Туннельный и обращенный диоды
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 28.06.2015 |
| Размер файла | 404,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
Туннельный и обращенный диоды
(№3)
Группа: 33422/1.
Студент: Скробов Леонид Артемьевич.
Преподаватель: Коренюгин Д.Г.
1. Цель работы и краткая программа измерений
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов.
2. Схема измерительной цепи
G1 - источник питания 1-15 В; R1 - потенциометр 0-100 Ом;
R2 - балластный резистор 0-1 кОм; PA - цифровой амперметр;
VD - исследуемый стабилитрон; PV - цифровые вольтметры.
3. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора
|
Номера контактов |
Наименование Прибора |
Основной тип пробоя |
Uпр.max [В] |
Iпр.max [мА] |
Iобр.max [мкА] |
Uобр.max [В] |
|
|
1-2 |
Туннельный |
||||||
|
1-3 |
ГИ401А |
Обращенный |
0,3 |
0,3 |
4 |
0,2 |
4. Необходимые расчеты
4.1 Снятые данные
|
Туннельный диод |
Обращенный диод |
|||
|
U [В] |
I [мА] |
U [В] |
I [мА] |
|
|
-0,169 |
-7,000 |
-0,152 |
-4,000 |
|
|
-0,154 |
-6,000 |
-0,145 |
-3,500 |
|
|
-0,140 |
-5,000 |
-0,135 |
-3,000 |
|
|
-0,120 |
-4,000 |
-0,125 |
-2,500 |
|
|
-0,097 |
-3,000 |
-0,110 |
-2,000 |
|
|
-0,085 |
-2,500 |
-0,100 |
-1,500 |
|
|
-0,070 |
-2,000 |
-0,084 |
-1,000 |
|
|
-0,060 |
-1,500 |
-0,076 |
-0,800 |
|
|
-0,041 |
-1,000 |
-0,060 |
-0,500 |
|
|
-0,035 |
-0,800 |
-0,040 |
-0,233 |
|
|
-0,020 |
-0,400 |
-0,035 |
-0,186 |
|
|
-0,010 |
-0,200 |
-0,030 |
-0,152 |
|
|
0,010 |
0,160 |
-0,025 |
-0,111 |
|
|
0,020 |
0,310 |
-0,020 |
-0,087 |
|
|
0,030 |
0,440 |
0,000 |
-0,012 |
|
|
0,040 |
0,550 |
0,020 |
0,028 |
|
|
0,060 |
0,700 |
0,050 |
0,037 |
|
|
0,070 |
0,760 |
0,080 |
0,030 |
|
|
0,080 |
0,800 |
0,100 |
0,020 |
|
|
0,090 |
0,830 |
0,180 |
0,014 |
|
|
0,100 |
0,840 |
0,255 |
0,025 |
|
|
0,357 |
0,380 |
0,270 |
0,030 |
|
|
0,400 |
0,380 |
0,290 |
0,040 |
|
|
0,500 |
0,200 |
0,300 |
0,055 |
|
|
0,600 |
0,190 |
0,320 |
0,072 |
|
|
0,700 |
0,190 |
0,340 |
0,114 |
|
|
0,720 |
0,200 |
0,360 |
0,168 |
|
|
0,800 |
0,250 |
0,370 |
0,204 |
|
|
0,900 |
0,420 |
0,380 |
0,280 |
|
|
1,000 |
0,800 |
|||
|
1,020 |
1,000 |
4.2 Обращенный диод
4.2.1 Дифференциальное сопротивление обращенного диода схоже с дифференциальным сопротивлением туннельного, но сложноизмеримо со столь малым количеством измерений
полупроводниковый диод туннельный сопротивление
4.3 Туннельный диод
4.3.1 Дифференциальное сопротивление туннельного диода
Прямое включение.
Обратное включение.
4.3.2 Основные параметры туннельного диода
IП- = 0,83 мА;
UП = 0,1 В;
IВ = 0,19 мА;
UВ = 0,65 В;
UРР = 1,001 В.
Выводы
Что туннельный, что обращенный диод - высокочастотные приборы. Широкое применение туннельные диоды нашли, например, в высокочастотных цепях, как переключатели, за счет отрицательного сопротивления туннельные диоды получили распространение в цепях автогенераторов, как компенсирующий потери элемент. Обращенный диод хорошо подходит для детектирования слабых сигналов.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Исследование параметров и характеристик туннельных диодов, а также принципа их работы и свойств. Анализ способности туннельного диода усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания. Обзор методов изготовления и применения диодов.
реферат [712,9 K], добавлен 02.02.2012Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа [29,7 K], добавлен 13.03.2013Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.
лабораторная работа [230,6 K], добавлен 12.05.2016Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.
реферат [515,0 K], добавлен 14.11.2008Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.
курсовая работа [365,9 K], добавлен 18.12.2009Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.
учебное пособие [939,5 K], добавлен 25.03.2009Физические основы и принцип работы светоизлучающих диодов как полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет. Применение и анализ преимуществ и недостатков светоизлучающего диода. Стоимость светодиодных ламп и перспективы использования в ЖКХ.
реферат [22,8 K], добавлен 03.03.2011Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа [923,5 K], добавлен 18.12.2009Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа [202,7 K], добавлен 02.12.2010Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 19.10.2009Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.
лабораторная работа [902,0 K], добавлен 08.06.2023Составление расчетной электрической схемы. Расчет токов в исследуемой электрической цепи. Проверка выполнения законов Кирхгоффа. Выбор измерительных приборов и схема включения электроизмерительных приборов. Схемы амперметров выпрямительной системы.
курсовая работа [989,1 K], добавлен 24.01.2016Методы расчета переходных процессов, протекающих в цепях второго порядка. Нахождение токов в ветвях и напряжения на всех элементах цепи классическим и операторным методами. Построение графиков зависимости токов и напряжений от времени для двух коммутаций.
реферат [547,0 K], добавлен 22.02.2016Схема выпрямителя, график токов и напряжений. Фильтры, используемые в устройствах электропитания. Принципиальная схема выпрямителя. Выбор полупроводниковых диодов. Рекомендации по монтажу и модернизации схемы. Частота пульсаций выпрямленного напряжения.
реферат [437,6 K], добавлен 21.06.2015Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа [636,9 K], добавлен 24.06.2015Изучение принципов работы жидкокристаллических дисплеев, плазменных панелей. Исследование характеристик полупроводниковых приборов и электронных устройств: полевых транзисторов, диодов, усилительных каскадов. Двоичные системы счисления в электронике.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 24.10.2015
