Метрология и радиоэлектроника
Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 07.10.2015 |
Размер файла | 352,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Содержание
1. Понятие о погрешностях измерений, класс точности
2. Диод, транзистор, устройство, их характеристика
3. Основные причины возникновения пожара. Первичные и стационарные средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации
1. Понятие о погрешностях измерений, класс точности
Метрология - это наука об измерениях, методах и средствах обеспечения их единства и способах достижения требуемой точности.
В метрологии принято разделять случайную и систематическую погрешности.
Систематическая погрешность возникает из-за несовершенства метода выполнения измерения, погрешности средств измерений, неточного знания математической модели измерения, из-за влияния условий, погрешностей градуировки и поверки средств измерения. Систематическая погрешность характеризуется повторяемостью, так как известна закономерность её появления. Следовательно, можно предвидеть появление этих погрешностей и делать поправки. Такие погрешности делятся на постоянные и временные. К постоянным относятся погрешности приборов, к временным относятся погрешности условий применения этих приборов.
Случайная погрешность изменяется по неопределенному закону, поэтому предвидеть такие погрешности и делать на них поправки невозможно.
Случайная погрешность характеризует такое качество, как точность измерений, а систематическая - правильность измерения.
Например, при измерениях, проводимых с помощью линейки или рулетки, как правило, преобладает случайная составляющая погрешности, объясняемая следующими основными причинами:
- неточностью (перекосом) установки рулетки (линейки);
- неточностью установки начала отсчёта;
- изменением угла наблюдения;
- усталостью глаз;
- изменением освещения.
Погрешности средств измерений определяют методом сравнения показаний с образцовым прибором повышенного класса точности 0,02; 0,05; 0,1; 0,2.
Погрешность средства измерения - это разность между показанием средства измерения и истинным значением измеряемой физической величины. Она характеризует точность результатов измерений, проводимых данным средством и может зависеть от целого ряда факторов, присущих как самому прибору, так и изменениям внешних условий - магнитных и электрических полей, температуры и влажности окружающей среды и т.д.
Средства КИП и А характеризуются двумя видами погрешности:
Основная погрешность - нормированная погрешность измерительного прибора, находящегося в предельных условиях окружающей среды, оговоренных в технической документации и технических условиях (ТУ).
Дополнительная погрешность - погрешность, которая возникает при использовании измерительного прибора за предельными значениями параметров окружающей среды, оговоренных в ТУ.
По форме количественного выражения погрешности делятся на абсолютные, относительные и приведенные.
Абсолютная погрешность - представляет собой разность между показанием измерительного прибора xизм и истинным значением измеряемой величины x:
(1.4)
Отсюда результат измерения представляется в виде:
(1.5)
Относительная погрешность представляет собой отношение абсолютной погрешности к истинному значению измеряемой величины.
(1.7)
Приведенная погрешность представляет собой отношение абсолютной погрешности к некоторому нормирующему значению измеряемой величины Xk, например, сумме конечных значений шкалы измерительного прибора:
(1.8)
На основании испытания и исследования погрешностей представительной партии средствам измерения присваивают соответствующий класс точности.
Класс точности - это обобщенная характеристика средства измерения, определяющая предел допускаемой основной погрешности. Классы точности средств измерений обозначают условными знаками в виде цифр.
Эти числа выбирают из ряда предпочтительных чисел:
(1; 1,5; 2; 2,5; 4; 5; 6) 10n, где n = 1,0,-1,-2 (1.9)
Чтобы отличить обозначение класса точности, связанного с относительной погрешностью, число класса точности обводят кружком, например, так: . Если погрешность нормирована в процентах от длины шкалы, а сама шкала является неравномерной, то под обозначением класса ставится знак в виде галки, например .
2. Диод, транзистор, устройство, их характеристика
Свойства p-n-перехода. |
||
Примесные полупроводники |
||
Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда--дырки. Остается отрицательный ион примеси. В месте контакта донорного и акцепторного полупроводников возникает электронно-дырочный переход (p-n-переход). |
||
Свойства р-п-перехода 1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси: d=10-7 м, Dj = 0.4--0,8 В.
|
|
|
2. Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый ток неосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным. |
|
|
3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении (свойство односторонней проводимости). |
|
|
Полупроводниковый диод Схематическое изображение. Направление стрелки указывает направление тока. |
||
Устройство диода. |
||
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. /, 2 -- участок приближенно прямолинеен -экспонента; 3 - пробой диода 0,3- обратный ток; 0,1- ток меняется нелинейно. Обратный ток обусловлен наличием неосновных осителей заряда. |
||
Применение полупроводникового диода Выпрямитель тока |
||
Принцип действия транзистора |
||
Условное обозначение Направление стрелки - направление тока На всех рисунках - p-n-p- транзисторы. |
||
Устройство биполярного транзистора. Основные применения: элемент усилителя тока, напряжения или мощности; электронный ключ (например, в генераторе электромагнитных колебаний). |
||
Переход эмиттер - база включается в прямом направлении, а база - коллектор - в обратном. Через эмиттерный переход идет большое количество основных носителей заряда. База очень тонкая. Концентрация основных носителей заряда в базе небольшая. Поэтому рекомбинация электронов и дырок небольшая. Ток базы маленький. Заряды, пришедшие из эмиттера, по отношению к базе являются неосновными, поэтому они свободно проходят через коллекторный переход. До 95% дырок, попадающих из эмиттера в базу, проходят в коллектор. Т.е. Iэ ? Iб. При изменении Iэ с помощью источника переменного напряжения одновременно почти во столько же раз изменяется Iк. Т.к. сопротивление коллекторного перехода во много раз превышает сопротивление эмиттерного, то при практически равных токах, напряжение на эмиттере много меньше напряжения на коллекторе. |
Полупроводники
Полупроводники - это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличия примесей, изменения освещённости. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия более 1.5 - 2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью.
В идеальном кристалле ток создаётся равным количеством электронов и дырок. Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещённости) собственная проводимость проводников увеличивается. На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные.
Донорная примесь - большей валентности. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведёт к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь - это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет дырочной, а полупроводник называют полупроводником р-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведёт к образованию лишней дырки.
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах p-n-перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в р-область, а «дырок» из р в n-область. Этот процесс будет не бесконечный во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».
Р-n-контакт полупроводников обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р-n-переход будет проводить электрический ток. Электроны из области n пойдут в р-область, а «дырки» из р-области в n-область. В случае обратного подключения ток равен нулю.
Так, если к р-области подключить «-» источника тока, а к n-области «+», то запирающий слой расширится.
Полупроводниковый диод (рис. 6) состоит из полупроводников р и n-типа. Достоинством полупроводникового диода являются малые размеры и масса, длительный срок службы, высокая механическая прочность, высокий КПД, а недостатком - зависимость его сопротивления от температуры. Основное применение полупроводникового диода - в качестве выпрямителя тока.
Рис. 6
Вольтамперная характеристика диода представлена на рис. 7, а простейшая схема однополупериодного выпрямителя с полупроводниковым диодом показана на рис. 8.
В радиоэлектронике применяется ещё один полупроводниковый прибор: транзистор, который был изобретён в 1948 году. В основе транзистора лежит не один, а два р-n-перехода (рис.10).
Средняя область кристалла называется базой, а две крайние области кристалла называются коллектором и эмиттером. Основное применение транзистора - это использование его в качестве усилителя слабых сигналов по току и напряжению. Транзисторы на электрических схемах обозначаются, как показано на рис. 10 (в, г).
При включении транзистора в схему один из его выводов делают общим для входной и выходной цепей, поэтому схемы бывают: с общей базой (ОБ) (рис. 11, а); с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 11, б); с общим коллектором (ОК) (рис. 11, в).
Наибольшее применение имеет схема включения с общим эмиттером. Схема включения с общей базой имеет ряд недостатков и используется реже.
погрешность метрология полупроводниковый пожаротушение
3. Основные причины возникновения пожара. Первичные и стационарные средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации
Пожары могут возникнуть по различным причинам - это могут быть факторы социального характера, техногенные или природные.
Итак, основные причины возникновения пожаров таковы:
- человек не умело обращается с огнем в быту, человек оставил в лесу костер не потушенным и т.д.;
- не были соблюдены необходимые меры безопасности (не правильно использовался прибор, оборудование и т.д.);
- предметы и вещи сами возгораются, если их оставляют в «подходящей» среде (пропитанная ветошь была оставлена под прямыми солнечными лучами);
- взрываются опасные вещества на производстве или же дома;
- пожар может возникнуть по природным причинам - гроза, молния и пр.;
- умышленный поджог человеком чужого имущества, когда человек специально поджигает имущество человека с целью нанесения вреда;
- поломки и износ оборудования на производстве - неисправная система охлаждения, сильное трение поверхностей, разрушение рабочих узлов и элементов оборудования, присутствие посторонних предметов в механизме оборудования;
- не соблюдение мер противопожарной безопасности при производственных работах;
- неправильная установка и использование приборов отопления, газоснабжения и электросети;
Какие факторы влияют на возникновение пожара.
- открытый огонь - костер, газовая горелка и прочее;
- приход веществ, способствующих горению - кислород, тепла и т.д.;
- фактор человека - простая халатность, несоблюдение мер противопожарной безопасности
Первичные средства пожаротушения.
Для ликвидации пожаров в начальной стадии используются подручные и первичные средства пожаротушения.
Подручные средства - это вещества и предметы, заранее не подготовленные для тушения пожаров. К ним относится вода, песок, земля, различные предметы, набрасываемые на очаг горения. Набрав в ведро воды из- под крана, человек может потушить небольшой пожар в квартире. Для ликвидации горения телевизора используются различные предметы из плотной материи.
Первичные средства - это приборы и средства, заранее приготовленные для тушения пожаров.
Первичные средства пожаротушения предназначены для применения в начальной стадии пожара или возгорания. К таким средствам относятся специальные емкости с водой и песком, лопаты, ведра, ломы, багры, асбестовые полотна, грубошерстные ткани и войлок, огнетушители. Определение необходимого количества первичных средств пожаротушения регламентируется «Правилами пожарной безопасности в Российской Федерации» (ППБ-01-93). При определении видов и количества первичных средств пожаротушения следует учитывать физико-химические и пожароопасные свойства горючих веществ, их отношение к огнетушащим веществам, а также площадь помещений, открытых площадок и установок.
Бочки для хранения воды должны иметь объем не менее 0.2 м3 и комплектоваться ведрами.
Ящики для песка должны иметь объем 0.5; 1.0 или 3.0 м3 и комплектоваться совковой лопатой. Емкости для песка, входящие в конструкцию пожарного стенда, должны быть вместимостью не менее 0.1 м3. Конструкция ящика должна обеспечивать удобство извлечения песка и исключать попадание осадков. Асбестовые полотна, грубошерстные ткани и войлок размером не менее 1.0x1.0 м предназначены для тушения небольших очагов пожара при воспламенении веществ, горение которых не может происходить без доступа воздуха. В местах применения и хранения легковоспламеняющихся и горючих жидкостей размеры полотен могут быть увеличены (2.0x1.5 или 2.0x2.0 м).
Огнетушитель, как первичное средство пожаротушения, и в наше время остается наиболее распространенным, эффективным и доступным в применении изделием. Огнетушители делятся на переносные и передвижные. К переносным относят огнетушители, носимые человеком, огнетушащая способность которых отвечает минимальным техническим требованиям, установленным в нормативно-технической документации. К передвижным относят огнетушители, оборудованные устройством для перевозки. Огнетушители порошковые.
ОП-5(г) с объемом корпуса 5 литров и ОП-10(г) (объем 10 литров) предназначены для тушения загорания твердых горючих материалов (класс пожара А), жидких горючих материалов (класс пожара В), газообразных веществ (класс пожара С) и электроустановок напряжением до 1000 В. Возможна многократная перезарядка. Огнетушители могут использоваться в жилых, служебных, складских помещениях, небольших хранилищах легковоспламеняющихся и горючих жидкостей, автопарках, автобазах, гаражах, торговых палатках, садовых домиках и на транспортных средствах. Срок службы - 10 лет. Периодичность перезарядки - 4 года. Огнетушители углекислотные.
Предназначены для тушения загораний веществ, горение которых не может происходить без доступа воздуха, загораний электроустановок, находящихся под напряжением не более 1000В, жидких и газообразных веществ (класс В, С). Углекислотными огнетушителями предпочтительно оборудовать противопожарные щиты в лакокрасочных цехах, на складах, АЗС и на территории промышленных предприятий. Огнетушители воздушно-пенные. Используются при тушении пожаров класса А и В (дерево, бумага, краски и ГСМ). Запрещается применение для тушения электроустановок, находящихся под напряжением! В отличие от закаченных огнетушителей, в ОВП-10 (б) вытесняющий газ хранится в баллончике. Для приведения огнетушителя в рабочее состояние необходимо нажать кнопку на его головке и выждать 5 с, пока создаётся рабочее давление внутри корпуса. Эксплуатируются при температуре от +5 до +50°С.Огнетушащий состав - раствор пенообразователя (ОВП). Системы автоматического пожаротушения с использованием средств автоматической сигнализации.
Не забывайте о внутренних пожарных кранах. Они размещаются, как правило, в специальных шкафчиках, приспособленных для их опломбирования и визуального осмотра без вскрытия. У каждого должен быть пожарный рукав длиной 10, 15 или 20 м и пожарный ствол. Один конец рукава примкнут к стволу, другой к пожарному крану. Развертывание расчета по подаче воды к очагу пожара производится в составе 2 человек: один работает со стволом, второй подает воду от крана.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 18.12.2009Цели и задачи метрологии. Основы метрологического обеспечения. Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии. Калибровка средств измерений. Российская система калибровки. Воспроизведение единиц физических величин и передача их размера.
учебное пособие [7,8 M], добавлен 29.01.2011Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат [44,1 K], добавлен 12.01.2010Метрология как наука об измерениях, методах и средствах обеспечения их единства и способах достижения требуемой точности. Способы нормирования метрологических характеристик средств измерений, поверка электродинамических и электромагнитных приборов.
курсовая работа [178,5 K], добавлен 09.11.2012Рассмотрение систематических и случайных погрешностей измерений основных показателей в метрологии. Правила суммирования погрешностей. Основы обработки однократных прямых, многократных и косвенных измерений. Определение границы доверительного интервала.
курсовая работа [78,9 K], добавлен 14.10.2014История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014Средства электрических измерений: меры, преобразователи, комплексные установки. Классификация измерительных устройств. Методы и погрешности измерений. Определение цены деления и предельного значения модуля основной и дополнительной погрешности вольтметра.
практическая работа [175,4 K], добавлен 03.05.2015Обзор конструктивных особенностей и характеристик лазеров на основе наногетероструктур. Исследование метода определения средней мощности лазерного излучения, длины волны, измерения углов расходимости. Использование исследованных средств измерений.
дипломная работа [2,7 M], добавлен 26.10.2016Антенны в современной радиоэлектронике. Электрические параметры антенн. Общие сведения и принцип действия зеркальной антенны. Геометрические характеристики параболоидного зеркала. Методика моделирования ближнего поля. Конструирование зеркальных систем.
реферат [706,1 K], добавлен 28.01.2009Государственная метрологическая аттестация: методы и проблемы проверки магнитоэлектрических логометров, стандарты достоверности, средства измерений и контроля. Правила и схемы метрологических проверок средств измерения для обеспечения единства измерений.
курсовая работа [44,2 K], добавлен 27.02.2009Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Изучение метрологии как науки об измерениях, методах и средствах обеспечения их единства, способах достижения требуемой точности. Классификация и принцип работы измерительных средств. Основные этапы развития стандартизации и сертификации в России.
курсовая работа [386,1 K], добавлен 30.06.2015Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа [3,0 M], добавлен 24.11.2013Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа [418,7 K], добавлен 10.05.2015Основные термины и определения в области метрологии. Современное состояние измерений в телекоммуникациях, процесс совершенствования измерительных технологий. Определение относительных уровней напряжения, суть безразмерной измерительной единицы - децибел.
реферат [35,9 K], добавлен 19.09.2015Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013Понятие средства измерений, их виды и классификация погрешностей. Метрологические характеристики средств измерений, особенности норм на их значения. Частные динамические характеристики аналого-цифровых преобразователей и цифровых измерительных приборов.
курсовая работа [340,9 K], добавлен 03.01.2013Поверка средств измерений органами метрологической службы при помощи эталонов и образцовых средств измерений. Описание технических приемов поверки. Принцип действия измерительного преобразователя. Описание и характеристики преобразователя "Сапфир-22ДИ".
реферат [480,1 K], добавлен 17.07.2015Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010