Туннелирование в микроэлектронике

Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) Шпаковский В.А.
Дата добавления 29.08.2015
Размер файла 312,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Эффекты разогрева электронного газа. Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Транзисторы с инжекцией горячих электронов и на горячих электронах. Горячие электроны в резистивном состоянии тонких пленок сверхпроводников.

    курсовая работа [348,5 K], добавлен 30.10.2014

  • Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.

    курсовая работа [550,5 K], добавлен 31.03.2015

  • Создание и проекционный перенос изображения с помощью пучка электронов. Характеристики рассеяния электронов в слое электронорезиста. Рентгеношаблон. Использование синхротронного излучения в рентгенолитографии. Источник рентгеновского излучения.

    реферат [826,6 K], добавлен 14.01.2009

  • Основные параметры, классификация и емкость конденсаторов. Номинальное, испытательное и пробивное напряжения. Электрическая прочность. Особенности керамических, стеклянных, слюдяных, металлобумажных и пленочных конденсаторов. Металлизация диэлектрика.

    курсовая работа [2,3 M], добавлен 06.01.2014

  • Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.

    реферат [522,2 K], добавлен 28.12.2013

  • Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015

  • Изучение электрорадиоэлементов, которые включают соединители, резисторы, конденсаторы, индуктивности, и интегральных микросхем, включающих полупроводниковые и гибридные, устройства функциональной микроэлектроники. Оптическая запись и обработка информации.

    курс лекций [5,7 M], добавлен 23.07.2010

  • Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.

    контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012

  • История появления и проблемы микроэлектроники. Развитие современных средств вычислительной техники, робототехники, аппаратуры цифровых коммуникаций. Положения и принципы микроэлектроники. Технология толстых пленок. Аналоговые интегральные микросхемы.

    курсовая работа [50,8 K], добавлен 12.02.2013

  • Использование аппаратных и программных средств в устройствах обработки информации. Организация взаимодействия устройств, входящих в систему, при помощи микропроцессора. Описание микроконтроллера, процессорного блока, адаптера параллельного интерфейса.

    курсовая работа [515,2 K], добавлен 18.09.2010

  • Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.

    курсовая работа [403,6 K], добавлен 18.07.2014

  • Физическая сущность эффекта Доплера как изменения воспринимаемой частоты колебаний. Методы измерения физических величин с использованием данного физического эффекта. Источники погрешностей, ограничивающих точность измерений на основе этого явления.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 01.05.2016

  • Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.

    реферат [27,3 K], добавлен 23.06.2010

  • Элементы ЭСППЗУ, программируемые с помощью туннельного эффекта. Упрощенная модель ячейки памяти. Методика исследования элементной базы ЭСППЗУ. Расчет пороговых напряжений, плавающего затвора и потенциалов канала. Построение и расчет ячейки ЭСППЗУ.

    дипломная работа [1,6 M], добавлен 25.06.2010

  • Описание физических процессов в полупроводниковой структуре, расчет необходимых электрофизических характеристик заданной структуры. Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования.

    курсовая работа [956,8 K], добавлен 16.04.2012

  • Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.

    реферат [1,3 M], добавлен 09.03.2007

  • Описание методов измерения информации с гироскопических систем ориентации и навигации (ГСОиН). Применение эффекта Мессбауэра для измерения малых расстояний, скоростей и углов. Разработка устройства съема информации с ГСОиН на основе эффекта Мессбауэра.

    дипломная работа [7,3 M], добавлен 29.04.2011

  • Кремний как материал современной электроники. Способы получения пористых полупроводников на примере кремния. Анализ процесса формирования, методов исследования, линейных и нелинейных процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников.

    дипломная работа [6,3 M], добавлен 18.07.2014

  • Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.

    статья [298,1 K], добавлен 08.05.2014

  • Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Плотность энергетических уровней. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях.

    курсовая работа [429,3 K], добавлен 09.11.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.