Вплив ультразвуку на процеси росту монокристалів твердого розчину Ga0.03In0.97Sb з розплаву і шарів GaAs методом рідкофазної епітаксії
Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb і епітаксіальних шарів GaAs в ультразвуковому полі. Можливий вплив ультразвуку на електрофізичні властивості монокристалів твердого розчину, формування шарів росту в кристалах.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.09.2015 |
| Размер файла | 65,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Таким образом, разработанные условия выращивания монокристаллов твердого раствора Ga0.03In0.97Sb и эпитаксиальных слоев GaAs в ультразвуковом поле позволят получать однородные объемные кристаллы и эпитаксиальные слои без макроступеней.
Ключевые слова: монокристалл твердого раствора Ga0.03In0.97Sb, эпитаксиальный слой GaAs, ультразвуковое поле, слоистая неоднородность, период слоев, конвекция, макроступень.
Zolkina L.V. Influence of ultrasound on the growth process of Ga0.03In0.97Sb single crystals from melt and GaAs layers by the liquid-phase epitaxy. - Manuscript. Thesis for scientific degree of Candidate of technical science on the specialty 05.27.06 - technology, equipment and production of electronic engineering.
The dissertation is dedicated to the study of the ultrasound influence on the growth of Ga0.03In0.97Sb single crystals and morphology of GaAs epitaxial layers. In the thesis convection in the liquid phase is studied.
Physical model of the effect ultrasound mechanism on the growth process of Ga0.03In0.97Sb single crystals was proposed. Using this model dependence of ultrasound frequency on angular velocity of the rotating crystal was noted. Take into consideration this dependence it may provide of effective action ultrasonic waves on the convection in the melt in the growth experiments of Ga0.03In0.97Sb single crystals.
Optimal growth conditions of Ga0.03In0.97Sb single crystals in ultrasound were determined. The positive effect of ultrasound on the electrophysical properties: electrical resistivity, сarrier mobilities and thermal emf was observed. Besides, the investigations of the growth striations in the obtained Ga0.03In0.97Sb single crystals indicated that the ultrasonic field at frequencies of 0.69-1.44 MHz eliminated the striations generated by the convection. However, the ultrasound did not influence on the striations with period of 7-14 µm formed due to the spasmodic character of the crystallization. Positive ultrasound effect on the convection in the liquid phase is confirmed by the model experiments.
The growth conditions for GaAs epitaxial layers without macrosteps are developed. GaAs layers are grown by liquid-phase epitaxy in ultrasonic field at a frequency of 3 MHz and due to model experiments this growth process it was noted that ultrasound field was allowed to reduce convection in the solution but in that way prevent of the macrosteps formation on the solid-liquid interface at the defined technological growth parameters.
Key words: Ga0.03In0.97Sb single crystal, GaAs epitaxial layer, ultrasonic field, growth striations, period of the striations, macrostep.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Вибір і обґрунтування кількості шарів, основних розмірів і товщини плати. Розрахунок мінімального і максимального діаметра вікна фотошаблона, який використовується для її виготовлення хімічним способом. Розміщення радіотехнічних монтажних елементів.
курсовая работа [560,5 K], добавлен 19.08.2014Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа [3,2 M], добавлен 18.07.2014Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа [2,9 M], добавлен 22.08.2015Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.
учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009Еквівалентна схема заміщення заданої схеми для роботи на роботі середніх частот малого та великого сигналу. Моделювання PSpice Shematics. Побудова АЧХ і ФЧХ вхідного опору схеми. Вплив параметрів даних елементів та коефіцієнта підсилення по напрузі.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 04.07.2014Розробка функціональної схеми цифрової слідкуючої системи. Складання передаточних функцій її елементів. Вибір виконавчого двигуна і підсилювача потужності. Розрахунок, побудова та моделювання послідовної безперервної корегуючої ланки методом ЛАЧХ.
курсовая работа [169,8 K], добавлен 21.04.2011Розробка електромеханічної системи керування електроприводом регулювальної засувки на базі перетворювача частоти. Експериментальні дослідження перехідних процесів в трубопровідній мережі. Програмне забезпечення з формування темпів закриття засувки.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 29.04.2013Методи побудови мультисервісних локальних територіально розподілених мереж. Обґрунтування вибору технології побудови корпоративних мереж MPLS L2 VPN. Імітаційне моделювання у пакеті "OPNET modeler 14.5" та аналіз характеристики переданого трафіку.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 20.09.2016Параметри періодичної послідовності імпульсів (форма, тривалість, період повторення, висота) та описання її функції за допомогою рядів Фур'є. Вплив тривалості імпульсів на амплітудно-частотний спектр. Вплив початку відліку часу на фазочастотний спектр.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 23.03.2011Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Поняття та властивості, вимірювання клиновидності пластини, вплив на контраст інтерференційних кілець рівного нахилу. Інтерференційна схема для одержання смуг рівної товщини. Оптична схема інтерферометра Майкельсона. Практичне застосування інтерференції.
реферат [380,9 K], добавлен 15.12.2010Хвороби та ушкодження, спричинені неправильним користуванням мобільним телефоном. Вплив електро-магнітного поля на організм людини. Основні законодавчі стандарти безпеки мобільного зв'язку. Рекомендації по вибору і експлуатації мобільного пристрою.
реферат [32,2 K], добавлен 28.05.2015Об’єктивні і суб’єктивні фактори, які впливають на показники надійності електронних апаратів: температура, вологість, електричні режими, атмосферні опади і механічні навантаження. Вплив зниженого тиску, забрудненості повітря на роботу приладів.
реферат [19,4 K], добавлен 03.05.2011Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция [196,9 K], добавлен 15.03.2009Розвиток атомістики: розкриття таємниці атома та вплив атомістики на подальший розвиток природознавчих галузей. Дослідження складової матерії. Наукові дослідження природних процесів: еволюція повітроплавання; радіо та телеграф; зародження генетики.
контрольная работа [29,0 K], добавлен 25.12.2008Методи моделювання динамічних систем. Огляд методів синтезу. Математичне забезпечення вирішення задачі системи управління. Моделювання процесів за допомогою пакету VisSim. Дослідження стійкості системи управління. Реалізація програмного забезпечення.
дипломная работа [3,8 M], добавлен 07.11.2011Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа [3,3 M], добавлен 18.10.2009Оптичні властивості тонких плівок нітриду титану. Електрофізичні та сорбційні характеристики прополісу. Дослідження закономірностей розсіювання тонкими плівками TiN і прополісу світлових потоків при різних формах поляризації падаючого випромінювання.
магистерская работа [1,6 M], добавлен 29.09.2015
