Размещено на http://www.allbest.ru/

Импульсные и широкополосные усилители

1. Общие сведения и принципы построения импульсных усилителей

Импульсные и широкополосные усилители предназначены для усиления импульсных сигналов. Импульсные сигналы подразделяются на радиоимпульсы, используемые в радиолокационных станциях, и видеоимпульсы, применяемые в видеоаппаратуре. Основной характеристикой импульсных усилителей является переходная характеристика, рис.1.

Рис.1. Переходная характеристика импульсных усилителей.

Переходная характеристика - это зависимость мгновенного значения выходного напряжения от времени при подаче на вход единичного импульса

U_вх= (1)

К импульсным усилителям предъявляются жесткие требования по искажению усиливаемого сигнала. Искажения усиленного сигнала в импульсных усилителях определяются количественными показателями переходной характеристики, а именно, временем установления t_у и спадом плоской вершины Д_сп. Передний фронт импульса формируется высокочастотными составляющими. Чем больше верхняя граничная частота f_в, тем меньше искажение переднего фронта t_у. Чем меньше нижняя граничная частота f_м, тем меньше искажение усиленного сигнала в области плоской вершины импульса Д_сп. Следовательно, для безыскаженного усиления сигналов импульсные усилители должны иметь широкую полосу пропускания от единиц Герц до десятков мегаГерц. Поэтому видеоусилители являются широкополосными.

В широкополосных усилителях применяются резисторные каскады с дополнительными цепями коррекции, построенные на специальных высокочастотных транзисторах с большой площадью усиления. Площадью усиления называют произведение коэффициента усиления на средних частотах К₀ на верхнюю граничную частоту

Площадь усиления определяется параметрами S и C_о, которые задаются в справочниках.

В каскадах на биполярных транзисторах площадь усиления из-за внутренней обратной связи не остается постоянной, поэтому при выборе биполярного транзистора лучше руководствоваться предельной частотой f_h21б или f_h21Э.

Как известно, резистивные схемы усилителей могут обеспечить широкую полосу пропускания с равномерной частотной характеристикой. Надо иметь в виду, что верхняя граничная частота зависит от выбора сопротивления нагрузки .В целях увеличения верхней граничной частоты в импульсных усилителях сопротивление нагрузки выбирают небольшим:

Естественно, при этом коэффициент усиления импульсных усилителей получается также небольшим. Поэтому импульсные усилители состоят, как правило, из нескольких каскадов.

Принципиальная схема одного каскада импульсного усилителя без элементов коррекции по внешнему виду ничем не отличается от схемы резистивного усилителя низкой частоты, рис.2.

Рис.2. Импульсный усилитель.

2. Анализ импульсного усилителя в области малых времен

Если при анализе предварительных усилителей низкой частоты нас интересовали частотные характеристики и частотные искажения, то в импульсных усилителях основной характеристикой является переходная характеристика и ее количественные показатели. Поэтому для анализа импульсных усилителей применяется временной метод. При этом в целях упрощения анализа рассматривают отдельно переходную характеристику в области малых времен и в области больших времен.

Область малых времен - это область больших частот, так как . Следовательно, для анализа переходной характеристики в области малых времен необходимо рассматривать эквивалентную схему усилителя в области высоких частот, рис.3., где E=SU_вхR_н

Рис.3.Эквивалентная схема усилителя в области ВЧ.

Изменение после подачи на вход скачка напряжения определяется процессом заряда емкости C₀. Разделительная емкость С1 имеет большой номинал и заряжается значительно медленнее. Следовательно, за время установления t_у разделительная емкость С1 почти не успевает зарядиться и напряжение на ней близко к нулю. Поэтому влиянием С1 можно пренебречь и заменить коротким замыканием. Влиянием и R1 можно пренебречь, так как в импульсных усилителях выполняются условия .

При подаче на вход единичного импульса (Uвх=1) выходное напряжение на емкости будет изменяться по экспоненте:

(2)

С учетом того, что SR_н=K₀, нормированная переходная характеристика равна радиоимпульс усилитель маклорен

(3)

Согласно выражению (3) можно построить график переходной характеристики в области малых времен (рис.4).

Рис.4. График переходной характеристики в области малых времен.

Основным количественным параметром импульсного усилителя в области малых времен является время установления, в течение которого возрастает от уровня 0,1 до 0,9. Определим время установления:

(4)

Из выражения (4) видно, что время установления определяется элементами C₀ и . Для уменьшения времени установления необходимо понизить номинал паразитной емкости и сопротивления нагрузки. В последнем случае уменьшается коэффициент усиления.

Время установления зависит от верхней граничной частоты:

(5)

Время установления многокаскадного усилителя определяется выражением:

(6)

Если известны количество каскадов и общее время установления, то легко определить время установления одного каскада

(7)

3. Анализ импульсного усилителя в области больших времен

Область больших времен - эта область низких частот. Низкими частотами формируется плоская вершина импульса. В области больших времен влиянием C_о можно пренебречь, так как C_о зарядится мгновенно (за время ) и за время длительности импульса ф_и не будет оказывать своего влияния. Поэтому эквивалентная схема импульсного усилителя в области больших времен имеет вид, рис.5.

Рис.5. Эквивалентная схема ИУ в области больших времен.

Емкость С1 имеет большой номинал, поэтому заряжается медленно. По мере заряда С1 напряжение U_С1 возрастает, вследствие чего уменьшается . Таким образом, за счет процесса заряда емкости С1 происходит спад плоской вершины импульса на выходе усилителя.

Рассмотрим количественный анализ переходной характеристики в области больших времен. Считаем, что на вход усилителя поступает единичный импульс (1). В момент времени:

1.t=0; X_С1=0; U_С1=0 выходное напряжение определяется:

,

где R=R_эR1/ (R_э+ R1)

2. t > 0;

где

По условию анализа U_вх=1, следовательно, переходная характеристика в области больших времен определяется выражением:

(8)

Нормированная переходная характеристика в области больших времен при подаче на вход единичного импульса U_вх =1;

(9)

Согласно выражению (9) можно построить график переходной характеристики в области больших времен, рис.6

Рис.6. График переходной характеристики ИУ в области больших времен

За счет влияния переходная характеристика имеет спад плоской вершины: абсолютный спад Д_сп =h(0)-h(_и), относительный спад:

(10)

Применив разложение в ряд Маклорена (так как ) и ограничиваясь первыми двумя членами ряда, получим:

(11)

Из выражения (11) видно, что для улучшения переходной характеристики в области больших времен , т.е. для уменьшения , необходимо увеличить_н, т.е. увеличить номинал С1.

В многокаскадных усилителях общий спад равен

Следовательно, спад плоской вершины одного каскада можно определить выражением ₁=_общ/n, где n-количество каскадов.

Список литературы

1. Схемотехника электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства; БХВ-Петербург - Москва, 2004. - 488 c.

2. Авдеев В. А. Периферийные устройства. Интерфейсы, схемотехника, программирование; ДМК Пресс - Москва, 2012. - 848 c.

3. Авдеев В.А. Периферийные устройства. Интерфейсы, схемотехника, программирование; Книга по Требованию - Москва, 2009. - 848 c.

4. Аверченков О. Е. Схемотехника. Аппаратура и программы; ДМК Пресс - Москва, 2012. - 588 c.

5. Амосов В. Схемотехника и средства проектирования цифровых устройств; БХВ-Петербург - Москва, 2007. - 560 c.

6. Ашихмин А. С. Цифровая схемотехника. Шаг за шагом; Диалог-МИФИ - , 2008. - 304 c.

7. Блум Хансиоахим Схемотехника и применение мощных импульсных устройств; Додэка XXI - Москва, 2008. - 352 c.

8. Бойко В., др. Схемотехника электронных систем. Цифровые устройства; БХВ-Петербург - Москва, 2004. - 506 c.

9. Гальперин М. В. Практическая схемотехника в промышленной автоматике; Энергоатомиздат - Москва, 1987. - 320 c.

10. Дуглас С. Схемотехника современных усилителей; Книга по Требованию - Москва, 2011. - 528 c.

11. Кучумов А. И. Электроника и схемотехника; Гелеос АРВ - Москва, 2005. - 336 c.

12. Лаврентьев Б. Ф. Схемотехника электронных средств; Академия - Москва, 2010. - 336 c.

13. Лехин С. Н. Схемотехника ЭВМ; БХВ-Петербург - Москва, 2010. - 672 c.

14. Павлов В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств; Академия - Москва, 2008. - 288 c.

15. Перепелкин Д. А. Схемотехника усилительных устройств; Полигон, АСТ, Харвест - Москва, 2013. - 238 c.

16. Полонников Д. Е. Операционные усилители. Принципы построения, теория, схемотехника; Энергоатомиздат - Москва, 1983. - 216 c.

Размещено на Allbest.ru