Розробка радіаційностійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію
Фотоелектричні пристрої широкого спектрального діапазону на основі селенідів індію та галію. Вплив високоенергетичного випромінювання на параметри фотодіодів та напівпровідники. Вплив лазерного випромінюванням на фотоелектричні параметри пристроїв.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.09.2015 |
| Размер файла | 54,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Ключевые слова: селенид индия, селенид галлия, слоистый кристалл, фотодиод, вольт-амперная характеристика, фотоэлектрические свойства, -кванты, электронное облучение, нейтронное облучение.
Sydor O.А. Development of radiation-resistant photodiodes based on layered structures of indium and gallium selenides. - Manuscript.
Thesis for a Candidate of Technical Sciences degree by speciality 05.27.01 - Solid-state electronics. - Yuriy Fed'kovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2009.
In the work the physico-technological bases for the preparation of p-InSe-based photodiodes by laser radiation are developed, their characteristics are investigated, and a model of the formation of p-n-junctions by laser irradiation of layered crystals is offered. For the first time it is found the “small dose” effect at X- and г-irradiation of intrinsic oxide-p-InSe and n-InSe-р-InSe photodiodes, a qualitative explanation of the origination of this effect is proposed and a technique for improvement of the parameters of photodiodes on the basis of layered crystals with a low dose irradiation (D 300 R) is proposed. For the first time the influence of bremsstrahlung г-quanta (Eeff = 3 MeV, D = 0.14 - 140 kGy) and high-energy electrons (Е = 12 MeV, D = 3.3 - 330 kGy) on electrical and photoelectric characteristics of InSe(GaSe) photodiodes was investigated. In this case we have observed an improvement of the photodiode parameters and insignificant decrease of some of them at the maximum doses. The influence of radiation comes to the formation of point defects of vacancy type. For the first time the influence of a gamma-neutron (Eeff = 8 MeV, Ф = 1011 - 1013 cm-2) and reactor neutron irradiation (Eeff = 1 MeV, Ф = 1•1014 - 5•1015 cm-2) on the parameters of InSe(GaSe) photodiodes was studied. It is shown that the radiation results in the formation of both point defects and clusters, which are effective recombination centers. According to the X-ray diffraction analysis and Raman spectra all the irradiation types lead to insignificant changes in the crystal structure, vacancy and impurity sub-systems of the layered crystals.
Keywords: indium selenide, gallium selenide, layered crystal, photodiode, current-voltage characteristic, photoelectric properties, -quanta, electron irradiation, neutron irradiation.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Структура засобів і систем вимірювання ультрафіолетового випромінювання. Методи обробки сигналів багатопараметричних сенсорів. Основні режими роботи каналу вимірювання сигналів фотодіодів. Синтез узагальненої схеми вимірювального каналу системи.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 06.06.2014Перетворення енергії оптичного випромінювання в енергію будь-якого іншого вигляду (електричну, теплову) за допомогою приймачів: теплових та фотоелектричних. Схеми та режими роботи матеріалів фотодіодів інверсійного приймача: світлочутливість елементів.
реферат [232,0 K], добавлен 04.12.2010Види пристроїв синхронізації. Принципи фізичної реалізації стандартів частоти. Параметри сигналів на виходах пристроїв синхронізації. Дослідження зв'язку фази і частоти сигналу при дрейфі частоти. Вплив просковзування на якість передачі інформації.
курсовая работа [898,0 K], добавлен 01.10.2015Дослідження основних структур тригерних пристроїв (RS, D, Т, JК - типів) в логічному базисі І-НЕ з потенційним представленням інформації. Будова та види тригерів, їх синтез на основі логічних ІMС. Характеристичні рівняння, що описують їх функціонування.
реферат [1,3 M], добавлен 14.03.2011Призначення, принцип дії, основі параметри і умови використання мультимедійного підсилювача для домашнього комп'ютера. Формування критеріїв відмов та критеріїв граничних станів. Нормування показників надійності та довговічності електронних пристроїв.
курсовая работа [575,2 K], добавлен 20.01.2014Параметри періодичної послідовності імпульсів (форма, тривалість, період повторення, висота) та описання її функції за допомогою рядів Фур'є. Вплив тривалості імпульсів на амплітудно-частотний спектр. Вплив початку відліку часу на фазочастотний спектр.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 23.03.2011Характеристика цифрових комбінаційних пристроїв та їх види. Схемні ознаки проходження сигналів. Цифрові пристрої з пам’яттю та їх основні типи. Властивості та функціональне призначення тригерів. Розробка перетворювача коду по схемі дешифратор-шифратор.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 08.07.2012Визначення переваг використання принципів частотного і часового поділу вхідного і вихідного сигналів, негативного зворотного зв'язку по випромінюванню і самонастроюванню для побудови модулятора на основі керованих джерел оптичного випромінювання.
контрольная работа [159,2 K], добавлен 20.11.2010Розрахунок радіомовного приймача діапазону КВ–1 за заданими даними. Визначення таких його параметрів: смуга пропускання, припустимий коефіцієнт шуму, вхідний ланцюг, підсилювач радіочастоти, перетворювач радіочастоти, УПЧ, фільтр зосередженої селекції.
курсовая работа [765,3 K], добавлен 29.04.2011Знайомство з принципом роботи охоронної GSM сигналізації. Датчик як чутливий елемент, що перетворює контрольований параметр в електричний сигнал, аналіз видів: фотоелектричні, пасивні інфрачервоні. Характеристика електронних ідентифікаторів Touch Memory.
дипломная работа [1,5 M], добавлен 14.05.2014Принцип дискретизації як подання безперервної функції (тобто якогось сигналу) у вигляді ряду дискретних відліків. Режим роботи АЦП у мікропроцесорній системі. Цифроаналоговий перетворювач на основі ІМС К572ПА1, його основні електричні параметри.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 20.05.2015Оптичне волокно як середовище передачі даних. Конструкція оптичного волокна. Джерела сировини, особливості використання світловодів. Геометричні, оптичні параметри оптичних волокон. Технологічний процес виготовлення світловодів на основі кварцового скла.
реферат [125,8 K], добавлен 07.04.2013Розробка спеціалізованих синхронних лічильників на базі універсальних JK-тригерів та на основі паралельного регістра і ПЗП. Ознайомлення із структурою і принципами роботи пристроїв; представлення їх функціональних та принципових електричних схем.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 03.06.2011Особливості процесу діагностування периферійних пристроїв системи керування, який полягає у порівнянні значень діагностичних параметрів, що вимірюються на їхніх виводах, з паспортними даними. Поділ датчиків системи Motronic за класифікаційними ознаками.
контрольная работа [42,0 K], добавлен 03.10.2010Огляд елементної бази, що застосовується для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою. Аналіз систем автоматизованого проектування логічних керуючих автоматів на основі ПЛІС, їх різновиди і відмінні особливості, тенденції розвитку.
курсовая работа [478,2 K], добавлен 25.09.2010Мікроконтролер - мікросхема, призначена для керування електронними пристроями. Поєднання функції процесора й периферійних пристроїв. Розробка програми "Цифровий амперметр з висновком результатів на алфавітно-цифровому індикаторі" на основі мікропроцесора.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 07.08.2013Загальна характеристика та принцип дії пристроїв введення (виведення) аналогової інформації в аналого-цифрових інтерфейсах, їх структура та основні елементи. Порядок та етапи розробки структурної схеми АЦІ, необхідні параметри для даної операції.
реферат [100,9 K], добавлен 14.04.2010Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Основні параметри конденсаторів змінної ємності з плоскими пластинами. Параметри котушки електромагнітного апарата при сталому й змінному струмах. Розрахунок трифазного силового трансформатора. Характеристики випрямного діода і біполярного транзистора.
методичка [2,3 M], добавлен 26.05.2013Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011
