выходная ВАХ транзистора КТ817А

Рисунок 4. Выходная ВАХ транзистора КТ817А в окрестности рабочей точки

Из рисунка 3 видно, что размаху выходного напряжения 7,48 В соответствует размах тока базы транзистора 110 мА.

Так как используется режим АВ, ток покоя выходных транзисторов выбирается в интервале , выберем ток покоя , которому соответствует ток базы 770 мкА (рисунок 4).

При рабочей температуре в 700С обратный ток коллекторного перехода будет составлять около 3мА. Средний за полупериод ток коллектора (по выходной характеристике) составит около 1А, что соответствует току базы в 45мА, тогда (?20). При температуре 700 Iк0=27-3=24мА. Тогда ток базы равен . Полученное значение находится близко от найденного по выходным ВАХ КТ817А.

По входной ВАХ (рисунок 5), находим, что току покоя базы соответствует напряжение база-эмиттер

Рисунок 5. Входная ВАХ транзистора КТ817А.

Аппроксимируем входную ВАХ транзистора КТ817А прямой линией при . Воспользуемся уравнением прямой, проходящей через две точки с координатами.



Выберем точки с координатами и после преобразования получим:

Окончательно получаем:

Для обеспечения необходимого сигнального тока на базе транзистора VT1 необходимо напряжение сигнала на базе:

Входное сопротивление транзистора (среднее за полупериод сигнала):

Для транзистора VT2 нагрузкой будет входное сопротивление транзистора VT1, с учетом шунтирующего действия резистора R, ток сигнала, через который находится, как:

Ток сигнала транзистора VT2 находится как:

Отсюда сопротивление VT2 будет:

Теперь на семействе статических выходных ВАХ транзистора КТ503А (рисунок 6) построим нагрузочную прямую по точкам:

(,)

Рисунок 6. Выходная ВАХ транзистора КТ503А

(,)

Видно, что для обеспечения сигнального тока 111,5 мА необходим ток базы 400 мкА. Ток покоя эмиттера транзистора VT2 найдём как сумму тока покоя базы VT1 и тока через резистор R:

По выходной динамической характеристике транзистора (рисунок 6) находим, что току покоя VT2 величиной 2,5 мА соответствует ток базы 20 мкА.

Рисунок 7. Входная ВАХ транзистора КТ503А

По входной ВАХ транзистора КТ503А (рисунок 7) определим напряжение покоя . Аппроксимируем входную ВАХ при . Выберем точки и после преобразования получим:

Напряжение на базе транзистора в точке покоя:

Напряжение раздвижки:

Входное сопротивление VT2 (т.е. нагрузка для предоконечного каскада):

.

Коэффициент передачи составного транзистора:

Мощность сигнала, необходимая для раскачки составного транзистора:



Итак, предоконечный каскад должен обеспечить , при работе на нагрузку .

2.2 Расчёт термостабильности оконечного каскада

Рассчитаем нестабильность тока покоя VT2 в рабочем диапазоне температур.

Ток делителя в цепи смещения VT2- это ток ГСТ и диодов. При работе оконечного каскада ток сигнала базы VT2 проходит через диод VD1 в направлении катод-анод. Значит, чтобы диод оставался открытым при наибольшем сигнальном токе базы VT2, его постоянный прямой ток должен быть больше 400 мкА.

Выберем этот ток с запасом. Пусть он равен 1 мА.

Найдем величины сопротивлений.

Сопротивление R2 найдем как отношение напряжения раздвижки к току делителя:

,

.

Сопротивление Rэ - это сопротивление постоянному току участка база-эмиттер VT1 с учетом действия R.

Таким образом, исходные данные для расчета:

- изменение температуры окружающей среды (ТЗ) -10…+300С;

- ток покоя коллектора VT2 .

Приведём некоторые справочные данные для транзистора КТ 503А:

- коэффициент передачи тока

- обратный ток коллектора, не более 1 мкА (Т=250С).

- тепловое сопротивление переход-среда 0,1 0С/мВт.

Максимальная и минимальная температуры перехода:

, ,

где - тепловое сопротивление переход-среда, - мощность, рассеиваемая коллектором.

Найдём мощность, рассеиваемую коллектором:

RT=0,1 С/мВт, тогда:

Расчёт изменения тока коллектора.

1. Находим изменение при повышении температуры с учетом производственного разброса :

.

2. Находим изменение обратного тока коллектора:

3. Изменение :

4. Находим напряжение база-эмиттер:

5. Приращение тока коллектора:

,

где h11э - входное сопротивление транзистора

Относительное изменение тока коллектора:

При изменении температуры до

1. Находим изменение при повышении температуры с учетом производственного разброса :

.

2. Находим изменение обратного тока коллектора:

3. Изменение :

4. Находим изменение напряжения база-эмиттер:

5. Приращение тока коллектора:

,

Относительное изменение тока коллектора:

(малое изменение)

Таким образом, изменение тока VT2 относительно небольшое. Это следствие небольшого изменения температуры и действия эмиттерной стабилизации.

Расчет нестабильности тока покоя VT1.

Рассчитаем температурную нестабильность VT1, который включен по схеме смещения фиксированным напряжением базы.

Зная и , находим:

Расчет теплоотвода транзистора VT1 (радиатора)

Выберем температуру перехода tПmax=70C;

Найдём тепловое сопротивление переход-корпус Rпк. Воспользуемся графиком зависимости постоянной рассеиваемой мощности от температуры из справочника.

Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом равна 25 Вт. При температуре выше 25С рассеиваемая мощность уменьшается линейно. По графику рассчитаем тепловое сопротивление Rпк.

еперь найдём площадь радиатора по формуле:

,

Тепловое сопротивление корпус-среда:

.

Найдем изменение тока коллектора:

1. Найдём изменение при повышении температуры с учётом производственного разброса :

.

2. Находим изменение обратного тока коллектора:



где

3. Изменение :

4. Изменение напряжения база-эмиттер:

5. Приращение тока коллектора:

Относительное изменение тока коллектора:

Это «собственная» нестабильность VT1. С учетом нестабильности за счет VT2:

Найдем нестабильность тока при повышении и при понижении температуры относительно 25С:

Термокомпенсация.

Нужно уменьшить ток покоя VT1 на 43.325 мА. Это можно сделать, уменьшив ток покоя VT1, путем уменьшения его тока базы, а следовательно, уменьшив ток коллектора VT2.

Изменение тока базы VT1:

.

Примем, что изменение тока базы VT1 равно изменению тока коллектора VT2, которое, в свою очередь, обеспечивается уменьшением напряжения «раздвижки», находим:

,

подставив все значения для транзистора VT2, получим:

.

Элемент термокомпенсации должен отвечать следующим требованиям:

- ток диода больше 3мА;

- напряжение на диоде (раздвижка) 1.25В;

- изменение напряжения диода 0.29В.

Этим требованиям удовлетворяет диод Д2В. Из построений на рисунке видно, что удовлетворительная Термокомпенсация будет получена при последовательном соединении трех диодов.

В этом случае:

- при t=700C:

- при t =200C: .

Изменение напряжения «раздвижки»:

Ток диодов

Расчёт генератора стабильного тока (ГСТ)

Учитывая, что , выберем транзисторы КТ503А и КТ502А.

Режим работы транзистора: , , .

Напряжение на равно:

,

где UСТVD1 - напряжение стабилитрона.

В качестве диода VD1 выберем стабилитрон КС139Г, для которого

при .

2.3 Расчёт нелинейных искажений оконечного каскада

Расчёт будем проводить по методу трёх ординат. Расчёт нелинейных искажений проведем отдельно для каждого из составных транзисторов. В этом случае общий коэффициент гармоник равен:

,

где КГVT1 - коэффициент гармоник транзистора VT1, KГVT2 - коэффициент гармоник транзистора VT2.

Рассчитаем коэффициент гармоник транзистора VT1.

1. По нагрузочной прямой и входной ВАХ находим зависимость (см. табл. 3). Будем учитывать, что , т. к. выходной каскад - повторитель. UВЫХ находим по выходной характеристике VT1.

2. Построим сквозную передаточную характеристику транзистора VT1 . ЕГ находим по формуле, где RГ - выходное сопротивление предыдущего каскада. Для VT1 предыдущим каскадом является повторитель на VT2, сигнал на который подаётся с предоконечного каскада, построенном на ОУ. Примем, что выходное сопротивление ОУ равно нулю, тогда сопротивление RГ равно:

где rБ - сопротивление базы транзистора VT2, rБ=50 Ом, rЭ - сопротивление эмиттера транзистора VT2.

Построим сквозную характеристику для VT1.

Таблица 4. Сводные данные для построения сквозной характеристики для VT1

IkVT1, А	UвыхVT1, В	IбVT1, мА	UбэVT1, В	Uб, В	ЕГ, В
1,80	7,5	100	1,39	8,89	9,96
1,50	6	75	1,23	7,23	8,03
1,30	5,2	50	1,075	6,375	6,91
1,00	4,0	30	0,95	4,95	5,27
0,40	1,6	5	0,80	2,40	2,45
0,08	0,2	1	0,70	1,00	1,01
0	0	0	0	0	0

Рассчитаем коэффициент третьей гармоники по формуле:

где , - ток, соответствующий значению .

.

(1,8%)

Рассчитаем коэффициент второй гармоники, которая появляется вследствие асимметрии плеч оконечного каскада. Примем, что транзисторы VT1 и VT3 устанавливаются без подбора, тогда коэффициент асимметрии плеч X=0,5.

Коэффициент второй гармоники равен:

(10%)

Учтём действие ООС. Тогда:



где F - глубина ООС, которая определяется по формуле:

,

G21 - средняя крутизна транзистора, Rн - сопротивление нагрузки (4 Ом):

Находим глубину ООС:

Общий коэффициент гармоник:

(1.7%)

Аналогично находим коэффициент гармоник транзистора VT2. Построим для него сквозную характеристику (см. табл. 4)

Таблица 5. Сводные данные для построения сквозной характеристики для VT2

IkVT2, мА	UвыхVT2, В	IбVT2, мкА	UбэVT2, В	Uб, В	ЕГ, В
100	8,5	400	0,75	9,25	8,72
45	4,9	200	0,64	5,54	5,54
34	3,6	150	0,63	4,23	4,23
20	2,3	100	0,62	2,92	2,92
8	0,9	50	0,60	1,50	1,50
2,6	0	20	0,55	0,55	0,55

Рассчитаем коэффициент третьей гармоники по формуле:

где

- ток, соответствующий значению . По графику 15 находим .

(11%)

Коэффициент второй гармоники VT2 равен коэффициенту второй гармоники VT1:

(10%)

Средняя крутизна транзистора VT2:

Находим глубину ООС:

Общий коэффициент гармоник:

 (12%)

Коэффициент нелинейных искажений всего каскада:

(12%)

По ТЗ максимальные нелинейные искажения не более 0.1%. Применим ООС, которая снизит коэффициент гармоник в число раз, равное глубине обратной связи F:

Итак, оконечный каскад необходимо охватить ООС глубиной не менее 120.

3. Конструкторская часть

Все резисторы и конденсаторы, необходимые для реализации УЗЧ выбираем в соответствии со стандартом.

В качестве постоянных резисторов будем использовать резисторы общего назначения металлодиэлектрические (МЛТ), которые предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока, в качестве подвесных.

Предполагается, что резистор в сглаживающем фильтре рассеивает достаточно большую мощность. При такой «аварийной» ситуации, когда транзистор во входном каскаде вдруг закроется, резистор окажется под напряжением 12В:

(ГОСТ 0,125Вт)

Проанализировав токи и напряжения, протекающие по остальным резисторам, их рассеиваемую мощность выберем 0,125Вт. Этого будет достаточно, т. к. резисторы имеют достаточно большие номиналы и работают с небольшими токами и напряжениями.

В качестве переменного резистора R4 (переменный с показательной зависимостью сопротивления от угла поворота) используем СП3-4аМ - непроволочные, одинарные однооборотные резисторы с круговым перемещением подвижной системы, работающие в цепях постоянного и переменного тока. Номинальная мощность рассеяния 0,25Вт. Человеческое ухо воспринимает изменение громкости по логарифмическому закону, поэтому, чтобы громкость регулировалась достаточно плавно, данный переменный резистор возьмём класса В (т. е. с показательным законом изменения сопротивления).

В регуляторе тембра резисторы R10 и R12 тоже являются переменными. Выберем резисторы типа А с линейной зависимостью сопротивления от угла поворота СП1-2Мв.

Конденсаторы выберем следующим образом:

- конденсаторы с большим значением ёмкостей (более 10 мкФ) выберем алюминиевые оксидно-электролитические.

- конденсаторы с меньшими ёмкостями выберем лакоплёночными или полиэтилентерефталатными в соответствии с требуемыми номиналами. Конденсаторы в регуляторе тембра должны обладать стабильными параметрами, поэтому допуски на них возьмём 5%.

Если во входном каскаде закроется транзистор разделительная ёмкость окажется под напряжением UР=6В. Рабочее напряжение выберем с запасом (12В). Для конденсатора в цепи фильтра выберем такое же рабочее напряжение (12В). Для остальных конденсаторов рабочее напряжение будет достаточно мало.

Все номиналы ёмкостей округляем до ближайшего стандартного в большую сторону.

УЗЧ выполняется на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита толщиной 2 мм. Размер одного радиатора 433224, где 24 - число рёбер. Ширина одного ребра 1 мм, рёбра радиатора располагаются на расстоянии 2мм друг от друга. Это позволит изготовить радиатор путём фрезеровки, что быстро и недорого. Радиаторы расположим на максимальном расстоянии друг от друга во избежание наводок, т. е. на противоположных концах платы. Радиаторы крепятся к плате с помощью четырёх винтов M50,8. Места контактов транзисторов и диодов с радиатором промазывают теплоотводящей пастой.

Так же потребуется 3 разъёма: два двухконтактных и один трёхконтактный, которые мы расположим на плате вдоль её края между радиаторами один за другим. Резисторы регулировки усиления и тембра расположим в один ряд на противоположном краю платы и закрепим их на плате при помощи металлической пластины, изогнутой под углом 90. Сама пластина крепится к плате при помощи четырёх винтов М50,8. Резисторы крепятся к пластине с помощью гаек М50,8. Между гайкой и пластиной расположены шайбы.

Диоды термокомпенсации крепятся на радиаторы с помощью скоб и крепёжных винтов М20,4. Диоды располагаем один под другим по 3 штуки, на одном и другом радиаторах. Мощные транзисторы (VT6, VT7) закрепим на радиаторах с помощью крепёжных винтов M20,4.

Далее компоновку будем производить от одного края платы к другому (начиная от разъёмов и до регулировочных резисторов). Транзисторы VT4 и VT5, VT2 и VT3 расположим непосредственно на плате попарно друг под другом. Далее расположим три операционных усилителя в один ряд. Далее последний оставшийся транзистор VT1.

Литература

усилитель резистор коллектор нелинейный

1. Проектирование усилительных устройств. Под редакцией Терпугова. - М.: Высшая школа, 1982 г.

2. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства. - М.: Связь, 1983 г.

3. Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учеб: пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1989.

4. Ливкин Л. Расчёт регуляторов тембра, Радио 1969, №1.

5. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/под ред. Горюнова. - М: Энергоиздат, 1982.

6. Ломанович В.А. Справочник по радиодеталям (сопротивления и конденсаторы). - М.: ДОСААФ, 1966.

7. Масленников М.Ю., Соболев Е.А. Справочник разработчика и конструктора РЭА. Элементная база, в 2 кн. - М.: ИТАР-ТАСС, 1993.

Размещено на Allbest.ru

...